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1、第1页，此课件共30页哦CONTENT1.静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管2.MOSFET3.电压基准电压基准电压基准电压基准（Voltage Regerence)Voltage Regerence)第2页，此课件共30页哦静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管 静电保护器件静电保护器件ESD保护管是一种用来保护敏感半导体器件使保护管是一种用来保护敏感半导体器件使其免遭静电击穿而特别设计的固态半导体器件。其免遭静电击穿而特别设计的固态半导体器件。LRC的的ESD保护管具保护管具有以下特点有以下特点:1、满足行业标准满足行业标准 2、低工作电压、低工作电压 3、低电容、低电容 4、
2、低漏电流、低漏电流 5、高浪涌电流容量、高浪涌电流容量 6、单路和多路保护、单路和多路保护 7、小封装、小封装,节省电路版空间节省电路版空间,满足设计机动性满足设计机动性 8、ROHS/无卤素无卤素第3页，此课件共30页哦v静电保护器件静电保护器件ESDESD保护管是一种用来保护敏感半导体器件使其免遭静电击穿而特别设保护管是一种用来保护敏感半导体器件使其免遭静电击穿而特别设计的固态半导体器件。当计的固态半导体器件。当ESDESD保护管受到反向瞬态高能量冲击时，它能以保护管受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10121012秒量秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使
3、两极级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。脉冲的损坏。vESDESD保护管的电路符号与普通稳压二极管相同。保护管的电路符号与普通稳压二极管相同。vESDESD保护管的正向特性与普通二极管相同，保护管的正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的反向特性为典型的PNPN结雪崩器件。结雪崩器件。静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管第4页，此课件共30页哦vESDESD保护管的优点：响应时间快、瞬态功率大、漏
4、电流低、击穿电压偏差小、箝位电压保护管的优点：响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。较易控制、无损坏极限、体积小等优点。静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管第5页，此课件共30页哦vV VRWM RWM(Reverse Peak Working Voltage)(Reverse Peak Working Voltage)：指：指 ESD ESD保护管最大连续工作的直流或脉冲电压。保护管最大连续工作的直流或脉冲电压。当这个反向电压加在当这个反向电压加在 ESD ESD保护管的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或保护管的两
5、极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于最大反向漏电流；当等于最大反向漏电流；当 ESD ESD保护管两端的电压继续上升，但还没有到达击穿电压保护管两端的电压继续上升，但还没有到达击穿电压 VBR VBR 时，时，ESDESD保护管可能继续呈现高阻状态。使用时保护管可能继续呈现高阻状态。使用时 VRWM VRWM 不低于被保护电路的正常工作电压。设计不低于被保护电路的正常工作电压。设计时可选时可选 VRWM VRWM 0.9VBR 0.9VBR。vV VBRBR(Reverse Breakdown Voltage):(Reverse Breakdown Voltage):在指定测试
6、电流下在指定测试电流下 ESD ESD保护管发生雪崩击穿时的电压，保护管发生雪崩击穿时的电压，它是它是 ESD ESD保护管最小的击穿电压。在该状态发生时，保护管最小的击穿电压。在该状态发生时，ESD ESD保护管的阻抗将变得很小。保护管的阻抗将变得很小。VBR VBR 会受到结温的影响而有所变化。会受到结温的影响而有所变化。vV VC C(Maximum Clamping Voltage):(Maximum Clamping Voltage):指指ESDESD保护管流过最大浪涌电流（峰值为保护管流过最大浪涌电流（峰值为 I IPPPP ）时其）时其端电压由端电压由 VRWM VRWM 上升到
7、一定值后保持不变的电压值。上升到一定值后保持不变的电压值。ESD ESD保护管就是通过这个箝位电压来实现保保护管就是通过这个箝位电压来实现保护作用的，浪涌过后，护作用的，浪涌过后，IPP IPP 随时间以指数的形式衰减，当衰减到一定值后，随时间以指数的形式衰减，当衰减到一定值后，ESD ESD保护管两端的电保护管两端的电压开始下降，恢复原来状态。压开始下降，恢复原来状态。VCVC与与 VBR VBR 之比称为箝位因子，一般在之比称为箝位因子，一般在 1.2 1.2 1.4 1.4 之间。之间。静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管第6页，此课件共30页哦vI IPPPP(Maximum R
8、everse Peak Pulse Current)(Maximum Reverse Peak Pulse Current)：指：指 ESD ESD保护管允许流过的最大浪保护管允许流过的最大浪涌电流，它反映了涌电流，它反映了TVSTVS的浪涌抑止能力。的浪涌抑止能力。vP PPPPP（Peak Power DissipationPeak Power Dissipation）：指）：指 ESD ESD保护管在指定结温下所能承受的最大峰保护管在指定结温下所能承受的最大峰值脉冲功率。在特定的最大钳位电压下，功耗值脉冲功率。在特定的最大钳位电压下，功耗P P越大，其突波电流的承受能力越越大，其突波电流
9、的承受能力越大。在特定的功耗大。在特定的功耗P P下，钳位电压下，钳位电压V VC C越低，其突波电流的承受能力越大。越低，其突波电流的承受能力越大。静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管第7页，此课件共30页哦LRC ESD保护管满足的行业标准保护管满足的行业标准u IEC 61000-4-2(ESD)15KV(空气放电空气放电)u IEC 61000-4-2(ESD)8 KV(接触放电接触放电)u IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)u IEC 61000-4-5(雷电雷电)静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管第8页，此课件共30页哦 在很多场合在很多场合,
10、出于成本的考虑出于成本的考虑,人们也会选用压敏电阻人们也会选用压敏电阻,现给现给出它们的差异出它们的差异:关键参数或极限值 TVS 压敏电阻反应速度10-12s510-8s有否老化现象否有最高使用温度175115元件极性单极性与双极性单极性反向漏电流典型值5A200A箝位因子（VC/VBR）1.578密封性质密封不透气透气价格较贵便宜静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管第9页，此课件共30页哦静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管产品列表（一）产品列表（一）第10页，此课件共30页哦产品列表（二）产品列表（二）静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管第11页，此课件共30页哦LRC
11、 ESDLRC ESD保护管的应用保护管的应用1 1、高速数据线保护、高速数据线保护2 2、USBUSB端口保护端口保护3 3、便携式设备保护、便携式设备保护(如手机如手机,PDA,PDA等等)4 4、局域网和宽带网设备保护、局域网和宽带网设备保护5 5、交换系统保护以及以太网交换机保护、交换系统保护以及以太网交换机保护静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管第12页，此课件共30页哦ESDESD保护管的应用举例（一）保护管的应用举例（一）键盘驱动器键盘驱动器ESDESD保护方案保护方案静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管第13页，此课件共30页哦ESDESD保护管的应用举例（二）保护
12、管的应用举例（二）数据接口的数据接口的ESDESD保护方案保护方案静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管第14页，此课件共30页哦ESDESD保护管的应用举例（三）保护管的应用举例（三）电源接口的电源接口的ESDESD保护方案保护方案静电保护器件静电保护器件ESD保护管保护管第15页，此课件共30页哦MOSFET MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)，即，即“金属氧化物半导体场效应晶体管金属氧化物半导
13、体场效应晶体管”。MOSFETMOSFET内部结构及电路符号内部结构及电路符号按导电沟道按导电沟道可分为可分为P P沟道和沟道和N N沟道沟道按栅极电压幅值可分为耗尽型和增强型按栅极电压幅值可分为耗尽型和增强型按工作电压可分为低耐压、中耐压和高耐压型按工作电压可分为低耐压、中耐压和高耐压型按工作电流可按工作电流可分为小信号分为小信号MOSFETMOSFET和功率和功率MOSFET MOSFET MOSFETMOSFET分类分类第16页，此课件共30页哦v “MOSFET”“MOSFET”是英文是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor
14、 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，的缩写，译成中文是译成中文是“金属氧化物半导体场效应管金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物。它是由金属、氧化物(SiO(SiO2 2 或或 SiN)SiN)及半导体三种材料制成的器件。按沟道半导体材料的不同，及半导体三种材料制成的器件。按沟道半导体材料的不同，MOSFET MOSFET 分为分为N N沟道沟道(N-(N-ChannelChannel，电压极性为正，电压极性为正)和和P P沟道沟道(P-Channel(P-Channel，电压极性为负，电压极性为负)两种。按导电方式
15、来划分，两种。按导电方式来划分，又可分成耗尽型与增强型。耗尽型与增强型主要区别是当又可分成耗尽型与增强型。耗尽型与增强型主要区别是当V VGSGS=0=0时，耗尽型时，耗尽型I ID D00，增增强型强型I ID D=0=0。我们现在常见的是增强型。我们现在常见的是增强型。N-Channel漏极源极栅极P-Channel源极漏极栅极MOSFET第17页，此课件共30页哦vMOSFETMOSFET的放大原理：的放大原理：MOSFETMOSFET的放大原理同三极管的放大原理类似，所不同的是，的放大原理同三极管的放大原理类似，所不同的是，MOSFETMOSFET是电压控制型器件，靠栅是电压控制型器件
16、，靠栅-源的电压源的电压V VGSGS变化来控制漏极电流变化来控制漏极电流I ID D的变化；三极管是的变化；三极管是电流控制型器件，靠基极电流电流控制型器件，靠基极电流I IB B的变化来控制集电极电流的变化来控制集电极电流I IC C的变化。通过这种效应，我的变化。通过这种效应，我们可以在栅们可以在栅-源极加入微弱的信号，通过源极加入微弱的信号，通过V VGSGS控制控制I ID D加强信号，从而实现信号的放大。加强信号，从而实现信号的放大。IDVGS漏极源极栅-源极MOSFET放大原理示意图：我们可以简单形象的理解为，放大原理示意图：我们可以简单形象的理解为，当当VGS变化时，推动闸门前
17、进或后退，从而控制变化时，推动闸门前进或后退，从而控制ID的大小。的大小。MOSFET第18页，此课件共30页哦vV V(BR)DSS(BR)DSS（Drain-Source Breakdown Voltage)Drain-Source Breakdown Voltage)：漏源击穿电压。是指栅源电压：漏源击穿电压。是指栅源电压 V VGSGS为为0 0时，场效应管时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V V(BR)DSS(BR)DSS。它具有正温度特性。故
18、应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。vI ID D(Continuous Drain Current)(Continuous Drain Current)：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过最大电流。场效应管的工作电流不应超过 I ID D。此参数会随结温度的上升而有所减额。此参数会随结温度的上升而有所减额。vP PD D(Maximum Power Dissipation)(Maximum Power Dissip
19、ation)：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于P PD D并留有一定余量。此参数一般会随结温并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。度的上升而有所减额。vR RDS(on)DS(on)(Drain-Source On-State Resistance)Drain-Source On-State Resistance)：在特定的：在特定的 V VGSGS（一般（一般10V10V）、结温及漏极电流）、结温及漏极电流的条件下，的条
20、件下，MOSFETMOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFETMOSFET导通时的消耗功率。导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。vV VGS(th)GS(th)(Gate Threshold Voltage)(Gate Threshold Voltage)：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压
21、V VGSGS 超过超过 V VGS(th)GS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。MOSFET第19页，此课件共30页哦产品列表（一）产品列表（一）小信号小信号MOSFETMOSFET第20页，此课件共30页哦产品列表（二）产品列表（二）低压低压MOSFETMOSFET第21页，此课件共30页哦Lithium Ion Battery PackTSSOP8 Battery Charging TSOP6 or SOT23LOAD Switch FLP8“Plug
22、-in”Accessories SwitchDC/DC Converter FLP8 Li Ion Battery Charger&Protection TSSOP8“Connectivity”(USB“On The Go”,MMC etc.)-TSOP6 or SOT23Lens Motor TSOP6 N&PLoad Switching-SOT23 or TSOP6“Plug-in”Accessories Switch TSOP6 or SOT23Lithium Ion Battery Pack TSSOP8 Battery Charging TSOP6 or SOT23PA/LOAD S
23、witch TSOP6 or SOT23White LED Drive TSOP6 or SOT23 LCD Display TSOP6Li Ion Battery Charger&ProtectionTSSOP8“Connectivity”(USB“On The Go”,MMC etc.)-TSOP6 or SOT23Lens&Tape Motor TSOP6 N&PLoad Switching-SOT23 or TSOP6小信号/低压MOSFETPeripheral Load Switching TSOP6 or SOT23Synchronous Rectifiers-FLP8MOSFET
24、第22页，此课件共30页哦MOSFETMOSFET的应用举例（一）的应用举例（一）LCD LCD 显示器（小信号显示器（小信号MOSFETMOSFET）AC/DC 控制器控制器DC/DC 控制器控制器图腾柱柱驱动电路路MOSFET第23页，此课件共30页哦MOSFETMOSFET的应用举例（二）的应用举例（二）掌上设备的负荷开关（低压掌上设备的负荷开关（低压MOSFETMOSFET）Part Num.TypeBVDSSIDPackageLP2301LT1GSingle P-20V-2.4ASOT-23Power SourceTo LoadLogic SignalVon/offP-CHMOS-F
25、ETN-CH S-MOSorNPN S-TR P沟沟道道MOSFET RDS(ON)低至低至 40 m 40 m 可以直接用可以直接用MCU信信号号控制控制负荷荷开关开关MOSFET第24页，此课件共30页哦电压基准电压基准431 432431 432系列系列1、型号、型号(Part Number)：LR431*<L431*LR432*<L432*2、封装、封装(Package)：TO-92,SOT-233、应用、应用(Applications)：充电器充电器,家庭影院、音响设备、电脑、家庭影院、音响设备、电脑、DVD、LCD显器、显器、LCD TV、HD TV第25页，此课件共30页哦内部结构及电路符号内部结构及电路符号TO-92SOT-23电压基准电压基准431 432431 432系列系列第26页，此课件共30页哦 应用电路应用电路VO=VREF*(1+R1/R2)电压基准电压基准431 432431 432系列系列第27页，此课件共30页哦产品列表产品列表电压基准电压基准431 432431 432系列系列第28页，此课件共30页哦电压基准电压基准应用于各种电器电源部分应用于各种电器电源部分电压基准电压基准431 432431 432系列系列第29页，此课件共30页哦 第30页，此课件共30页哦