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1、泓域咨询/怀化LCD光刻胶项目可行性研究报告怀化LCD光刻胶项目可行性研究报告xxx有限公司目录第一章 项目投资主体概况9一、 公司基本信息9二、 公司简介9三、 公司竞争优势10四、 公司主要财务数据12公司合并资产负债表主要数据12公司合并利润表主要数据12五、 核心人员介绍13六、 经营宗旨14七、 公司发展规划14第二章 绪论20一、 项目名称及投资人20二、 编制原则20三、 编制依据21四、 编制范围及内容21五、 项目建设背景22六、 结论分析24主要经济指标一览表26第三章 行业发展分析29一、 光刻胶：光刻工艺所需核心材料，助力制程持续升级29二、 存储：容量提升+扩产是两大
2、推动力31三、 四大壁垒铸就高集中度，全球市场美日寡头垄断32第四章 背景、必要性分析37一、 全球百亿美金市场，大陆增速远高于全球37二、 半导体光刻胶：技术难度最高，增速最快38三、 国产化率极低叠加海外断供，大陆产业链崛起迫切41四、 全面融入新发展格局42五、 坚持创新引领，建设国家创新型城市43六、 项目实施的必要性45第五章 建筑工程说明47一、 项目工程设计总体要求47二、 建设方案48三、 建筑工程建设指标49建筑工程投资一览表49第六章 项目选址分析51一、 项目选址原则51二、 建设区基本情况51三、 加快构建现代产业体系，着力壮大实体经济55四、 项目选址综合评价57第七
3、章 建设规模与产品方案58一、 建设规模及主要建设内容58二、 产品规划方案及生产纲领58产品规划方案一览表58第八章 SWOT分析说明60一、 优势分析（S）60二、 劣势分析（W）62三、 机会分析（O）62四、 威胁分析（T）63第九章 法人治理结构71一、 股东权利及义务71二、 董事74三、 高级管理人员78四、 监事81第十章 节能分析83一、 项目节能概述83二、 能源消费种类和数量分析84能耗分析一览表85三、 项目节能措施85四、 节能综合评价86第十一章 原辅材料成品管理88一、 项目建设期原辅材料供应情况88二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理88第十二章 工艺技术及设
4、备选型90一、 企业技术研发分析90二、 项目技术工艺分析92三、 质量管理94四、 设备选型方案95主要设备购置一览表95第十三章 组织机构、人力资源分析97一、 人力资源配置97劳动定员一览表97二、 员工技能培训97第十四章 劳动安全生产99一、 编制依据99二、 防范措施102三、 预期效果评价104第十五章 进度计划106一、 项目进度安排106项目实施进度计划一览表106二、 项目实施保障措施107第十六章 投资估算108一、 投资估算的依据和说明108二、 建设投资估算109建设投资估算表113三、 建设期利息113建设期利息估算表113固定资产投资估算表115四、 流动资金11
5、5流动资金估算表116五、 项目总投资117总投资及构成一览表117六、 资金筹措与投资计划118项目投资计划与资金筹措一览表118第十七章 项目经济效益120一、 基本假设及基础参数选取120二、 经济评价财务测算120营业收入、税金及附加和增值税估算表120综合总成本费用估算表122利润及利润分配表124三、 项目盈利能力分析124项目投资现金流量表126四、 财务生存能力分析127五、 偿债能力分析128借款还本付息计划表129六、 经济评价结论129第十八章 风险分析131一、 项目风险分析131二、 项目风险对策133第十九章 项目招标及投标分析136一、 项目招标依据136二、 项
6、目招标范围136三、 招标要求137四、 招标组织方式137五、 招标信息发布141第二十章 总结说明142第二十一章 补充表格144建设投资估算表144建设期利息估算表144固定资产投资估算表145流动资金估算表146总投资及构成一览表147项目投资计划与资金筹措一览表148营业收入、税金及附加和增值税估算表149综合总成本费用估算表150固定资产折旧费估算表151无形资产和其他资产摊销估算表152利润及利润分配表152项目投资现金流量表153本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内
7、容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目投资主体概况一、 公司基本信息1、公司名称：xxx有限公司2、法定代表人：汤xx3、注册资本：590万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2013-11-77、营业期限：2013-11-7至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事LCD光刻胶相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司以负责任的方式为消费者提供符合
8、法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中，综合考虑其对消费者的影响，确保产品安全。积极与消费者沟通，向消费者公开产品安全风险评估结果，努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度，持续推进产品升级，为行业提供先进适用的解决方案，为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略，以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召，融入各级城市的建设与发展，在商业模式思路上领先业界，对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 三、 公司竞争优势（一）工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新，通过引入国际先进的设备，不断加大自主技术研发和
9、工艺改进力度，形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点，制定相应的工艺技术参数，以满足客户需求，已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发，公司已经建立了丰富完整的产品生产线，配备了行业先进的设备，形成了门类齐全、品种丰富的工艺，可为客户提供一体化综合服务。（二）节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念，依托科技创新，注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放，实现污染的源头和过程控制，通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产，提高三废末端治理水平，保障环境绩效。经过持续加大环保投入，公司已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优
10、势。（三）智能生产优势近年来，公司着重打造 “智慧工厂”，通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统，将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合，搭建完整的现代化生产平台，智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化，在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期，提高了公司的竞争力，增强了对客户的服务能力。（四）区位优势公司地处产业集聚区，在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验，能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。（五）经营管理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队，主要高
11、级管理人员长期专注于印染行业，对行业具有深刻的洞察和理解，对行业的发展动态有着较为准确的把握，对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式，建立了一支团结进取的核心管理团队，形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解，能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整，为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额9967.087973.667475.31负债总额4916.223932.983687.16股东权益合计
12、5050.864040.693788.14公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入29861.3823889.1022396.03营业利润6211.794969.434658.84利润总额5765.804612.644324.35净利润4324.353372.993113.53归属于母公司所有者的净利润4324.353372.993113.53五、 核心人员介绍1、汤xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。2、韩xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本
13、科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。3、戴xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。4、白xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公
14、司董事。2019年1月至今任公司独立董事。5、覃xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。6、陆xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。7、夏xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公
15、司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。8、邓xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。六、 经营宗旨根据国家法律、法规及其他有关规定，依照诚实信用、勤勉尽责的原则，充分运用经济组织形式的优良运行机制，为公司股东谋求最大利益，取得更好的社会效益和经济效益。七、 公司发展规划（一）公司未来发展战略公司秉承“不断超越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念，贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心价值观，为客户
16、提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务，致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进一步巩固公司在相关领域的领先地位，扩大市场份额；另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展方向进一步拓展公司产品类别，加大研发推广力度，进一步提升公司综合实力以及市场地位。（二）扩产计划经过多年的发展，公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势，随着公司业务规模逐年增长，产能瓶颈日益显现。因此，产能提升计划是实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持续发展及逐渐向中国转移为依托，提高公司生产能力和生产效率，满足不断增长的客户需求，巩固并扩大公司在行业中的竞
17、争优势，提高市场占有率和公司影响力。在产品拓展方面，公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时，不断丰富产品类型，持续提升产品质量和附加值，保持公司产品在行业中的竞争地位。（三）技术研发计划公司未来将继续加大技术开发和自主创新力度，在现有技术研发资源的基础上完善技术中心功能，规范技术研究和产品开发流程，引进先进的设计、测试等软硬件设备，提高公司技术成果转化能力和产品开发效率，提升公司新产品开发能力和技术竞争实力，为公司的持续稳定发展提供源源不断的技术动力。公司将本着中长期规划和近期目标相结合、前瞻性技术研究和产品应用开发相结合的原则，以研发中心为平台，以市场为导向，进行技术开发和产品创新，健全和完善
18、技术创新机制，从人、财、物和管理机制等方面确保公司的持续创新能力，努力实现公司新技术、新产品、新工艺的持续开发。（四）技术研发计划公司将以新建研发中心为契机，在对现有产品的技术和工艺进行持续改进、提高公司的研发设计能力、满足客户对产品差异化需求的同时，顺应行业技术发展，不断研发新工艺、新技术，不断提升产品自动化程度，在充分满足下游领域对产品质量要求不断提高的同时，强化公司自主创新能力，巩固公司技术的行业先进地位，强化公司的综合竞争实力。积极实施知识产权保护自主创新、自主知识产权和自主品牌是公司今后持续发展的关键。自主知识产权是自主创新的保障，公司未来三年将重点关注专利的保护，依靠自主创新技术和
19、自主知识产权，提高盈利水平。公司计划在未来三年内大量引进或培养技术研发、技术管理等专业人才，以培养技术骨干为重点建设内容，建立一支高、中、初级专业技术人才合理搭配的人才队伍，满足公司快速发展对人才的需要。公司将采用各种形式吸引优秀的科技人员。包括：提高技术人才的待遇；通过与高校、科研机构联合，实行对口培训等形式，强化技术人员知识更新；积极拓宽人才引进渠道，实行就地取才、内部挖掘和面向社会广揽人才相结合。确保公司产品的高技术含量，充分满足客户的需求，使公司在激烈的市场竞争中立于不败之地。公司将加强与高等院校、研发机构的合作与交流，整合产、学、研资源优势，通过自主研发与合作开发并举的方式，持续提升
20、公司技术研发水平，提升公司对重大项目的攻克能力，提高自身研发技术水平，进一步强化公司在行业内的影响力。（五）市场开发规划公司根据自身技术特点与销售经验，制定了如下市场开发规划：首先，公司将以现有客户为基础，在努力提升产品质量的同时，以客户需求为导向，在各个方面深入了解客户需求，以求充分满足客户的差异化需求，从而不断增加现有客户订单；其次，公司将在稳定与现有客户合作关系的同时，凭借公司成熟的业务能力及优质的产品质量逐步向新的客户群体拓展，挖掘新的销售市场；最后，公司将不断完善营销网络建设，提升公司售后服务能力，从而提升公司整体服务水平，实现整体业务的协同及平衡发展。（六）人才发展规划人才是公司发
21、展的核心资源，为了实现公司总体战略目标，公司将健全人力资源管理体系，制定科学的人力资源开发计划，进一步建立完善的培训、薪酬、绩效和激励机制，最大限度的发挥人才潜力，为公司的可持续发展提供人才保障。公司将立足于未来发展需要，进一步加快人才引进。通过专业化的人力资源服务和评估机制，满足公司的发展需要。一方面，公司将根据不同部门职能，有针对性的招聘专业化人才：管理方面，公司将建立规范化的内部控制体系，根据需要招聘行业内专业的管理人才，提升公司整体管理水平；技术方面，公司将引进行业内优秀人才，提升公司的技术创新能力，增加公司核心技术储备，并加速成果转化，确保公司技术水平的领先地位。另一方面，公司将建立
22、人才梯队，以培养管理和技术骨干为重点，有计划地吸纳各类专业人才进入公司，形成高、中、初级人才的塔式人才结构，为公司的长远发展储备力量。培训是企业人力资源整合的重要途径，未来公司将强化现有培训体系的建设，建立和完善培训制度，针对不同岗位的员工制定科学的培训计划，并根据公司的发展要求及员工的发展意愿，制定员工的职业生涯规划。公司将采用内部交流课程、外聘专家授课及先进企业考察等多种培训方式提高员工技能。人才培训的强化将大幅提升员工的整体素质，使员工队伍进一步适应公司的快速发展步伐。公司将制定具有市场竞争力的薪酬结构，制定和实施有利于人才成长和潜力挖掘的激励政策。根据员工的服务年限及贡献，逐步提高员工
23、待遇，激发员工的创造性和主动性，为员工提供广阔的发展空间，全力打造团结协作、拼搏进取、敬业爱岗、开拓创新的员工队伍，从而有效提高公司凝聚力和市场竞争力。第二章 绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称怀化LCD光刻胶项目（二）项目投资人xxx有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准）。二、 编制原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生
24、产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以
25、满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。三、 编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要；2、中国制造2025；3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。四、 编制范围及内容投资必要性：主要根据市场调查及分析预测的结果，以及有关的产业政策等因素，论证项目投资建设的必要性；技术的可行性：主要从事项目实施的技术角度，合理设计技术方案，并进行比选和评价；财务可行性：主要从项目及投资者的角度,设计合理财务方案,从企业理财的角度进行资本预算，评价项目的
26、财务盈利能力，进行投资决策，并从融资主体的角度评价股东投资收益、现金流量计划及债务清偿能力；组织可行性：制定合理的项目实施进度计划、设计合理组织机构、选择经验丰富的管理人员、建立良好的协作关系、制定合适的培训计划等，保证项目顺利执行；经济可行性：主要是从资源配置的角度衡量项目的价值，评价项目在实现区域经济发展目标、有效配置经济资源、增加供应、创造就业、改善环境、提高人民生活等方面的效益；风险因素及对策：主要是对项目的市场风险、技术风险、财务风险、组织风险、法律风险、经济及社会风险等因素进行评价，制定规避风险的对策，为项目全过程的风险管理提供依据。五、 项目建设背景中国半导体光刻胶的快速崛起离不
27、开中国整体半导体产业的发展。受益于5G大规模建设，以及2020年新冠疫情导致远程办公、网络直播等应用普及，全球集成电路行业发展迅猛，根据Frost&Sullivan数据，2013年集成电路市场规模为2518亿美元，到2019年集成电路市场规模高达3334亿美元，年复合增长率为4.79%。2019年全球集成电路市场规模有所下滑，主要系全球贸易摩擦、存储供需变化以及智能手机、服务器等产品需求下滑因素影响。预计到2025年，全球集成电路市场规模将达到4750亿美元,2020-2025年CAGR为6.02%。我国集成电路行业起步较晚，但发展迅速。根据中国半导体行业协会数据，2013年中国集成电路销售收
28、入为2508亿元，2019年达到7562亿元，年均复合增速达到20.2%，在5G和新兴产业的发展带动下，如汽车电子行业和物联网的推动下，中国集成电路行业市场规模将不断扩大，预计到2025年，我国集成电路市场规模将达到18932亿元，2020-2025年CAGR为16.22%。按曝光波长分，全球ArF/EUV光刻胶占比超50%，为国际主流。半导体光刻胶按照曝光波长不同可分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）以及新兴起的EUV光刻胶5大类，高端光刻胶指KrF、ArF和EUV光刻胶，等级越往上其极限分辨率越高，同一面积的硅晶圆布线密度越大，性能越好。根
29、据TECHCET数据，从市场分布看，2021年ArFi+ArF光刻胶占全球光刻胶市场规模的比例为48.1%，KrF占比34.7%，G/I线占14.7%。ArF（包括ArFi）光刻胶已是集成电路制造需求金额最大的光刻胶产品，随着集成电路产业超先进制程持续发展，ArF光刻胶持续迎来广阔市场机遇。随着全球半导体产业的发展，制造工艺技术节点的不断缩小，KrF和ArF光刻胶市场需求量更大，增速更快，是推动当下光刻胶市场快速增长的主要因素。从市场规模增速来看，EUV光刻胶发展最快，但处于发展初期体量较小，2021年仅约0.51亿美元，预计到2025年达到1.97亿美元，2020-2025CAGR达48.8
30、%；增速第二快的是KrF光刻胶，其2021年全球市场规模为6.9亿美元，预计到2025年达到9.07亿美元，2020-2025年CAGR为8.2%。ArF光刻胶（ArF+ArFi）2021年全球市场规模为9.55亿美元，预计到2025达到10.72亿美元，2020-2025CAGR为3.5%；较为低端的g/i线光刻胶预计市场规模变化不大，占比缩小。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准），占地面积约76.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx吨LCD光刻胶的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目
31、总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资31032.17万元，其中：建设投资24245.79万元，占项目总投资的78.13%；建设期利息631.99万元，占项目总投资的2.04%；流动资金6154.39万元，占项目总投资的19.83%。（五）资金筹措项目总投资31032.17万元，根据资金筹措方案，xxx有限公司计划自筹资金（资本金）18134.55万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额12897.62万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：67200.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：55591.12万元。3、项目达产年净利润
32、（NP）：8487.23万元。4、财务内部收益率（FIRR）：20.78%。5、全部投资回收期（Pt）：5.97年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：25050.55万元（产值）。（七）社会效益本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。
33、另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积50667.00约76.00亩1.1总建筑面积79434.031.2基底面积29386.861.3投资强度万元/亩301.192总投资万元31032.172.1建设投资万元24245.792.1.1工程费用万元20140.992.1.2其他费用万元3557.642.1.3预备费万元547.162.2建设期利息万元631.992.3流动资金万元6154.393资金筹措万元31032.173.1自筹资金万元18134.553.2银行
34、贷款万元12897.624营业收入万元67200.00正常运营年份5总成本费用万元55591.126利润总额万元11316.317净利润万元8487.238所得税万元2829.089增值税万元2438.0810税金及附加万元292.5711纳税总额万元5559.7312工业增加值万元19325.9913盈亏平衡点万元25050.55产值14回收期年5.9715内部收益率20.78%所得税后16财务净现值万元14242.98所得税后第三章 行业发展分析一、 光刻胶：光刻工艺所需核心材料，助力制程持续升级光刻胶百年发展史，是光刻工艺所需关键材料。光刻胶被应用于印刷工业已经超过一个世纪。到20世纪2
35、0年代，开始被用于PCB领域，到20世纪50年代，开始被用于生产晶圆。20世纪50年代末，eastmankodak（伊士曼柯达公司）和Shipley（已被陶氏收购）分别设计出适合半导体工业所需的正胶和负胶。光刻胶用于光刻工艺，帮助将设计好的电路图形由掩膜版转移至硅片，从而实现特定的功能。光刻胶的质量和性能直接影响制造产线良率。以集成电路为例，光刻工艺步骤和光刻胶的使用场景如下：1）气体硅片表面预处理：在光刻前，硅片会经历一次湿法清洗和去离子水冲洗，目的是去除沾污物。在清洗完毕后，硅片表面需要经过疏水化处理，用来增强硅片表面同光刻胶（通常是疏水性的）的黏附性。2）旋涂光刻胶，抗反射层：在气体预处
36、理后，光刻胶需要被涂敷在硅片表面。涂敷的方法是最广泛使用的旋转涂胶方法，光刻胶（大约几毫升）先被管路输送到硅片中央，然后硅片会被旋转起来，并且逐渐加速，直到稳定在一定的转速上（转速高低决定了胶的厚度，厚度反比于转速的平方根）。3）曝光前烘焙：当光刻胶被旋涂在硅片表面后，必须经过烘焙。烘焙的目的在于将几乎所有的溶剂驱赶走。这种烘焙由于在曝光前进行叫做“曝光前烘焙”，简称前烘，又叫软烘（softbake）。前烘改善光刻胶的黏附性，提高光刻胶的均匀性，以及在刻蚀过程中的线宽均匀性控制。4）对准和曝光：在投影式曝光方式中，掩膜版被移动到硅片上预先定义的大致位臵，或者相对硅片已有图形的恰当位臵，然后由镜
37、头将其图形通过光刻转移到硅片上。对接近式或者接触式曝光，掩膜版上的图形将由紫外光源直接曝光到硅片上。5）曝光后烘焙：曝光完成后，光刻胶需要经过又一次烘焙。后烘的目的在于通过加热的方式，使光化学反应得以充分完成。曝光过程中产生的光敏感成分会在加热的作用下发生扩散，并且同光刻胶产生化学反应，将原先几乎不溶解于显影液体的光刻胶材料改变成溶解于显影液的材料，在光刻胶薄膜中形成溶解于和不溶解于显影液的图形。由于这些图形同掩膜版上的图形一致，但是没有被显示出来，又叫“潜像”（latentimage）。6）显影：由于光化学反应后的光刻胶呈酸性，显影液采用强碱溶液。一般使用体积比为2.38%的四甲基氢氧化铵水
38、溶液。光刻胶薄膜经过显影过程后，曝过光的区域被显影液洗去，掩膜版的图形便在硅片上的光刻胶薄膜上以有无光刻胶的凹凸形状显示出来。7）坚膜烘焙：在显影后，由于硅片接触到水分，光刻胶会吸收一些水分，这对后续的工艺，如湿发刻蚀不利。于是需要通过坚膜烘焙（hardbake）来将过多的水分驱逐出光刻胶。由于现在刻蚀大多采用等离子体刻蚀，又称为“干刻”，坚膜烘焙在很多工艺当中已被省去。制程升级是确定发展方向，光刻设备和光刻胶是核心因素。随着高集成度、超高速、超高频集成电路及元器件的开发，集成电路与元器件特征尺寸呈现出越来越精细的趋势，加工尺寸达到百纳米直至纳米级，光刻设备和光刻胶产品也为满足超微细电子线路图
39、形的加工应用而推陈出新。光刻胶的分辨率直接决定了特征尺寸的大小，通常而言，曝光波长越短，分辨率越高，因此为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的曝光波长由紫外宽谱向线(436nm)线(365nm)KrF(248nm)ArF(193nm)F2（157nm）的方向转移，并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。二、 存储：容量提升+扩产是两大推动力容量要求提升，光刻次数增加，相应光刻胶的用量随着光刻次数的增加大幅增长。DRAM：DRAM的技术发展路径是以微缩制程来提高存储密度。制程工艺进入20nm之后，制造难度大幅提升，DRAM芯片厂商对工艺的定义从具体的线宽转变为在具体制程范围内提升二或
40、三代技术来提高存储密度。目前市场上DRAM的应用较为广泛的是2xnm和1xnm，三星、美光、海力士等龙头厂商均已开发出1znm制程的DRAM。NAND：NAND芯片制程已经达到极限，2DNAND的存储容量难以继续突破，NAND工艺逐渐转向3D堆叠架构，以更多的堆叠层数来得到更大的存储容量，光刻次数随着层数增加而增加，KrF光刻胶的使用量将显著提升。三、 四大壁垒铸就高集中度，全球市场美日寡头垄断1、第一大壁垒：技术壁垒，生产工艺要求极高，配方是根本作为光刻工艺的核心，光刻胶需满足四大条件。选择光刻胶的决定因素是晶圆表面对尺寸的要求。光刻胶必须要同时满足四大条件：1）产生要求的尺寸。2）在刻蚀过
41、程中具有阻挡刻蚀的功能，保持特定厚度的光刻胶层中一定不能存在针孔。3）必须和晶圆（或其他衬底）表面能很好的粘合，否则刻蚀后的图形可能发生扭曲。4）工艺维度和阶梯覆盖能力。多参数指标要求，分辨率直接决定产品特征尺寸。光刻胶的主要性能指标包括：分辨率、黏附性、对比度、敏感度、抗蚀性、表面张力、曝光速度、针孔密度、阶梯覆盖度等。1）分辨率：在光刻胶层所能产生的最小图形或其间距。一般而言，越小的线宽需要越薄的光刻胶膜，但为阻挡刻蚀且不能出现针孔，光刻胶膜必须有一定的厚度，因此只能权衡选择。2）黏结能力：光刻胶必须和衬底表面很好黏结，才能准确讲图形转移到衬底表面，否则可能导致图形畸变。在制造过程中，不同
42、的表面，光刻胶的黏结能力不同。因此在光刻胶工艺中，多个步骤是为了增加光刻胶对晶圆表面的自然黏结能力。3）曝光速度：反应速度越快，光刻和刻蚀区域的加工速度越快。一般而言，负胶需要5-15秒曝光时间，而正胶需要3-4倍时间。4）针孔：光刻胶层尺寸非常小的空穴。针孔的存在会允许刻蚀剂渗透过光刻胶层接触衬底表面，从而在衬底表面刻蚀出小孔造成损害。光刻胶越薄，针孔越多，光刻胶越厚，针孔越少，但厚胶降低了光刻胶分辨率，因此光刻胶膜厚是多个因素的权衡。光刻胶工艺一旦确立，一般不再变更。准备、烘焙、曝光、刻蚀和去除工艺会根据特定的光刻胶性质和想达到的预期结果进行微调。光刻胶的选择和光刻胶工艺的研发是一项漫长而
43、复杂的过程，一旦一种光刻工艺被建立，一般不再改变。从专利数看，日本美国合计占比超70%，大陆发展迅速。截至2021年9月，全球光刻胶第一大技术来源国为日本，专利申请量占全球光刻胶专利总申请量的46%；美国则以25%的申请量位列第二。中国则以7%的申请量排在韩国之后。从趋势上看，中国的光刻胶相关专利申请量正在快速增长，在2020年实现了对日本的反超。2020年，中国光刻胶专利申请量为1.29万项，日本光刻胶专利申请量下降至8982项。光刻胶种类多样，不同类别化学结构、性能有所区别。光刻胶下游不同客户的需求差异明显，即使同一客户的不同应用需求也不一致。这就导致光刻胶的整体生产缺乏统一的工艺，每一类
44、光刻胶使用的原料在化学结构、性能上均有所区别，要求使用不同品质等级的专用化学品。这就迫使制造商需要有能力设计出符合不同需求设计不同配方，并有相应的生产工艺完成生产。这属于行业的核心技术之一，对企业的技术能力要求比较高。2、第二大壁垒：客户认证壁垒，上下游深度绑定，验证周期长在光刻胶供货前，一般会经过光刻胶产品的验证及工厂（产线）资质的验证，其中光刻胶验证根据验证阶段分为PRS（光刻胶性能测试）、STR（小试）、MSTR（批量验证）及Release（通过验证）；工厂（产线）资质验证方面，主要在质量体系、供货稳定性、工厂（产线）产能等几方面进行验证。在工厂（产线）资质验证通过以及产品验证通过后，可
45、实现对客户的正式供货。由于验证周期通常为624个月，下游晶圆厂切换光刻胶成本较高，通常客户切换光刻胶意愿不强，光刻胶企业较难进行客户的突破。3、第三大壁垒：设备壁垒，光刻机昂贵且购买难度大送样前，光刻胶生产商需要购臵光刻机用于内部配方测试，根据验证结果调整配方。光刻机设备昂贵，数量有限且供应可能受国外限制，尤其是EUV光刻机目前全球只有ASML能批量供应。光刻机购买交货周期较长，根据日经亚洲评论报导，由于需求早已超过负荷，目前芯片生产设备的交货时间已经从12个月延长至约18个月。光刻机产量较少而价格昂贵，近年增量主要集中在在EUV、ArFi和KrF光刻机。根据ASML2021年财报，2021年
46、公司共销售287台光刻系统，销售额约136.5亿欧元，其中42台为EUV光刻系统机，销售额约62.8亿欧元，平均一台1.5亿欧元;ArFi光刻系统81台，销售额约49.6亿欧元，平均单价约6100万欧元;ArFdry光刻系统销售22台，销售额约4.3亿欧元，平均单价约2000万欧元；KrF光刻系统131台，销售额约13.2亿欧元，平均单价约1000万欧元;i-Line光刻系统33台，销售额约1.4亿欧元，平均单价约400万欧元。4、第四大壁垒：原材料壁垒，国内产业链尚不完善，树脂、单体产业化困难重重上游原材料是影响光刻胶品质的重要因素，目前我国光刻胶原材料市场基本被国外厂商垄断，尤其是树脂和感光剂高度依赖于进口，国产化率很低，由此增加了国内光刻胶生产成本以及供应链风险。行业高度集中，日本三巨头+美国杜邦垄断市场。全球光刻胶市场基本被日本和美国企业所垄断，2020