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1、单晶硅片清洗与制绒 HRM1单晶硅片清洗与制绒HIT电池结构HIT电池主要工艺单晶硅片清洗制绒原因单晶硅片清洗制绒单晶硅片清洗制绒设备操作安全、设备安全部分产品缺陷介绍HRM2HIT电池结构HRM3HIT电池结构上图表示HIT太阳电池的基本构造，其特征是以光照射侧的p-i型a-Si膜(膜厚5-10 nm)和背面侧的i-n 型a-Si 膜(膜厚5-10 nm)夹住单结晶Si 片（图中是250m）,在两侧的顶层形成透明的电极和集电极,构成具有对称构造的HIT 太阳电池。HRM4HIT电池结构1、p-n结通过PECVD的方式，将本征非晶硅和p型非晶硅层沉积到n型单晶硅层的衬底上；2、在另一侧，背面场
2、结构由本征非晶硅和n型非晶硅层构成。HRM5HIT主要工艺HRM61、硅片的 清 洗制绒 2、正面用PECVD制备本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜3、背 面 用 PECVD制备本征非晶硅薄膜和N 型非晶硅薄膜4、在两面用溅射法沉积透明氧化物薄膜5丝网印刷制备电极单晶硅片清洗制绒原因清洗与制绒目的：一、去除硅片表面机械损伤层；二、清除表面油污、杂质颗粒及金属杂质；三、形成起伏不平的绒面，增加硅对太阳光的吸收。HRM7单晶硅片清洗制绒原因硅片表面产生损伤层原因：1、硅锭的铸造过程硅锭的铸造过程 HRM8单晶硅片清洗制绒原因硅片表面产生损伤层原因：2、多线切割多线切割HRM9金属线金属线(钼线钼线)单
3、晶硅片清洗制绒原因硅片表面产生损伤层原因：3、机械损伤层机械损伤层HRM10硅片硅片机械损伤层（机械损伤层（10微米）微米）单晶硅片清洗制绒原因硅片表面产生损伤层方法：线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在78条件腐蚀0.51min以达到去除损伤层的效果,此时的腐蚀速率可达到610um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短，以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况，腐蚀速度主要取决于溶液的温度，而与碱溶液实际浓度关系不大。HRM11单晶硅片清洗制绒原因硅片表面产生损伤层原因：若损伤层去除不足会出现3种可能情况：残余缺陷、残余缺陷在后续高温处理过
4、程中向材料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未能完全去除。硅酸钠的热导性很差。一般硅酸钠超过一定的量时，腐蚀产生的热量超过从溶液表面和容器侧面所散发的热量，使溶液的温度持续升高。所以初抛液必须定期更换或排出部分溶液。HRM12单晶硅片清洗制绒原因清除表面油污、杂质颗粒及金属杂质：1、清洗前去除晶硅片表面污渍，主要用CH2COOH溶液通O3的方式然后通过超声波清洗达到预定效果，主要防止表面物清洗不干净影响到制绒效果；2、制绒后通过QDR、纯水隔离等方式对硅片残留物进行清洗；HRM13单晶硅片清洗制绒原因3、制绒后酸洗HCL作用中和残留在硅片表面残余碱液；去除在硅片切割时表面引入的金属杂质。注：盐
5、酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Fe3+、Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。HRM14单晶硅片清洗制绒原因3、制绒后酸洗HF的作用：去除硅片表面二氧化硅层；与硅片表面硅悬挂键形成Si-H钝化键。HRM15单晶硅片清洗制绒原因制备绒面的目的：减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。陷光原理：当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率HRM16单晶硅片清洗制绒原因HRM17单晶硅片清洗制绒原因正常片制绒后图片：HRM18单晶硅片清洗制绒1、制绒前清洗2、制绒前去除硅片
6、表面损伤3、硅片制绒4、制绒后清洗5、烘干HRM19单晶硅片清洗制绒制绒前清洗：原因：硅片有手指印，在清洗前看不见，但是清洗后却清晰可见；硅片切割后清洗工艺中的有机物沾污；硅片表面的碳沾污；硅片切割时润滑剂的粘污。如果润滑剂过粘，会出现无法有效进入刀口的现象，如润滑剂过稀则冷却效果不好。这些润滑剂在高温下有可能碳化粘附在硅片表面。硅片经过热碱处理后提出在空气中，时间过长会与空气中的氧反应形成一层氧化层，这层氧化层一旦形成就很难再清洗下去了。因此，在碱清洗后不能在空气中暴露12秒以上。HRM20单晶硅片清洗制绒制绒前清洗：有机溶剂+超声有机溶剂溶解有机物质酸性液体去除法如RCA工艺：热硫酸煮硅片
7、表面活性剂NaOCl热处理利用O自由基的强腐蚀我们主要采用第一种方法：我们主要采用第一种方法：CH3COOH+O3+超声超声HRM21单晶硅片清洗制绒污染片制绒：HRM22单晶硅片清洗制绒去损伤层：硅片在切割过程中表面留有大约1020m的锯后损伤层，对制绒有很大影响，因此在制绒前必须将其除去。单晶一般用碱与硅反应的方法除去。现在很多公司常用NaOH，工艺参数有溶液温度、反应时间和溶液浓度。NaOH浓度大于20，反应速率主要取决于温度 NaOH浓度为20，在90时候速率可以达到610um/Min大部分采用：NaOH浓度为25，温度85HRM23单晶硅片清洗制绒制绒：利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同
8、晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌，就称为表面织构化。角锥体四面全是由111面包围形成。反应式为:2NaOH+H2O+Si=Na2 SiO3+2H2 HRM24单晶硅片清洗制绒角锥体形成的原理角锥体形成的原理 角锥体的密度和它们的几何特征同时影响着太阳电池的陷光效率和前表面产生反射损失的最低限。尺寸一般控制在35微米。推测腐蚀反应期间的产物氢气泡的发展对角锥体的形成起着重要的作用。气泡粘附在硅片表面，它们的掩蔽作用导致了溶液的侧向腐蚀，这是角锥体形成过程的要素。HRM25单晶硅片清洗制绒IPA的作用：的作用：降低硅片表面张力，减少气泡在硅片表面
9、的粘附，使硅片的金字塔更加均匀一致。硅酸纳作用：硅酸纳作用：硅酸钠在溶液中呈胶体状态，大大的增加了溶液的粘稠度。对腐蚀液中OH离子从腐蚀液向反应界面的输运过程具有缓冲作用，使得大批量腐蚀加工单晶硅绒面时，溶液中NaOH含量具有较宽的工艺容差范围，提高了产品工艺加工质量的稳定性和溶液的可重复性。硅酸钠在制绒溶液中的含量从2.5%30%wt的情况下，溶液都具有良好的择向性，同时硅片表面上能生成完全覆盖角锥体的绒面。HRM26单晶硅片清洗制绒随着硅酸钠含量的增加，溶液粘度会增加，结果在硅片与片匣边框接触部位会产生“花篮印”，一般浓度在30%以下不会发生这种变化（NaOH浓度达到一定程度的基础上）。硅
10、酸钠来源大多是反应的生成物，要调整它的浓度只能通过排放溶液。若要调整溶液的粘稠度，则采用加入添加剂乙醇或异丙醇来调节。HRM27单晶硅片清洗制绒腐蚀速率快慢由下列三个反应速度来决定。1、腐蚀液流至被腐蚀物表面的移动速率；2、腐蚀液与被腐蚀物表面产生化学反应的反应速率；3、生成物从被腐蚀物表面离开的速率。HRM28单晶硅片清洗制绒硅的刻蚀速率与表面原子密度、晶格方向、掺杂浓度、腐蚀液成分、浓度、温度、搅拌等参数有关1、NaOH浓度2、无水乙醇或异丙醇浓度3、制绒槽内硅酸钠的累计量4、制绒腐蚀的温度5、制绒腐蚀时间的长短6、槽体密封程度、乙醇或异丙醇的挥发程度HRM29单晶硅片清洗制绒HRM30N
11、aOH溶液浓度反应温度制绒的根本IPA浓度NaSiO3浓度提高溶液浓稠度，控制反应速度硅片表面原始状态硅片表面原始状态氢气泡密度及大小以及在硅片表面停留的时间决定金字塔形貌 搅拌搅拌提高反应物疏运速度，提高氢气泡脱附作用图4 氢气泡作用单晶硅片清洗制绒制绒液中的乙醇或异丙醇、NaOH、硅酸纳三者浓度比例决定着溶液的腐蚀速率和角锥体形成情况。溶液温度恒定在80时发现腐蚀液NaOH浓度在1.54%范围之外将会破坏角锥体的几何形状。当NaOH处于合适范围内时，乙醇或异丙醇的浓度的上升会使腐蚀速率大幅度下降。HRM31单晶硅片清洗制绒绒面的平均反射率随NaOH浓度的变化 HRM32单晶硅片清洗制绒 经
12、热的浓碱去除损伤层后，硅片表面留下了许多肤浅的准方形的腐蚀坑。1分钟后，金字塔如雨后春笋，零星的冒出了头；5分钟后，硅片表面基本上被小金字塔覆盖，少数已开始长大。我们称绒面形成初期的这种变化为金字塔“成核”。10分钟后，金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到了比较低的水平。随着时间的延长，金字塔向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等。HRM33单晶硅片清洗制绒影响绒面均匀性的因素：1、原始硅片表面均匀性2、反应溶液均匀性HRM34单晶硅片清洗制绒HF去除硅片表面氧化层：去除硅片表面氧化层：SiO2+6HF=H2SiF6+2H2OHCl去除硅片表面金属杂质：去除硅片表面金属杂质
13、：盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与 Pt 2+、Au 3+、Ag+、Cu+、Cd 2+、Hg 2+等金属离子形成可溶于水的络合物。HRM35单晶硅片清洗制绒硅片烘干：硅片清洗的最后一个步骤就是硅片的烘干。烘干的目的主要是防止硅片再污染及在硅片表面产生印记。仅仅在去离子水冲洗后，在空气中风干是远远不够的。一般可以通过旋转烘干，或通过热空气或热氮气使硅片变干。另外的方法是通过在硅片表面涂拭易于挥发的液体，如异丙醇等，通过液体的快速挥发来干燥硅片表面。HRM36单晶硅片清洗制绒设备HRM37单晶硅片清洗制绒设备HRM38单晶硅片清洗制绒设备HRM39单晶硅片清洗制绒设备HRM40单晶硅片清洗制绒设备HRM41