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1、存储器与可编程逻辑器件第14章 存储器与可编程逻辑器件一、基本要求1 了解ROM、RAM半导体存储器以及ROM与阵列,或阵列的结构;2 了解常用PLD器件的逻辑功能和应用特点,了解它们的组成特点,分析方法和逻辑设计方法;3 了解GAL等常用可编程逻辑器件的结构及编程方法。二、阅读指导半导体存储器按存储功能分,可分为只读存储器ROM(Read Only Memory)和随机存取存储器RAM(Random Access Memory)两类;按构成元件分,有双极型存储器和MOS型存储器等等,如图14.1所示。双极型存储器速度快,但功耗大;MOS型存储器速度较慢,但功耗小,集成度高。图14.1半导体存
2、储器的指标很多,如可靠性、集成度、功耗、电源种类等。从使用角度来看,存储器最重要的性能指标是存储芯片的容量和存取速度。存储容量指每个存储器芯片所能存储的二进制数的位数。即存储芯片的容量芯片的地址单元数数据线位数。存储器的存取速度是指从CPU给出有效的存储地址到存储器给出有效数据所需的时间。存取时间越短,则速度越快。一般为几纳秒几百纳秒(ns)。1、只读存储器只读存储器ROM存储的信息是固定不变的。工作时只能读出信息,不能随时写入信息。它主要存储矩阵、地址译码器、控制逻辑、三态数据缓冲器四部分组成。组成ROM存储单元的元件可以是电阻、半导体二极管、三极管和MOS管等。图14.2所示的存储阵列具有
3、4条字线和4条位线,表示能存储4个字,每个字有4位。字线和位线的相交处称为存储单元,该处若有MOS管则存储内容为0,否则为1。地址线A1,A0通过译码对4个字线进行选择,图中各个字的地址及其内容如表14.l所示。当片选信号为低电平时,选中字的内容经三态缓冲器由数据线D3D0输出。由于各存储单元的内容由MOS管的分布决定,因而ROM一旦由厂家制造好后,其存储内容就不能改变,故又称固定ROM。 图14.2从图14.2中可知,每个输入地址对应着地址代码的一个最小项(称最小项译码),并使相应的一条字线为1。而每一条位线的状态是若干字线输出的逻辑或。为了简化作图,常用与一或逻辑阵列来表示ROM的结构。与
4、阵列表示译码矩阵,或阵列表示存储矩阵。若存储单元内存放有信息1,则在对应的字线和位线交叉点上画一个圆点。这种图形也称为ROM阵列逻辑图。图14.2所示ROM电路的简化存储矩阵阵列图如图14.3所示。表14.1 图14.32、可编程只读存储器1)一次编程型只读存储器(PROM)PROM是一种存储内容可以由用户写入的只读存储器。它由固定的与阵列和可编程的或阵列组成;而可编程或阵列由与门的输出线和或门的输入线组成,其交叉点处制造厂家用熔断丝连接,如图14.4所示。用户可根据要求用编程器将阵列中的某些熔丝烧断,以实现一定的逻辑关系,一旦编好程序,就不能再更改了。PROM主要用来存储固定的程序、数据和表
5、格等。2)可改写型只读存储器(EPROM)EPROM可多次擦去并重新写入新内容。在EPROM器件外壳上有透明的石英窗口,用紫外线照射,即可完成擦除操作。3)电可改型只读存储器(E2PROM)E2PROM是一种能用电压信号快速擦除的EPROM,使用 灵活、方便。 图14.43、随机存取存储器随机存取存储器(RAM)也称为读写存储器。它可随时从任何一个指定地址的存储单元中读出数据,也可随时将数据写入任何一个指定地址的单元中,读写方便,使用灵活。但一旦电源中断,所存的信息就会随之消失,不利于数据的长期保存。RAM的结构框图如图14.5所示,与ROM相似,所不同的是RAM多了一个读写控制信号(RW),
6、并且数据线为双向的。 图14.5一片RAM芯片所能存储的信息量是有限的,可用多片RAM组成大容量存储器。访问存储器时,通过片选线进行控制。使用时,只有片选信号CS0的一片RAM工作,其余各片CS1时,不工作。RAM也有双极性和MOS型两类。在MOS型RAM中,按其工作模式又分为动态RAM和静态RAM两种。4、可编程逻辑器件可编程逻辑器件(PLD)是一种可以由用户编程执行一定逻辑功能的大规模集成电路,基本结构如图14.6 (a)所示。与阵列对输入项进行与运算,其输出在或阵列中进行或运算。图14.6 (b),(c)表示了与、或阵列的习惯画法。图中,“”表示固定连接;表示可编程连接;无点也无叉则表示
7、不连接。用户通过编程器对与阵列和或阵列进行编程,可以实现各种逻辑功能。图14.6 (d)表示两种缓冲器,F1为反相缓冲器,F2A为同相缓冲器。根据与阵列和或阵列是否能够编程以及输出功能的不同,PLD大致可分为4种类型。图14.61)可编程只读存储器PROM由固定的与阵列和可编程的或阵列组成,如图14.7所示。图14.7(2)通用阵列逻辑GALGAL结构与PAL基本一样,只是在每个输出端增加了一个可编程的输出逻辑宏单元,其输出状态可以由用户定义。GAL速度快、功耗低、集成度高,具有电可擦除实现多次编程的功能,使用灵活方便,是各种PLD中最为流行的一种。三、例题解析例14.1 现有3个变量A,B,
8、C,试用84位ROM实现下列逻辑函数:与、或非、异或、与或非。解:首先写出3变量与、或非、异或、与或非的4个逻辑函数,并分别用F3,F2,F1,F0表示,即F3=ABC F2= F1=ABC F0=然后,用两种方法可方便地画出用84位ROM实现Fl,F1,F,Fo的阵列图。方法1:写出F3,F2,F1,F0的最小项表达式F3=m7 F2= m0 F1= m1+ m2+ m4+ m7 F0= m0+ m1+ m2+ m4方法2:列出F3,F2,F1,F0函数的真值表,如表14.2所示。最后,根据选用234位ROM画出实现F3,F2,F1和F0的ROM阵列图,如图14.8所示。表14.2 图14.8