《光电式传感器和光纤传感器.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《光电式传感器和光纤传感器.ppt（86页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、第第7 7章章 光电式传感器和光纤传光电式传感器和光纤传感器感器 将光量转换为电量的器件称为光电传感器或光电元件。将光量转换为电量的器件称为光电传感器或光电元件。光电式传感器的工作原理是：首先把被测量的变化转换光电式传感器的工作原理是：首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后通过光电转换元件变换成电信号。成光信号的变化，然后通过光电转换元件变换成电信号。光电传感器的工作基础是光电效应。光电传感器的工作基础是光电效应。7.1 7.1 光电效应和光电器件光电效应和光电器件 光电效应按其作用原理可分为外光电效应和内光电效应。光电效应按其作用原理可分为外光电效应和内光电效应。一、外光电效应一、外光电
2、效应 在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射的在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射的现象称为外光电效应。现象称为外光电效应。基于外光电效应的光电器件由光电管、光电倍增管等。基于外光电效应的光电器件由光电管、光电倍增管等。我们知道，光子是具有能量的粒子，每个光子具有的能力我们知道，光子是具有能量的粒子，每个光子具有的能力由下式确定。由下式确定。若物体中电子吸收的入射光的能量足以克服逸若物体中电子吸收的入射光的能量足以克服逸出功出功A0A0时，电子就逸出物体表面，产生电子发时，电子就逸出物体表面，产生电子发射。故要使一个电子逸出，则光子能量射。故要使一个电子逸出，则光子能量h
3、h必须必须超出逸出功超出逸出功A0 A0，超过部分的能量，表现为逸出，超过部分的能量，表现为逸出电子的动能。即电子的动能。即二、内光电效应二、内光电效应 受光照的物体导电率发生变化，或产生光生电受光照的物体导电率发生变化，或产生光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。为以下两大类。1 1）光电导效应。在光线作用下，电子吸收光子）光电导效应。在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电阻率变化，这种效应称为光电导效应。基于电阻率变化，这种效应称为光电导效应。基于这种效应的器
4、件有光敏电阻等。这种效应的器件有光敏电阻等。2 2）光生伏特效应。在光线作用下能够使物体产）光生伏特效应。在光线作用下能够使物体产生一定方向电动势的现象叫光生伏特效应。基生一定方向电动势的现象叫光生伏特效应。基于该效应的器件有光电池和光敏晶体管等。于该效应的器件有光电池和光敏晶体管等。三、三、光敏电阻光敏电阻为了防止周围介质的影响为了防止周围介质的影响,在半导体光敏层上覆盖了在半导体光敏层上覆盖了一层漆膜一层漆膜,漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。范围内透射率最大。1.光敏电阻的结构光敏电阻的结构它是涂于玻璃底板上的一它是涂于玻璃底板上的
5、一薄层半导体物质薄层半导体物质,半导体半导体的两端装有金属电极的两端装有金属电极,金金属电极与引出线端相连接属电极与引出线端相连接,光敏电阻就通过引出线端光敏电阻就通过引出线端接入电路。接入电路。2.2.光敏电阻的工作原理光敏电阻的工作原理 光敏电阻又称光导管光敏电阻又称光导管,它几乎都是用半导体材它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。料制成的光电器件。光敏电阻没有极性光敏电阻没有极性,纯纯粹是一个电阻器件粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。也可以加交流电压。无光照时无光照时,光敏电阻值（暗电阻）很大光敏电阻值（暗电阻）很大,电路电路中电流（暗电流）很
6、小。当光敏电阻受到一定中电流（暗电流）很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时波长范围的光照时,它的阻值（亮电阻）急剧它的阻值（亮电阻）急剧减少减少,电路中电流迅速增大。电路中电流迅速增大。一般希望暗电一般希望暗电阻越大越好阻越大越好,亮电阻越小越好亮电阻越小越好,此时光敏电阻此时光敏电阻的灵敏度高。的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧级在兆欧级,亮电阻在几千欧以下。亮电阻在几千欧以下。3光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要参数）暗电阻暗电阻光光敏敏电电阻阻在在不不受受光光时时的的阻阻值值称称为为暗暗电电阻阻,此此时时流流过过的的电电流流称为暗电流。称为暗电流。）
7、亮电阻亮电阻光光敏敏电电阻阻在在受受光光照照射射时时的的电电阻阻称称为为亮亮电电阻阻,此此时时流流过过的的电电流称为亮电流。流称为亮电流。）光电流光电流亮电流与暗电流之差称为光电流。亮电流与暗电流之差称为光电流。4光敏电阻的基本特性光敏电阻的基本特性1）伏安特性伏安特性：在一定照度下在一定照度下,流过光敏电阻的电流与光敏电流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系阻两端的电压的关系一定光照，一定光照，R R一定，一定，I I正正比于比于U U。一定电压，一定电压，I I随着光照随着光照E E增强而增大。增强而增大。ERI ERI。2)光照特性（光照特性（IE）光敏电阻的光光敏电阻的光照特性为
8、非线照特性为非线性，不宜作检性，不宜作检测元件，主要测元件，主要用于自动控制用于自动控制中。中。3）光谱特性（光谱特性（Kr%）光光敏敏电电阻阻的的相相对对光光敏敏灵灵敏敏度度与与入入射射波波长长的的关关系系称称为为光光谱谱特性。特性。亦称为光谱响应。亦称为光谱响应。不同材料，其峰值波长不同。不同材料，其峰值波长不同。同一种材料，对不同波长的入射光，其相对灵敏度不同，同一种材料，对不同波长的入射光，其相对灵敏度不同，响应电流不同。响应电流不同。应根据光源的性质，选择合适的光电元件（匹配）使光电应根据光源的性质，选择合适的光电元件（匹配）使光电元件得到较高得相对灵敏度。元件得到较高得相对灵敏度。
9、4）温度特性温度特性温温度度变变化化影影响响光光敏敏电电阻阻的的光谱响应。光谱响应。硫硫化化铅铅光光敏敏电电阻阻的的光光谱谱温温度度特特性性曲曲线线,它它的的峰峰值值随随着着温温度度上上升升向向波波长长短短的的方方向向移移动动。因因此此,硫硫化化铅铅光光敏敏电电阻阻要要在在低低温温、恒恒温温的的条条件件下下使使用用。对对于于可可见见光光的的光光敏敏电电阻阻,其其温温度度影影响要小一些。响要小一些。5.光敏电阻的应用光敏电阻的应用1.光照度计光照度计 农作物日照时数测定。农作物日照时数测定。输出接单片机的输出接单片机的I/OI/O口，口，每每2 2分钟对此口查询分钟对此口查询1 1次，次，为高电
10、平，计数一次，为高电平，计数一次，为低电平，不计数。为低电平，不计数。1 1天天查询查询720720次。次。无光照无光照V0=VL V0=VL 。有光照。有光照V0=VHV0=VH。2.环境照度监视器环境照度监视器3.带材跑偏检测仪带材跑偏检测仪四、光敏二极管与三极管四、光敏二极管与三极管一一.光敏二极管光敏二极管1.1.工作原理与结构工作原理与结构光敏二极管的结构与普通二极管一样，都有一个光敏二极管的结构与普通二极管一样，都有一个PNPN结，两结，两根电极引线，而且都是非线性器件，具有单向导电性。不根电极引线，而且都是非线性器件，具有单向导电性。不同之处在于光敏二极管的同之处在于光敏二极管的
11、PNPN结状在管壳的顶部，可直接受结状在管壳的顶部，可直接受到光的照射，其结构和电路如图所示。到光的照射，其结构和电路如图所示。没有光照射时没有光照射时，处于反向偏置的光敏二极管，处于反向偏置的光敏二极管，工作于截止状态工作于截止状态,这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层，形成这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层，形成微小的反向电流即暗电流。这时反向电阻很大。微小的反向电流即暗电流。这时反向电阻很大。当光照射在当光照射在PNPN结上时结上时,光子打在光子打在PNPN结附近结附近,PN,PN结附近产生结附近产生光生电子和光生空穴对。从而使光生电子和光生空穴对。从而使P P
12、区和区和N N区的少数载流子浓度大区的少数载流子浓度大大增加，因此在反向外加电压和内电场的作用下大增加，因此在反向外加电压和内电场的作用下,P,P区的少数载区的少数载流子渡越阻挡层进入流子渡越阻挡层进入N N区，区，N N区的少数载流子渡越阻挡层进入区的少数载流子渡越阻挡层进入P P区区，从而使通过从而使通过PNPN结的反向电流大为增加，形成光电流。这时结的反向电流大为增加，形成光电流。这时二极管处于导通状态。光的照度越大二极管处于导通状态。光的照度越大,光电流越大。光电流越大。2.2.光敏二极管的基本特性光敏二极管的基本特性1 1）光谱特性）光谱特性 在入射度一定时，在入射度一定时，输出的光
13、电流输出的光电流（或相对灵敏度）（或相对灵敏度）随光波波长的变随光波波长的变化而变化。一种化而变化。一种光敏二极管只对光敏二极管只对一定波长的入射一定波长的入射光敏感，这就是光敏感，这就是它的光谱特性。它的光谱特性。如图所示。如图所示。2）伏安特性）伏安特性3 3）光照特性）光照特性4 4）温度特性）温度特性温度变化对光敏二极管输出电流影响较小温度变化对光敏二极管输出电流影响较小,但对暗电流的影响但对暗电流的影响却十分显著却十分显著.3.光敏二极管的应用光敏二极管的应用1 1）光电路灯控制电路）光电路灯控制电路2）光强测量电路）光强测量电路二二.光敏三级管光敏三级管光电三极管比具有相同有效面积
14、的光电二极管的光电光电三极管比具有相同有效面积的光电二极管的光电流大几十至几百倍，但相应速度较二极管差。流大几十至几百倍，但相应速度较二极管差。1.1.工作原理与结构工作原理与结构基基极极开开路路，集集电电极极与与发发射射极极之之间间加加正正电电压压。当当光光照照射射在在集集电电结结上上时时,在在结结附附近近产产生生电电子子-空空穴穴对对,电电子子在在结结电电场场的的作作用用下下，由由P P区区向向N N区区运运动动，形形成成基基极极电电流流，放放大大倍倍形形成成集集电电极极电流（光电流）电流（光电流）,所以光电三极管有放大作用。所以光电三极管有放大作用。2.光敏三极管的基本特性光敏三极管的基
15、本特性1 1）光谱特性与伏安特性光谱特性与伏安特性 光谱特性与二极管相同，光谱特性与二极管相同，伏安特性如图。伏安特性如图。2）温度特性与光照特性）温度特性与光照特性 温度特性与光敏二极管温度特性与光敏二极管相同，光照特性如图相同，光照特性如图3.光敏三极管的应用光敏三极管的应用1.脉冲编码器脉冲编码器2.转速传感器转速传感器7.2 CCD图像传感器图像传感器 固态图像传感器按其结构可分为三类：电荷固态图像传感器按其结构可分为三类：电荷耦合器件（简称耦合器件（简称CCDCCD）、）、MOSMOS图像传感器（简图像传感器（简称称SSPASSPA）和电荷注入器件（简称）和电荷注入器件（简称CIDC
16、ID）。）。目前，前两种用得较多。广泛用于图像传输目前，前两种用得较多。广泛用于图像传输与识别。例如，摄像机、数码照相机、扫描与识别。例如，摄像机、数码照相机、扫描仪、复印机和机器人的眼睛等。仪、复印机和机器人的眼睛等。在本节中仅说明在本节中仅说明CCDCCD图像传感器的工作原理与图像传感器的工作原理与特性特性一、一、电荷耦合器件电荷耦合器件(CCD)电荷耦合器件（电荷耦合器件（Charge Couple DeviceCharge Couple Device，简称简称CCDCCD），它将光敏二极管阵列和读出移位寄），它将光敏二极管阵列和读出移位寄存器集成为一体，构成具有自扫描功能的图象存器集成
17、为一体，构成具有自扫描功能的图象传感器。是一种金属氧化物半导体（传感器。是一种金属氧化物半导体（MOSMOS）集成）集成电路器件，它以电荷作为信号电路器件，它以电荷作为信号,基本功能是进基本功能是进行光电转换电荷的存储和电荷的转移输出。行光电转换电荷的存储和电荷的转移输出。广广泛应用于自动控制和自动测量泛应用于自动控制和自动测量,尤其适用于图尤其适用于图像识别技术。像识别技术。1.MOS光敏单元的结构及原理光敏单元的结构及原理CCDCCD器件完成对物体的成像，在其内部形成与光像图形相对应的电荷分布图形。这就器件完成对物体的成像，在其内部形成与光像图形相对应的电荷分布图形。这就要求它的基本单元具
18、有存储电荷的功能，同时还具有电荷转移输出功能。要求它的基本单元具有存储电荷的功能，同时还具有电荷转移输出功能。CCDCCD器件的器件的基本单元结构是基本单元结构是MOSMOS（金属（金属氧化物氧化物半导体）结构。即在半导体）结构。即在P P型硅衬底上生长一层型硅衬底上生长一层SiOSiO2 2 (120nm),(120nm),再在再在 SiO SiO2 2层上沉积金属铝构成层上沉积金属铝构成MOSMOS结构，它是结构，它是CCDCCD器件的最小工作单元。器件的最小工作单元。A A、势阱的产生、势阱的产生 MOS MOS的金属电极加正压，电极下的的金属电极加正压，电极下的P P型硅区域内空穴被赶
19、尽，型硅区域内空穴被赶尽，留下带负电荷的负离子，其中无导电的载流子，形成耗尽层。它留下带负电荷的负离子，其中无导电的载流子，形成耗尽层。它是电子的势阱。势阱的深浅取决于是电子的势阱。势阱的深浅取决于U U的大小。的大小。B B、电荷的存储、电荷的存储 势阱具有存储电荷的功能，势阱内所吸收势阱具有存储电荷的功能，势阱内所吸收的光生电子数量与入射到势阱附近的光强成的光生电子数量与入射到势阱附近的光强成正比。正比。CCD CCD器件将物体的光像形成对应的电像器件将物体的光像形成对应的电像时，就是时，就是CCDCCD器件中上千个相互独立的器件中上千个相互独立的MOSMOS单元势阱中存储与光像对应的电荷
20、量。单元势阱中存储与光像对应的电荷量。2.读出移位寄存器读出移位寄存器研究如何实现势阱下的电荷从一个研究如何实现势阱下的电荷从一个MOSMOS元位置转移到另一个元位置转移到另一个MOSMOS元位元位置，并依次转移并传输出来。置，并依次转移并传输出来。A、电荷的定向转移、电荷的定向转移当外加电压一定时，势阱的深度随势阱中的电荷量的增加而线性减少。当外加电压一定时，势阱的深度随势阱中的电荷量的增加而线性减少。由此通过控制相邻由此通过控制相邻MOSMOS电容器栅极电压高低来调节势阱的深浅。电容器栅极电压高低来调节势阱的深浅。要求：要求：多个多个MOSMOS电容紧密排列且势阱相互沟通。电容紧密排列且势
21、阱相互沟通。金属电极上加电压脉冲严格满足相位要求。金属电极上加电压脉冲严格满足相位要求。B、三相、三相CCD电极的结构电极的结构MOS上三个相邻电极，每隔两个所有电极接在一起。由上三个相邻电极，每隔两个所有电极接在一起。由3个相位差个相位差120时钟脉冲驱动。时钟脉冲驱动。C、电荷的输出、电荷的输出在输出端在输出端P P型硅衬底上扩散形成输出二极管，二极管型硅衬底上扩散形成输出二极管，二极管加反压，在加反压，在PNPN结形成耗尽层。输出栅结形成耗尽层。输出栅OGOG加压使电荷转加压使电荷转移到二极管的耗尽区，作为二极管的少数载流子形成移到二极管的耗尽区，作为二极管的少数载流子形成反向电流输出。
22、输出电流的大小与电荷大小成正比，反向电流输出。输出电流的大小与电荷大小成正比，通过负载变为电压输出。通过负载变为电压输出。输出二极管电流法输出二极管电流法二二.CCD图像传感器图像传感器 1.1.线阵电荷耦合器件线阵电荷耦合器件线阵CCD结构原理图（1）光照光敏元，各光敏元中的光敏二极）光照光敏元，各光敏元中的光敏二极管产生光生电子空穴对，电子注入对应的管产生光生电子空穴对，电子注入对应的MOS势阱中，光像变为电像势阱中，光像变为电像电荷包。（光电荷包。（光积分）积分）（2）积分周期结束，控制信号使转移栅打）积分周期结束，控制信号使转移栅打开，光生电荷就通过转移栅耦合到移位寄存器开，光生电荷就
23、通过转移栅耦合到移位寄存器中，通过移位寄存器并行输出。中，通过移位寄存器并行输出。（3）转移栅关闭后，光敏单元开始下一）转移栅关闭后，光敏单元开始下一行图像信号积分采集。行图像信号积分采集。图7-12 各脉冲的波形和相位2.面阵型面阵型CCD图像传感器图像传感器 面阵型面阵型CCDCCD图像器件的感光单元呈二维矩阵排列，能检测图像器件的感光单元呈二维矩阵排列，能检测二维平面图像。按传输和读出方式可分为行传输、帧传输二维平面图像。按传输和读出方式可分为行传输、帧传输和行间传输三种。下面主要介绍前两种。和行间传输三种。下面主要介绍前两种。1 1）行传输（）行传输（LTLT）面阵）面阵CCDCCD2
24、）帧传输（帧传输（FT）面阵）面阵CCD 光敏区和存储区分开，光敏区和存储区分开，光敏区在积分时间内，产生光敏区在积分时间内，产生与光像对应的电荷包，在积与光像对应的电荷包，在积分周期结束后，利用时钟脉分周期结束后，利用时钟脉冲将整帧信号转移到读出寄冲将整帧信号转移到读出寄存器。然后，整帧信号再向存器。然后，整帧信号再向下移，进入水平读出移位寄下移，进入水平读出移位寄存器，串行输出。（一帧对存器，串行输出。（一帧对应光敏区应光敏区MOSMOS的数量）的数量）光敏区存储区读出寄存器三三.CCD图像传感器的特性参数图像传感器的特性参数1.1.转移效率转移效率 当当CCDCCD中电荷包从一个势阱转移
25、到另一个势阱时，若中电荷包从一个势阱转移到另一个势阱时，若Q Q1 1为转移一次后的电荷量，为转移一次后的电荷量，Q Q0 0为原始电荷，则转移效率为原始电荷，则转移效率定义为定义为若转移损耗定义为若转移损耗定义为则电荷进行则电荷进行N N次转移时，总转移效率为次转移时，总转移效率为要求转移效率必须达到要求转移效率必须达到99.999%99.999%2.分辨率分辨率 CCD CCD图象传感器的分辨率用调制转移函数图象传感器的分辨率用调制转移函数MTFMTF表表征。当光强以正弦变化的图像作用在传感器上时，征。当光强以正弦变化的图像作用在传感器上时，电信号幅度随光像空间频率的变化为调制转移函电信号
26、幅度随光像空间频率的变化为调制转移函数数MTFMTF。根据奈奎斯特采样定理，定义图像传感器的最高根据奈奎斯特采样定理，定义图像传感器的最高分辨率分辨率f fm m等于它的空间采样频率等于它的空间采样频率f f0 0的一半，即的一半，即3.暗电流暗电流 暗电流起因于热激发产生的电子空穴暗电流起因于热激发产生的电子空穴对，是缺陷产生的主要原因。对，是缺陷产生的主要原因。CCDCCD器件器件暗电流越小越好。暗电流越小越好。4.4.灵敏度灵敏度 图象传感器的灵敏度是指单位发射照度下，单图象传感器的灵敏度是指单位发射照度下，单位时间、单位面积发射的电量，即位时间、单位面积发射的电量，即四四.CCD图像传
27、感器应用图像传感器应用1、线阵、线阵CCD器件检测工件尺寸器件检测工件尺寸L工件尺寸，N覆盖的光敏单元d相邻光敏单元中心距离M光学系统放大率2d为图象末端两个光敏单元之间可能的最大误差。根据目前产品情况d0013003mm。2.线列线列CCD摄像系摄像系统统3.3.文字图像识别系统文字图像识别系统邮政编码识别系统。写有邮政编码的信封放在邮政编码识别系统。写有邮政编码的信封放在传送带上，传感器光敏元的排列方向与信封的传送带上，传感器光敏元的排列方向与信封的运动方向垂直，光学镜头将编码的数字聚焦到运动方向垂直，光学镜头将编码的数字聚焦到光敏元上。当信封运动时，传感器以逐行扫描光敏元上。当信封运动时
28、，传感器以逐行扫描的方式把数字依次读出。的方式把数字依次读出。读出的数字经二值化等处理，与计算机中存储读出的数字经二值化等处理，与计算机中存储的数字特征比较，最后识别出数字码。由数字的数字特征比较，最后识别出数字码。由数字码，计算机控制分类机构，把信件送入相应分码，计算机控制分类机构，把信件送入相应分类箱中。类箱中。驱动电路分类机构计算机细化二值化处理传送带CCD透镜1分类箱23邮政编码识别系统邮政编码识别系统7.3 光纤传感器光纤传感器光纤传感优点：灵敏度较高；几何形状具有多方面的适应性，可以制成任意形状的光纤传感器；可以制造传感各种不同物理信息（声、磁、温度、旋转等）的器件；可以用于高压、
29、电气噪声、高温、腐蚀、或其它的恶劣环境；而且具有与光纤遥测技术的内在相容性。应用：磁、声、压力、温度、加速度、陀螺、位移、液面、转矩、光声、电流和应变等物理量的测量。上一页下一页返 回7.3 光纤传感器光纤传感器7.3.1 光导纤维的结构和导光原理7.3.2 光导纤维的主要参数7.3.3 光纤传感器结构原理7.3.4 光纤传感器的分类7.3.5 光纤传感器的特点7.3.6 光纤传感器的应用上一页下一页返 回.1 光导纤维的结构和导光原理v圆柱形内芯和包层组成，而且内芯的折射率略大于包层的折射率 上一页下一页返 回斯乃尔定理 当光由光密物质出射至光疏物质时，发生折射当光由光密物质出射至光疏物质时
30、，发生折射（a）折射角大于入射角：）折射角大于入射角：（b）临界状态：）临界状态：（c）全反射）全反射：上一页下一页返 回光纤导光光纤导光 上一页下一页返 回n0为入射光线为入射光线AB所在空间的折射率，一般皆为空气，故所在空间的折射率，一般皆为空气，故n01上一页下一页返 回当当r=90的临界状态时，的临界状态时，Sini定义为定义为“数值孔径数值孔径”NA（NumericalAperture）相对折射率差相对折射率差arcsinNA是一个临界角，是一个临界角，iarcsinNA，光线进入光纤后都不能传播而在包层消失；，光线进入光纤后都不能传播而在包层消失；iarcsinNA，光线才可以进入
31、光纤被全反射传播。，光线才可以进入光纤被全反射传播。上一页下一页返 回.2 光导纤维的主要参数v1.数值孔径（NA）v2.光纤模式v3.传播损耗上一页下一页返 回上一页下一页返 回1.数值孔径（数值孔径（NA）v反映纤芯接收光量的多少，标志光纤接收性能。v意义：无论光源发射功率有多大，只有2i张角之内的光功率能被光纤接受传播。大的数值孔径：有利于耦合效率的提高。但数值孔径太大，光信号畸变也越严重。上一页下一页返 回2.光纤模式光纤模式v光波沿光导纤维传播的途径和方式在光导纤维中传播模式很多对信息的传输是不利的，导致合成信号的畸变，因此我们希望模式数量越少越好。阶跃型的圆筒波导内传播的模式数量表
32、示为 希望希望V小：小：d不能太大，不能太大，n2与与n1之差很小之差很小上一页下一页返 回3.传播损耗传播损耗v损耗原因：光纤纤芯材料的吸收、散射，光纤弯曲处的辐射损耗等的影响 传播损耗（单位为传播损耗（单位为dB）式中式中,I光纤长度；光纤长度；a单位长度的衰减；单位长度的衰减；I0光导纤维输入端光强；光导纤维输入端光强；I光导纤维输出端光强。光导纤维输出端光强。上一页下一页返 回.3 光纤传感器结构原理v把被测量的状态转变为可测的光信号的装置 上一页下一页返 回光受到被测量的调制，已调光经光纤耦合到光接收器，光受到被测量的调制，已调光经光纤耦合到光接收器，使光信号变为电信号，经信号处理系
33、统得到被测量。使光信号变为电信号，经信号处理系统得到被测量。光纤传感器光学测量的基本原理 v光就是一种电磁波，光的电矢量光的电矢量E被测量调制：被测量调制：光的强度、偏振态（矢量光的强度、偏振态（矢量B的方向）、频率和相位的方向）、频率和相位解调：解调：光的强度调制、偏振调制、频率调制或相位调制光的强度调制、偏振调制、频率调制或相位调制上一页下一页返 回.4 光纤传感器的分类上一页下一页返 回传感器传感器光学现象光学现象被测量被测量光纤光纤分类分类干干涉涉型型光纤传感器相位调制光纤传感器相位调制干涉（磁致伸缩）干涉（磁致伸缩）干涉（电致伸缩）干涉（电致伸缩）Sagnac效应效应光弹效应光弹效应
34、干涉干涉电流、磁场电流、磁场电场、电压电场、电压角速度角速度振动、压力、加速度、位移振动、压力、加速度、位移温度温度SM、PMSM、PMSM、PMSM、PMSM、PMaaaaa非非干干涉涉型型光纤传感器强度调制光纤传感器强度调制遮光板断光路遮光板断光路半导体透射率的变化半导体透射率的变化荧光辐射、黑体辐射荧光辐射、黑体辐射光纤微弯损耗光纤微弯损耗振动膜或液晶的反射振动膜或液晶的反射气体分子吸收气体分子吸收光纤漏泄模光纤漏泄模温度、振动、压力、加速度、位移温度、振动、压力、加速度、位移温度温度温度温度振动、压力、加速度、位移振动、压力、加速度、位移振动、压力、位移振动、压力、位移气体浓度气体浓度
35、液位液位MMMMMMSMMMMMMMbbbbbbb光纤传感器偏振调制光纤传感器偏振调制法拉第效应法拉第效应泡克尔斯效应泡克尔斯效应双折射变化双折射变化光弹效应光弹效应电流、磁场电流、磁场电场、电压电场、电压温度温度振动、压力、加速度、位移振动、压力、加速度、位移SMMMSMMMb,abbb光纤传感器频率调制光纤传感器频率调制多普勒效应多普勒效应受激喇曼散射受激喇曼散射光致发光光致发光速度、流速、振动、加速度速度、流速、振动、加速度气体浓度气体浓度温度温度MMMMMMCbb注：注：MM多模光纤；多模光纤；SM单模光纤；单模光纤；PM偏振保持光纤偏振保持光纤光纤传感器的分类v光纤在传感器中的作用v
36、光受被测量调制的形式v光纤传感器中对光信号的检测方法不同 上一页下一页返 回(1)光纤的传感器中的作用功能型非功能型拾光型 上一页下一页返 回(a)功能型（全光纤型）光纤传感器功能型（全光纤型）光纤传感器v光纤在其中不仅是导光媒质，而且也是敏感元件，光在光纤内受被测量调制。v优点：结构紧凑、灵敏度高。缺点：须用特殊光纤，成本高，典型例子：光纤陀螺、光纤水听器等。上一页下一页返 回(b)非功能型（或称传光型）光纤传感器非功能型（或称传光型）光纤传感器v光纤在其中仅起导光作用，光照在光纤型敏感元件上受被测量调制。优点：无需特殊光纤及其他特殊技术，比较容易实现，成本低。缺点：灵敏度较低。实用化的大都
37、是非功能型的光纤传感器。上一页下一页返 回(c)拾光型光纤传感器拾光型光纤传感器 用光纤作为探头，接收由被测对象辐射的光或被其反射、散射的光。典型例子：光纤激光多普勒速度计辐射式光纤温度传感器上一页下一页返 回(2)根据光受被测对象的调制形式根据光受被测对象的调制形式(a)强度调制型光纤传感器(b)偏振调制光纤传感器(c)频率调制光纤传感器(d)相位调制传感器上一页下一页返 回(a)强度调制型光纤传感器 利用被测对象的变化引起敏感元件参数的变化，而导致光强度变化来实现敏感测量的传感器。应用：压力、振动、位移、气体优点:结构简单、容易实现、成本低。缺点:易受光源波动和连接器损耗变化等的影响上一页
38、下一页返 回（b）偏振调制光纤传感器）偏振调制光纤传感器v利用光的偏振态的变化来传递被测对象信息v应用：电流、磁场传感器：法拉第效应；电场、电压传感器：泡尔效应；压力、振动或声传感器：光弹效应；温度、压力、振动传感器：双折射性v优点：可避免光源强度变化的影响，灵敏度高。上一页下一页返 回（c）频率调制光纤传感器）频率调制光纤传感器v被测对象引起的光频率的变化来进行监测v利用运动物体反射光和散射光的多普勒效应的光纤速度、流速、振动、压力、加速度传感器；利用物质受强光照射时的喇曼散射构成的测量气体浓度或监测大气污染的气体传感器；利用光致发光的温度传感器等。上一页下一页返 回（d）相位调制传感器）相
39、位调制传感器被测对象导致光的相位变化，然后用干涉仪来检测这种相位变化而得到被测对象的信息。利用光弹效应的声、压力或振动传感器；利用磁致伸缩效应的电流、磁场传感器；利用电致伸缩的电场、电压传感器 利用Sagnac效应的旋转角速度传感器（光纤陀螺）优点：灵敏度很高，缺点：特殊光纤及高精度检测系统，成本高。上一页下一页返 回.5 光纤传感器的特点（1）电绝缘。（2）抗电磁干扰。（3）非侵入性。（4）高灵敏度。（5）容易实现对被测信号的远距离监控。上一页下一页返 回.6 光纤传感器的应用强度调制型：基于弹性元件受压变形，将压力信号转换成位移信号来检测，常用于位移的光纤检测技术；相位调制型：利用光纤本身
40、作为敏感元件；偏振调制型：主要是利用晶体的光弹性效应。上一页下一页返 回光光纤纤压压力力传传感感器器（1）采用弹性元件的光纤压力传感器）采用弹性元件的光纤压力传感器膜片反射式光纤压力传感器示意图膜片反射式光纤压力传感器示意图膜片的中心挠度膜片的中心挠度若利用若利用Y形光纤束位移特性的线性区，形光纤束位移特性的线性区，则传感器的输出光功率亦与待测压力呈线性关系。则传感器的输出光功率亦与待测压力呈线性关系。1Y形光纤形光纤2壳体壳体3膜片膜片与所加的压力呈线性关系与所加的压力呈线性关系上一页下一页返 回传感器的固有频率可表示为传感器的固有频率可表示为式中式中,膜片材料的密度；膜片材料的密度；g重力
41、加速度。重力加速度。结构简单、体积小、使用方便，结构简单、体积小、使用方便，光源不够稳定或长期使用后膜片的反射率有所下降，光源不够稳定或长期使用后膜片的反射率有所下降，其精度就要受到影响。其精度就要受到影响。上一页下一页返 回差动式膜片反射型光纤压力传感器差动式膜片反射型光纤压力传感器 1输出光纤输出光纤2输入光纤输入光纤3输出光纤输出光纤4胶胶5膜片膜片两束输出光的光强之比两束输出光的光强之比A常数；常数；p待测量压力待测量压力输出光强比输出光强比I2/I1与膜片的反射率、光源强度等因素均无关与膜片的反射率、光源强度等因素均无关上一页下一页返 回将上式两边取对数，在满足将上式两边取对数，在满
42、足(Ap)21时，得到时，得到表明待测压力与输出光强比的对数呈线性关系。表明待测压力与输出光强比的对数呈线性关系。若将若将I1、I2检出后分别经对数放大后，再通过减法器检出后分别经对数放大后，再通过减法器即可得到线性的输出。即可得到线性的输出。采用不同的尺寸、材料的膜片，可获得不同的测量范围。采用不同的尺寸、材料的膜片，可获得不同的测量范围。上一页下一页返 回（b）光弹性式光纤压力传感器）光弹性式光纤压力传感器 v光弹性效应：晶体在受压后其折射率发生变化，从而呈现双折射现象。1光源光源2、8起偏器起偏器3、91/4波长板波长板4、10光弹性元件光弹性元件5、11检偏器检偏器6光纤光纤7自聚焦透镜自聚焦透镜上一页下一页返 回光弹性式光纤压力传感器 2在光弹性元件上加上质量块后，也可用于测量振动、加速度在光弹性元件上加上质量块后，也可用于测量振动、加速度上一页下一页返 回（c）微弯式光纤压力传感）微弯式光纤压力传感v基于光纤的微弯效应，即由压力引起变形器产生位移，使光纤弯曲而调制光强度。1聚碳酸酯薄膜聚碳酸酯薄膜2可动变形板可动变形板3固定变形板固定变形板4、5光纤光纤微微弯弯式式光光纤纤水水听听器器探探头头上一页返 回思考题v试比较光敏电阻、光电池、光敏二极管、光敏三极管的性能差异，给出什么情况下应选用哪种器件最为合适。