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1、模模 拟拟 电电 子子 技技 术术晶体三极管及其应用1.了解三极管的结构，理解其工作原理；了解三极管的结构，理解其工作原理；2.驾驭三极管的伏安特性和主要参数；驾驭三极管的伏安特性和主要参数；3.会推断三极管的工作状态。会推断三极管的工作状态。三极管的性质及工作状态推断三极管的性质及工作状态推断三极管的电流放大原理三极管的电流放大原理第第6 6讲讲教学目标教学目标教学重点教学重点教学难点教学难点模模 拟拟 电电 子子 技技 术术半导体三极管半导体三极管单极型半导体三极管又称场效应管（单极型半导体三极管又称场效应管（FET,FieldEffectTransistor），它是一种利用电场效应限制输
2、出电流的半导），它是一种利用电场效应限制输出电流的半导体三体三极管，工作时只有一种载流子（多数载流子）参与极管，工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称单极型半导体三极管。导电，故称单极型半导体三极管。半导体三极管具有半导体三极管具有电流放大电流放大作用，它分为作用，它分为双极型和双极型和单极型单极型两种类型。两种类型。双极型半导体三极管（双极型半导体三极管（BJT,BipolarJunctionTransistor），又称为晶体三），又称为晶体三极管，简称三极管。因极管，简称三极管。因工作时有空穴和电子两种载流子参与导电而得名。工作时有空穴和电子两种载流子参与导电而得名。模模 拟拟
3、电电 子子 技技 术术晶体晶体三极管三极管一、晶体三极管的结构与原理一、晶体三极管的结构与原理二、晶体三极管的特性曲线二、晶体三极管的特性曲线三、晶体三极管的工作状态三、晶体三极管的工作状态四、晶体三极管的主要参数四、晶体三极管的主要参数五、晶体三极管的识别与检测五、晶体三极管的识别与检测六、晶体三极管的选用六、晶体三极管的选用模模 拟拟 电电 子子 技技 术术一、晶体三极管的结构与工作原理一、晶体三极管的结构与工作原理1、三极管结构、符号和分类、三极管结构、符号和分类NNP放射极放射极E基极基极B集电极集电极C放射结放射结集电结集电结基区基区放射区放射区集电区集电区emitterbaseco
4、llectorNPN型型PPNEBCPNP型型ECBECB模模 拟拟 电电 子子 技技 术术分类分类：按材料分：按材料分：硅管、锗管硅管、锗管按功率分：按功率分：小功率管小功率管1W中功率管中功率管0.5 1W模模 拟拟 电电 子子 技技 术术2、三极管的电流放大原理、三极管的电流放大原理（1）三极管放大的条件三极管放大的条件内部内部条件条件放射区掺杂浓度高放射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低集电结面积大集电结面积大外部外部条件条件放射结正偏放射结正偏集电结反偏集电结反偏（2）满足放大条件的三种电路满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共放射极共放射极
5、共集电极共集电极共基极共基极模模 拟拟 电电 子子 技技 术术（3）三极管内部载流子的传输过程）三极管内部载流子的传输过程放射区向基区注入多子放射区向基区注入多子电子，电子，形成放射极电流形成放射极电流IE。ICN多数向多数向BC结方向扩散形成结方向扩散形成ICN。IE少数与空穴复合，形成少数与空穴复合，形成IBN。IBN基区空基区空穴来源穴来源基极电源供应基极电源供应(IB)集电区少子漂移集电区少子漂移(ICBO)I CBOIBIBN IB+ICBO即：即：IB=IBNICBO电子到达基区后电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而基区空穴运动因浓度低而忽视忽视)(动画2-1)模模 拟拟 电电
6、 子子 技技 术术ICNIEIBNI CBOIB集电区收集扩散过集电区收集扩散过来的载流子形成集来的载流子形成集电极电流电极电流ICICIC=ICN+ICBO模模 拟拟 电电 子子 技技 术术（4）三极管的电流支配关系）三极管的电流支配关系当当管管子子制制成成后后，放放射射区区载载流流子子浓浓度度、基基区区宽宽度度、集集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：IB=I BN ICBOIC=ICN+ICBO穿透电流穿透电流模模 拟拟 电电 子子 技技 术术IE=IC+IB模模 拟拟 电电 子子 技技 术术试验试验+-bce共射极放大电路共射极放大电路U
7、BBUCCuBEiCiB+-uCEiEiB00.02 0.04 0.060.080.10iC0.0010.70 1.502.303.103.95iET1模模 拟拟 电电 子子 技技 术术（2）温度上升，输出特性曲线向上移。温度上升，输出特性曲线向上移。iCuCE T1iB=0T2iB=0iB=0温度每上升温度每上升1C，(0.5 1)%。输出特性曲线间距增大。输出特性曲线间距增大。O模模 拟拟 电电 子子 技技 术术三、晶体三极管的工作状态三、晶体三极管的工作状态三种工作状态三种工作状态状态状态电流关系电流关系 条条 件件放大放大I C=IB放射结正偏放射结正偏集电结反偏集电结反偏饱和饱和 I
8、C IB两个结正偏两个结正偏ICS=IBS集电结零偏集电结零偏临界临界截止截止IBU(th)则则导通导通以以NPN为为例：例：UBEUBUE放大放大UEUC UB饱和饱和PNP管管UCUBUC UB饱和饱和（2）电流判别法）电流判别法IBIBS则则饱和饱和IBU(BR)CEO U(BR)EBO(P34图图)已知已知:ICM=25mA,PCM=250mW，U(BR)CEO=50V，当当UCE=20V时，时，ICmA当当UCE=1V，则，则ICmA当当IC=2mA，则，则UCEV 12.52550模模 拟拟 电电 子子 技技 术术例例1 1：测量三极管三个电极对地电位如图：测量三极管三个电极对地电
9、位如图 试推断三极管的工作状态。试推断三极管的工作状态。放大截止饱和模模 拟拟 电电 子子 技技 术术例例2：测量某测量某NPN型型BJT各电极对地的电压值如下，试各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？判别管子工作在什么区域？（1 1）V VC C 6V6V V VB B 0.7V0.7VVVE E 0V0V（2 2）VVC C 6V6V V VB B 4V4VVVE E 3.6V3.6V（3 3）VVC C 3.6V3.6VVVB B 4V4VVVE E 3.4V3.4V原则：原则：正偏正偏反偏反偏反偏反偏集电结集电结正偏正偏正偏正偏反偏反偏发射结发射结饱和饱和放大放大截止截止解
10、：解：对NPN管而言，放大时V VC C VVB B VVE E 对PNP管而言，放大时V VC C VVB B V VE E（1）放大区）放大区（2）截止区）截止区（3）饱和区）饱和区模模 拟拟 电电 子子 技技 术术例例3:某放大电路中某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。三个电极的电流如图所示。IA-2mA,IB-0.04mA,IC+2.04mA,试推断管脚、管型。试推断管脚、管型。解：电流推断法。解：电流推断法。电流的正方向和电流的正方向和KCL。IE=IB+ICABCIAIBICC为放射极为放射极B为基极为基极A为集电极。为集电极。管型为管型为NPN管。管。管脚、管型的推断法也可
11、接受万用表电阻法。参考试验。管脚、管型的推断法也可接受万用表电阻法。参考试验。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术 例例例例4 4：测测测测得得得得工工工工作作作作在在在在放放放放大大大大电电电电路路路路中中中中几几几几个个个个晶晶晶晶体体体体管管管管三三三三个个个个电电电电极极极极的的的的电电电电位位位位U1U1、U2U2、U3U3分别为：分别为：分别为：分别为：（1 1）U1=3.5VU1=3.5V、U2=2.8VU2=2.8V、U3=12VU3=12V（2 2）U1=3VU1=3V、U2=2.8VU2=2.8V、U3=12VU3=12V（3 3）U1=6VU1=6V、U2=11.3VU2=
12、11.3V、U3=12VU3=12V（4 4）U1=6VU1=6V、U2=11.8VU2=11.8V、U3=12VU3=12V 推推推推断断断断它它它它们们们们是是是是NPNNPN型型型型还还还还是是是是PNPPNP型型型型？是是是是硅硅硅硅管管管管还还还还是是是是锗锗锗锗管管管管？并并并并确确确确定定定定e e、b b、c c。（1 1）U U1 1bb、U U2 2e e、U U3 3cNPNcNPN硅硅硅硅（2 2）U U1 1bb、U U2 2e e、U U3 3cNPNcNPN锗锗锗锗（3 3）U U1 1c c、U U2 2bb、U U3 3ePNPePNP硅硅硅硅（4 4）U U
13、1 1c c、U U2 2bb、U U3 3ePNPePNP锗锗锗锗原则：先求原则：先求UBE，若等于，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗，为锗管。放射结正偏，集电结反偏。管。放射结正偏，集电结反偏。NPN管管UBE0，UBC0，即，即UCUBUE。PNP管管UBE0，UBC0，即，即UCUBUE。解：解：解：解：模模 拟拟 电电 子子 技技 术术五、晶体三极管的检测五、晶体三极管的检测1 中、小功率三极管的检测1、中、小功率三极管的检测、中、小功率三极管的检测测量极间电阻。测量极间电阻。将万用表置于将万用表置于R100或或R1K挡，依据红、黑表笔的六
14、挡，依据红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，放射结和集电结的正向电阻种不同接法进行测试。其中，放射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。（1）已知型号和管脚排列的三极管性能好坏的推断）已知型号和管脚排列的三极管性能好坏的推断模模 拟拟 电电 子子 技技 术术 ICEO=ICBO。随着环境温度的上升，ICBO增加，必定造成ICEO
15、的增大。而ICEO的增大将干脆影响管子工作的稳定性，所以在运用中应尽量选用ICEO小的管子。通过用万用表电阻干脆测量三极管ec极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下：万用表电阻的量程一般选用R100或R1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。ec间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧以上，假如阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。测三极管的穿透
16、电流测三极管的穿透电流ICEO模模 拟拟 电电 子子 技技 术术目前有些型号的万用表具有测量三极管目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度的刻度线及其测试插座，可以很便利地测量三极管的放大倍数。线及其测试插座，可以很便利地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至先将万用表功能开关拨至挡，量程开关拨到挡，量程开关拨到ADJ位置，位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从笔分开，把被测三极管插入测
17、试插座，即可从hFE刻度刻度线上读出管子的放大倍数。线上读出管子的放大倍数。另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家干另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家干脆在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数脆在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数值，其颜色和值，其颜色和值的对应关系如表所示，但要留意，各厂值的对应关系如表所示，但要留意，各厂家所用色标并不确定完全相同。家所用色标并不确定完全相同。测量放大实力测量放大实力()模模 拟拟 电电 子子 技技 术术用万用电表判别三极管的类型和基极用万用电表判别三极管的类型和基极依据两个依据两个PN结连接方式不同，可以分为结连接方式不同，可
18、以分为NPN型和型和PNP型两种不同导电类型型两种不同导电类型的三极管，测试三极管要运用万用电表的欧姆挡，并选择的三极管，测试三极管要运用万用电表的欧姆挡，并选择R1k挡位。假定我挡位。假定我们并不知道被测三极管是们并不知道被测三极管是NPN型还是型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是推断哪个管脚是基极。（三颠倒，找基极）测试的第一步是推断哪个管脚是基极。（三颠倒，找基极）任取两个电极任取两个电极(如这两个电极为如这两个电极为1、2)，用万用表两支表笔颠倒测量它的正、，用万用表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，视察表针的偏转角度；接着，再取反向电
19、阻，视察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和两个电极和2、3两个电极，两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，视察表针的偏转角度。在这三次颠倒测分别颠倒测量它们的正、反向电阻，视察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必定有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转量中，必定有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必定是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，那么这次未测的那小；剩下一次必定是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，那么这次未测的那只管脚就是我们要找寻的基极。只管脚就是我们要找寻的基极。三极管类型的判别：三极管类型的判别：三极管只有两种类型，即三极
20、管只有两种类型，即PNP型和型和NPN型。型。判别时只要知道基极是判别时只要知道基极是P型材料还型材料还N型材料即可。当用万用电表型材料即可。当用万用电表R1k挡时，挡时，黑表笔代表电源正极，假如黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为黑表笔代表电源正极，假如黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为P型型材料，三极管即为材料，三极管即为NPN型。假如红表笔接基极导通，则说明三极管基极为型。假如红表笔接基极导通，则说明三极管基极为N型材料，三极管即为型材料，三极管即为PNP型。型。（2）检测判别三极管的电极检测判别三极管的电极模模 拟拟 电电 子子 技技 术术测试测试NPN型管型管C、E测穿透电
21、流测穿透电流ICEO的方法确定集电极的方法确定集电极c和放射极和放射极e。对于对于NPN型三极管，由型三极管，由NPN型三极管穿透电流的流向原理，用万用电表的黑、型三极管穿透电流的流向原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和和Rec，虽然两次测量中万用表指，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但细致视察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流针偏转角度都很小，但细致视察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向确定是：黑表笔向确定是：黑表笔c极极b极极e极极红表笔，电流流向正好与三极管符号中红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一
22、样，所以此时黑表笔所接的确定是集电极的箭头方向一样，所以此时黑表笔所接的确定是集电极c，红表笔所接的确定，红表笔所接的确定是放射极是放射极e。对于对于PNP型的三极管，道理也类似于型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向确定是：黑表笔型，其电流流向确定是：黑表笔e极极b极极c极极红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一样，红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一样，所以此时黑表笔所接的确定是放射极所以此时黑表笔所接的确定是放射极e，红表笔所接的确定是集电极，红表笔所接的确定是集电极c。测不出，动嘴巴测不出，动嘴巴若接受上述方法，颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要若
23、接受上述方法，颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴动嘴巴”了。具体方法是：用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴了。具体方法是：用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住巴含住(或用舌头抵住或用舌头抵住)基极基极b，仍用，仍用“顺箭头，偏转大顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分的判别方法即可区分开集电极开集电极c与放射极与放射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。加明显。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术数字式万用表辨别三极管数字式万用表辨别三极管先用二极管档找出先用二极管档找出B极。并推断是极。
24、并推断是PNP还是还是NPN；有没有击穿。当；有没有击穿。当B极确定，极性确定，管极确定，极性确定，管子是好的。可以把数字表打到子是好的。可以把数字表打到HFE档。按档。按NPN或或PNP把把B极针插到极针插到B极孔，随意把假定的极孔，随意把假定的“E”、“C”脚分别插入脚分别插入E、C孔。记录孔。记录HFE读数。读数。然后对调然后对调“E”、“C”。记录。记录HFE读数。读数。读数大的一次读数大的一次E极孔所插的为极孔所插的为E极。极。要留意，带有阻尼或互补达林顿的管简洁误推要留意，带有阻尼或互补达林顿的管简洁误推断。断。对于常见的进口型号的大功率塑封管，其对于常见的进口型号的大功率塑封管，
25、其C极极基本都是在中间。中、小功率管有的基本都是在中间。中、小功率管有的B极可能在极可能在中间。比如常用的中间。比如常用的9014三极管及其系列的其它型三极管及其系列的其它型号三极管。号三极管。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术在实际应用中、小功率三极管多干脆焊接在印刷电路在实际应用中、小功率三极管多干脆焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而推断其好坏。引脚的电压值，来推断其工作是
26、否正常，进而推断其好坏。正偏正偏反偏反偏反偏反偏集电结集电结正偏正偏正偏正偏反偏反偏发射结发射结饱和饱和放大放大截止截止2、在路电压检测推断法、在路电压检测推断法模模 拟拟 电电 子子 技技 术术六、晶体三极管的选用六、晶体三极管的选用晶体三极管的选用要点：晶体三极管的选用要点：1、为保证三极管工作在平安区，应是工作电流、为保证三极管工作在平安区，应是工作电流ICICM，PCPCM，UCEU（BR）CEO。当须要运用功率三极管时，要满足散热条件。假如在。当须要运用功率三极管时，要满足散热条件。假如在放射结上有反向电压时，特殊要留意放射结上有反向电压时，特殊要留意e，b极间的反向电压不能超过极间
27、的反向电压不能超过U（BR）EBO。2、在放大高频信号时，要选用高频管，以减小高频段使、在放大高频信号时，要选用高频管，以减小高频段使值不致下降太多。值不致下降太多。若用于开关电路中，应选用开关管，来保证有足够高的开关速度。因为硅管的若用于开关电路中，应选用开关管，来保证有足够高的开关速度。因为硅管的反向电流很小，允许的结温也大于锗管，所以在温度变更大的环境中应选用硅反向电流很小，允许的结温也大于锗管，所以在温度变更大的环境中应选用硅管；而要求导通电压低或电源只有管；而要求导通电压低或电源只有1.5V时，应选用硅管。时，应选用硅管。3、为保证放大电路工作稳定，应选用反向电流小而且值不宜太高的管
28、子，、为保证放大电路工作稳定，应选用反向电流小而且值不宜太高的管子，否则工作不稳定。一些三极管的型号和主要参数可查阅手册。否则工作不稳定。一些三极管的型号和主要参数可查阅手册。4、对于三极管的电压、电流等主要参数可以适当降额运用。例如，在要、对于三极管的电压、电流等主要参数可以适当降额运用。例如，在要求三极管的功率为求三极管的功率为70W的电路中，可运用功率为的电路中，可运用功率为100W的三极管，在要求三极的三极管，在要求三极管的电流为管的电流为1A的电路中，可运用电流为的电路中，可运用电流为1.5A的三极管。降额幅度一般可按的三极管。降额幅度一般可按30%驾驭。降额运用三极管，对其平安性有
29、利，并可有效提高整机的牢靠性。驾驭。降额运用三极管，对其平安性有利，并可有效提高整机的牢靠性。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术模模 拟拟 电电 子子 技技 术术模模 拟拟 电电 子子 技技 术术模模 拟拟 电电 子子 技技 术术模模 拟拟 电电 子子 技技 术术模模 拟拟 电电 子子 技技 术术模模 拟拟 电电 子子 技技 术术模模 拟拟 电电 子子 技技 术术双极型半导体三极管双极型半导体三极管(晶体三极管晶体三极管BJT)单极型半导体三极管单极型半导体三极管(场效应管场效应管FET)两种载流子导电两种载流子导电多数载流子导电多数载流子导电晶体三极管晶体三极管1.形式与结构形式与结构NPN
30、PNP三区、三极、两结三区、三极、两结2.特点特点基极电流限制集电极电流并实现放大基极电流限制集电极电流并实现放大本节小结模模 拟拟 电电 子子 技技 术术放放大大条条件件内因：放射区载流子浓度高、内因：放射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大基区薄、集电区面积大外因：放射结正偏、集电结反偏外因：放射结正偏、集电结反偏3.电流关系电流关系IE=IC+IBIC=IB+ICEOIE=(1+)IB+ICEOIE=IC+IBIC=IBIE=(1+)IB模模 拟拟 电电 子子 技技 术术4.特性特性iC/mAuCE /V100A80A60A40A20AIB=0O369124321O0.4 0.8iB/A
31、uBE/V60402080死区电压死区电压(Uth)：0.5V(硅管硅管)0.1V(锗管锗管)工作电压工作电压(UBE(on)：0.6 0.8V取取0.7V(硅管硅管)0.2 0.3V取取0.3V(锗管锗管)饱饱和和区区截止区截止区模模 拟拟 电电 子子 技技 术术iC/mAuCE /V100A80A60A40A20AIB=0O369124321放大区放大区饱饱和和区区截止区截止区放大区特点：放大区特点：1)iB确定确定iC2)曲线水平表示恒流曲线水平表示恒流3)曲线间隔表示受控曲线间隔表示受控模模 拟拟 电电 子子 技技 术术5.参数参数特性参数特性参数电流放大倍数电流放大倍数 =/(1 )=/(1+)极间反向电流极间反向电流ICBOICEO极限参数极限参数ICMPCMU(BR)CEOuCEOICEOiCICMU(BR)CEOPCM安安全全工工作作区区=(1+)ICBO模模 拟拟 电电 子子 技技 术术 学完本节内容后须要驾驭以下内容：1.三极管的结构、分类及符号；2.三极管的三种工作状态：放大、截止、饱和的推断及特点3.三极管的主要作用-放大4.三极管的输入、输出特性；5.三极管的选用满足极限参数的要求：6.会检测识别三极管驾驭学问点驾驭学问点