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1、电子行业中有哪几种电子行业中有哪几种ICT2.ICT简单介绍.ICT的概念的概念ICT量测原理量测原理程式的编写程式的编写编写测试资料的一些注意事项编写测试资料的一些注意事项程式的程式的Debug不良报表的阅读不良报表的阅读ICT误判分析误判分析硬体检测硬体检测ICT的概念的概念1.何谓何谓ICT？ICT即在线测试仪（InCircuitTester）,是一大堆高级电表的组合。电表能测到，ICT就能测到，电表测不到，ICT可能也测不到。2.ICT能测些什么？能测些什么？Open/Short,R,L,C及PN结（含二极管，三极管，Zener，IC）3.ICT与电表有何差异与电表有何差异？ICT可对
2、旁路元件进行隔离（Guarding），而电表不可以。所以电表测不到，ICT可能测得到。4.ICT与与ATE有何差异？有何差异？ICT只做静态测试，而ATE可做动态测试。即ICT对被测机板不通电（不加Vcc/GND），而ATE则通电。ICT量测原理量测原理1.量测量测R：单单个个R(mode0,1):利用Vx=IsRx（欧姆定律），则Rx=Vx/Is.信号源Is取恒流（0.1uA5mA）,量回Vx即可算出Rx值.R/C(mode2):信号源Vs取恒压（0.2V），量回Ix，则Rx=Vs/Ix=0.2V/Ix，算出Rx值.R/L(mode3,4,5):信号源取交流电压源Vs，籍相位法辅助.|Y|C
3、os=YRx=1/Rx,并|Y|=Ix/Vs故：Rx=1/|Y|Cos2.量测量测C/L：单个单个C/L（Mode0,1,2,3）：信号源取恒定交流压源VsVs/Ix=Zc=1/2fCx,求得：Cx=Ix/2fVsVs/Ix=ZL=2fLx,求得：Lx=Vs/2fIxC/R或或L/R：籍相位法辅助|Y|Sin=|Ycx|,即CxSin=Cx求得：Cx=CxSin(Cx=Ix/2fVs)|Y|Sin=|Ycx|,即Sin/Cx=1/Cx求得：Lx=Lx/Sin(Lx=Vs/2fIx)3.量测量测PN结：结：（D、Q、IC）信号源0-10V/3mAor30mA可程式电压源,量PN结导通电压4.量测
4、量测Open/Short：即以阻抗判定：先对待测板上所有Pin点进行学习,R25即归为ShortGroup，然后Test时进行比较，R55判为Open.5.Guarding(隔离隔离)的实现的实现：当Rx有旁路（R1）时，Ix=Is-I1Is,故：Vx/IsRx此时取A点电位Va,送至C点，令Vc=Va,则：I1=(Va-Vc)/R1=0,Is=Ix从而：Vx/Is=Rx程式的编写程式的编写1.在T测试测试下，设定P“测试参数测试参数”2.在E编辑编辑下，编写程式：步骤零件名称实际值位置高点低点隔点12345删略量测值标准值上限%下限%延迟信号类别重测中停补偿值偏差%。1R347KA12110
5、100000047K1010000000 02C22100nD2752000 00 0100n3030000000 03L122uB218700000022u303000000004D50.7VC116190000000.7V20200000000.1.进入L学习学习,做ShortGroup学习.若有IC，还需做ICClampingDiode学习。2.在主画面在下测试测试，检验程式及开始Debug。编写测试资料的一些注意事项编写测试资料的一些注意事项1、原则一：Stand_V与Actual_V相同（限于R,L,C）,万不得已时才考虑修改。2、原则二：量测值精确而真实，越接近Actual_V（主
6、要指R,L,C及齐纳电压等）越好，即Dev%越小越好（大好数应在+/-3%以内）3、原则三：量测值越稳定越好，按F8看测量值小数点前后的跳动情况，或按F9，F10看统计分布图。4、原则四：省时，即省去多余延时或通过改用其它模式，设置隔离点等以达到省时目的，其前提是须保证测量值精确而真实，稳定。5、在测试资料档侦错前，必需先进行短路点学习，因为使用自动寻找隔离等以达到省时目的，其前提是须保证测量精确而真实，稳定。6、特大电容在Open/Short学习时，可能会学成Short，而大电感则反之。7、隔离点的选择，通过按F7或ALT+F7，或者加适当延时等修改后再按F7或ALT+F7由系统自动完成，绝
7、大多数可达到效果，经验表明，隔离点太多，测量值可能不稳定，一般选择0-2个隔离点可以满足要求，并且隔离点的选择一般仅隔离一面，如果按F7或ALT+F7后，系统选择的隔离点太多，则要重新作自动隔离，以找到一种隔离点较少且测量效果最好的方案。8、一般而言，以电流源当信号源测试的R是以相接元件较少的一端作为高点，而以电压源信号测试的C,L,R/C,R/L则以相接元件较少的一端作为低点，按ALT+F7可作自动选择隔离点而不互换高低点。9、尽量使用重测功能，而少用平均值功能，以缩短测试时间。（本厂暂无平均值功能）10、对于不稳定的步骤，考虑设RPT为5/D。11、有加重测功能的步骤，其测试值是分布在上限
8、边缘或是在下限边缘的则不必去修改。因为测试值若是在良品范围之外，系统会自动进行重测（边疆的重测亦会起到延时的效果）。而延迟时间加得太长，会影响到测试时间。12、关于“-1”的使用场合：+/-Lm%可设为“-1”，以忽略其限制，经验表明，以下几种情况不提倡使用“-1”。1）小电阻（如1.0-20HM），-Lm%勿取-1（0电阻除外），要确保能测出边锡短路；因过小的电阻一般在Open/Short测试时，无法检出连锡。2）DIODE反向压降测试，+Lm%勿取-1，因探针接触不佳开路时，电压降更大；3）电容极性测试，-Lm%勿取-1，因探针接触不佳开关路时，电流会更小。虽然因探针接触不佳开路时，DIO
9、DE的正向测试或电容容值会FAIL，但RETRY时仅就不良步骤进行再测试。13、对于无法准确测试的情形，比如：大电阻并联大电容，过小的小电容等，可考虑修改Stand_V/-Lm%而保留测试，无论如何，不要采取删略（Skip）的下策，虽然有时这颗元件既便漏件也不可测，但并不表示错成其它任何元件都不可测。14、据时间常数t=RC，且系统对大电阻提供的电流源会比小电阻小，故在整个网络中，大电阴须延时的机会会比小电阻多，过大电阻，按F7学习后，如得到的测量值不甚接近实际值或者不稳定，则可设DIY为10或以上，再按F7学习，如果延时须要太久，可考虑采用HIGHSPEEDMODER/C。15、在线路图和零
10、件表上没有列出感值的电感，可以按下F8键，以所量到的电感值当做标准值。对于感值在mH级以上的电感（包括变压器，继电器等线图），均补增R模式测试，且延时必须为10以上，亦考虑设RPT为5或D，使其呈现为较小电阻（此为防范选错针号，以及更确保测出内部开路的必要步骤）。16、选择低频（MODE1）测试小电感时，同小电阻类似，量测值受探针接触电阻影响较大，可将上限适当放宽至30以上。17、关于电容极性测试，一般可按如下方法试之：设ACT_V为510V，（初设9V，试之不佳，在考虑将其改为5V等）MODE为6（20mA（一般电流越大越好）STD_V为0.2-0.5mA（此设定以可完全准确测出插反为准，可
11、更大些）HI-PIN为电容阳极LO-PIN为电容阴极-LM%可设至60-90。18、作为旁路的小电容，一般上限允许较大误差，确保最低值满足要求即可。精度要求非常高的电容另虑。19、对于100pF以下的小电容，如果不稳定，上限可宽40-80。20、对于3nF以下的小电容，按F7学习失败，可尝试在offset设定200，500，2000等等，再按F7学习，最好先去除offset，再按如前所述试之。21、大电容有时会遭误判，可以将该大电容的高低点互换试之。对于40uF以上的电容按F7学习采用MODE4测试，如果测量值不接近实际值，可将MODE换为8再试。因大电流充电，其充电曲线较陡。22、所有二极体
12、均采用正、反向双步骤测试，以更确保测出插反或错件，乃至元件不良。具体方法：按CTRL+ENTER插入一步骤后，分别将Stand_V设置为9.9V，MODE为1，PRT为5/D。如并联大电容，则要足够延时，再按F8的Meas_V，然后以Meac_V修改Stand_V，设+/-Lm%为20-30（不提倡使用-1）。程式的程式的Debug编写好的程式在实测时，因测试信号的选择，或被测元件线路影响，有些Step会Fail（即量测值超出%限），必须经过Debug。R：在E编辑下，ALT-X查串联元件，ALT-P查并联元件。据此选好“信号”（Mode）和串联最少元件的Hi-P/Lo-P，并ALT-F7选择
13、GuardingPin。R/C：Mode2及Dly加大（参考：T=5RC）R/D（orIC、Q）：Mode1R/R：Std-V取并联阻值R/L：Mode3、4、5，根据Zl=2fL，故L一定时，若f越高，则Zl越大，则对R影响越小C：在编缉下一般根据电容值大小，选择相应的Mode。如小电容（pF级），可选高频信号（Mode2、3），大电容（nF级）可选低频信号（Mode0、1），然后ALT-F7选择隔离。3uF以上大电容，可以Mode4、8直流测试。C/C：Std-V取并联容值C/R：Mode5、6、7，由Zc=1/2fC,故C一定时，f越高，Zc越小，则R的影响越小。C/L：Mode5、6、
14、7，并且f越高效果越好。L：F8测试，选择Mode0、1、2中测试值最接近Std-V，然后Offset修正至准确。L/R：Mode5、6、7。PN结结：F7自动调整，一般PN正向0.7V（Si），反向（2V以上）。D/C：Mode1及加Delay。D/D（正向）：除正向导通测试，还须测反向截止（2V以上）以免D反插时误判。Zener：Nat-V选不低于Zener崩溃电压，若仍无法测出崩溃电压，可选Mode1（30mA），另外10-48Vzener管，可以HV模式测试。Q：be、bc之PN结电压两步测试可判断Q之类型（PNPorNPN），Hi-P一样（NPN），Lo-P一样（PNP），并可Deb
15、ugce饱和电压(0.2V以下)，注意Nat-V为be偏置电压,越大Q越易进入饱和，但须做ce反向判断(须为截止0.2V以上)，否则应调小Nat-V。不良报表的阅读不良报表的阅读ABCDE123456R3H1D5L2L1VHC22H2以H0代有上限值（标准值，L0代表下限值）：L1表示：量测值介于L0与L0-（H0-L0）10%之间L2表示：量测值介于L1与L0-（H0-L0）20%之间VL表示：量测值低于L2H1表示：量测值介于H0与H0+（H0-L0）10%之间H2表示：量测值介于H1与H0+（H0-L0）20%之间VH表示：量测值高于H2不良记录不良记录：*OpenFail*（48）（4
16、5 48）表示48点与短路组（4548）断开，可能是探针未接触到PCB焊盘，或板上有断路。*ShortFail*（20）（23）表 示 20点 与 23点 短 路（R5），可能是板上有锡渣造成Short，装错零件造成Short，零件脚过长造成Short等。*ComponentFail*1R3M-V：52.06K，Dev：+10.7%，Act-V=47K，Std-V=47K，Loc:A1，Hi-P=21L0-P=101+LM：+10%-LM：-10%表示：R3偏差+10.7%，可能为零件变值，或接触不良。若偏差+999.9%或很大，可能为缺件、错件超出标准值所在量程上限，（47K在30K300K
17、量程内）；若偏差0.00%或很小，可能为短路，错件超出其标准值所在量程下限。ICT误判分析误判分析1.ICT无法测试部分：无法测试部分：2.记 忆 体 IC（EPROM、SRAM、DRAM）3.并联大10倍以上大电容的小电容并联小20倍以上小电阻的大电阻单端点之线路断线D/L，D无法量测IC之功能测试2.PCB之测点或过孔绿油未打开，或之测点或过孔绿油未打开，或PCB吃锡不吃锡不好。好。3.压床压入量不足。探针压入量应以压床压入量不足。探针压入量应以1/2-2/3为佳。为佳。4经过免洗制程的经过免洗制程的PCB板上松香致探针接触不良。板上松香致探针接触不良。5PCB板定位柱松动，造成探针触位偏
18、离焊盘。板定位柱松动，造成探针触位偏离焊盘。6治具探针不良损坏。治具探针不良损坏。7.零件厂牌变化（可放宽零件厂牌变化（可放宽+-%，IC可重新可重新Learning）。）。8.治具未治具未Debug好（再进行好（再进行Debug）。）。9.ICT本身故障。本身故障。硬体检测硬体检测11.开关板开关板：诊断（D）-切换电路板（B）-系统自我诊断（S）-切换电路板诊断（S）。若有B*C*表示SWB有Fail，请记录并通知TRI。C*有可能为治具针点有Short造成。12.系统自我检测系统自我检测：诊断（D）-硬体诊断（S）-系统自我检测（S）有R、D项Fail可能为DC板故障。有C、L项Fail可能AC板Fail。有Power 项Fail可能Power板Fail。