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1、等离子表面处理系统COVANCE-MP和纳米压印价格标题:去胶清洗设备和小型平板电容式反应离子刻蚀机参数库号：JX 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数：离子蚀刻机 20-M / NS-12适合大规模量产使用的离子刻蚀机基片尺寸直径 4英寸 X 12片 直径 18英寸 X 3片样品台直接冷却离子源20cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的
2、离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。标题:等离子处理系统和电子束光刻系统CABL-9000系列参数库号：JX 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数：离子蚀刻机 10-M / NS-5:适合小规模量产使用和实验室研究基片尺寸直径 6英寸 X 1片样品台直接冷却，单独冷却离子源10cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程的微细
3、加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。标题:小型平板电容式反应离子刻蚀机和光刻机价格库号：JX 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数：仪器简
4、介：在过去的几年中，半导体器件和IC生产等微电子技术已发展到深亚微米阶段及纳米阶段。为追求晶片更高的运算速度与更高的效能，三十多来，半导体产业遵循著摩尔定（Moores Law）：每十八个月单一晶片上电晶体的数量倍增，持续地朝微小化努。为继续摩尔定，在此期间，与微电子领域相关的微/纳加工技术得到了飞速发展，科学家提出各种解决方案如：图形曝光（光刻）技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术等。其中，图形曝光技术（微影术）是微电子制造技术发展的主要推动者，正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高，促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低。 电子束曝光系统（electron beam lithogr
5、aphy, EBL）是一种利用电子束在工件面上扫描直接产生图形的装置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式与电子束曝光机十分相近，美国JC Nabity Lithography Systems公司成功研发了基于改造商品SEM、STEM或FIB的电子束曝光装置（Nanometer Patt标题:离子蚀刻机和台式原子层沉积系统价格库号：JX 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数：离子蚀刻机 20-M / NS-8NS适合中等规模量产使用的离子刻蚀机基片尺寸直径 3英寸 X 8片 直径 4英寸 X 6片基台直接冷却样品台20cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程
6、的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。标题:电子束光刻系统CABL-9000系列和激光无掩膜光刻机LW405参数库号：JX 价格：百度搜
7、【润联网】查询主要技术参数： 传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩模板需要由专业供应商提供，但是在研发环境中，掩模板的设计通常需要经常改变。激光直写光刻技术通过以软件设计电子掩模板的方法，克服了这一问题。与通过物理掩模板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑控制一系列激光脉冲的开关，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案，无需掩膜工序。 绝大多数利用电子束刻蚀制造的器件只有很小的一部分结构需要用到电子束刻蚀的高分辨率，而大部分曝光时间都浪费在了如电极连接等大面积结构的生成上。 Applications应用领域:电子/半导体器件（Microelectronic/Semiconductor Device
8、s）微/纳电机系统 (MEMS/NEMS)自旋电子学 (Spintronics) 传感器 (Sensors)微流控 (Microfluidics)材料科学 (Material Science)生物实验室芯片（Biological lab-on-a-chip）光子学（Photonics） 标题:激光无掩膜光刻机LW405和表面处理系统价格库号：JX 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数：产品介绍NanoMaker发布了五个不同的版本 - Full, Workbench, Workbench-EDU, Writer, Editor.#功能 产品类别FullWorkbenchWorkbench-E
9、DUWriterEditor图形编辑器 (专业 2D/3D CAD) -结构设计（分层/多层） -加载/保存 GraphicalDataBase (GDB) 文件 -输入GDS,DXF,ELM,BMP,TIF格式文件 -输出 GDS,DXF,ELM, DC2+RF6格式文件*推荐参数 -实验数据库 -蒙特卡罗计算函数OptionalOptionalOptionalOptionalNone后处理 -Negative, Union, Frame, Shrink, Erase, Overlaps out, Dividing, Dose Stratification,.NoneNone接近和仿真 -邻
10、近效应校正NoneNone -光刻效果模拟N标题:微纳米压印设备和等离子清洗机参数库号：JX 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数： EBPG电子束光刻系统可处理200mm的大硅片。它采用了专业的通用设计标准，系统自动化程度高、工作效率高，可满足众多需求，可用于半导体器件的加工和模板制作，同时也是大型实验中心的首选。 VOYAR电子束光刻系统的问世标志着新一代电子束直写技术的产生。它的革新性的设计和性能指标，所追求的目标是：优良的结果，高速度和低成本。 RAITH150 Two是自动化程度很高的直写系统，用于进行长时间和大面积曝光。它是纳米技术研究中心和实验室的理想工具。 eLINE Plu
11、s是一台灵活的电子束曝光和纳米工程平台，适用于大学研究所的多学科研究的特殊需求。 PIONEER适合大学研究所的既需要高分辨电子束曝光，也需要高倍成像的要求。 traxx和periodixx可实现零拼接曝光，用于直写长路径波导或类似光子晶体的重复性图案，没有任何拼接误差。TwinLITH 一种全新的概念。提供电子束和离子束曝光系统，相同的硬件和软件平台，两套系统并行工作将更有效率，纳米加工任务圆满完成。标题:电子束直写系统和光刻机参数库号：JX 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数：为什么要选用NANONEX的产品： - 纳米压印的鼻祖 - 世界第一的纳米压印技术及全套方案 - 提供所有的纳
12、米压印机和纳米压印方案 - 紫外固化和热固化集成与同一台机器，同一个腔体，可以同时进行 - 专利保护的双面气垫软压技术（ACP）极大地提高了压印对模版和基板的宽容性，防碎，具有最好的均匀性和成品率 - 可以兼容各种基板和模版的尺寸和形状 - 全自动计算机控制操作，一流的软件设计 - 热压模式具备最快的加热（辐射加热）和冷却设计 - 极为全面的机器选择 - 全套的纳米压印材料，压印胶，和工艺方案 标题:等离子表面处理系统PlasmaWideFlux-S和纳米压印价格库号：JX 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数：Lumina-200 多功能高精度光刻机 Lumina-200高分辨率光刻机加对
13、准系统经过了大量的实时实地验证，质量可靠，性能优越稳定。Lumina系列是一款具有高性能，高可靠性，高性价比，兼具接触和近程光刻的高分辨率，高对准精度全功能光刻机和模板基板对准机。Lumina系列在电子，光电子，MEMS，生物芯片等诸多领域都有广泛应用。Lumina-200具有极佳的用户界面，高精度的机械平台，高精度光学，紧凑的系统设计。 主要特点： 高光刻分辨率；高精度对准机械平台；最新高精度对准光学系统；精确的间距控制 极佳的计算机用户界面；紧凑的系统设计；高性价比设计；可附加背面对准功能 应用： 半导体器件；光电子器件；MEMS；高端封装；功率器件 生物芯片 基于超过12年、15代产品开
14、发经验的自动化操作 经过大量实时实地验证，质量可靠，性能优越稳定 系统参数： 主平台 手动控制 X-Y-；马达控制 Z； 调节范围：X和Y：1英寸；：10度；Z：0.25英寸 模板加载能力 标题:纳米压印和台式原子层沉积系统参数库号：JX 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数：仪器简介：纳米压印的技术与工艺特点，独创性地设计和制备工作于低真空环境下，结合正负压可控调节并利用压缩空气作为压印驱动力的，通过压力传导装置、缓冲与匀压、压力调节控制装置等手段实现平稳可靠可控的压印过程，借助于多种灵活的自动调节装置的巧妙设计与运用，实现压印中的自动找平调控，以保证模板纳米图案均匀精确的大面积复制转移。
15、技术参数：YPL-NIL-SI400纳米压印系统： 温度范围从室温到350摄氏度； 压力范围从0到20个PSI（在4英寸晶元上）； 紫外曝光系统； 真空范围从1个标准大气压到0.1帕； 水冷系统； 样品尺寸直径最大4英寸； PLC远程控制，带触摸屏； 手动装载样品和模板； 自带机器控制软件； 在软件控制下可实现自动增加和释放压力； 可定制更大样品尺寸或更大压力系统的纳米压印机。 YPL-NIL-SI400 NANOIMPRINT SYSTEM *Thermal ImprinterTemperature range of R.T. to 350 Pressure range of 0 to 20 atm *UV exposure system *Vacuum r