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1、1/132第第1 1章章 绪论绪论第第2 2章章 晶体二极管及应用晶体二极管及应用第第3 3章章 晶体三极管及应用晶体三极管及应用第第4 4章章 场效应管及基本放大电路场效应管及基本放大电路第第5 5章章 放大电路的频率响应放大电路的频率响应第第6 6章章 负反馈放大电路负反馈放大电路第第7 7章章 双极型模拟集成电路的分析与应用双极型模拟集成电路的分析与应用第第8 8章章 集成运算放大器的分析与应用集成运算放大器的分析与应用第第1010章章 直流稳压源电路直流稳压源电路课程章节2/132问题：问题：1.为什么用半导体材料制作电子器件？为什么用半导体材料制作电子器件？结上所加的电压和电流符合欧
2、姆定律吗？结上所加的电压和电流符合欧姆定律吗？3.常用电子器件主要有哪些？常用电子器件主要有哪些？4.各种器件有何功能？各种器件有何功能？第二章晶体二极管及应用第二章晶体二极管及应用3/1322.1 2.1 半导体基础知识半导体基础知识2.2 PN2.2 PN结结2.3 2.3 半导体半导体二极管二极管（二极管）（二极管）4/132一、半导体的特性一、半导体的特性二、本征半导体及半导体的能带二、本征半导体及半导体的能带三、杂质半导体三、杂质半导体5/132 什么是半什么是半导体？导体？导导 体体:导电率为导电率为10105-15-1，量级，如金属。（量级，如金属。（S:S:西门子西门子)绝缘体
3、绝缘体:导电率为导电率为1010-22-221010-14-1-14-1量级，如：橡胶、云母、量级，如：橡胶、云母、塑料等。塑料等。导电能力介于导体和绝缘体之间。如：硅、锗、砷导电能力介于导体和绝缘体之间。如：硅、锗、砷化镓等。化镓等。半导体半导体:半导体特性半导体特性掺入杂质则导电率增加几百倍掺入杂质则导电率增加几百倍掺杂特性掺杂特性半导体器件半导体器件温度增加使导电率大为增加温度增加使导电率大为增加温度特性温度特性热敏器件热敏器件光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势光照特性光照特性光敏器件光敏器件光电器件光电器件6/132本征半导体本征半导体完全
4、纯净、结构完整的半导体晶体。完全纯净、结构完整的半导体晶体。纯纯度度：99.9999999%，“九九个个9”它它在在物物理理结结构上呈单晶体形态。构上呈单晶体形态。常用的本征半导体常用的本征半导体+4晶体特征晶体特征在晶体中，质点的排列有一定的规律。在晶体中，质点的排列有一定的规律。硅（锗）的原子硅（锗）的原子结构简化模型结构简化模型价电子价电子正离子正离子注注意意：为为了了方方便便，原原子子结结构构常常用用二二维维结结构构描描述述，实实际际上上是三维结构。是三维结构。7/132锗晶体的共价键结构示意图锗晶体的共价键结构示意图 半导体能带结构示意图半导体能带结构示意图价带中留下的空位称为价带中
5、留下的空位称为空穴空穴导带导带自由电子定向移动自由电子定向移动形成形成电子流电子流 本征半导体的原子结构和共价键本征半导体的原子结构和共价键共价键内的电子共价键内的电子称为称为束缚电子束缚电子价带价带禁带禁带EG外电场外电场E束缚电子填补空穴的束缚电子填补空穴的定向移动形成定向移动形成空穴流空穴流挣脱原子核束缚的电子挣脱原子核束缚的电子称为称为自由电子自由电子8/1321.本征半导体中有两种载流子本征半导体中有两种载流子 自由电子和空穴自由电子和空穴它们是成对出现的它们是成对出现的2.在外电场的作用下，产生电流在外电场的作用下，产生电流 电子流和空穴流电子流和空穴流电子流电子流自由电子作定向运
6、动形成的自由电子作定向运动形成的方向与外电场方向相反方向与外电场方向相反自由电子始终在导带内运动自由电子始终在导带内运动空穴流空穴流价电子递补空穴形成的价电子递补空穴形成的方向与外电场方向相同方向与外电场方向相同始终在价带内运动始终在价带内运动3.注意：本征半导体在热力学零度（注意：本征半导体在热力学零度（0K）和没有外界能量激）和没有外界能量激发下，晶体内无自由电子，不导电。发下，晶体内无自由电子，不导电。载流子概念：运载电荷的粒子。载流子概念：运载电荷的粒子。9/132 本征半导体的载流子的浓度本征半导体的载流子的浓度电子浓度电子浓度 ni:表示单位体积内的自由电子数表示单位体积内的自由电
7、子数空穴浓度空穴浓度 pi:表示单位体积内的空穴数。表示单位体积内的空穴数。A0 0 与材料有关的常数与材料有关的常数EG0 G0 禁带宽度禁带宽度T 绝对温度绝对温度k 玻尔曼常数玻尔曼常数结论结论1.本征半导体中本征半导体中 电子浓度电子浓度ni i=空穴浓度空穴浓度p pi i 2.载流子的浓度与载流子的浓度与T、EG0有关有关 10/132 载流子的产生与复合载流子的产生与复合g载流子的产生率载流子的产生率 即每秒成对产生的电子空穴的浓度。即每秒成对产生的电子空穴的浓度。R载流子的复合率载流子的复合率 即每秒成对复合的电子空穴的浓度。即每秒成对复合的电子空穴的浓度。当达到动态平衡时当达
8、到动态平衡时 g=R R=r nipi 其中其中r复合系数，与材料有关。复合系数，与材料有关。11/132杂质半导体杂质半导体掺入杂质的本征半导体。掺入杂质的本征半导体。掺杂后半导体的导电率大为提高。掺杂后半导体的导电率大为提高。掺入的三价元素如掺入的三价元素如B（硼）、（硼）、Al（铝）（铝）等，形成等，形成P型半导体型半导体，也称空穴型半导体。，也称空穴型半导体。掺入的五价元素如掺入的五价元素如P（磷）（磷）、砷等，、砷等，形成形成N型半导体型半导体，也称电子型半导体。，也称电子型半导体。12/132 N型半导体型半导体在本征半导体中掺入的五价元素，如在本征半导体中掺入的五价元素，如P。价
9、带价带导带导带+施主施主能级能级自由电子是多子（即多数载流子）自由电子是多子（即多数载流子）空穴是少子空穴是少子杂质原子提供杂质原子提供由热激发形成由热激发形成由于五价元素很容易贡献电由于五价元素很容易贡献电子，因此将其称为子，因此将其称为施主杂质。施主杂质。施主杂质因提供自由电子而施主杂质因提供自由电子而带正电荷成为带正电荷成为正离子。正离子。13/132自由电子是多子（即多数载流子）自由电子是多子（即多数载流子）空穴是少子空穴是少子问题：问题：与本征半导体相比，与本征半导体相比，N型半导体中空穴多了？型半导体中空穴多了？还是少了？还是少了？N型半导体型半导体14/132举例举例：锗原子密度
10、为锗原子密度为10102222/cm/cm3 3 ，锗本征半导，锗本征半导ni i10101313/cm/cm3 3，若若每每10104 4个锗原子中个锗原子中掺入掺入1 1个个磷磷原子原子（掺杂密度为万分之一），（掺杂密度为万分之一），则在单位体积中就掺入了则在单位体积中就掺入了1010-4-41010222210101818/cm/cm3 3个磷个磷原子。原子。则施主杂质浓度为：则施主杂质浓度为：N ND D=10101818/cm/cm3 3 （比比ni大十万倍）大十万倍）杂质半导体小结：杂质半导体小结：尽管杂质含量很少（如万分之一），但提供的载流尽管杂质含量很少（如万分之一），但提供的
11、载流子数量仍远大于本征半导体中载流子的数量。子数量仍远大于本征半导体中载流子的数量。载流子的浓度主要取决于多子（即杂质），故使导载流子的浓度主要取决于多子（即杂质），故使导电能力激增电能力激增 。半导体的掺杂、温度等可人为控制。半导体的掺杂、温度等可人为控制。15/132 P型半导体型半导体在本征半导体中掺入的三价元素如在本征半导体中掺入的三价元素如 B。价带价带导带导带-受主受主能级能级自由电子是少子自由电子是少子空穴是多子空穴是多子杂质原子提供杂质原子提供由热激发形成由热激发形成因留下的空穴很容易俘获因留下的空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为电子，使杂质原子成为负负离子。离子。三价杂质三价
12、杂质 因而也因而也称为称为受主杂质受主杂质。杂质半导体的载流子浓度杂质半导体的载流子浓度N型半导体：型半导体：施主杂质的浓度施主杂质的浓度ND n 表示总电子的浓度表示总电子的浓度 p 表示空穴的浓度表示空穴的浓度n=p+ND ND（施主杂质的浓度（施主杂质的浓度p）P型半导体：型半导体：NA表示受主杂质的浓度表示受主杂质的浓度，n 表示电子的浓度表示电子的浓度 p 表示总空穴的浓度表示总空穴的浓度p=n+NA NA（受主杂质的浓度（受主杂质的浓度n）说明：因掺杂的浓度很小，可近似认为复合系数说明：因掺杂的浓度很小，可近似认为复合系数R保持不保持不变。在一定温度条件下，空穴与电子浓度的乘积为一
13、常数。变。在一定温度条件下，空穴与电子浓度的乘积为一常数。17/132结论：结论：在杂质型半导体中，多子浓度比本征半导体在杂质型半导体中，多子浓度比本征半导体的浓度大得多，而少子浓度比本征半导体的浓度小的浓度大得多，而少子浓度比本征半导体的浓度小得多，但两者乘积保持不变。得多，但两者乘积保持不变。其中：其中：ni 表示本征材料中表示本征材料中电子电子的浓度的浓度 pi 表示本征材料中空穴的浓度。表示本征材料中空穴的浓度。n p=ni pi=ni2=C18/132一、一、PNPN结结的形成的形成二、二、PNPN结的结的接触电位差接触电位差三、三、PNPN结的结的伏安特性伏安特性四、四、PNPN结
14、的反向击穿结的反向击穿五、五、PNPN结电容结电容六、六、PNPN结的光电效应与电致发光结的光电效应与电致发光19/132P区区N区区扩散运动扩散运动载流子载流子从从浓度浓度大大向浓度向浓度小小的区域的区域扩散扩散,称称扩散运动扩散运动形成的电流成为形成的电流成为扩散电流扩散电流内电场内电场内电场内电场阻碍多子阻碍多子向对方的向对方的扩散扩散即即阻碍扩散运动阻碍扩散运动同时同时促进少子促进少子向对方向对方漂移漂移即即促进了漂移运动促进了漂移运动扩散运动扩散运动=漂移运动时漂移运动时达到达到动态平衡动态平衡耗尽层耗尽层PN结结P区区N区区空穴空穴自由电子自由电子负电荷负电荷正电荷正电荷20/13
15、2内电场阻止多子扩散内电场阻止多子扩散 浓度差浓度差多子的扩散运动多子的扩散运动由由杂质离子形成空间电荷区杂质离子形成空间电荷区空间电荷区形成内电场空间电荷区形成内电场内电场促使少子漂移内电场促使少子漂移扩散运动扩散运动多子从浓度大向浓度小的区域扩散多子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动。称扩散运动。扩散运动产生扩散电流。扩散运动产生扩散电流。漂移运动漂移运动少子向对方漂移少子向对方漂移,称漂移运动。称漂移运动。漂移运动产生漂移电流。漂移运动产生漂移电流。动态平衡动态平衡扩散电流扩散电流 =漂移电流，漂移电流，PNPN结内总电流结内总电流=0=0。PN PN 结结稳定的空间电荷区稳定的空间
16、电荷区，又称高阻区，又称高阻区，也称耗尽层。，也称耗尽层。P区区N区区21/132 U 内电场内电场 的建立，使的建立，使PNPN结中产生结中产生了电位差了电位差，从而形成接触电位，从而形成接触电位U。接触电位接触电位U 决定于材料及掺杂浓度决定于材料及掺杂浓度硅：硅：U U 0.7 V0.7 V锗：锗：U U 0.3 V0.3 V22/1321.PN1.PN结加正向电压时的导电情况结加正向电压时的导电情况 原理：原理：外电场方向与外电场方向与PN结内电场方向相反，削弱结内电场方向相反，削弱了内电场。了内电场。于是内电场对多子扩于是内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散散运动的阻碍减弱，扩散电流
17、加大。电流加大。扩散电流远大于漂移扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的电流，可忽略漂移电流的影响。影响。P区的电位高于区的电位高于N区的电位，称为加区的电位，称为加正向电压正向电压，简称，简称正偏正偏；内内外外结论：结论：PNPN结正偏时，呈现低阻性。结正偏时，呈现低阻性。23/1322.PN2.PN结加反向电压时的导电情况结加反向电压时的导电情况原理：原理：外电场与外电场与PN结内电场结内电场方向相同，增强内电场。方向相同，增强内电场。内电场对多子扩散运动内电场对多子扩散运动阻碍增强，扩散电流大大减阻碍增强，扩散电流大大减小。少子在内电场的作用下小。少子在内电场的作用下形成的漂移电流加大
18、。形成的漂移电流加大。此时此时PN结区少子漂移电结区少子漂移电流大于扩散电流，可忽略扩流大于扩散电流，可忽略扩散电流。散电流。P区的电位低于区的电位低于N区的电位，称为加区的电位，称为加反向电压反向电压，简称，简称反偏反偏。内内外外结论：结论：PNPN结反偏时，呈现高阻性，结反偏时，呈现高阻性，近似为截止状态。近似为截止状态。24/132结论是：结论是：PN结具有单向导结具有单向导电性。电性。小结：小结：PN结加正向电压时，呈结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向现低电阻，具有较大的正向扩散电流；扩散电流；PN结加反向电压时，呈结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向现高电阻，具有很小的
19、反向漂移电流。漂移电流。问题：有必要问题：有必要加电阻加电阻R吗？吗？25/132PN结两端的电压与结两端的电压与流过流过PN结电流的关系式结电流的关系式式中式中 Is 饱和电流饱和电流;UT=kT/q 等效电压等效电压 k 波尔兹曼常数；波尔兹曼常数；q为电子的电量；为电子的电量；T=300k（室温）时（室温）时 UT=26mv由半导体物理可推出由半导体物理可推出：3.PN3.PN结电流方程结电流方程26/132当加反向电压时：当加反向电压时：当加正向电压时：当加正向电压时：(UUT)结电流方程结电流方程IU27/132反向击穿：反向击穿：PN结上所加的反向电压达到某一数值时，反向电结上所加
20、的反向电压达到某一数值时，反向电流激增的现象。流激增的现象。雪崩击穿雪崩击穿当反向电压增高时，当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离。形空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离。形成连锁反应，象雪崩一样。使反向电流激增。成连锁反应，象雪崩一样。使反向电流激增。齐纳击穿齐纳击穿当反向电压较大时，强电场直接从共价键中将电当反向电压较大时，强电场直接从共价键中将电子拉出来，形成大量载流子子拉出来，形成大量载流子,使反向电流激增。使反向电流激增。击穿是可逆。掺杂浓度击穿是可逆。掺杂浓度小小的二极管容易发生。的二极管容易发生。击穿是可逆。掺
21、杂浓度击穿是可逆。掺杂浓度大大的二极管容易发生。的二极管容易发生。不可逆击穿不可逆击穿 热击穿。热击穿。PN结的电流或电压较大，使结的电流或电压较大，使PN结耗散功率超过极限值，使结温结耗散功率超过极限值，使结温升高，导致升高，导致PN结过热而烧毁。结过热而烧毁。28/132 势垒势垒电容电容CB 当当外外加加电电压压不不同同时时，耗耗尽尽层层的的电电荷荷量量随随外外加加电电压压而而增增多多或或减减少少，与与电电容容的的充充放放电电过过程程相相同同。耗耗尽尽层层宽宽窄窄变变化化所所等效的电容为等效的电容为势垒电容。势垒电容。29/132 扩散电容是由多子扩散后，在扩散电容是由多子扩散后，在PN
22、结的另一侧面积累而结的另一侧面积累而形成的。因形成的。因PN结正偏时，由结正偏时，由N区扩散到区扩散到P区的电子，与外电区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在堆积在 P 区内紧靠区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。分布曲线。注注意意：势势垒垒电电容容和和扩扩散散电电容容均均是是非非线线性性电电容容,并并同同时时存存在在。外外加加电电压压变变化化缓缓慢慢时时可可以以忽忽略略，但但是是变变化化较较快快时时不容忽略。不容忽略。扩散扩散电容电容CD 外加电压不同情况
23、下，外加电压不同情况下，P、N区少子浓度的分布将发生区少子浓度的分布将发生变化，扩散区内电荷的积累变化，扩散区内电荷的积累与释放过程与电容充放电过与释放过程与电容充放电过程相同，这种电容等效为扩程相同，这种电容等效为扩散电容。散电容。30/132 PNPN结的电致发光结的电致发光 如果在如果在PNPN结加正偏电压结加正偏电压E E，外电场将消弱内建电场对载，外电场将消弱内建电场对载流子扩散的阻挡作用。在外加电场满足一定条件下，注入流子扩散的阻挡作用。在外加电场满足一定条件下，注入到耗尽区内的电子和空穴通过辐射复合而产生光子的速率到耗尽区内的电子和空穴通过辐射复合而产生光子的速率将大于材料对光子
24、的吸收速率，从而在半导体内产生光增将大于材料对光子的吸收速率，从而在半导体内产生光增益。益。EDPN31/132 PN结的光电效应结的光电效应 PN结用导线连接成回路时，载流子面临结用导线连接成回路时，载流子面临PN结势垒的阻挡，结势垒的阻挡，在回路中不产生电流。当有光照射在回路中不产生电流。当有光照射PN结材料上时，若光子能结材料上时，若光子能量大于半导体的禁带宽度，则在量大于半导体的禁带宽度，则在PN结的耗尽区、结的耗尽区、P区、区、N区内区内产生光生的电子产生光生的电子-空穴对，耗尽区内的载流子在内建场的作用空穴对，耗尽区内的载流子在内建场的作用下电子迅速移向下电子迅速移向N区，空穴移向
25、区，空穴移向P区，在回路内形成光电流，区，在回路内形成光电流，而而P、N区内产生的光子无内建电场的作用只进行自由的扩散区内产生的光子无内建电场的作用只进行自由的扩散运动，多数因复合而消失，对光电流基本没有贡献。运动，多数因复合而消失，对光电流基本没有贡献。DEDDRLUDIP注注意意：为为了了充充分分利利用用在在PN结结各各区区内内产产生生的的光光生生载载流流子子，PN结结需需加加适适当当的的反反向偏压。向偏压。32/132一、晶体一、晶体二极管的结构类型二极管的结构类型二、晶体二、晶体二极管的伏安特性二极管的伏安特性三、晶体三、晶体二极管的等效电阻二极管的等效电阻四、光电二极管四、光电二极管
26、五、发光五、发光二极管二极管六、稳压二极管六、稳压二极管七、变容七、变容二极管二极管八、二极管的典型应用八、二极管的典型应用33/132在在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分二极管按结构分点接触型点接触型面接触型面接触型平面型平面型PN结面积小，结电容小，结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路用于检波和变频等高频电路PN结面积大，用结面积大，用于工频大电流整流电路于工频大电流整流电路往往用于集成电路制造工艺中。往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积结面积可大可小可大可小，用于高频整流和开关电路中。用于高频整流和开关电路中。34
27、/132伏安特性：伏安特性：是指二极管两是指二极管两端电压端电压和流过二极管和流过二极管电流电流之间的关系。之间的关系。由由PN结电流方程求出理想的伏安特性曲线，结电流方程求出理想的伏安特性曲线，IU1.1.当加正向电压时当加正向电压时PN结电流方程为：结电流方程为：2.2.当加反向电压时当加反向电压时I 随随U，呈指数规率，呈指数规率I -IsI基本不变基本不变35/132 晶体晶体二极管的伏安特性二极管的伏安特性正向起始部分存在正向起始部分存在一个死区或门坎，一个死区或门坎，称为称为门限电压门限电压。硅：硅：U U0.6V;0.6V;锗：锗：U U。加反向电压时，反加反向电压时，反向电流很
28、小向电流很小 即即I Is s硅硅(nA)(nA)0时时u2 0时，二极管瞬间导通，时，二极管瞬间导通，C快速充电，快速充电，电电容两端电压容两端电压uc=V1，充电结束后输出，充电结束后输出uo=0.当输入当输入ui0时，时，二极管截止，二极管截止，C充放电缓慢，输出充放电缓慢，输出uo=-uc+ui=-V1-V2。钳位电路的作用钳位电路的作用：利用二极管和电容构成的：利用二极管和电容构成的钳位电路钳位电路把一个把一个双向的周期信号信号转变为单向的信号，并保持原信号波形双向的周期信号信号转变为单向的信号，并保持原信号波形的电路。的电路。58/132小小 结结 半导体是导电能力介于导体和绝缘体
29、之间的一种物半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物体。具有一系列特殊的性能，如掺杂、光照和温度都体。具有一系列特殊的性能，如掺杂、光照和温度都可以改变半导体的导电性能。利用这些性能可制作成可以改变半导体的导电性能。利用这些性能可制作成具有各种特性的半导体器件。具有各种特性的半导体器件。PN结是构成半导体器件的基础，具有单向导电性、结是构成半导体器件的基础，具有单向导电性、非线性电阻特性、电容效应、击穿稳压特性。非线性电阻特性、电容效应、击穿稳压特性。当当PN结加正向电压时，结加正向电压时，PN结导通，呈现低阻特性。结导通，呈现低阻特性。当当PN结加反向电压时，结加反向电压时，PN结截止，
30、呈现高阻特性。结截止，呈现高阻特性。59/132 晶体二极管实际上就是一个晶体二极管实际上就是一个PN结，描述二极管的性能结，描述二极管的性能 常用二极管的伏安特性，可用二极管的电流方程来描述。常用二极管的伏安特性，可用二极管的电流方程来描述。即二极管两端的电压和流过的电流满足即二极管两端的电压和流过的电流满足I=Is(e U/UT-1)。硅管：当硅管：当UD时，二极管导通，导通后，时，二极管导通，导通后，UD锗管：当锗管：当UD时，二极管导通，导通后，时，二极管导通，导通后，UD 稳压管是一种应用很广的特殊类型的二极管，工作区在稳压管是一种应用很广的特殊类型的二极管，工作区在反向击穿区。可以
31、提供一个稳定的电压。使用时注意加限反向击穿区。可以提供一个稳定的电压。使用时注意加限流电阻。流电阻。晶体二极管基本用途是整流稳压和限幅等。晶体二极管基本用途是整流稳压和限幅等。半导体光电器件分光敏器件和发光器件，可实现光半导体光电器件分光敏器件和发光器件，可实现光电、电、电电光转换。光电二极管应在反压下工作，而发光二极管光转换。光电二极管应在反压下工作，而发光二极管应在正偏电压下工作。应在正偏电压下工作。小小 结结60/132重点重点：晶体二极管的原理、伏安特性及电流方程晶体二极管的原理、伏安特性及电流方程。难点难点：1.1.两种载流子两种载流子 结的形成结的形成 3 3.单向导电性单向导电性
32、 4.4.载流子的运动载流子的运动重点难点重点难点61/132例题：例题：判断图示电路中的二极管能否导通。判断图示电路中的二极管能否导通。解题思路：解题思路：解题思路：解题思路：判断二极管在电路中工作状态的方法是先假设判断二极管在电路中工作状态的方法是先假设二极管断开，分别计算二极管两极的电压，然后比较阳极二极管断开，分别计算二极管两极的电压，然后比较阳极电压与阴极间将承受的电压，如果该电压大于二极管的导电压与阴极间将承受的电压，如果该电压大于二极管的导通电压，则说明二极管导通，否则截止。通电压，则说明二极管导通，否则截止。如果判断过程中，电路出现两个以上的二极管承受如果判断过程中，电路出现两
33、个以上的二极管承受大小不等的正向电压，则应判定承受正向电压较大者优先大小不等的正向电压，则应判定承受正向电压较大者优先导通，其两端电压为导通电压，然后在用上述方法判断其导通，其两端电压为导通电压，然后在用上述方法判断其他二极管的导通状态。他二极管的导通状态。62/132结果：结果：则 VA VB，二极管为截止状态。63/132填空：填空：1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（A ），），少数载流子的浓度则与（少数载流子的浓度则与（B ）有很大关系。）有很大关系。答：答：A是掺杂浓度，是掺杂浓度，B是温度。是温度。2.N型半导体又称为（型半导
34、体又称为（A）半导体，其多数载流子是（）半导体，其多数载流子是（B），），少数载流子是（少数载流子是（C）。）。答：答：A是电子，是电子，B是电子，是电子，C是空穴。是空穴。3.整流二极管的主要特性是（整流二极管的主要特性是（A），它的两个参数是（），它的两个参数是（B）。）。A.单向导电性单向导电性 B.稳定电压稳定电压VZ即反向击穿电压即反向击穿电压UBR和和最大工作电流最大工作电流。4.二极管导通时，在电路中表现为（二极管导通时，在电路中表现为（A）电阻。）电阻。A.小电阻小电阻 64/132选择填空：选择填空：1.稳压二极管通常工作在（稳压二极管通常工作在（）状态下，能够稳定电压。）状态下，能够稳定电压。A正向导通正向导通 B反向截止反向截止 C反向击穿反向击穿答：答：C2.PN加反向偏置时，空间电荷区（加反向偏置时，空间电荷区（）。）。A.变宽变宽 B.变窄，变窄，C.不变。不变。D.不确定不确定答：答：A65/132第二章结束第二章结束