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1、泓域咨询/扬州半导体设备项目招商引资方案扬州半导体设备项目招商引资方案xx有限责任公司报告说明从介质刻蚀市场结构看，TEL一家独大，长期全球市占率超过50%；其次Lam占据接近40%的市场份额，两家厂商主导整个市场，寡占程度较强。全球介质刻蚀设备供应商还有SEMES、中微公司、AMAT、Ulvac、屹唐半导体等。中微公司开发了系列介质刻蚀装备，并承担多项重大科研项目，是国内领先的介质刻蚀设备厂商。根据谨慎财务估算，项目总投资5630.47万元，其中：建设投资4352.02万元，占项目总投资的77.29%；建设期利息120.33万元，占项目总投资的2.14%；流动资金1158.12万元，占项目总
2、投资的20.57%。项目正常运营每年营业收入11300.00万元，综合总成本费用9021.50万元，净利润1666.36万元，财务内部收益率21.94%，财务净现值2939.41万元，全部投资回收期5.89年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。经分析，本期项目符合国家产业相关政策，项目建设及投产的各项指标均表现较好，财务评价的各项指标均高于行业平均水平，项目的社会效益、环境效益较好，因此，项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本，制定好项目的详细规划及资金使用计划，加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理，特别是加强产品生产的现金流管理，确
3、保企业现金流充足，同时保证各产业链及各工序之间的衔接，控制产品的次品率，赢得市场和打造企业良好发展的局面。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 项目建设背景及必要性分析9一、 薄膜设备：用于沉积物质，在设备市场占比较高9二、 光刻机：半导体制程工艺核心环节，将掩膜板图形缩小11三、 构建以智能融合发展为导向的现代产业体系12第二章 项目概述15一、 项目概述15二、 项目提出的理由17三、 项目总投资及资金构成18四、 资金筹措方案19五、 项目预期经济效
4、益规划目标19六、 项目建设进度规划19七、 环境影响19八、 报告编制依据和原则20九、 研究范围21十、 研究结论21十一、 主要经济指标一览表21主要经济指标一览表21第三章 市场预测24一、 全球设备市场创新高，受益于资本开支提升、制程节点进步24二、 测试设备：用于测试晶圆片及成品27三、 刻蚀设备：等离子刻蚀复杂程度高，且步骤逐渐增加29第四章 产品规划与建设内容32一、 建设规模及主要建设内容32二、 产品规划方案及生产纲领32产品规划方案一览表32第五章 建筑工程方案34一、 项目工程设计总体要求34二、 建设方案36三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表40第六章 法人
5、治理结构42一、 股东权利及义务42二、 董事44三、 高级管理人员48四、 监事50第七章 发展规划分析52一、 公司发展规划52二、 保障措施53第八章 SWOT分析56一、 优势分析（S）56二、 劣势分析（W）58三、 机会分析（O）58四、 威胁分析（T）60第九章 安全生产68一、 编制依据68二、 防范措施69三、 预期效果评价72第十章 组织架构分析73一、 人力资源配置73劳动定员一览表73二、 员工技能培训73第十一章 节能方案75一、 项目节能概述75二、 能源消费种类和数量分析76能耗分析一览表76三、 项目节能措施77四、 节能综合评价77第十二章 工艺技术设计及设备
6、选型方案79一、 企业技术研发分析79二、 项目技术工艺分析82三、 质量管理83四、 设备选型方案84主要设备购置一览表85第十三章 进度规划方案86一、 项目进度安排86项目实施进度计划一览表86二、 项目实施保障措施87第十四章 投资方案88一、 投资估算的编制说明88二、 建设投资估算88建设投资估算表90三、 建设期利息90建设期利息估算表91四、 流动资金92流动资金估算表92五、 项目总投资93总投资及构成一览表93六、 资金筹措与投资计划94项目投资计划与资金筹措一览表95第十五章 经济效益评价96一、 基本假设及基础参数选取96二、 经济评价财务测算96营业收入、税金及附加和
7、增值税估算表96综合总成本费用估算表98利润及利润分配表100三、 项目盈利能力分析101项目投资现金流量表102四、 财务生存能力分析104五、 偿债能力分析104借款还本付息计划表105六、 经济评价结论106第十六章 风险评估107一、 项目风险分析107二、 项目风险对策109第十七章 项目招标方案111一、 项目招标依据111二、 项目招标范围111三、 招标要求111四、 招标组织方式113五、 招标信息发布114第十八章 总结评价说明115第十九章 附表118主要经济指标一览表118建设投资估算表119建设期利息估算表120固定资产投资估算表121流动资金估算表122总投资及构成
8、一览表123项目投资计划与资金筹措一览表124营业收入、税金及附加和增值税估算表125综合总成本费用估算表125固定资产折旧费估算表126无形资产和其他资产摊销估算表127利润及利润分配表128项目投资现金流量表129借款还本付息计划表130建筑工程投资一览表131项目实施进度计划一览表132主要设备购置一览表133能耗分析一览表133第一章 项目建设背景及必要性分析一、 薄膜设备：用于沉积物质，在设备市场占比较高薄膜生长：采用物理或化学方法使物质附着于衬底材料表面的过程，常见生长物质包括金属、氧化物、氮化物等不同薄膜。根据工作原理不同，薄膜沉积生长设备可分为：物理气相沉积(PVD)、化学气相
9、沉积（CVD）和外延等类别。PVD和CVD是主要的薄膜设备，ALD是产业技术发展趋势。在半导体领域，薄膜主要分给绝缘薄膜、金属薄膜。大部分绝缘薄膜使用CVD，金属薄膜常用PVD（主要是溅射）。其他常用的镀膜方式包括ECD、SOD、MOCVD、Epitaxy等。在薄膜设备整体中，CVD的使用越来越广泛，基于CVD发展的ALD更是行业升级的技术方向。物理气相沉积（PVD）：利用蒸发或溅射，实现原子从源物质到沉底材料表面的物质转移，沉积形成薄膜。物理气相沉积是一种物理气相反应生长法，沉积过程是在真空或低压气体放电条件下，涂层物质源是固态物质，经过“蒸发或溅射”后，在零件表面生成与基材性能完全不同的新
10、的固态物质涂层。PVD具有成膜速率高、镀膜厚度及均匀性可控好、薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高等优点。PVD可以分为真空蒸镀（VacuumEvaporator）和溅射（Sputtering）。PVD发展初期以真空蒸镀镀膜为主，特点是工艺简单、操作容易、纯度较高，缺点是难以蒸发某些金属和氧化物。由于溅射设备制备的薄膜更加均匀、致密，对衬底附着性强，纯度更高，溅射设备取代了蒸镀设备。2020年全球薄膜设备市场达到138亿美元，占IC制造设备21%；其中主要是CVD和PVD，合计占IC制造设备18%。其中，CVD市场规模高度89亿美元，主流是设备包括PECVD、TubeCVD、LPCVD和ALD等。
11、整个薄膜市场市占率最高的是AMAT。高端领域如ALD受ASM、TEL和Lam等海外龙头主导。国内布局IC制造领域薄膜设备的主要国产厂商包括北方华创和沈阳拓荆。CVD市场主要由海外龙头主导，国内北方华创、沈阳拓荆积极布局。根据Gartner数据，全球CVD市场前五大供应商包括AMAT（28%）、LamResearch（25%）、TEL（17%）、Kokusai（原日立高新，8%）、ASM（11%）。国内半导体设备龙头北方华创、沈阳拓荆在该领域也有布局。从PVD市场格局来看，AMAT一家独大，长期占据约80%的市占率。PVD市场主要供应商包括AMAT、ULVAC、Evatec、KLA、TEL、北方
12、华创等。根据Gartner，2020年北方华创的半导体PVD设备全球市占率为3%，属于国内领先地位。随着国产替代加速，北方华创PVD业务有望加速成长。二、 光刻机：半导体制程工艺核心环节，将掩膜板图形缩小2020年，全球光刻机市场约135亿美元，占全球半导体制造设备市场21%。光刻机市场一直以来在全球设备市场中的比重都较高，具有较高技术难度，并且单台设备价值量也较高，属于半导体制造设备的“皇冠”。光刻机单机价值量高，每年出货数量约300400台。根据ASML、Nikon、Canon三家光刻机财报数据统计，近两年全球光刻机每年出货量大约在300400台之间，整体均价约0.3亿美元。其中主要产品是
13、KrF约90100台，ArFi约90100台。近几年EUV出货量在逐步增长，全球仅有ASML具备供应能力，每年出货3050台，均价超过1亿美元。光刻机的供给有限，前三大晶圆制造领先厂商占据大部分需求。ASML在2020年一共销售34台EUV光刻机，2021年EUV光刻机的产能将增长到4550台。从历史需求端来看，全球90%以上的EUV光刻机由TSMC、Samsung、Intel三家采购，其他诸如代工厂GobalFoundries、存储厂海力士、美光每年最多采购1台光刻机。ASML主导全球光刻机市场。从光刻机格局来看，2020年ASML占据全球光刻机市场84%的市场空间，Nikon约7%，Can
14、on约5%。ASML具有高度的垄断地位，并且由于EUV跨越式的升级进步，ASML在技术上的领先性更加明显。国内上海微布局前道光刻机设备。上海微电子装备（集团）股份有限公司主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务。公司于2002年成立，2006年公司光刻机产品注册商标获得国家工商局批准。三、 构建以智能融合发展为导向的现代产业体系以实体经济为着力点，强化产业链思维，以智能制造和工业互联网为主攻方向，构建具有扬州特色的现代产业体系，推进产业基础高级化和产业链现代化，推动向产业价值链高端攀升，全面提升产业竞争力。（一）做大做强先进制造业集群推动先进制造业集群
15、专业化链条化发展。实施产业基础再造行动。引导制造业向分工细化、协作紧密方向发展，围绕沿328国道、连淮扬镇高铁两大产业发展带，重点巩固提升汽车及零部件、高端装备、新型电力装备等优势支柱产业，培育做大软件和信息服务、生物医药和新型医疗器械、航空等新兴产业，转型提升高端纺织和服装、食品等传统特色产业。实施产业链提升计划。（二）培育壮大战略性新兴产业实施新动能培育计划。突出高端化、特色化、品牌化、集聚化，以增量优化带动存量调整，推动战略性新兴产业在空间、资源、人才等方面有效集聚。加速发展高端数控机床与智能装备、智能网联汽车及零部件、航空科技与制造、新光源与新材料、数字科技与新型元器件、生物医药等特色
16、新兴产业；超前布局人工智能、虚拟现实、数字创意等前瞻新兴产业；跟踪关注未来能源（氢能源）、未来材料、未来制造等未来产业，加快培育一批各具特色、优势互补、结构合理的战略性新兴产业集群。到2025年，战略性新兴产业产值占规上工业总产值比重达到40%左右。（三）转型发展建筑业坚持“一业为主、多元发展”原则，持续巩固壮大土建主业，大力发展绿色装配式建筑产业，拓展高端设备安装、信息智能化、市政路桥、生态环保等土建关联产业，发展综合开发、建筑设计、建材、咨询等建筑服务行业。（四）高质量发展现代服务业培育壮大生产性服务业。以专业化、网络化和向价值链高端延伸为方向，围绕全产业链整合优化，提升生产性服务业有效供
17、给，大力发展科技服务、服务外包、现代物流、软件信息等现代服务业，带动制造业流程再造、业务延伸、模式创新。聚焦城市功能完善和推动产城融合，积极发展现代金融、商务服务、会展经济、楼宇经济等服务业态。鼓励企业运用现代信息技术创新产品和服务，不断提升核心竞争力。到2025年，生产性服务业增加值占服务业增加值比重稳步提升。（五）高水平发展数字经济大力发展数字产业。加快发展大数据、云计算、人工智能，培育未来网络、新一代人工智能、区块链等新兴数字产业，推动数字经济与其他领域融合创新发展，打造一批基于城市与产业发展的应用场景。围绕满足多样化消费需求，以数字技术融合应用推动服务模式和业态创新，推动贸易、物流、文
18、创、零售等行业数字化创新发展。加快平台经济、共享经济、体验经济发展。（六）加强现代企业家队伍建设着力建设企业家队伍。聚焦培育大企业集团、国内领先企业和行业领军企业，着力培养一批擅长国际化经营管理、具有国际市场影响力的企业家、经营业绩突出的知名企业家以及富有创新精神和工匠精神、具有行业或区域影响力的企业家。第二章 项目概述一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：扬州半导体设备项目2、承办单位名称：xx有限责任公司3、项目性质：技术改造4、项目建设地点：xx（以选址意见书为准）5、项目联系人：汪xx（二）主办单位基本情况公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的
19、过程中，综合考虑其对消费者的影响，确保产品安全。积极与消费者沟通，向消费者公开产品安全风险评估结果，努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度，持续推进产品升级，为行业提供先进适用的解决方案，为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。当前，国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看，世界经济深度调整、复苏乏力，外部环境的不稳定不确定因素增加，中小企业外贸形势依然严峻，出口增长放缓。从国内看，发展阶段的转变使经济发展进入新常态，经济增速从高速增长转向中高速增长，经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长，经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对经济发展带来新挑战，企业遇
20、到的困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境，公司依然面临着较大的经营压力，资本、土地等要素成本持续维持高位。公司发展面临挑战的同时，也面临着重大机遇。随着改革的深化，新型工业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进，以及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施，企业发展基本面向好的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势，利用好国际国内两个市场、两种资源，抓住发展机遇，转变发展方式，提高发展质量，依靠创业创新开辟发展新路径，赢得发展主动权，实现发展新突破。公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建
21、设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约14.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规
22、划设计方案为：xx套半导体设备/年。二、 项目提出的理由半导体测试包括晶圆允收测试（WAT）、晶圆检测（CP）、成品测试（FT）。WAT环节涉及测试机、分选机、探针台；CP由测试机、探针台搭配完成；FT涉及测试机、分选机搭配完成。晶圆检测（CP）是指在晶圆完成后进行封装前，通过探针台和测试机的配合使用，对晶圆上的裸芯片进行功能和电参数测试。成品测试（FT）是指芯片完成封装后，通过分选机和测试机的配合使用，对封装完成后的芯片进行功能和电参数测试。测试机行业面临的测试任务日益复杂，测试机的测试能力和配置需求都在提高。随着集成电路管脚数增多、测试时间增长，包括华峰测控在内的测试机企业越来越多地采用多
23、工位并测的方案来降低测试时间，推出测试覆盖面更广、资源更多的测试设备，不断提高测试系统的可靠性和稳定性，以降低客户平均到每颗器件的测试成本。测试技术要求不断提高。测试产品技术发展趋势主要包括：（1）并行测试数量和测试速度的要求不断提升；（2）功能模块需求增加；（3）对测试精度的要求提升；（4）要求使用通用化软件开发平台；（5）对数据分析能力提升，全球半导体测试设备市场保持稳步增长，其中测试机占比最高。根据VLSI，全球半导体后道测试设备市场（含测试机、分选机、探针台）规模约50亿美元。检测设备市场空间大，包括CP测试和FT测试在内的半导体测试设备占半导体设备市场空间15%20%。整个测试设备市
24、场中，测试机比重最高，分选机与探针台相对较少。测试机按测试对象包括模拟、混合、数字、SOC、存储器测试机等市场。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资5630.47万元，其中：建设投资4352.02万元，占项目总投资的77.29%；建设期利息120.33万元，占项目总投资的2.14%；流动资金1158.12万元，占项目总投资的20.57%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资5630.47万元，根据资金筹措方案，xx有限责任公司计划自筹资金（资本金）3174.64万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期
25、工程项目申请银行借款总额2455.83万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：11300.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：9021.50万元。3、项目达产年净利润（NP）：1666.36万元。4、财务内部收益率（FIRR）：21.94%。5、全部投资回收期（Pt）：5.89年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：4344.40万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 环境影响本期项目采用国内领先技术，把可能产生污染的各环节控制在生产工艺过程中，使外排的“三废”量达到
26、最低限度，项目投产后不会给当地环境造成新污染。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要；2、投资项目可行性研究指南；3、相关财务制度、会计制度；4、投资项目可行性研究指南；5、可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件；6、根据项目需要进行调查和收集的设计基础资料；7、可行性研究与项目评价；8、建设项目经济评价方法与参数；9、项目建设单位提供的有关本项目的各种技术资料、项目方案及基础材料。（二）编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排
27、、节省投资、加快进度。九、 研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。十、 研究结论此项目建设条件良好，可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施，项目投资省、见效快；此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则，技术先进，成熟可靠，投产后可保证达到预定的设计目标。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积93
28、33.00约14.00亩1.1总建筑面积14427.211.2基底面积5506.471.3投资强度万元/亩295.322总投资万元5630.472.1建设投资万元4352.022.1.1工程费用万元3632.512.1.2其他费用万元614.342.1.3预备费万元105.172.2建设期利息万元120.332.3流动资金万元1158.123资金筹措万元5630.473.1自筹资金万元3174.643.2银行贷款万元2455.834营业收入万元11300.00正常运营年份5总成本费用万元9021.506利润总额万元2221.817净利润万元1666.368所得税万元555.459增值税万元47
29、2.4910税金及附加万元56.6911纳税总额万元1084.6312工业增加值万元3692.5213盈亏平衡点万元4344.40产值14回收期年5.8915内部收益率21.94%所得税后16财务净现值万元2939.41所得税后第三章 市场预测一、 全球设备市场创新高，受益于资本开支提升、制程节点进步2021年全球半导体设备市场规模创1026亿美元新高，大陆首次占比全球第一。根据SEMI，2021年半导体设备销售额1026亿美元，同比激增44%，全年销售额创历史新高。大陆设备市场在2013年之前占全球比重为10%以内，20142017年提升至1020%，2018年之后保持在20%以上，份额呈逐
30、年上行趋势。2020-2021年，国内晶圆厂投建、半导体行业加大投入，大陆半导体设备市场规模首次在市场全球排首位，2021达到296.2亿美元，同比增长58%，占比28.9%。展望2022年，存储需求复苏，韩国预计将领跑全球，但大陆设备市场规模有望保持较高比重。北美半导体设备厂商月销售额2021年以来稳站30亿+美金。通过复盘半导体行业景气周期历史，北美半导体设备厂商月销售额对于全球半导体行业景气度分析具有重要意义，北美半导体设备销售额水平通常领先全球半导体销售额一个季度。2021年1月，北美半导体设备厂商月销售额首次突破了30亿美金关口，创历史新高，达到了30.4亿美金。此后月度销售额逐季创
31、新高，至12月份销售额达到39.2亿美金，同比增长46%。与此同时全球半导体销售市场自2021年4月以来连续12个月同比增速超过20%，2022年3月，全球半导体销售额达到505.8亿美金，同比增长23.0%，展望2022全年，从各机构当前预测平均值来看，预计2022年全球半导体市场仍将保持10%以上同比增长。半导体设备行业呈现明显的周期性，受下游厂商资本开支节奏变化较为明显。2017年，存储厂商的大幅资本开支推动半导体设备迎来巨大需求，且这一势头一直延续到2018年上半年。但随后产能过剩致使存储价格走低，导致DRAM和NAND厂商纷纷推迟设备订单。存储产能过剩一直持续到2019年上半年，同时
32、上半年整体半导体行业景气度不佳，虽然下半年随着行业景气度恢复，以台积电为代表的晶圆厂陆续调高资本开支大幅扩产，2019年全年半导体设备需求同比仍回落约2%。2020年全球各地先后受疫情影响，但存储行业资本支出修复、先进制程投资叠加数字化、5G带来的下游各领域强劲需求，全年设备市场同比增长19%。伴随半导体厂商新一轮资本开支开启，2021年全球设备市场继续大幅增长44%。当前海外设备龙头应用材料、泛林集团等均预计2022年全球设备市场规模将进一步增长。未来两年全球晶圆厂设备开支持续增长。2020年疫情带来的居家及远程办公带来笔电等消费电子需求激增作为本轮周期的催化剂，2020H2以车用芯片为代表
33、的供应链开始紧张，下游持续增长的需求与上游有限产能的矛盾演绎为2021年全年行业供需失衡加剧。2022年以来，消费性电子、智能手机、PC等领域需求确有下滑，但更值得注意的是全球正步入第四轮硅含量提升周期，服务器、汽车、工业、物联网等需求大规模提升。在6月台积电召开的股东大会上，公司管理层表示未来10年是半导体行业非常好的机会，主要原因就是5G及高效能运算的普及，生活数字化转型，带来对车用（新车半导体含量可达传统车的10倍）、手机、服务器等终端内半导体含量的增加，推动半导体需求大幅成长。中芯国际在22Q1法说会表示，尽管消费电子，手机等存量市场进入去库存阶段，开始软着陆，但高端物联网、电动车、绿
34、色能源、工业等增量市场尚未建立足够的库存，近年来硅含量提升与晶圆厂有限的产能扩充矛盾，叠加产业链转移带来的本土化产能缺口，使得公司需要大幅扩产，推出新产品工艺平台，满足客户旺盛的增量需求。疫情、全球经济及半导体周期性虽然会带来短期内的不确定性，但是技术进步、硅含量提升是长期支撑半导体行业持续发展的最关键驱动力。2020年开始全球领先的晶圆厂纷纷加速扩产提升资本开支，根据ICInsights，2021年全球半导体资本开支增速达到36%，预计2022年将继续增长24%，2020-2022年将会成为自1993-1995年以来的首次CapEx连续三年增速超过20%。半导体设备作为晶圆厂扩产的重要开支部
35、分，根据SEMI，2021年全球晶圆厂前道设备支出增速达到42%，预计2022年将进一步增长18%。台积电、中芯国际纷纷增加资本开支，CapEx进入上行期。根据ICInsights，全球代工厂资本开支约占半导体总体的35%，根据头部代工厂的资本开支规划来看，2022年代工领域资本开支将进一步提升。台积电从2020年170亿美金增长到2021年的300亿美金（用于N3/N5/N7的资本开支占80%），公司2021年4月1日公布未来三年资本开支1000亿美金，2022年资本开支将进一步提升至400-440亿美金，预计2023年资本开支仍有望超过400亿美金；联电2021年CapEx18亿美金，预计
36、2022年翻倍达到36亿美金（其中90%将用于12英寸晶圆）；GlobalFoundries于2021年IPO后资本开支大幅提升用于扩产，公司2020年CapEx4.5亿美金，2021年提升至16.6亿美金，预计2022年超过40亿美金；中芯国际2021年资本开支维持高位，达到45亿美金（大部分用于扩成熟制程，尤其是8寸数量扩4.5万片/月），预计2022年达到50亿美金。二、 测试设备：用于测试晶圆片及成品半导体测试包括晶圆允收测试（WAT）、晶圆检测（CP）、成品测试（FT）。WAT环节涉及测试机、分选机、探针台；CP由测试机、探针台搭配完成；FT涉及测试机、分选机搭配完成。晶圆检测（CP
37、）是指在晶圆完成后进行封装前，通过探针台和测试机的配合使用，对晶圆上的裸芯片进行功能和电参数测试。成品测试（FT）是指芯片完成封装后，通过分选机和测试机的配合使用，对封装完成后的芯片进行功能和电参数测试。测试机行业面临的测试任务日益复杂，测试机的测试能力和配置需求都在提高。随着集成电路管脚数增多、测试时间增长，包括华峰测控在内的测试机企业越来越多地采用多工位并测的方案来降低测试时间，推出测试覆盖面更广、资源更多的测试设备，不断提高测试系统的可靠性和稳定性，以降低客户平均到每颗器件的测试成本。测试技术要求不断提高。测试产品技术发展趋势主要包括：（1）并行测试数量和测试速度的要求不断提升；（2）功
38、能模块需求增加；（3）对测试精度的要求提升；（4）要求使用通用化软件开发平台；（5）对数据分析能力提升，全球半导体测试设备市场保持稳步增长，其中测试机占比最高。根据VLSI，全球半导体后道测试设备市场（含测试机、分选机、探针台）规模约50亿美元。检测设备市场空间大，包括CP测试和FT测试在内的半导体测试设备占半导体设备市场空间15%20%。整个测试设备市场中，测试机比重最高，分选机与探针台相对较少。测试机按测试对象包括模拟、混合、数字、SOC、存储器测试机等市场。半导体测试设备市场呈现寡头垄断格局。集成电路检测在测试精度、速度、效率和可靠性等方面要求高。全球先进测试设备制造技术基本掌握在美国、
39、日本等集成电路产业发达国家厂商手中，市场格局呈现泰瑞达、爱德万、科休、科利登等四家厂商寡头垄断。各家厂商在检测设备侧重点也有所区别，如泰瑞达（Teradyne）主要产品为测试机，爱德万（Advantest）主要产品为测试机和分选机，科利登（Xcerra）主要产品为测试机，东京电子（TokyoElectron）主要产品为探针台，北京华峰主要产品为测试机，上海中艺主要产品为分选机。爱德万和泰瑞达在全球测试设备合计市场份额达到70%以上。三、 刻蚀设备：等离子刻蚀复杂程度高，且步骤逐渐增加刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除（光刻胶）开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材
40、料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层，通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉，从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。电容性等离子体刻蚀CCP：能量高、精度低，主要用于介质材料刻蚀（形成上层线路）诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等，以及3D闪存芯片工艺（氮化硅/氧化硅）的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀ICP：能量低、精度高，主要用于硅刻蚀和金属刻蚀（形成底层器件）硅浅槽隔离（STI）、锗（Ge）、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅（Strained-Si）、金
41、属导线、金属焊垫（Pad）、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。光刻技术中许多先进制程涉及多重图形技术。即使是EUV，波长为13.5nm，要实现7nm的精度，仍需要依靠多重图形技术，即多次刻蚀。因此制程升级，精度越高，需要的刻蚀复杂度、步骤数量也在提升。所以刻蚀设备和化学薄膜设备成为更关键的设备。刻蚀设备市场超过130亿美元，是晶圆设备占比最高的市场。2011年以来，刻蚀在晶圆设备的占比从11%逐渐提升到20%以上，2017年起成为全球晶圆设备中占比最高的装备类别，重要性不断提升。刻蚀设备市场基本是干法刻蚀设备，2020年全球干法刻蚀设备市场约137亿美元，其中介质刻蚀（Die
42、lectricEtch）60亿美元，导体刻蚀（ConductorEtch）76亿美元。从导体刻蚀市场结构看，Lam一家独大，长期全球市占率超过50%；其次AMAT占据约30%市场份额。剩下的厂商如日立高新、TEL、KLA、北方华创、SEMES、中微公司等公司合计，在导体刻蚀合计市占率不超过20%。近两年，国内设备龙头厂商北方华创、中微公司该产品线放量加速，逐步提高半导体设备刻蚀供应链份额。从介质刻蚀市场结构看，TEL一家独大，长期全球市占率超过50%；其次Lam占据接近40%的市场份额，两家厂商主导整个市场，寡占程度较强。全球介质刻蚀设备供应商还有SEMES、中微公司、AMAT、Ulvac、屹
43、唐半导体等。中微公司开发了系列介质刻蚀装备，并承担多项重大科研项目，是国内领先的介质刻蚀设备厂商。第四章 产品规划与建设内容一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积9333.00（折合约14.00亩），预计场区规划总建筑面积14427.21。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx有限责任公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx套半导体设备，预计年营业收入11300.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将
44、根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1半导体设备套xxx2半导体设备套xxx3半导体设备套xxx4.套5.套6.套合计xx11300.00电感性等离子体刻蚀ICP：能量低、精度高，主要用于硅刻蚀和金属刻蚀（形成底层器件）硅浅槽隔离（STI）、锗（Ge）、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅（Strained-Si）、金属导线、金属焊垫（Pad）、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。第五章 建
45、筑工程方案一、 项目工程设计总体要求（一）建筑工程采用的设计标准1、建筑设计防火规范2、建筑抗震设计规范3、建筑抗震设防分类标准4、工业建筑防腐蚀设计规范5、工业企业噪声控制设计规范6、建筑内部装修设计防火规范7、建筑地面设计规范8、厂房建筑模数协调标准9、钢结构设计规范（二）建筑防火防爆规范本项目在建筑防火设计中从防止火灾发生和安全疏散两方面考虑。一是防火。所有建筑均采用一、二级耐火等级，室内装修均采用不燃或难燃材料，使火灾不易发生，即使发生也不易迅速蔓延，同时建筑内均设置了消火栓。防火分区面积满足建筑设计防火规范要求。二是疏散。建筑的平面布局、建筑物间距、道路宽度等均应满足防火疏散的要求，
46、便于人员疏散。建筑物的平面布置、空间尺寸、结构选型及构造处理根据工艺生产特征、操作条件、设备安装、维修、安全等要求，进行防火、防爆、抗震、防噪声、防尘、保温节能、隔热等的设计。满足当地规划部门的要求，并执行工程所在地区的建筑标准。（三）主要车间建筑设计在满足生产使用要求的前提下，本着“实用、经济”条件下注意美观的原则，确定合理的建筑结构方案，立面造型简洁大方、统一协调。认真贯彻执行“适用、安全、经济”方针。因地制宜，精心设计，力求作到技术先进、经济合理、节约建设资金和劳动力，同时，采用节能环保的新结构、新材料和新技术。（四）本项目采用的结构设计标准1、建筑抗震设计规范2、构筑物抗震设计规范3、建筑地基基础设计规范4、混凝土结构设计规范5、钢结构设计