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1、Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。DDR3工作原理-DDR3工作原理介绍【摘要】随着微电子技术的不断进步，以DDR为基础的DRAM芯片不断的发展，现在已经发到了第三代DDR，即DDR3，由于前两代DDR3的相继停产，新一代DDR已经成为了市场的主流应用产品。目前北京波分设计开发部，对DDR3使用比较少，缺少足够的技术积累。本文对DDR3的工作原理进行了详细介绍，同时对其专用名词进行了相应的解释，对于以后研发人员使用DDR3有很好的指导意义。【关键词】DDR3一、问题的提出波分单板中的NCP和支持FC业务的业务板，对于DRAM存储器的需求
2、是一直存在的，随着今后计算容量逐渐增大，NCP系列单板需要足够容量的DRAM芯片对CPU运算的支持；而支持FC的业务单板，则需要DRAM芯片对其拉远进行支持。而前两带DDR的相继淘汰和停产，处于成本等考虑导致我们现在必须使用DDR3芯片完成上述的功能。但是，目前DDR3的使用比较少，使得我们在使用DDR3芯片的时候，遇到的困难比较多。其相对复杂的时序和较多的专用英文名词经常让新手摸不到头脑，因此需要我们对其名词和基本的时序很好的理解，对以后的开发应用有很大的帮助。二、解决思路1、DDR3主要名词解释DDR3的工作原理框图如下所示，为了清除的描述芯片正常的工作流程，需要对功能框图中的一些专用词汇
3、进行解读，否则无法很清楚了了解各个过程。图一DDR3工作原理示意图Poweron:上电ResetProcedure:复位过程Initialization:初始化ZQCL:上电初始化后，用完成校准ZQ电阻。ZQCL会触发DRAM内部的校准引擎，一旦校准完成，校准后的值会传递到DRAM的IO管脚上，并反映为输出驱动和ODT阻值。ZQCS:周期性的校准，能够跟随电压和温度的变化而变化。校准需要更短的时间窗口，一次校准，可以有效的纠正最小0.5%的RON和RTT电阻。Al：Additivelatency.是用来在总线上保持命令或者数据的有效时间。在ddr3允许直接操作读和写的操作过程中，AL是总线上的
4、数据出现到进入器件内部的时间。下图为DDR3标准所支持的时间操作。图2DDR3支持的AL设置WriteLeveling:为了得到更好的信号完整性，DDR3存储模块采取了FLY_BY的拓扑结构，来处理命令、地址、控制信号和时钟。FLY_BY的拓扑结构可以有效的减少stub的数量和他们的长度，但是却会导致时钟和strobe信号在每个芯片上的flighttimeskew,这使得控制器（FPGA或者CPU）很难以保持Tdqss,tdss和tdsh这些时序。这样，ddr3支持writeleveling这样一个特性，来允许控制器来补偿倾斜（flighttimeskew）。存储器控制器能够用该特性和从DDR
5、3反馈的数据调成DQS和CK之间的关系。在这种调整中，存储器控制器可以对DQS信号可调整的延时，来与时钟信号的上升边沿对齐。控制器不停对DQS进行延时，直到发现从0到1之间的跳变出现，然后DQS的延时通过这样的方式被建立起来了，由此可以保证tDQSS。图3WriteLeveling的调整示意图MRS:MODERegisterSet,模式寄存器设置。为了应用的灵活性，不同的功能、特征和模式等在四个在DDR3芯片上的ModeRegister中，通过编程来实现。模式寄存器MR没有缺省值，因此模式寄存器MR必须在上电或者复位后被完全初始化，这样才能使得DDR可以正常工作。正常工作模式下，MR也可以被重
6、新写入。模式寄存器的设置命令周期，tMRD两次操作的最小时间，其具体时序图，如下图所示。模式寄存器，分为MR0、MR1、MR2和MR4。MR0用来存储DDR3的不同操作模式的数据：包括突发长度、读取突发种类、CAS长度、测试模式、DLL复位等。MR1用来存储是否使能DLL、输出驱动长度、Rtt_Nom、额外长度、写电平使能等。MR2用来存储控制更新的特性，Rtt_WR阻抗，和CAS写长度。MR3用来控制MPR。图4tMRD的时序示意MPR:Multi-purposeregister.多用途寄存器。MPR的功能是读出一个预先设定的系统时序校准比特序列。为了使能MPR功能，需要在MRS的寄存器MR
7、3的A2位写1，并且在此之前需要将ddr3的所有bank处于idle状态；一旦MPR被使能后，任何RD和RDA的命令都会被引入到MPR寄存器中，当MPR寄存器被使能后，除非MPR被禁止（MR3的A2=0），否则就只有RD和RDA被允许。在MPR被使能的时候，RESET功能是被允许的。PrechargePowerDown:bank在in-progress命令后关闭ActivePowerDown:bank在in-progress命令后依然打开Idle：所有的bank必须预先充电，所有时序满足，DRAM的ODT电阻，RTT必须为高阻。CWL:CASwritelatency.以时钟周期为单位，在内部写
8、命令和第一位输入数据的时间延时，该单位始终为整数。在操作过程中，所有的写延时WL被定义为AL（AdditiveLatency）+CWL。Rtt:DynamicODT.DDR3引入的新特性。在特定的应用环境下为了更好的在数据总线上改善信号完整性，不需要特定的MRS命令即可以改变终结强度（或者称为终端匹配）。在MR2中的A9和A10位设置了Rtt_WR。Ddr3中，有两种RTT值是可以选择的，一种是RTT_Nom,另一种是RTT_WR;Rtt_Nom是在没有写命令的时候被选择的，当有了写命令后，ODT就会变成Rtt_wr，当写命令结束后，又会回到Rtt_nom。也就是说，RTT在ODT使能后，出现
9、，当总线上没有数据的时候，采用的RTT值为RTT_nom;而当总线上有了数据后，要求此时的ODT的值为Rtt_wr。具体的DDR3的ODT产生时序见图2。当ODT被使能后，必须要保持高电平ODTH4个时钟周期才可以有效；如果写命令被放入寄存器并且ODT是高，那么ODT必须保持ODTH4或者ODTH8，这样ODT才可以有效。图5ODT的示意图图6两种ODT的产生和作用时间2、工作原理在描述了上述的一些基本概念后，就可以对图1中的DDR3工作原理进行基本的描述了理解了。首先，芯片进入上电，在上电最小为200us的平稳电平后，等待500usCKE使能，在这段时间芯片内部开始状态初始化，该过程与外部时
10、钟无关。在时钟使能信号前（cke），必须保持最小10ns或者5个时钟周期，除此之外，还需要一个NOP命令或者Deselect命令出现在CKE的前面。然后DDR3开始了ODT的过程，在复位和CKE有效之前，ODT始终为高阻。在CKE为高后，等待tXPR(最小复位CKE时间)，然后开始从MRS中读取模式寄存器。然后加载MR2、MR3的寄存器，来配置应用设置；然后使能DLL，并且对DLL复位。接着便是启动ZQCL命令，来开始ZQ校准过程。等待校准结束后，DDR3就进入了可以正常操作的状态。对于基本的配置过程，现在就可以结束了。下面，结合CH1的控制器FPGA,说明对DDR3相关的配置。三、实践情况经
11、过上面对DDR3的基本工作方式的研究后，就可以对DDR3进行一些基本的配置了。CH1单板使用的是Altera的FPGA，需要用quartus29.1中的MagaWizardPlug_INManager对DDR3SDRAMHighPerformanceController对参数进行设置。首先选择控制器件和PLL时钟以及存储器时钟，并正确选择存储器类型，此处说明下，存储器类型并不是十分严格，只要器件的时序满足要求即可。然后，正确选择拓扑结构，由于采用fly_by模式，因此时钟以及片选都是一对。然后，按照芯片手册的容忍范围选择各种关键参数，一般测试中会选用时序要求比较宽松的参数。此时ODT可以为非使能，其他的时序参数，按照要求默认即可，注意该部分参数，跟前面所选择的器件一起，所以确定后，不需要进行修改了。经过上面的配置后，基本的DDR3控制器的配置就结束了。四、效果评价经过上述方法配置的DDR3控制器，已经成功调试通过。五、推广建议对于采用FPGA的DDR3控制器，可以采用类似配置，保证FPGA的ODT正确设置，即可成功，可以再FPGA控制器重推广。参考资料无完-