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1、MACRO 泓域咨询 /云南碳化硅晶片项目招商引资报告云南碳化硅晶片项目招商引资报告xx有限公司目录第一章 项目背景及必要性8一、 影响行业发展的主要因素8二、 行业发展前景11三、 项目实施的必要性12第二章 项目承办单位基本情况14一、 公司基本信息14二、 公司简介14三、 公司竞争优势15四、 公司主要财务数据16公司合并资产负债表主要数据16公司合并利润表主要数据16五、 核心人员介绍17六、 经营宗旨18七、 公司发展规划19第三章 项目总论21一、 项目名称及项目单位21二、 项目建设地点21三、 可行性研究范围21四、 编制依据和技术原则21五、 建设背景、规模22六、 项目建
2、设进度23七、 原辅材料及设备23八、 环境影响24九、 建设投资估算24十、 项目主要技术经济指标25主要经济指标一览表25十一、 主要结论及建议27第四章 行业、市场分析28一、 行业竞争情况28二、 行业规模及现状29第五章 建筑工程方案分析32一、 项目工程设计总体要求32二、 建设方案33三、 建筑工程建设指标36建筑工程投资一览表36第六章 产品方案38一、 建设规模及主要建设内容38二、 产品规划方案及生产纲领38产品规划方案一览表38第七章 SWOT分析说明40一、 优势分析（S）40二、 劣势分析（W）41三、 机会分析（O）42四、 威胁分析（T）42第八章 运营模式分析5
3、0一、 公司经营宗旨50二、 公司的目标、主要职责50三、 各部门职责及权限51四、 财务会计制度54第九章 组织机构及人力资源58一、 人力资源配置58劳动定员一览表58二、 员工技能培训58第十章 工艺技术设计及设备选型方案60一、 企业技术研发分析60二、 项目技术工艺分析62三、 质量管理63四、 项目技术流程64五、 设备选型方案65主要设备购置一览表65第十一章 环境影响分析67一、 编制依据67二、 环境影响合理性分析68三、 建设期大气环境影响分析68四、 建设期水环境影响分析68五、 建设期固体废弃物环境影响分析68六、 建设期声环境影响分析69七、 营运期环境影响69八、
4、环境管理分析70九、 结论及建议71第十二章 进度实施计划73一、 项目进度安排73项目实施进度计划一览表73二、 项目实施保障措施74第十三章 劳动安全生产分析75一、 编制依据75二、 防范措施76三、 预期效果评价80第十四章 投资方案82一、 投资估算的依据和说明82二、 建设投资估算83建设投资估算表87三、 建设期利息87建设期利息估算表87固定资产投资估算表88四、 流动资金89流动资金估算表90五、 项目总投资91总投资及构成一览表91六、 资金筹措与投资计划92项目投资计划与资金筹措一览表92第十五章 项目经济效益94一、 基本假设及基础参数选取94二、 经济评价财务测算94
5、营业收入、税金及附加和增值税估算表94综合总成本费用估算表96利润及利润分配表98三、 项目盈利能力分析98项目投资现金流量表100四、 财务生存能力分析101五、 偿债能力分析101借款还本付息计划表103六、 经济评价结论103第十六章 项目招标、投标分析104一、 项目招标依据104二、 项目招标范围104三、 招标要求105四、 招标组织方式107五、 招标信息发布111第十七章 总结评价说明112第十八章 附表113主要经济指标一览表113建设投资估算表114建设期利息估算表115固定资产投资估算表116流动资金估算表116总投资及构成一览表117项目投资计划与资金筹措一览表118营
6、业收入、税金及附加和增值税估算表119综合总成本费用估算表120利润及利润分配表121项目投资现金流量表122借款还本付息计划表123第一章 项目背景及必要性一、 影响行业发展的主要因素1、有利因素针对碳化硅行业的终端应用，国际及国内市场投资及开发正在逐渐加大，碳化硅单晶材料行业的市场在快速增长，因此碳化硅单晶材料的市场将会在近5年有爆发式的增长。2012年5月30日，国务院通过了“十二五”国家战略性新兴产业发展规划，提出了节能环保、新一代信息技术、生物、高端装备制造、新能源、新材料、新能源汽车等七大战略性新兴产业的重点发展方向和主要任务，指出新一代信息技术的突破方向是“超高速光纤与无线通信、
7、先进半导体和新型显示等新一代信息技术”。由此先进半导体历史性纳入国家重点发展战略，成为战略新兴产业的重点发展方向。2012年7月，科技部出台半导体照明科技发展“十二五”专项规划中将“半导体照明用碳化硅衬底制备技术研究”明确列为“前沿技术研究”，并计划推出半导体照明应用产品中央财政补贴政策以及推进“十城万盏”试点示范工程应用。2012年7月，科技部出台智能电网重大科技产业化工程“十二五”专项规划中，将突破大规模间歇式新能源电源并网与储能、智能配用电、大电网智能调度与控制、智能装备等智能电网核心关键技术列为总目标。要实现该总目标，关键之一就是电网设备制造产业升级，如新型电力电子器件等。SiC基电力
8、电子器件具有低能耗、高转换效率特征，将成为新型电力电子器件优先发展方向。2012年7月，国务院出台节能与新能源汽车发展规划(2011年至2020年)指出：“到2020年，纯电动汽车和插电式混合动力汽车生产能力达200万辆、累计产销量超过500万辆”。规划要求加强新能源汽车关键零部件研发，重点支持驱动电机以及电动空调、电动转向、电动制动器等电动化附件的研发。由于SiC基功率器件（如整流器、转换器、逆变器等）在节能方面有着其他衬底材料不可比拟的优势，因此可以预见未来几年SiC基器件产业在国内也将迅速发展。2013年，科技部正式启动“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项，将“SiC电
9、力电子器件集成制造技术研发与产业化”作为专项的主要任务之一。科技部在“国家高技术研究发展计划（863计划）、国家科技支撑计划制造领域2014年度备选项目征集指南”中也提出要加强高端装备和关键技术的研制，完成面向高压电力电子器件的大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究，以及针对电网、机车、风电等领域的需求，开展高压SiC电力电子器件制造所需的4-6寸SiC单晶生长炉、外延炉等关键装备研制，并开展1200、1700、3300和8000V的相关器件制造工艺技术验证，2015年达到中试水平。2016年3月，第十二届全国人民代表大会表决通过了关于国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要，提出国家将
10、大力支持新一代信息技术、新能源汽车、生物技术、绿色低碳、高端装备与材料、数字创意等领域的产业发展壮大，并大力推进先进半导体、机器人、增材制造、智能系统、新一代航空装备、空间技术综合服务系统、智能交通、精准医疗、高效储能与分布式能源系统、智能材料、高效节能环保、虚拟现实与互动影视等新兴前沿领域创新和产业化，形成一批新增长点。2、不利因素目前全球具备量产碳化硅晶体能力的只有Cree、Rohm、新日铁等少数几家公司，同时由于Cree在SiC领域注册了大量的专利，因此上述少数几家公司占据了SiC单晶市场较大份额，这在一定程度上会抑制国内相关行业的发展速度。另外，GaN与SiC材料都属于第三代半导体材料
11、，两者在性能上各有千秋，处于竞争态势。目前，碳化硅单晶材料发展比GaN材料成熟，已正式实现产业化，GaN单晶材料处于研究开发阶段，未来GaN单晶材料行业的发展也会在一定程度上制约碳化硅单晶材料行业的发展。二、 行业发展前景1、全球行业发展前景碳化硅半导体是近年来国际研究的热点。2013年日本政府将碳化硅纳入了“首相战略”，认为未来50%的节能要通过它来实现；2014年1月，美国总统奥巴马也亲自主导成立了由18家企业和6所大学共同组成的美国碳化硅产业联盟，协同美国联邦政府共同提升美国制造业。以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体获得联邦和地方政府的合力支持，1.4亿美元的总支持额将用于提升美国
12、在该新兴产业方面的国际竞争力。第一代元素半导体材料Si晶体一直以来都在半导体领域占据统治地位。随着电子技术的发展，人们对超高频光电子器件的要求越来越高，但由于Si本身的性质导致了其很难在高频、高温、大功率和强辐射环境等极端条件下正常工作。以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料，是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比，SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有明显优势。目前，碳化硅产品已经成功应用在电力电子器件领域、微波通信领域、LED照明领域。如今，人们正在研究基于碳化硅单晶的石墨烯材料制备、非线性光学晶体开发，未来碳
13、化硅晶体的应用领域将进一步扩大。2、国内行业发展前景我国在SiC单晶生长方面的研究起步较晚，但国内几家科研发力量很强的单位在SiC单晶材料制备研究已具有一定的基础，并取得了较大的突破。国内开展SiC晶体生长研究的单位有中国科学院物理研究所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有天科合达、山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。天科合达在国内首次建立了一条完整的从生长、切割、研磨到化学机械抛光（CMP）的SiC晶片中试加工线，建成了百级超净室，开发出SiC晶片表面处理、清洗封装工艺技术。目前，中国制造2025以及“十三五规划”都明确将碳化硅行业
14、定位为重点支持行业，国内的国家电网、中国中车、比亚迪、华为等公司都针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、手机通信芯片等领域的应用开始陆续加大投资，碳化硅行业在国内方兴未艾。三、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第二章 项目承办单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xx有限公司2、法定代表人：袁xx3、注册资本：590万元
15、4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2012-4-27、营业期限：2012-4-2至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅晶片相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和
16、谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术
17、研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕
18、，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额10606.508485.207954.88负债总额3464.022771.222598.01股东权益合计7142.485713.985356.86公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入26303.8921043.1119727.9
19、2营业利润5475.734380.584106.80利润总额4892.633914.103669.47净利润3669.472862.192642.02归属于母公司所有者的净利润3669.472862.192642.02五、 核心人员介绍1、袁xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。2、尹xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公
20、司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。3、方xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。4、周xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。5、孙xx，中国国籍，无永久境外居留权，196
21、1年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。6、于xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。7、崔xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。8、魏xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问
22、；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。六、 经营宗旨依据有关法律、法规，自主开展各项业务，务实创新，开拓进取，不断提高产品质量和服务质量，改善经营管理，促进企业持续、稳定、健康发展，努力实现股东利益的最大化，促进行业的快速发展。七、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率
23、和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带
24、一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第三章 项目总论一、 项目名称及项目单位项目名称：云南碳化硅晶片项目项目单位：xx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx（以最终选址方案为准），占地面积约83.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效
25、益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要；2、投资项目可行性研究指南；3、相关财务制度、会计制度；4、投资项目可行性研究指南；5、可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件；6、根据项目需要进行调查和收集的设计基础资料；7、可行性研究与项目评价；8、建设项目经济评价方法与参数；9、项目建设单位提供的有关本项目的各种技术资料、项目方案及基础材料。（二）技术原则1、立足于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益，实现可持
26、续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。五、 建设背景、规模（一）项目背景国际碳化硅行业企业除美国Cree、II-VI公司、SiCrystal公司外，其他几家企业基本处于同一水平线上。行业龙头Cree公司的产品线涵盖了从SiC单晶晶片、外延以及器件制造整个产业链。Cree公司完整产业链布局的优势是在产品开发初期能够有效缩短产品研发周期，但如此布局也面临着在整条产业链与上、下游各公司激烈竞争的弊端。SiCrystal公司已经被日本Rohm公司收购，产品将主要应用于Rohm公司的器件生产。其余几家公司包括美国II-VI公司、DowCorning公司以及日本NipponSteel
27、公司的主营业务都不是SiC单晶晶片的生产与制造。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积55333.00（折合约83.00亩），预计场区规划总建筑面积105704.69。其中：生产工程73598.16，仓储工程16271.22，行政办公及生活服务设施9944.01，公共工程5891.30。项目建成后，形成年产xx万片碳化硅晶片的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 原辅材料及设备（一）项目主要原辅材料该项目主要原辅材料包括硅片
28、、磷纸、石英杆舟、电子清洗液、哈摩粉、异丙醇、硅单晶片、预扩石英管、主扩SIC管、热电偶、高纯洗净剂、高纯液态磷源、抛光液。（二）主要设备主要设备包括：减薄机、贴膜机、划片机、粘片机、焊线机、测试设备、分选机、烘箱。八、 环境影响本项目所选生产工艺及规模符合国家产业政策，在严格采取环评报告规定的环境保护对策后，各污染源所排放污染物可以达标排放，对环境影响较小，仅从环保角度来看本项目建设是可行的。九、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资34185.56万元，其中：建设投资28124.76万元，占项目总投资的82.27
29、%；建设期利息348.95万元，占项目总投资的1.02%；流动资金5711.85万元，占项目总投资的16.71%。（二）建设投资构成本期项目建设投资28124.76万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用23438.26万元，工程建设其他费用4059.07万元，预备费627.43万元。十、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入59000.00万元，综合总成本费用50462.52万元，纳税总额4429.81万元，净利润6213.58万元，财务内部收益率11.42%，财务净现值-4642.06万元，全部投资回收期6.94年。（二）主要数
30、据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积55333.00约83.00亩1.1总建筑面积105704.691.2基底面积35966.451.3投资强度万元/亩313.242总投资万元34185.562.1建设投资万元28124.762.1.1工程费用万元23438.262.1.2其他费用万元4059.072.1.3预备费万元627.432.2建设期利息万元348.952.3流动资金万元5711.853资金筹措万元34185.563.1自筹资金万元19942.753.2银行贷款万元14242.814营业收入万元59000.00正常运营年份5总成本费用万元50462.526利润
31、总额万元8284.777净利润万元6213.588所得税万元2071.199增值税万元2105.9110税金及附加万元252.7111纳税总额万元4429.8112工业增加值万元15849.0213盈亏平衡点万元27974.85产值14回收期年6.9415内部收益率11.42%所得税后16财务净现值万元-4642.06所得税后十一、 主要结论及建议本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备，交通运输及水电供应均有充分保证，有优越的建设条件。，企业经济和社会效益较好，能实现技术
32、进步，产业结构调整，提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进，成熟可靠，可以确保最终产品的质量要求。第四章 行业、市场分析一、 行业竞争情况目前全球碳化硅行业企业主要有美国Cree公司、II-VI公司、Dow-Corning公司，德国SiCrystal公司（2009年被日本Rohm公司收购），日本NipponSteel（新日铁）公司。目前国际碳化硅市场仍被美国Cree公司垄断，但其市场份额正在逐年下降，从2008年的75%下降到2015年的50%左右；包括II-VI公司、SiCrystal公司、天科合达和Dow-Corning公司的市场份额则逐年递增。国际碳化硅行业企业除美国Cree、
33、II-VI公司、SiCrystal公司外，其他几家企业基本处于同一水平线上。行业龙头Cree公司的产品线涵盖了从SiC单晶晶片、外延以及器件制造整个产业链。Cree公司完整产业链布局的优势是在产品开发初期能够有效缩短产品研发周期，但如此布局也面临着在整条产业链与上、下游各公司激烈竞争的弊端。SiCrystal公司已经被日本Rohm公司收购，产品将主要应用于Rohm公司的器件生产。其余几家公司包括美国II-VI公司、DowCorning公司以及日本NipponSteel公司的主营业务都不是SiC单晶晶片的生产与制造。我国SiC材料研发工作始于上世纪90年代末期，国内开展SiC晶体生长的研究单位主
34、要有中科院物理所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。二、 行业规模及现状SiC晶片作为第三代半导体基础材料，在全球高端半导体市场上已经呈现出高速发展态势，2012年到2015年全球市场年均递增速率不低于30%，2015年后全球市场将会出现爆发式增长。目前SiC单晶晶片工业化应用领域包括高亮度LED（以美国Cree、德国欧司朗等公司为代表），家用电器如空调、冰箱、微波炉等（以东芝、松下、日立等公司为代表），风力发电（以三菱、住友等公司为代表），混合动力汽车（以日产、丰田等公司为代表）。在美国，采用Si
35、C晶片的射频微波器件已经在通讯基站、军用通讯市场大规模使用。清洁能源汽车是未来汽车的发展方向，其中相关的功率器件将绝大部分采用SiC功率器件，仅全球汽车业年需要SiC晶片将超过100万片。在智能电网方面，日本和美国已经制定SiC功率器件研发计划，预计在3-5年内可以投入实际应用，届时可以极大地降低电力传输过程损耗，无疑将对全球节能减排计划起到关键性作用。在LED照明领域，高亮度LED照明市场将以30左右的年增长率快速递增。在军用应用领域，SiC微波通讯器件已经应用于美国军方的雷达、通讯领域；在俄罗斯，军事用途的研究正在大范围开展；我国也在积极进行SiC射频微波器件研发。由于军用领域应用研发周期
36、相对较长，且对价格不敏感，因此在民用领域不断拓展的情况下，一旦军用领域大规模采购，高端SiC单晶晶片的需求将出现爆发式增长。国内市场方面，SiC产业链发展也正在趋于成熟。下游的外延企业有东莞天域半导体科技有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所等；器件企业有中车株洲电力机车有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、南京银茂微电子制造有限公司、江苏能华微电子科技发展有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院半
37、导体研究所等；模块集成企业有中车株洲电力机车有限公司、中兴通讯股份有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司等。另外国家电网公司、原中国南车股份有限公司以及华为技术有限公司近期也已投入巨资从事研发、生产碳化硅器件，积极开拓SiC基器件在电网、机车以及通讯等领域的应用。可以预计在未来几年，国内碳化硅晶片的需求将大幅增加。第五章 建筑工程方案分析一、 项目工程设计总体要求（一）土建工程原则根据生产需要，本项目工程建设方案主要遵循如下原则：1、布局合理的原则。在平面布置上，充分利用好每寸土地，功能设施分区设置，人流、物流布置得当、有序，做到既利于生产经营，又方便交通。2、配套齐全、方便生产的原则。立足厂区
38、现有基础条件，充分利用好现有功能设施，保证水、电供应设施齐全，厂区内外道路畅通，方便生产。在建筑结构设计，严格执行国家技术经济政策及环保、节能等有关要求。在满足工艺生产特性，设备布置安装、检修等前提下，土建设计要尽量做到技术先进、经济合理、安全适用和美观大方。建筑设计要简捷紧凑，组合恰当、功能合理、方便生产、节约用地；结构设计要统一化、标准化、并因地制宜，就地取材，方便施工。（二）土建工程采用的标准为保证建筑物的质量，保证生产安全和长寿命使用，本项目建筑物严格按照相关标准进行施工建设。1、工业企业设计卫生标准2、公共建筑节能设计标准3、绿色建筑评价标准4、外墙外保温工程技术规程5、建筑照明设计
39、标准6、建筑采光设计标准7、民用建筑电气设计规范8、民用建筑热工设计规范二、 建设方案（一）建筑结构及基础设计本期工程项目主体工程结构采用全现浇钢筋混凝土梁板，框架结构基础采用桩基基础，钢筋混凝土条形基础。基础工程设计：根据工程地质条件，荷载较小的建（构）筑物采用天然地基，荷载较大的建（构）筑物采用人工挖孔现灌浇柱桩。（二）车间厂房、办公及其它用房设计1、车间厂房设计：采用钢屋架结构，屋面采用彩钢板，墙体采用彩钢夹芯板，基础采用钢筋混凝土基础。2、办公用房设计：采用现浇钢筋混凝土框架结构，多孔砖非承重墙体，屋面为现浇钢筋混凝土框架结构，基础为钢筋混凝土基础。3、其它用房设计：采用砖混结构，承重
40、型墙体，基础采用墙下条形基础。（三）墙体及墙面设计1、墙体设计：外墙体均用标准多孔粘土砖实砌，内墙均用岩棉彩钢板。2、墙面设计：生产车间的外墙墙面采用水泥砂浆抹面，刷外墙涂料，内墙面为乳胶漆墙面。办公楼等根据使用要求适当提高装饰标准。腐蚀性楼地面、地坪以及有防火要求的楼地面采用特殊地面做法。依据建设部、国家建材局关于建筑采用使用的规定，框架填充墙采用加气混凝土空心砌块墙体，砖混结构承重墙地上及地下部分采用烧结实心页岩砖。（四）屋面防水及门窗设计1、屋面设计：屋面采用大跨度轻钢屋面，高分子卷材防水面层，上人屋面加装保护层。2、屋面防水设计：现浇钢筋混凝土屋面均采用刚性防水。3、门窗设计：一般建筑
41、物门窗，采用铝合金门窗，对于变压器室、配电室等特殊场所应采用特种门窗，具体做法可参见国家标准图集。有防爆或者防火要求的生产车间，门窗设置应满足防爆泄压的要求，玻璃应采用安全玻璃，凡防火墙上门窗均为防火门窗，参见国标图集。（五）楼房地面及顶棚设计1、楼房地面设计：一般生产用房为水泥砂浆面层，局部为水磨石面层。2、顶棚及吊顶设计：一般房间白色涂料面层。（六）内墙及外墙设计1、内墙面设计：一般房间为彩钢板，控制室采用水性涂料面层，卫生间采用卫生磁板面层。2、外墙面设计：均涂装高级弹性外墙防水涂料。（七）楼梯及栏杆设计1、楼梯设计：现浇钢筋混凝土楼梯。2、栏杆设计：车间内部采用钢管栏杆，其它采用不锈钢
42、栏杆。（八）防火、防爆设计严格遵守建筑设计防火规范（GB50016-2014）中相关规定，满足设备区内相关生产车间及辅助用房的防火间距、安全疏散、及防爆设计的相关要求。从全局出发统筹兼顾，做到安全适用、技术先进、经济合理。（九）防腐设计防腐设计以预防为主，根据生产过程中产生的介质的腐蚀性、环境条件、生产、操作、管理水平和维修条件等，因地制宜区别对待，综合考虑防腐蚀措施。对生产影响较大的部位，危机人身安全、维修困难的部位，以及重要的承重构件等加强防护。（十）建筑物混凝土屋面防雷保护车间、生活间等建筑的混凝土屋面采用10镀锌圆钢做避雷带，利用钢柱或柱内两根主筋作引下线，引下线的平均间距不大于十八米
43、（第类防雷建筑物）或25.00米（第类防雷建筑物）。（十一）防雷保护措施利用基础内钢筋作接地体，并利用地下圈梁将建筑物的四周的柱子基础接通，构成环形接地网，实测接地电阻R1.00（共用接地系统）。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积105704.69，其中：生产工程73598.16，仓储工程16271.22，行政办公及生活服务设施9944.01，公共工程5891.30。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程20500.8873598.169790.251.11#生产车间6150.2622079.452937.071.22#生产车间5125.22183
44、99.542447.561.33#生产车间4920.2117663.562349.661.44#生产车间4305.1815455.612055.952仓储工程10430.2716271.221541.832.11#仓库3129.084881.37462.552.22#仓库2607.574067.80385.462.33#仓库2503.263905.09370.042.44#仓库2190.363416.96323.783办公生活配套1942.199944.011512.853.1行政办公楼1262.426463.61983.353.2宿舍及食堂679.773480.40529.504公共工程32
45、36.985891.30489.74辅助用房等5绿化工程9899.07159.80绿化率17.89%6其他工程9467.4839.147合计55333.00105704.6913533.61第六章 产品方案一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积55333.00（折合约83.00亩），预计场区规划总建筑面积105704.69。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx万片碳化硅晶片，预计年营业收入59000.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑