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1、拓荆科技研究报告：引领薄膜沉积设备进口替代_业绩持续高速增长1. 本土薄膜沉积设备龙头，业绩持续快速增长1.1. 引领 PECVD 进口替代，产品供货半导体主流客户拓荆科技成立于 2010 年，专业从事半导体薄膜沉积设备，其中 PECVD、SACVD 成功打破海外垄断，引领核心半导体设备进口替代。公司曾承担多项国家科技重大专项 &省部级重大科研项目，曾三次荣获“中国半导体设备五强企业”，产品已适配国内最先 进的 28/14 nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 芯片和 64/128 层 3D NAND FLASH 晶圆制造 产线，尤其在 PECVD 和 SACVD 领域，公司是本土唯一实现
2、产业化应用的供应商。公司无实控人&控股股东，大基金持股比例达到 19.86%。姜谦先生与其他 7 名自 然人股东及 11 个公司员工持股平台签有一致行动协议，为一致行动人。特别地，中微 公司持有公司 8.4%股份，其董事长尹志尧先生&董事杨征帆先生均为公司董事之一。公司主营产品包括 PECVD 、ALD 、SACVD 三大系列，具体来看： 1）PECVD ：涵盖 8 和 12 英寸，已配适 180-14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 及 64/128 层 FLASH 制造工艺需求，10 nm 以下制程正在研发中，能够兼容 SiO2、SiN、 SiON、BPSG、PSG、TEOS、Lo
3、k、Lok、ACHM、ADC等多种反应材料。 2）ALD：12 英寸 PE-ALD 已经成功量产，适配逻辑芯片 28-14nm SADP、STI Liner 工艺，55-40nm BSI 工艺的晶圆制造等领域，兼容 SiO2 和 SiN 薄膜。此外，Thermal ALD 正在研发中，有望满足 28nm 以下制程的 Al2O3、AlN 等金属化合物薄膜沉积需求。 3）SACVD：包含 SA-300T 和 SA-200T，分别适配于 12 英寸 40/28nm 以及 8 英寸 90nm 以上的逻辑芯片制造工艺需求，可以沉积 BPSG、SAF 材料薄膜。PECVD 为公司主要收入来源，产品以 12
4、 英寸的 PF-300T 为主。1）划分产品来看， PECVD 为公司支柱型业务，2018-2021 年收入占比分别高达 73.19%、98.60%、96.01% 和 89.11%。2）在 PECVD 业务中，又以 12 英寸的 PF-300T 系列为主，2018-2021Q1-Q3公司对 PF-300T 系列收入占 PECVD 业务总收入的比重均超过 50%。公司薄膜沉积设备获得本土知名晶圆厂客户认可，根据公开招标信息披露，2019- 2020 年公司 PECVD 设备中标机台数量占长江存储、上海华力、无锡华虹和上海积塔 四家招标总量的 16.65%，竞争对手主要为海外半导体设备巨头 AMA
5、T 和 LAM。据我们 不完全统计，2022 年 1-5 月积塔半导体和华虹无锡合计完成招标 78 台薄膜沉积设备， 公司中标 14 台，占比 17.95%，如果只考虑 PECVD，公司中标占比将更为出色。公司客户集中度依旧较高，中芯国际为第一大客户。具体来看：1）PECVD：客户 群体覆盖中芯国际、华虹集团、长江存储、重庆万国等；2）ALD：客户主要为 ICRD； 3）SACVD：客户主要为北京燕东微电子。从收入构成来看，2018-2021Q1-Q3 公司前五大客户占比分别为 100%、84.02%、 83.78%和 92.44%，客户集中度较高，其中中芯国际是公司第一大客户，2020/20
6、21Q1-3 收入占比分别高达 45.73%、28.80%，根据 IC Insights 公布的 2020 年纯晶圆代工行业 全球市场销售额排名，中芯国际位居全球第 4 位，在中国大陆企业中排名第 1 位，批 量供货中芯国际侧面体现了公司产品在国内市场的竞争力。1.2. 拥有一支高水平研发团队，已掌握薄膜沉积核心技术半导体设备作为典型的技术密集型行业，完善的研发团队和持续性高研发投入是公 司不断突破的基础。公司现已建立起一支全球领先的技术团队，研发投入力度明显高于 本土其他半导体设备同行，核心竞争力正在不断夯实，下文将详细论述。 公司拥有一支高水平研发团队，核心技术人员具备全球一线半导体企业工
7、作经验。 公司核心技术人员姜谦先生、吕光泉先生、田晓明先生、张孝勇先生、周坚先生、叶五 毛先生均拥有多年海外半导体研发经验，曾任职于英特尔、美国诺发、泛林半导体等全 球一线半导体&设备企业，产业经验十分丰富。公司上市前已实施员工股权激励，吕光泉、姜谦等七名核心技术人员或直接持股， 或通过员工持股平台间接持股，我们认为有效的股权激励对于维持核心技术团队稳定至 关重要。在国际技术专家带领下，公司已形成一支研发&产线调试经验丰富的研发团队。截 至 2021Q3 末，公司技术研发&支持人员分别为 189 和 129 人，合计占比高达 74%。从 学历构成上来看，2021Q3 末公司本科及以上学历员工占
8、比高达 78%，高端人才优势显 著。此外，为了建立长效激励机制，吸引和留住优秀人才，公司设立了 11 个员工持股平 台，利于人才梯队的稳健发展。公司持续性高研发投入，研发费用率高于本土半导体设备同行。2018 年公司研发费 用为 1.08 亿元，2021 年快速上升至 2.88 亿元，期间 CAGR 达到 39%。2021 年公司研 发费用率为 38.0%，远高于北方华创（13.4%）、中微公司（12.8%）、长川科技（21.9%）、 华海清科（14.2%）等本土同行，高强度研发投入有助于公司技术持续突破，保持一定 技术领先性。（注：2021 年北方华创研发投入为 28.92 亿元，占营业收入
9、比重为 29.87%， 其中计入研发费用 12.97 亿元，资本化 18.02 亿元；2021 年中微公司研发投入合计 7.28 亿元，占营业收入比重为 23.42%，其中计入研发费用 5.95 亿元，资本化 1.32 亿元）目前公司已经形成八大薄膜沉积设备核心技术，包括先进薄膜工艺设备设计技术、 反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等，相关技术水平均达到国际 先进水准。特别地，公司核心技术具备一定互通性，大部分已在 PECVD、ALD 和 SACVD 上实现通用，为公司在薄膜沉积设备领域的平台化发展奠定坚实基础。1.3. 收入规模快速扩张，扣非盈利水平持续改善受益 PECVD
10、业务快速放量，公司收入端实现快速增长。2018 年公司营业收入仅 7064 万元，2021 年达到 7.58 亿元，期间 CAGR 高达 121%。具体来看，2021 年公司 PECVD 收入达到 6.75 亿元，2018-2021 年 CAGR 高达 136%，高于同期总营业收入 CAGR，是收入端持续快速增长的主要驱动力，核心在于国产晶圆加工设备市场需求快 速增长背景下，同时公司新品客户验证&重复订单持续突破。在利润端，公司扣非后盈利水平呈改善态势，政府补助使得 2021 年扭亏为盈。与 收入规模持续高增形成对比的是，高研发投入下，2021 年以前公司在利润端依旧呈现亏 损状态，其中 20
11、18-2020 年归母净利润分别为-10322、-1937、-1149 万元，亏损额度持 续收窄。2021 年公司归母净利润达到 6849 万元，首次实现扭亏为盈，主要系政府补助， 其他收益达到 1.45 亿元。扣非净利率能真实反映公司盈利水平，2018-2021 年公司扣非 销售净利率为-212.23%、-24.86%、-13.11%和-10.82%，整体呈现改善态势。下面我们 从毛利率和费用率两个方面进行分析：1）毛利端：公司毛利率实现快速提升，略高于本土前道刻蚀设备企业。2020 年以 来公司销售毛利率明显提升，2021-2022Q1 分别为 44.01%和 47.44%，分别同比+9.
12、95pct 和+17.43pct，增幅明显。我们判断这一方面系公司产品放量，制造端成本有所均摊；另 一方面系新品取得客户认证后，公司对于重复订单的议价能力有所提升。与前道刻蚀环 节的中微公司、北方华创相比，在收入体量不占优势的情况下，2021 和 2022Q1 公司的毛利率要略胜一筹。2）费用端：高研发投入力度下，2021 年公司期间费用率分别为 54.16%，高期间费 用率是长期制约公司盈利水平的核心要素。短期来看，2022Q1 公司期间费用率为 65.54%， 同比-6.74pct，已有明显下降，规模效应有望驱动公司盈利水平快速提升。展望未来，规 模效应带动下公司期间费用率下降空间较大，公
13、司盈利水平有望快速提升。存货&合同负债高增长，验证公司在手订单充足。截至 2021.9.10，公司在手销售订 单超过 90 台，对应不含税金额超过 15 亿元（不包括 demo 订单）。截至 2022Q1 末，公 司存货和合同负债分别达到 12.94 和 7.80 亿元，分别较 2021Q3 末增长 32%和 75%，若 以合同负债提升幅度为预判基准，我们预估 2022Q1 末公司在手订单有明显增长。具体来看，公司发出商品快速增长，随着订单验收收入确认，2022 全年业绩高增有 强力支撑。1）从存货构成来看，2021Q3 末公司发出商品达到 5.93 亿元，占比为 60%； 2）从发出商品类别
14、来看，公司 1 年之内发出商品占比快速提升，2021Q1 达到 82%（1 年以上发出商品多为 demo 机台）。考虑到公司从出货到设备验收时间间隔通常为 3-24 个月，同时收入确认多在 Q3-Q4 集中进行（2018-2020 年 Q3-Q4 收入占比之和超 90%）， 我们预计 2022 年下半年公司收入端将实现大幅度增长，支撑 2022 全年业绩高增。2. 薄膜沉积设备价值量占比前道排第二，公司产品竞争优势明显2.1. 中国大陆成为全球晶圆扩产中心，半导体设备景气度有望延续受益汽车电子&IoT 等行业高景气，2021 年全球半导体设备销售额达历史最高点， 中国大陆半导体产业重心趋势愈发
15、凸显。从行业增速来看，2021 年全球&中国大陆半 导体设备销售额分别为 1026 和 296 亿美元，2012-2021 年 CAGR 分别达到 12%和 32%， 中国大陆增速明显高于全球平均水平；从全球占比来看，2012 年中国大陆半导体设备 销售额全球占比仅为 6.8%，2021 年快速上升至 28.9%，产业重心趋势越发凸显。短期来看，在高基数背景下，市场普遍担心半导体下游需求增速放缓，叠加疫情等 因素影响，半导体设备需求会有所承压。但我们认为，短期受益汽车电子等需求持续旺 盛，全球半导体需求仍有望持续增长，叠加晶圆产能东移&IC 设计崛起，本土半导体晶 圆设备市场需求有望在较长时间
16、内保持稳定增长，半导体设备需求景气度有望延续。 首先，从需求端来看：1）全球：据 IC Insights 数据，2022 年全球半导体销售额有 望达到 6806 亿美元，同比+11%，将创历史新高。此外，台积电 2022Q2 营收目标为 176- 182 亿美元，创单季新高，也足以验证市场旺盛需求。2）国内：以新能源汽车为例， 2022Q1 我国实现销售 125 万辆，同比+143%，持续旺盛，对半导体需求持续增长。其次，从供给端来看，全球晶圆产能东移背景下，中国大陆已成为全球晶圆新增产 能中心。2021 年底中国大陆晶圆全球产能占比仍仅为 16%，远低于中国大陆半导体销 售额全球占比（202
17、1 年约 35%）。SEMI 数据显示，2021-2022 年全球新增晶圆厂 29 座， 其中中国大陆新增 8 座，占比达到 27.59%。根据集微咨询统计，2022 年初中国大陆共有 23 座 12 英寸晶圆厂正在投入生产，总 计月产能约为 104.2 万片，与总规划月产能 156.5 万片相比，产能装载率仅达到 66.58%， 仍有较大扩产空间。同时，集微咨询预计中国大陆未来 5 年（2022 年-2026 年）还将新 增 25 座 12 英寸晶圆厂，总规划月产能将超过 160 万片。由此可见，在全球晶圆产能东 移持续推进背景下，中国大陆对晶圆设备的需求有望长期维持高位。2.2. 薄膜沉积
18、设备价值量占比排名第二，2025 年全球市场规模 340 亿美元2.2.1. 薄膜沉积设备是前道三大核心设备之一，价值量占比高达 25%薄膜沉积为集成电路制造核心工艺环节。薄膜沉积主要是指利用热、光、等离子体 等外加能量激活化学反应源，产生活性反应基团并在衬底表面发生化学反应或聚结，进 而形成微纳级别厚度的金属、介质或半导体薄膜。薄膜作为芯片结构的功能材料层，直 接影响芯片性能，是集成电路最核心、工艺难度最大的工序之一。薄膜沉积为晶圆制造三大核心设备之一，价值量占比高达 25%。薄膜沉积工艺难度 大，设备单体价值量高，同时在晶圆制造循环过程中工序较多，均奠定了薄膜沉积设备 高价值量占比的基础。
19、在半导体设备中，2020 年晶圆制造设备价值量占比高达 80%；而在晶圆制造设备中，薄膜沉积设备价值量占比高达 25%，仅次于刻蚀设备。具体来看，薄膜沉积设备种类繁多，细分应用领域各异。按照工艺原理、薄膜沉积 效果等不同，薄膜沉积设备可大致分为 CVD、PVD、ALD 三大类： 1）CVD：气体分子在外部能量作用下发生化学反应并在衬底表面沉积成膜，重复 性和台阶覆盖性较好，可用于 SiO2、Si3N4、PSG、BPSG、TEOS 等介质薄膜，以及半导 体、金属（W）、各类金属有机化合物薄膜沉积。CVD 种类繁多，根据腔室压力、外部 能量等不同，可大致分为 APCVD、LPCVD、SACVD、
20、PECVD、MOCVD 等类别。2）PVD：在真空条件下利用高温蒸发或高能粒子等物理方法轰击靶材，使靶材表 面原子“蒸发”并沉积在衬底表面，沉积速率高，一般适用于各类金属、非金属、化合 物膜层的平面沉积，可大致划分为电子束蒸发 PVD 和磁控溅射 PVD 两大类。 3）ALD：将气相前驱体脉冲交替地通入反应室内，并以单原子膜形式通过循环反 应逐层沉积在基片表面，可对复杂形貌的基底表面实现全覆盖成膜，台阶覆盖率极高， 适用于各类金属及金属化合物、氧化物、氮化物、硫化物等薄膜沉积。PECVD 为第一大薄膜沉积设备，价值量占比可达 33%。PECVD 指等离子体增强 CVD，利用微波&射频电离反应气
21、体分子，形成高化学活性的等离子体，促进化学反应 在低温环境下快速进行，具备沉积温度低、薄膜均匀性好、致密性强等优势，在集成电 路制造中广泛应用，2020 年 PECVD 在薄膜沉积设备中价值量占比高达 33%，为第一 大薄膜沉积设备，ALD 价值量排名占比达到 11%，可见 PECVD+ALD 占整个薄膜沉积 设备市场半壁江山。2.2.2. 先进制程下薄膜沉积设备量价齐升，2025 年全球市场规模将达 340 亿美元高价值量占比基础之上，先进制程工艺对于薄膜沉积设备的需求还存在量价齐升逻 辑，具体来看： 1）薄膜沉积需求量陡增。这一方面体现在随着堆叠层数增加，薄膜沉积加工工序 变多；另一方面体
22、现在薄膜沉积种类变多，对设备机型丰富度需求提升。据公司招股书 披露，对于 90nm CMOS 工艺，大约需要 40 道薄膜沉积工序；而对于 3nm FinFET 工艺 产线，薄膜沉积工序超过 100 道，涉及的薄膜材料类型也由 6 种增加到近 20 种。2）薄膜沉积技术难度增大，设备价值量同样存在提升趋势。这一方面体现在薄膜 沉积技术指标提升，涉及致密度、缺陷率、应力分布等核心指标，如从 90 nm CMOS 工 艺到 3nm FinFET 工艺，对薄膜颗粒的要求由微米量级提升到纳米量级。另一方面体现 在新器件结构对薄膜制备平台的系统集成度要求更高，如金属互联阻挡层的制备需要将 多种工艺腔体集
23、成在一个平台内，对设备平台的自动化控制提出更高的挑战。参考 Maximize Market Research 预测数据，我们预计 2025 年全球&中国大陆半导 体薄膜沉积设备市场规模将分别达到 340 和 136 亿美元，2021-2025 年 CAGR 分别为 16%和 25%，其中 PECVD 市场规模分别为 112 和 45 亿美元，薄膜沉积设备有望成为 半导体设备中成长弹性较高的细分赛道。2.3. 公司是本土 PECVD、SACVD 唯一产业化企业，竞争优势明显全球范围内来看，半导体薄膜沉积设备仍由海外企业主导，市场集中度较高，而且 不同细分领域龙头各异。1）CVD：2019 年应用
24、材料（AMAT）、LAM、TEL 全球市场 份额分别为 30%、21%和 19%，CR3 市占率合计高达 70%；2）ALD：2019 年 ASM 和 TEL 全球市场份额分别为 31%和 29%，CR2 市占率合计高达 60%。本土半导体设备企业正在薄膜沉积领域快速突破，优势设备类别各异，整体呈现错位竞争格局。1）拓荆科技：在集成电路 PECVD 和 SACVD 领域，为本土唯一产业化供 应商，ALD 同样是国内领先设备企业，在 PE-ALD 设备成功量产基础上，公司正在研 发 Thermal ALD 设备；2）北方华创：国产 PVD 领军者，PECVD 主要用于 LED、MEMS 等领域，
25、ALD、APCVD、LPCVD 等同样具备较强市场竞争力；3）中微公司：国产 MOCVD 稀缺供应商，积极拓展 LPCVD、ALD 等；4）盛美上海：基于清洗技术，湿法薄膜沉积 设备 ECD 行业领先，同时以立式炉管为基础拓展 LPCVD、ALD 等干法薄膜沉积设备。特别地，作为本土唯一实现集成电路 PECVD、SACVD 产业化的供应商，公司已 在 PECVD、SACVD 细分领域形成较强市场竞争力。若以长江存储、华虹无锡、上海华 力、上海积塔在中国国际招标网上公布的 2019-2020 年各类薄膜沉积设备采购项目的评标&中标结果为例，公司在 PECVD 和 SACVD 领域的市场份额分别达
26、到 17%和 25%。3. PECVD 仍有较大国产化空间，SACVD、ALD 成新的增长点3.1. PECVD：工艺覆盖面持续扩大&客户验证推进，仍有较大提升空间PECVD 在集成电路中应用广泛，是介质薄膜沉积的主要工艺方式。PECVD 广泛用 于硬掩模、反射层、阻挡层、介质隔离、钝化层等介质薄膜生长，具备一定不可替代性。 这一方面是由于 PECVD 薄膜沉积效果易调谐，薄膜密度、化学组成、机械应力等均可 通过等离子体参数优化。此外，由于等离子体作用下工艺温度较低，PECVD 对于含有 金属或其他对温度敏感结构衬底的薄膜生长具备一定必要性。例如，在后道金属互连应 用中，薄膜沉积具备严格的热预
27、算限制，通常需要等离子体辅助完成。公司 PECVD 设备推出较早，产品线较为丰富，是公司核心产品，但目前在国内市 占率依然较低，我们预估 2021 年不到 6%，具备较大的国产化提升空间。基于工艺覆盖面持续扩大&客户验证推进两个维度，我们看好公司 PECVD 业务持续高速增长。公司 PECVD 设备以介质薄膜沉积为主，工艺覆盖面正在持续扩大，具体来看： 1）按工艺类别划分：公司针对下游需求研发并生成出 16 种 PECVD 设备，已全面 覆盖逻辑、DRAM 存储、FLASH 闪存各技术节点的多种通用介质薄膜沉积工序，并已 研发 Lok、Lok、ACHM、ADC等先进介质材料工艺，工艺覆盖面行业
28、领先。2）按技术节点划分：公司在逻辑芯片领域已基本实现 28nm 及以上制程全覆盖，多 种 14nm 及 10nm 以下制程设备正在积极配合客户进行产业化验证。此外，公司 IPO 拟 募投 3.99 亿元用于“先进半导体设备的技术研发与改进”项目，主要用于 28-10nm 制程 PECVD 多种工艺型号开发、10nm 以下制程 PECVD 平台架构研发及 UV Cure 系统设 备研发等，将加速公司在 PECVD 先进制程节点产业化进展，夯实核心竞争力。在持续完善的产品体系基础上，公司在客户端也在不断突破。薄膜沉积设备复杂度 高，不同客户工艺要求差异性较大，验证周期普遍较长，Demo 机台验收
29、周期可达 15-24 个月。2021Q3 末公司 Demo 订单达到 25 台，在发出商品中数量占比高达 34%。考虑到公司暂未发生过 Demo 机台退回，我们判断随着新客户、新工艺端 Demo 机台验证持续推进，后续重复订单有望快速放量，公司 PECVD 有望延续高速增长。3.2. SACVD&ALD：产业化持续突破，有望成为第二成长曲线3.2.1. SACVD：沟槽填充主流工艺设备，短期有望进入放量阶段SACVD 沟槽填充性能突出，先进制程下渗透率存在提升趋势。SACVD 工作环境 为次常压，气相化学反应分子自由程减小，分子间碰撞几率增加，填孔能力突出。常规 PECVD 多适用于平面衬底薄
30、膜沉积，SACVD 主要适用于 STI、ILD 等填孔工艺，二 者不存在严格竞争关系。具体来看，沟槽填充主要包括 HDP-CVD、SACVD 等工艺，其 中 HDP-CVD 适用 130-45 nm 技术节点，SACVD 为 45-14 nm 主流工艺。先进制程技术 迭代背景下，沟槽深宽比增大，SACVD 在沟槽填充领域的渗透率有望快速提升。公司作为本土唯一 SACVD 产业化应用的供应商，产品体系不断完善。公司 SACVD 已经实现 12 英寸 40/28nm 和 8 英寸 90nm 以上逻辑芯片产业化应用。在此基础上，公 司积极拓展 130nm 以上逻辑芯片工艺需求，多项设备正在产业化验证
31、中。此外，公司适 用于 19/17nm DRAM 刻蚀调节层的 SACVD 设备也正在产业化验证中。展望未来，受益新品产业化验证顺利推进，公司 SACVD 有望进入放量阶段。2020 年公司对北京燕东微电子实现 1 台 SACVD 销售确认，由于商务谈判报价较低，该合同处于亏损状态。2021 年 1-9 月，公司完成第二台 SACVD 销售，用于 2.5D 封装、3D 先 进封装，毛利率高达 63.13%。公司自 2020 年以来 SACVD 产量快速增加，我们判断公 司已有较多机台进入客户验证。考虑到公司新品验证周期多在 2 年之内，我们预计随着 客户验证顺利推进，公司 SACVD 有望从
32、2022 年开始逐步进入放量阶段。3.2.2. ALD：先进制程下需求度快速提升，IPO 募投助力大规模产业化特点，在特定应用场景具备不可替代性。 ALD 属于准单原子层形式周期性生长的薄膜沉积技术，薄膜厚度精准可控。与常规 CVD 工艺不同，ALD 成膜原理为表面自限制反应，即多种前驱物交替通过衬底表面发生反 应，具备薄膜均匀性好、台阶覆盖率高等优势。ALD 已广泛用于金属栅极、高 k 介质 层、互联线势垒层等薄膜沉积，尤其在高深宽比、极窄沟槽开口等领域具备不可替代性。 然而，由于薄膜沉积速率较慢，ALD 暂时无法在成熟制程上大规模替代 PECVD 等传 统工艺。基于独特的薄膜沉积效果，先进
33、制程下 ALD 工艺优势将愈发凸显，具体来看： 1）在逻辑领域：45 nm 以下节点，为减小漏电流和栅极耗尽效应，传统 SiO2 栅 极介质+多晶硅栅极组合将被高 k 介质材料+金属栅极取代，其中高 k 介质材料包含 Al2O3,HfO2,ZrO,Ta2O5,La2O3 等，金属栅极包含 Ir，Pt, Ru, TiN 等，厚度多在 10nm 以下， 大多依赖于 ALD 工艺。在 28nm 以下节点，3D FinFET 结构对薄膜成长的热预算、致 密度和台阶覆盖率要求更高，需通过 SADP 工艺加工有源区，其中 ALD 沉积的 Spacer 材料宽度直接决定 Fin 宽度，是制约逻辑芯片制程先进
34、程度的核心要素之一。2）在存储领域：对于 3D NAND，随着堆叠层数增多，器件深宽比大幅提升，ALD 在极窄沟槽开口薄膜沉积领域的技术优势将被放大；对于 DRAM，存储单元为圆柱形 电容，为改善电容器存储性能，一方面需要提高深宽比，另一方面需要增大介质介电常 数，ALD 在高深宽比、高 k 材料薄膜沉积领域的技术优势将被同时发挥。公司率先实现 PE-ALD 产业化，前瞻性布局 Thermal-ALD 夯实市场竞争力。根据 供能方式不同，ALD 主要分为 PF-ALD 和 Thermal-ALD 两大类，其中 PE-ALD 在高薄 膜致密度、低杂质含量等维度具备一定优势。基于和 PECVD 在
35、等离子技术的协同性， 公司已经率先实现 PE-ALD 的产业化突破，2018 年取得销售，供货 ICRD。在稳固 PEALD 行业地位的同时，公司加码 Thermal-ALD 研发力度，主要用于逻辑 28nm 以下制 程，有望实现主流 ALD 机型全覆盖，进一步提升在 ALD 领域的市场竞争力。 IPO 募投加码 ALD，助力公司大规模产业化快速推进。公司拟募投 2.71 亿元用于 “ALD 设备研发与产业化项目”，主要用于开发面向 28-10nm 制程的 ALD 设备平台架 构，发展多种工艺机型；同时为提升 ALD 设备加工效率，同步开发不同腔室数量的机 台型号，满足逻辑芯片、存储芯片制造不
36、同的工艺需求，并进行规模化量产。3.3. 参考本土刻蚀设备龙头中微公司，公司海外市场开拓可期2021 年公司全球市占率不足 1%，全球化拓展空间广阔。横向对比 AMAT、TEL、 LAM 等海外龙头企业，公司收入规模明显偏小，业务全球化扩张空间广阔。若以销售 额为统计口径，我们预估 2019-2021 年公司在全球半导体薄膜沉积领域的市占率分别为 0.23%、0.39%和 0.63%，虽快速提升，但仍不足 1%，市占率提升空间较大。2021 年公司中国大陆以外地区实现收入 0.13 亿元，占公司当年营收比重 1.68%， 而国内前道刻蚀设备龙头中微公司 2021 年中国大陆以外地区实现收入 4
37、.44 亿元，占当 年营收比重 14.29%，可见海外市场收入是中微公司营业收入重要组成部分。 公司 2018 年向某国际领先晶圆厂发货一台 PECVD 用于其先进逻辑芯片制造研发 产线，2020 年该厂又向公司增订一台 PECVD 用于其上述先进制程试产线。随着海外 大客户设备验证顺利推进，公司海外业务有望快速发展，有望成为公司业绩增长亮点。4. 盈利预测核心假设： 1）PECVD：公司在国产设备商中稀缺性优势显著，有望长期受益晶圆产能东移&设备大趋势，假设 2022-2024 年收入同比增速分别为 60%、40%和 35%。随着 重复订单放量后规模效应显现，公司成本端有望逐步下降，毛利率存
38、在爬坡趋势，故假 设 2022-2024 年毛利率分别为 43%、44%和 45%。2）SACVD：短期随着客户验证机台陆续确认收入，有望快速快速增长，叠加先进 制程下 SACVD 渗透率提升，中长期也有望实现稳健增长。假设 2022-2024 年收入同比 增速分别为 150%、100%和 50%，毛利率稳定在 45%。3）ALD：随着新品客户验证快速推进，叠加募投项目推进，产业化进程有望加速， 假设 2022-2024 年收入同比增速分别为 100%、80%和 60%，毛利率稳定在 45%。4）其他业务：主要为备品备件销售及技术服务。随着存量设备基数增大，有望持续 增长，假设 2022-2024 年收入同比增速分别为 80%、70%和 60%，毛利率稳定在 50%。