《半导体基本知识优秀PPT.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体基本知识优秀PPT.ppt（31页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、计计 算算 机机 电电 路路 基基 础础执教者：谢婷本章内容开关特性：二极管、三极管、MOS管三种管子的特性曲线与主要参数重点和难点重点：、理解PN结的单向导电性。、理解三极管的电流放大作用及实现电流作用的外部工作条件。理解三极管的输入特性和输出特性以及主要参数。、驾驭三极管输出特性曲线中的截止区、放大区和饱和区等概念。、熟悉对三极管开关电路工作状态的分析方法。、熟悉MOS场效应管的分类及符号。难点：、载流子运动规律与器件外部特性的关系。只须了解，不必深究半导体基本学问半导体：定义:导电性能介于导体和绝缘之间的物质材料:常见硅、锗硅、锗晶体的每个原子均是靠共价键紧密结合在一起。本征半导体本征半
2、导体：纯净的半导体。本征半导体：纯净的半导体。0K时，价电子不时，价电子不能摆脱共价键而参与导电，因此不导电。随能摆脱共价键而参与导电，因此不导电。随T上升晶体中少数的价电子获得能量。摆脱共价上升晶体中少数的价电子获得能量。摆脱共价键束缚，成为自由电子，原来共价键处留下空键束缚，成为自由电子，原来共价键处留下空位称为空穴。空穴与自由电子统称载流子。位称为空穴。空穴与自由电子统称载流子。自由电子：负电荷自由电子：负电荷空穴：正电荷空穴：正电荷不导电不导电自由电子与空穴成对出现自由电子与空穴成对出现/复合复合杂质半导体杂质半导体：在本征半导体中掺入微量杂质。导电性能发生变更N型半导体P型半导体N型
3、半导体/电子型半导体定义：硅晶体中掺入五价元素（磷、锑）自由电子（多子）：掺杂+热激发空穴（少子）：热激发P型半导体/空穴型半导体定义：硅晶体中掺入三价元素（硼、铟）自由电子（少子）：热激发空穴（多子）：掺杂+热激发总结：多子：掺杂（主）+热激发少子：热激发（主）PN结的形成多子扩散运动形成耗尽层空穴浓度：P区N区；自由电子：P区浓度低扩散，扩散到对方复合，交界区仅剩正负离子形成耗尽层/阻挡层/空间电荷区/内电场EIN。少子漂移运动内电场的存在，阻挡了多子的扩散，P区的少子电子，N区少子空穴，内电场作用下向对方移动漂移。总结：PN结中存在：由浓度差引起的多子扩散运动，它使阻挡层变宽；由内电场作
4、用下产生的少子漂移运动，它使阻挡层变窄。当两者强度相当时，达到动态平衡。思索：PN结内部存在电场，若将P区与N区端点用导线连接，是否有电流流过？无电流流过在无外电压的条件下，扩散电流=漂移电流，且方向相反，处于平衡状态，所以流过交界面的静态电流为0。（一）PN结的单向导电性1加正向电压（正向偏置）P区接电源正极，N区接电源负极。外电场EEXT与内电场EIN方向相反。即减弱了内电场，空间电荷区变窄，有利于多子扩散，不利于少子漂移，使扩散电流大大超过了漂移电流，于是回路形成较大的正向电流IF。EEXTEIN导通(一)PN结的单向导电性2.加反向电压（反向偏置）P区接电源负极，N区接电源正极。外电场
5、EEXT与内电场EIN方向相同。即加强了内电场，空间电荷区变宽，不利于多子扩散，有利于少子漂移，使漂移电流超过扩散电流，于是回路中形成反向电流IR。因为是少子产生，所以很微弱。PN结截止（一）PN结的单向导电性总结：PN结具有单向导电性，当正向偏置时，有较大的正向电流，电阻很小，成导通状态，反向偏置时电流很小（几乎为0）。电阻很大，成截止状态。PN结的伏安特性正向特性（u0）UON：开启/导通电压硅：0.5V锗：0.1V反向特性(u5mA，ILMAX=I1MAX-5=78-5=73mA，RLMIN=5.6/73=75，只要负载电阻RL大于75,其上可获得稳定的5.6伏输出电压。半导体三极管材料
6、：硅、锗分类：NPN、PNP组成：三极：放射极e、基极b、集电极c三区：放射区、基区、集电区两结：放射结、集电结三极管放大原理放射区浓度很高，基区浓度低且很簿要求：放射结正偏，集电结反偏放射区向基区放射电子电子在基区中扩散与复合电子被集电极收集输出特性曲线截止区：BEUONiB0,iC0放大区：BEUON（硅：0.5V；锗：0.3V）IC=IB饱和区：BEUONII截止区三极管主要参数共放射极电流放大系数集电极-放射极击穿电压UCEO集电极最大电流ICM最大功率PCM特征频率fT集电极-放射极饱和压降UCES例开关电路如图所示.输入信号U1是幅值为5V频率为1KHZ的脉冲电压信号.已知=125
7、,三极管饱和时UBE=0.7V,UCES=0.25V.试分析电路的工作状态和输出电压的波形三极管的三种接法共射极电路：共基极电路:共集极电路（射极跟随器）MOS场效应管压控电流源器件分类：增加型、耗尽型PMOS管、NMOS管特性曲线转移特性曲线输出特性曲线MOS场效应管的主要参数直流参数：开启电压UTN，UTP输入电阻rgs沟通参数：跨导gm导通电阻Rds极间电容例NMOS管构成反相器如图示,其主要参数为UTN=2.0V，gM=1.3MA/V，rDS(ON)=875，电源电压UC=12V。输入脉冲电压源辐值为5V,频率为1KHZ。试分析电路的工作状态及输出电压UO的波形。(1)uI=0V，uG
8、S=uI(0)UTN管子导通uDS=UC*rDS(ON)/(rDS(ON)+R1)=0.9V.本章小结开关特性：二极管、三极管、MOS管三种管子的特性曲线与主要参数重点和难点重点：、理解PN结的单向导电性。、理解三极管的电流放大作用及实现电流作用的外部工作条件。理解三极管的输入特性和输出特性以及主要参数。、驾驭三极管输出特性曲线中的截止区、放大区和饱和区等概念。、熟悉对三极管开关电路工作状态的分析方法。、熟悉MOS场效应管的分类及符号。难点：、载流子运动规律与器件外部特性的关系。只须了解，不必深究本章小结开关特性：二极管、三极管、MOS管三种管子的特性曲线与主要参数主教材重点例题作业：P631P645