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1、精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习特种机械加工技术太阳能级硅片切割技术郑轩光为绿色新能源股份有限公司,河北高碑店,074000 摘要：太阳能级多线切割技术是一种特别的机械加工技术,它是在传统的机械加工的基础上建立起来的；随着太阳能市场的启动和发展,作为晶体硅太阳能电池制造过程的主要环节,越来越受到人们的重视；本文介绍了硅片切割的进展史,并从硅片切割的设备、工艺、生产流程和新技术等方面进行了较具体的阐述；资料个人收集整理,勿做商业用途关键词：多线切割技术；硅片切割设备；硅片切割工艺；硅片生产流程；硅片切割新技术Special machinery manu
2、facture technology Solar wafer cutting technology Zheng Xuan Lightway Green New Energy Co.,Ltd, Hebei Gaobeidian,074000 资料个人收集整理,勿做商业用途Abstract：Solar multi-saw technology is a special machinery manufacture technology,that is based on traditional machinery manufacture. With beginning and developing o
3、f solar markets,more and more person pay attention to the link,which is the main node in poly-silicon manufacture.This paper either introduce the development of wafer cutting,or detailedrepresent equipments,technics,1 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习product
4、ion process and new technology,etc.资料个人收集整理,勿做商业用途 Keywords:multi-saw cutting technology;wafer cutting equipments;wafer cutting technics;wafer production process;wafer cutting new technology资料个人收集整理,勿做商业用途 1 太阳能级硅片切割的历史 在上世纪 80 岁月以前,人们在切割超硬材料的时候一般采纳 涂有金刚石粉的内圆切割机进行切割；然而随着半导体行业的飞 速进展,人们对已有的生产效率难以满意,同时
5、由于内圆切割的 才来缺失特别大,在半导体行业成本的摩尔定律的作用下,人们 对于降低切割陈本,提高效率的要求欧越来越高；多线切割技术 因此而逐步进展起来；多线切割机由于其更高效、更小的切割损 失以及更高精度的优势,对于切割珍贵、超硬材料有着庞大的优 势,近十年来已取代传统的内圆切割成为硅片切割加工的主要方 式；资料个人收集整理,勿做商业用途 在 2003 年以前,多线切割主要满意于半导体行业的需求,切 割技术主要把握在欧、美、日、台等国家和地区,国内半导体业 务以封装业务为主,上游的晶圆切割技术远远落后于发达国家和地区,相关的设备制造研发也难有进展；资料个人收集整理,勿做商业用途2003 年随着
6、太阳能光伏行业的爆发式增长,国内民营企业的 硅片切割业务快速进展起来；大量引进了瑞士和日本的先进的数 控多线切割设备；这才使切割太阳能级硅片的多线切割机的数量 开头在国内爆发式增长, 相关的技术沟通也开头在国内广泛兴起；2 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习资料个人收集整理,勿做商业用途2 当前国内使用的硅片切割机的种类及特点目前国内各个硅片切割厂家基本使用国际3 大多线切割机的设备；也就是,瑞士的 HCT、M+B、日本的 NTC,另外近两年日本的 TMC东京制纲 线锯也开头打入
7、国内市场,并取得了不错的销量；对于硅片切割的核心设备厂家, 下面分别简洁的作以说明；资料个人收集整理,勿做商业用途2.1HCT线锯HCT在 1983 年推出第一线切割机后14 年里才累计卖出了 100 台设备,在随后的 6 年里又累计卖出了150台；太阳能光伏市场在2003年启动以后, HCT针对市场需要在 2005 年推出了世界上最大的太阳能硅片线切割机 B5；双工作台 4 个导轮满载最多可以一次切割硅棒长达到 2 米,特别适合大规模生产；此机型在2006 年里一年的销售量就突破了 100 台；HCT在 2007 年被美国的应用材料公司收购；其 后在 2022 年推出了新机型 MaxEdge
8、 B6,主要特点是将原有的一个线 网拆分为 2 个独立掌握的线网； 这样有助于使用更细的饿切割线从而 提高出片率降低生产成本； 但由于该设备仍处于推广阶段,工艺仍有待进一步成熟；资料个人收集整理,勿做商业用途2.2M+B梅耶博格 线锯 M+B 公司成立于 1953 年,早期主要生产研发外圆和内圆切割机；在 1980 年启动线切割技术的讨论, 1991 年正式推出了第一台线切割 机 DS260；2000 年推出了针对太阳能光伏市场需求的双工作台 4 导轮的 DS262机型,该机型理论上切割负载可以达到3 / 17 2 米,但实际上依据名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页,共 17
9、页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习国内客户的使用情形反馈,DS262并不是一个特别胜利的机型,一般的切割负载在 1.2 米左右比较合适,切割硅片的合格率相比较低；资料个人收集整理,勿做商业用途依据市场的变化, M+B 在 2004 年推出了小型机 DS265；该机型只有一个工作台可以同时切割2 个 300毫米长得硅棒；和 NTC MWM442D机型特别的类似；该设备在国内使用的客户较少, 其设备稳固性不够,保护费用过高；资料个人收集整理,勿做商业用途M+B 在 2005 年推出了最为胜利的单工作台的新机型 DS264,该机型可以切割一根长达820mm
10、de 硅棒,针对多晶硅片市场比例快速提高的情形下,特别好的满意了市场的新需求；在 2022 年,又针对市场变化推出了 DS264的升级型 DS271,切割单根负载可以增加到1020mm；资料个人收集整理,勿做商业用途2.3NTC线锯1984 年富山机械和日平工业合并成立NTC；上世纪 90 岁月推出了针对半导体行业的 MWM 系列线切割机； 2022 年被小松收购,改名为 Komatsu NTC；资料个人收集整理,勿做商业用途NTC最为畅销的机型是 MWM442D,由于其投资小、保护费用低、适合使用细直径切割钢丝, 深受国内很多新进入切片领域的小公司的欢迎；在 2003 年后受光伏行业的飞速进
11、展刺激,NTC在中国的销售量快速增长,特别在 2022 年取得了 400 多台的销量,即使在受经济危机影响的 2022 年也卖出了 300 多台各类型的线切割机；受多晶硅片市场进展的影响,于2022 年推出了新的设备类型单工作台面的PV600、PV800和 PV1000,这些设备借鉴了 M+B264 的设计理念,切 4 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习割最大负载棒长分别达到630mm、840mm 和 1020m；这些设备特别好的适应了多晶硅片的生产技术进展趋势；.资料个人收集整
12、理,勿做商业用途2.4TMC（东京制纲）线锯日本东京制纲株式会社 （以下简称为东京制纲） 始建于 1887 年,拥有 120 多年的历史,是日本上市公司,其最大的股东是世界钢铁巨头：日本新日铁公司；东京制纲的主要产品有桥梁绳索、轮胎子午线、用于硅片切割的切割钢线和线切割机台等等；东京制纲拥有 40多年切割钢线的生产体会,同时拥有25 年的线切割机的生产体会,是世界唯独拥有切割钢线和线切割机两项生产技术的企业；因此,对钢线的品质如何满意切割要求, 以及如何设计线切割机以保证钢线的运行稳固等, 东京制纲有着深化的讨论和懂得；虽然东京制纲进入中国市场较晚,但是其主要的两款产品 VWS-330 小型机
13、和 VWS-350 中型机在国内市场比较畅销,也被很多客户高度评判；资料个人收集整理,勿 做商业用途 2.5 国产线锯 上海日 国内最早从事太阳能多线切割机开发的要数上海日进了；进引进日本技术, 早在 2006 年就推出了第一台多线切割样机；样机 类似 NTC MWM442D ；样机在日进内部切割试验结果良好,切出 的硅片质量完全合格； 但是在客户实际试用的时候,仍是遇到了很多 的问题,比如成品率低；断线率高、设备的掌握精度比国外进口设备要差；资料个人收集整理,勿做商业用途 国内其他开发多线切割样机的厂家仍有上海汉虹、电子科技集团 45 所、兰州瑞德、 无锡开源、 大连连城、 北京京联发、 湖
14、南宇晶等；5 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习但目前仍是主要设计生产小型机, 中型和大型机器临时没有什么长足的进步；资料个人收集整理,勿做商业用途3 太阳能级硅片制造的工艺流程太阳能级硅片制造目前分为两种：一是多晶硅片的制造流程, 一是单晶硅片的制造流程； 由于硅片的外观有区分, 所以两种硅片的制造过程会有不同,下面以图表的形式作以说明；3.1多晶硅片的制造加工流程资料个人收集整理,勿做商业用途浆料制备 浆料制备破锭开方 带锯去头尾 研磨倒角 硅块粘接 线锯切片硅片分选包装 硅
15、片清洗 晶棒预清洗3.2单晶硅片的制造加工流程浆料制备单晶棒截断 硅片清洗 单晶棒粘接 晶棒预清洗 晶棒开方 线锯切片 晶棒滚圆 晶棒粘接 晶棒研磨由以上的流程图可以看出,两种硅片的制造加工环节的区分主要在晶棒粘接前, 这是由单晶棒和多晶硅锭的制造方式打算的；资料个人收集整理,勿做商业用途浆料制备4 多线切割机（线锯）的切割原理、工艺及产品分析4.1 多线切割机切割原理多丝切割技术是近年来崛起的一项新型硅片切割技术,它通过金属丝带动碳化硅研磨料进行研磨加工来切割硅片；明其切割原理；资料个人收集整理,勿做商业用途6 / 17 下图可以说简洁说名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页,共
16、 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习喷出的砂浆硅块钢线转动方向导线轮硅块切割方向钢线4.2 切割工艺简介切割工艺主要涉及到以下几个参数：切割钢线的线速度, 切割台速,砂浆流量和温度,钢线张力,下面分别作以说明；资料个人收集整理,勿做商业用途钢线的高速运动是砂浆的载体,碳化硅就是通过粘连在钢线四周的悬浮液对硅块进行切割的；下图可以很清晰的看出钢线在切割过程中所起的作用；资料个人收集整理,勿做商业用途切割过程中线速过低, 线网承担的压力会很大,导致线弓变大,很简洁显现断线；线速过快,虽然线网压力减小,但是带砂浆才能会减弱, 砂浆来不及被带入硅块内,
17、同样会导致切割产生锯痕等不良品；所以线速度要适中,既要保证肯定的线弓,又要能够最大限度的将砂浆带入被切割的硅块中；途资料个人收集整理,勿做商业用切割的工作台速度是很重要的参数,它不但影响着整个的加工时间, 也在很大程度上打算了硅片的薄厚程度；台速设置过慢加工时间变长,这样铺张生产时间,这样也会使生产成本增加；台速设置过快,与砂浆的切割才能不匹配,会导致硅片在入刀、7 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习中间和出刀产生薄厚差距过大的情形,资料个人收集整理,勿做商业用途严峻的会产生不合
18、格硅片；砂浆的流量一般在入刀、中间和出刀过程中有所区分；入刀时流量偏低,由于此时台速一般较慢,不需要很强的切割才能；中间阶段流量最大, 需要保证砂浆的切割才能；出刀时可以降低流量也可以不降, 由于切割后期碳化硅颗粒已经在很大程度上磨损,导致切割才能下降,所以可以不降流量的完成切割；资料个人收 集整理,勿做商业用途砂浆的温度最好在整个切割过程中保持不变,而且设置砂浆温度要依据悬浮液的粘度来定；由于悬浮液是一种醇类液体,有肯定的粘度, 符合粘温曲线的规律, 所以粘度低一些的砂浆需要将切 割时的温度设置低一些,保证其粘连性和冷却成效,反之,将温 度设高即可；资料个人收集整理,勿做商业用途钢线张力在切
19、割过程中也是一个比较重要的参数；张力过小在切割初期会造成入刀时线网松动,显现入刀薄厚的现象； 而且张力设置太小硅块对线网造成的压力过大,线弓变大会造成带砂浆能 力下降,从而导致切割显现锯痕甚至断线；张力设置过大,砂浆 同样不能被带入硅块,也会造成显现锯痕片；一般来说,放线钢线张力设置在2324 牛顿正确,收线钢线张力设置在2122 牛顿正确,通常收放线张力的差值是1 牛顿；资料个人收集整理,勿做商业用途以上只是切割过程中需要工艺人员合理设定的主要参数,真正能不能切割出良率较高的硅片,仍跟原材料的品质, 操作人员的操作水公平有较大关系,所以多线切割是一个多种因素交错在8 / 17 名师归纳总结
20、- - - - - - -第 8 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习一起的生产模式, 在实际的生产掌握中需要把基础工作做牢,才能发挥工艺参数设置的合理作用；4.3 硅片技术要求资料个人收集整理,勿做商业用途目前主流的硅片厚度是 180 m,是否合格也有肯定的检验标准来规范； 下表以多晶硅片为例, 列出了一些合格硅片的检验标准：资料个人收集整理,勿做商业用途检验标准检验项目A级品B级品电性能指标Resistivity电阻率（ cm）0.7 2 2 6 或 0.4 0.7 Carrier Lifetime 2 12 少子寿命 s Oxyge
21、n concentration 181.0*10氧含量（ atoms/cm3）Carbon concentration 178* 10碳含量（ atoms/cm3）外形尺寸及外观Geometry 几何外形TTV30 正方形Thickness 厚度（ m）180 20 TTV（ m）30TTV45 Size 尺寸（ mm）156 0.5 155.2 Size156.5 Diagonal 对角线（ mm）219.2 0.5 218.4-218.7 Rectangular angle角度（ o）1.5 0.5 90 0.3 Chamfer angel 倒角（ o）45 10 Chamfer wide
22、 倒角宽度（ mm）0.5 wide1 或 2wide2.5 Chip 崩边（宽度 *延长深度）不答应1*0.5 ,（mm）双面崩边不答应Break age 缺口（ mm2）不答应0.2*0.2 Saw mark锯痕（ m）Saw mark15 15Saw mark40 Warp翘曲度（ m）Warp30 30Warp75 9 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 9 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - Bow弯曲度（ m）个人收集整理仅供参考学习50Bow75 Bow50 Surface 表面无裂纹、孔洞、油污、无裂纹、孔洞、油污、杂质、手印；清
23、洗干燥后,表面：杂质；清洗干燥后,黑线向内延长小于5mm；表面干净、无沾污、砂浆斑点小于 2 2mm2, 个数小手印；于 5 个；各个厂家的硅片标准都不尽相同,目前完整太阳能产业链的厂家和单一生产硅片的厂家的标准一般是不同的,单一生产硅片的厂家其检验标准相对要严格一些；4.4 硅片缺陷分析资料个人收集整理,勿做商业用途硅片在生产完成后会产生多种缺陷导致不合格或者成为 B 等片；以下是几种主要的常见缺陷,各自的作以分析；4.4.1 TV（Thickness Variation）TV值,也就是硅片侧厚度偏差值；它主要看的是硅片中心 点的厚度值； 比如 180 m 的硅片也就是指这个硅片中心点的厚
24、度在 180 m 左右； TV的运算方法如下 :资料个人收集整理,勿做商业用途定义导轮槽距是P,线缝缺失是K,硅片厚度是W,那么就有W=P-K；其中,K=D+k d;D 是指钢线直径, d 是指碳化硅平均颗粒直 径, k 是个体会系数,一般取 4 即可；可以看出, 硅片的厚度值主要和导轮槽距、钢线直径以及碳化硅的粒径有关； 所以掌握以上几个因素就可以得到抱负厚度的硅片；资料个人收集整理,勿做商业用途4.4.2 TTV（Total Thickness Variation）TTV值,也就是硅片的总厚度偏差值；它一般是指硅片上五10 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 10 页,共
25、 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习个点的厚度值中最大与最小厚度的差值；如下图：取 1、3、5、7、9 这五个点来测量厚度,五点中最大与最小厚度的差值即为这张硅片的 TTV值；TTV是硅片切割中最重要的一个指标之一；从下图可以看出硅片切割完成后其厚度趋势；并且在水平和垂直方向上均有 TTV变化的趋势；资料个人收集整理,勿做商业用途TTV变化趋势垂直方向上的 TTV变化趋势11 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 11 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习水平方向上的 TT
26、V变化趋势 由以上图片可知, TTV是在硅片加工过程中渐渐产生的,其 产生的缘由有多种,一般包括以下几个方面：砂浆在钢线上粘连不匀称 旧砂浆过多,切割才能不足 碳化硅微粉的颗粒不规范 切割条件的突然变化 钢线圆度值不好导致砂浆在钢线上的分布不匀称 台速过快 线速度过慢掌握好这些因素, 可以有效的防止TTV的产生； 当然在实际生产中仍有很多需要掌握的因素,要极大程度的防止TTV的产生；资料个人收集整理,勿做商业用途4.4.3 锯痕 Saw Marks 锯痕是考察硅片表面质量的一个参数；A 等的硅片应当是厚度匀称, 表面用肉眼看起来比较光滑；锯痕的方向都是平行于钢线走线方向,其产生的缘由可以列举如
27、下：切割过程中停机又重启 12 / 17 资料个人收集整理,勿做商业用途名师归纳总结 - - - - - - -第 12 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习碳化硅含有大颗粒较多 碳化硅颗粒圆度值大,不锐利 钢线张力设置过大或过小 硅块粘接面胶层厚度不均 以上因素均可导致硅片表面显现锯痕以及其他表面不良现 象,比如表面台阶、波浪等,在实际生产中要充分考虑以上因素显现锯痕片要准时调整各个因素,降低锯痕片的比例, 降低对后续电池制造的影响；资料个人收集整理,勿做商业用途4.4.4 崩边 Chips and Breakages 硅片是脆性材料,
28、崩边和掉角的发生是正常现象；在取片、插片、清洗、分选、包装的过程中都会产生硅片的崩边；这些基 本上都需要细致的人员操作才能最大限度的杜绝,由于很多硅片 原来是 A 等级的,就是由于人为操作失误产生了崩边而造成了不合格片； 在生产中完全杜绝崩边是不行能的,但是可以降低其比例,从而提高整体的硅片切割良率,同时也降低了生产制造成本；资料个人收集整理,勿做商业用途4.4.5 脏污 Stain 脏污是在硅片表面产生的,这主要是在硅片清洗环节中,清洗液的配比和用量不合适,清洗完后烘干成效较差,所以会产生各种脏污片；另外,在包装时人员操作也会在硅片上留下手印、汗渍等印记, 这些需要在生产制造中做到比较细致的
29、管控才能杜绝脏污片的比例增大；资料个人收集整理,勿做商业用途在硅片切割以及后续的清洗中,假如能杜绝以上的主要问题,13 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 13 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习那么,硅片制造的良率将会得到大幅度的提升,随着良率的提升逐步下降；资料个人收集整理,勿做商业用途5 硅片切割的最新技术及进展方向其制造成本也会多线切割设备和技术到目前为止也有 30 多年的进展时间了,这项技术也较产生初期有了相当大的进展；就当前太阳能硅片切割领域来看,显现了不少新设备、新技术、新材料,这些有的已 经应用到实际生
30、产中, 有的属于研发和小规模应用阶段；下面可 以举几个例子：资料个人收集整理,勿做商业用途5.1 砂浆在线回收系统 国内太阳能级切片厂家刚起步的时候,基本采纳人工配料,操作环境比较恶劣, 工人劳动强度很大, 砂浆制备过程中常常由于人为缘由导致碳化硅添加不匀称,浆料搅拌不充分, 从而对线锯切割产生较大影响； 针对此种情形, 近几年一些厂家开头设计并应用了砂浆回收和在线供应系统；砂浆的回收和供应通过管道来实现, 加料搅拌通过机器设备来替代人工,并且系统中配有热交换子系统, 可以保证客户需要的砂浆温度,从而更好的掌握砂浆的粘度值； 整个系统可以实现全自动化掌握和运行；此种系统虽然投资较大, 工程施工
31、较复杂, 但系统运行后节约了大量人力,并极大程度的保证了砂浆的供应质量；目前比较专业的厂家有德国赛锡公司、日本 IHI 公司和美国 CRS系统； 资料个人收集整理,勿做商业用途5.2 粘接玻璃水煮胶的应用在晶棒粘接过程中, 硅块是粘在一块玻璃板上的,而玻璃板14 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 14 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习又是粘在金属板上； 当切割完毕后, 由于金属板和托盘可以再使用,所以必需将粘在上面的玻璃去除；粘接用的胶水是双组份的环氧树脂胶；原先的去除方法是将整条晶棒放入 200 C 的烘箱 中进
32、行烘烤 20 分钟左右,工人作业时必需带隔热手套以免烫伤；所以,针对此种情形, 国内的各大胶水供应商开发了一种可以通 过热水蒸煮就将玻璃去除的胶水,俗称水煮胶；使用此胶水,可以将晶棒浸泡在90 C 左右的热水中,经过15 分钟左右取出即可将玻璃去除；这样就排除了原先烘烤时的异味,操作便利,而 且节约了能源； 水煮胶可以说是依据生产实际情形进行新材料开 发并应用的典型例子；资料个人收集整理,勿做商业用途金属板5.3 金刚线切割技术玻璃板胶水层传统的多线切割技术是靠高速运动的钢线带动由悬浮液和碳化硅微粉混合配置的砂浆来进行切割的；硅块 参加切割的碳化硅在钢线上处于游离状态, 砂浆在钢线圆周方向上包
33、裹着,对硅块起 到研磨的作用； 这种传统的方式, 砂浆需要较长时间的制备并且 必需始终处于搅拌状态, 其用量会随着切割硅块面积的增大而增大,切割的台速也不会太快；资料个人收集整理,勿做商业用途目前有一种新的金刚现切割技术,其特点是将参加切割的砂粒镀到钢线上, 切割时靠喷嘴中喷出的水进行冷却,完全不用再配置砂浆；这种方式可以完全抛弃砂浆,切割速度可以加快；但是钢线价格很高, 钢线镀砂的匀称性技术也有待提高；虽然目前15 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 15 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习HCT和 M+B 等线锯厂
34、家已经推出相应的金刚线设备进行开方甚至切片, 但是在实际应用中仍不甚抱负,的线切割机仍需要进一步研发和应用,作； 资料个人收集整理,勿做商业用途6 结论要想完全替代砂浆方式 并进行切割成本的降低工太阳能级硅片切割技术是特定领域的一种特别的机械加工方式,它不同于传统的机械加工,但又是在其基础之上进展衍生而来的； 这种技术有其本身的特殊性,但同时也遵循着传统机械加工的规律； 对于切片工艺的一些说明很多都是在生产实践中总结出来的, 只要符合多线切割的基本规律,就可以利用这些体会发觉并解决实际生产中遇到的问题；当然,理论在不断地进展,体会也是需要不断地猎取,只有针对各自工厂的实际情形并结合以往的理论和
35、体会才能真正解决实际问题；资料个人收集整理,勿做商业用途参考文献：1万志峰 .中国太阳能硅片线切割设备国产化的现状和趋势2靳永吉 .线锯切割失效机理 .电子工业专用设备, 2006,142：24-27 3樊瑞新,卢焕明 .线切割单晶硅表面损耗的讨论 1999,17,2:55-57资料个人收集整理,勿做商业用途J.材料科学与工程,4SPAUGH B E.Specification of saw wafer flatness technical brief Z.Sawyer Technical Materials,LLC.2003:5. 资料个人收集整理,勿做商业用途5PEI Z J,STRASBAUGH A. Fine grinding of silicon wafersJ.International Journal of Machine Tools and Manufacture,2001,415:659-672资料个人收集16 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 16 页,共 17 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人收集整理 仅供参考学习整理,勿做商业用途17 / 17 名师归纳总结 - - - - - - -第 17 页,共 17 页