贺州碳化硅器件项目商业计划书范文.docx

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1、泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书贺州碳化硅器件项目贺州碳化硅器件项目商业计划书商业计划书xxxxxx(集团)有限公司(集团)有限公司泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书目录目录第一章第一章 项目概况项目概况.9一、项目名称及投资人.9二、项目建设背景.9三、结论分析.10主要经济指标一览表.12第二章第二章 行业、市场分析行业、市场分析.14一、SiC 器件与传统产品价差持续收窄,具备经济效益指日可待.14二、光伏:SiC 光伏逆变器性能提升显著,广泛应用未来可期.15三、射频:5G 推动 GaN-on-SiC 需求提升.15第三章第三章 公司基本情况公司基本情况.17一、公司基本信息

2、.17二、公司简介.17三、公司竞争优势.18四、公司主要财务数据.19公司合并资产负债表主要数据.19公司合并利润表主要数据.19五、核心人员介绍.20六、经营宗旨.22七、公司发展规划.22第四章第四章 背景、必要性分析背景、必要性分析.27一、新能源汽车:800V 架构下的甜蜜时刻,SiC 渗透的核心驱动力.27泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书二、主逆变器:800V 系统下 SiCMOSFET 大显身手,降低主逆变器损耗及体积.28三、OBC:SiC 助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低.29四、大力实施产业发展“千百十”工程.30五、创新谋划实施重大事项和重大项目.31第五章第

3、五章 运营模式分析运营模式分析.32一、公司经营宗旨.32二、公司的目标、主要职责.32三、各部门职责及权限.33四、财务会计制度.36第六章第六章 法人治理法人治理.43一、股东权利及义务.43二、董事.50三、高级管理人员.55四、监事.57第七章第七章 发展规划发展规划.60一、公司发展规划.60二、保障措施.64第八章第八章 创新驱动创新驱动.67一、企业技术研发分析.67二、项目技术工艺分析.69三、质量管理.70泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书四、创新发展总结.71第九章第九章 SWOT 分析说明分析说明.72一、优势分析(S).72二、劣势分析(W).73三、机会分析(O)

4、.74四、威胁分析(T).74第十章第十章 项目风险防范分析项目风险防范分析.78一、项目风险分析.78二、项目风险对策.81第十一章第十一章 进度实施计划进度实施计划.82一、项目进度安排.82项目实施进度计划一览表.82二、项目实施保障措施.83第十二章第十二章 产品规划方案产品规划方案.84一、建设规模及主要建设内容.84二、产品规划方案及生产纲领.84产品规划方案一览表.84第十三章第十三章 建筑工程说明建筑工程说明.87一、项目工程设计总体要求.87二、建设方案.89三、建筑工程建设指标.90泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书建筑工程投资一览表.91第十四章第十四章 项目投资计划

5、项目投资计划.93一、投资估算的依据和说明.93二、建设投资估算.94建设投资估算表.98三、建设期利息.98建设期利息估算表.98固定资产投资估算表.100四、流动资金.100流动资金估算表.101五、项目总投资.102总投资及构成一览表.102六、资金筹措与投资计划.103项目投资计划与资金筹措一览表.103第十五章第十五章 经济效益评价经济效益评价.105一、基本假设及基础参数选取.105二、经济评价财务测算.105营业收入、税金及附加和增值税估算表.105综合总成本费用估算表.107利润及利润分配表.109三、项目盈利能力分析.110项目投资现金流量表.111四、财务生存能力分析.11

6、3泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书五、偿债能力分析.113借款还本付息计划表.114六、经济评价结论.115第十六章第十六章 项目总结项目总结.116第十七章第十七章 附表附表.118建设投资估算表.118建设期利息估算表.118固定资产投资估算表.119流动资金估算表.120总投资及构成一览表.121项目投资计划与资金筹措一览表.122营业收入、税金及附加和增值税估算表.123综合总成本费用估算表.124固定资产折旧费估算表.125无形资产和其他资产摊销估算表.126利润及利润分配表.126项目投资现金流量表.127报告说明报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资 19349.25 万元,

7、其中:建设投资15148.97 万元,占项目总投资的 78.29%;建设期利息 301.19 万元,泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书占项目总投资的 1.56%;流动资金 3899.09 万元,占项目总投资的20.15%。项目正常运营每年营业收入 33400.00 万元,综合总成本费用26297.97 万元,净利润 5197.87 万元,财务内部收益率 19.60%,财务净现值 5807.99 万元,全部投资回收期 6.10 年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。相比于 Si,SiC 衬底和外延为制造产业链核心环节,合计价值量占比超 60%。在传统硅基器件制

8、造过程中,需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤,从而产生更高附加值。SiC 材料则仅用于分立器件制造,其前端工艺难度不大,而衬底和外延需在高温、高压环境中生成,生长速度缓慢,为关键技术难点,占据产业链主要价值量。据 CASAResearch 数据显示,在传统硅基器件中,硅片前道处理附加价值量达到 80%,衬底和外延环节仅占11%;而在碳化硅器件的成本构成中,衬底和外延占比分别为 50%和25%,合计达到 75%,为产业链中价值量最高环节。此外,衬底和外延质量对器件性能优劣起至关重要作用,提升其良率为碳化硅器件制备主要攻克目标。泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业

9、计划书本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书第一章第一章 项目概况项目概况一、项目名称及投资人项目名称及投资人(一)项目名称(一)项目名称贺州碳化硅器件项目(二)项目投资人(二)项目投资人xxx(集团)有限公司(三)建设地点(三)建设地点本期项目选址位于 xx(以选址意见书为准)。二、项目建设背景项目建设背景碳化硅衬底应用逐步成熟,主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录(2021

10、 年版),碳化硅衬底可分为两类,一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,经 GaN 外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”,去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率(电阻率 1530mcm)的导电型碳化硅衬底,经 SiC 外延生长可进一步制成 SiC 二极管、SiCMOSFET 等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标,在 PVT 法下,相较半绝缘型衬底其生产泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书难度更低,但在生产过程中,电阻率易发生分布不均情况,仍需更好扩径及掺杂控制技术。三、结论分析结论分析(一)

11、项目选址(一)项目选址本期项目选址位于 xx(以选址意见书为准),占地面积约 37.00亩。(二)建设规模与产品方案(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产 xxx 吨碳化硅器件的生产能力。(三)项目实施进度(三)项目实施进度本期项目建设期限规划 24 个月。(四)投资估算(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资 19349.25 万元,其中:建设投资 15148.97万元,占项目总投资的 78.29%;建设期利息 301.19 万元,占项目总投资的 1.56%;流动资金 3899.09 万元,占项目总投资的 20.15%。(五)资

12、金筹措(五)资金筹措项目总投资 19349.25 万元,根据资金筹措方案,xxx(集团)有限公司计划自筹资金(资本金)13202.54 万元。泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额 6146.71 万元。(六)经济评价(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):33400.00 万元。2、年综合总成本费用(TC):26297.97 万元。3、项目达产年净利润(NP):5197.87 万元。4、财务内部收益率(FIRR):19.60%。5、全部投资回收期(Pt):6.10 年(含建设期 24 个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):12438.

13、32 万元(产值)。(七)社会效益(七)社会效益该项目符合国家有关政策,建设有着较好的社会效益,建设单位为此做了大量工作,建议各有关部门给予大力支持,使其早日建成发挥效益。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标(八)主要经济技术指标泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号序号项目项目单位单位指标指标备注备注1占地面积24667.00约 37.00 亩1.1总建筑面积47304

14、.141.2基底面积15046.871.3投资强度万元/亩394.092总投资万元19349.252.1建设投资万元15148.972.1.1工程费用万元12920.662.1.2其他费用万元1799.672.1.3预备费万元428.642.2建设期利息万元301.192.3流动资金万元3899.093资金筹措万元19349.253.1自筹资金万元13202.543.2银行贷款万元6146.714营业收入万元33400.00正常运营年份5总成本费用万元26297.97泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书6利润总额万元6930.507净利润万元5197.878所得税万元1732.639增值税万

15、元1429.3910税金及附加万元171.5311纳税总额万元3333.5512工业增加值万元11101.7213盈亏平衡点万元12438.32产值14回收期年6.1015内部收益率19.60%所得税后16财务净现值万元5807.99所得税后泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书第二章第二章 行业、市场分析行业、市场分析一、SiC 器件与传统产品价差持续收窄,具备经济效益指日可待器件与传统产品价差持续收窄,具备经济效益指日可待SiC 器件价格持续下降,与硅基器件价差已缩小至 2-3 倍。SiCSBD方面,根据 Mouser 数据显示,公开报价方面,650V 的 SiCSBD2020 年底与 S

16、i 器件的价差在 3.8 倍左右;1200V 的 SiCSBD 的平均价与 Si 器件的差距在 4.5 倍左右。根据 CASAResearch,实际成交价低于公开报价。2020 年,650V 的 SiCSBD 的实际成交价格约 0.7 元/A;1200V 的SiCSBD 价格约 1.2 元/A,较上年下降了 20%-30%,实际成交价与 Si 器件价差已经缩小至 2-2.5 倍之间。SiCMOSFET 实际成交价格方面,根据CASAResearch,650V 的 SiCMOSFET 价格 0.9 元/A;1200V 的 SiCMOSFET价格 1.4 元/A,较 2019 年下降幅度达 30%

17、-40%,与 Si 器件价差也缩小至 2.5-3 倍之间,基本达到甜蜜点,将加速 SiCMOS 器件的市场渗透。综上,目前 SiCMOSFET 单价约为 IGBT 单价的 3-4 倍,目前主逆变器中的 IGBT 成本约为 1500 元,若全部替换为 SiCMOSFET,考虑到器件节约,成本将增加 3000-4000 元左右。以当前成本来看,根据宁德时代、松下、LG 新能源等的电池成本数据,电动车动力电池度电单价约为 750 元,到 2025 年有望降至 560 元;根据特斯拉、小鹏等在售车型的电池容量,当前电动车平均电池容量约为 55kwh,在百公里电耗逐步下降及续航里程不变的情况下,到 20

18、25 年平均电池容量有望降至泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书43kwh,则 2022/2025E 电池包的价格为 41250/24000 元。根据丰田的实验数据,采用全碳化硅模块可使续航里程提升 5-10%,假设这将节约电池成本 5-10%。根据测算,若仅考虑电池成本节约,当 SiCMOSFET 成本下降到 IGBT 器件成本的 2 倍左右时,将具备经济效益。若考虑使用SiC 带来的冷却系统节约、外围器件节约、整体空间节约等,当SiCMOSFET 成本下降到 IGBT 成本的 2-2.5 倍时采用 SiC 方案就将具备经济效益。二、光伏:光伏:SiC 光伏逆变器性能提升显著,广泛应用未来

19、可期光伏逆变器性能提升显著,广泛应用未来可期基于硅基器件的传统逆变器成本约占光伏发电系统 10%,却是系统能量损耗的主要来源之一。使用 SiCMOSFET 功率模块的光伏逆变器,其转换效率可从 98.8%提升至 99%以上,能量损耗降低 8%,相同条件下输出功率提升 27%,推动发电系统在体积、寿命及成本上实现重要突破。英飞凌最早于 2012 年推出 CoolSiC 系列产品应用于光伏逆变器,2020 年以来,西门子、安森美等众多厂商陆续推出相关产品,碳化硅光伏逆变器应用进一步推广。据 CASA 数据,2020 年光伏逆变器中碳化硅器件渗透率为 10%,预计 2025 年将增长至 50%。高效

20、、高功率密度、高可靠和低成本为光伏逆变器未来发展趋势,SiC 器件有望迎来广阔增量空间。三、射频:射频:5G 推动推动 GaN-on-SiC 需求提升需求提升泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书5G 发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长,市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数,5G 通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势,在功率放大器上的应用可满足5G 通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前 5G 新建基站仍使用LDMOS 功率放大器,但随 5

21、G 技术进一步发展,MIMO 基站建立需使用氮化镓功率放大器,氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续提升。据 Yole 和 Wolfspeed 预测,2024 年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破 20 亿美元,2027 年进一步增长至 35 亿美元。根据预测,受益 5G 通讯快速发展,通讯频段向高频迁移,基站和通信设备需要支持高频性能的 PA,碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基 LDMOS 和 GaAs 的优势将逐步凸显,2020 年全球碳化硅射频器件市场规模为 8.92 亿美元,预计到 2025 年将增长至 21.21 亿美元,对应 CAGR 为 18.9%,和 Yole和 Wolfspee

22、d 预测基本一致。泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书第三章第三章 公司基本情况公司基本情况一、公司基本信息公司基本信息1、公司名称:xxx(集团)有限公司2、法定代表人:叶 xx3、注册资本:1130 万元4、统一社会信用代码:xxxxxxxxxxxxx5、登记机关:xxx 市场监督管理局6、成立日期:2013-3-177、营业期限:2013-3-17 至无固定期限8、注册地址:xx 市 xx 区 xx9、经营范围:从事碳化硅器件相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)

23、二、公司简介公司简介未来,在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时,公司以“和谐发展”为目标,践行社会责任,秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任,服务全国。泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。三、公司竞争优势公司竞争优势(一)公司具有技术研发优势,创新能力突出公司在研发方面投入较高,持续进行研究开发与技术成果转化,形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外,公司目前主要生产线为使用自有技术

24、开发而成。(二)公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成,与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍,为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。(三)公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务,树立了良好的品牌形象,获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系,对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书更为深刻,有利于研发生产更符合市场需求产品,提高公司的核

25、心竞争力。(四)公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕,已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势;同时随着行业的深度整合,行业集中度提升,下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定,在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、公司主要财务数据公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据公司合并资产负债表主要数据项目项目20202020 年年 1212 月月20192019 年年 1212 月月20182018 年年 1212 月月资产总额8550.876840.706413.15负债总额2769.932215.942077.

26、45股东权益合计5780.944624.754335.70公司合并利润表主要数据公司合并利润表主要数据项目项目20202020 年度年度20192019 年度年度20182018 年度年度营业收入23871.6919097.3517903.77泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书营业利润4118.433294.743088.82利润总额3512.022809.622634.01净利润2634.012054.531896.49归属于母公司所有者的净利润2634.012054.531896.49五、核心人员介绍核心人员介绍1、叶 xx,中国国籍,无永久境外居留权,1970 年出生,硕士研究生学历

27、。2012 年 4 月至今任 xxx 有限公司监事。2018 年 8 月至今任公司独立董事。2、姜 xx,中国国籍,无永久境外居留权,1958 年出生,本科学历,高级经济师职称。1994 年 6 月至 2002 年 6 月任 xxx 有限公司董事长;2002 年 6 月至 2011 年 4 月任 xxx 有限责任公司董事长;2016 年11 月至今任 xxx 有限公司董事、经理;2019 年 3 月至今任公司董事。3、陈 xx,1957 年出生,大专学历。1994 年 5 月至 2002 年 6 月就职于 xxx 有限公司;2002 年 6 月至 2011 年 4 月任 xxx 有限责任公司董

28、事。2018 年 3 月至今任公司董事。泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书4、雷 xx,中国国籍,无永久境外居留权,1961 年出生,本科学历,高级工程师。2002 年 11 月至今任 xxx 总经理。2017 年 8 月至今任公司独立董事。5、覃 xx,中国国籍,无永久境外居留权,1971 年出生,本科学历,中级会计师职称。2002 年 6 月至 2011 年 4 月任 xxx 有限责任公司董事。2003 年 11 月至 2011 年 3 月任 xxx 有限责任公司财务经理。2017 年 3 月至今任公司董事、副总经理、财务总监。6、钟 xx,中国国籍,1976 年出生,本科学历。200

29、3 年 5 月至2011 年 9 月任 xxx 有限责任公司执行董事、总经理;2003 年 11 月至2011 年 3 月任 xxx 有限责任公司执行董事、总经理;2004 年 4 月至2011 年 9 月任 xxx 有限责任公司执行董事、总经理。2018 年 3 月起至今任公司董事长、总经理。7、赵 xx,中国国籍,无永久境外居留权,1959 年出生,大专学历,高级工程师职称。2003 年 2 月至 2004 年 7 月在 xxx 股份有限公司兼任技术顾问;2004 年 8 月至 2011 年 3 月任 xxx 有限责任公司总工程师。2018 年 3 月至今任公司董事、副总经理、总工程师。8

30、、廖 xx,中国国籍,1978 年出生,本科学历,中国注册会计师。2015 年 9 月至今任 xxx 有限公司董事、2015 年 9 月至今任 xxx 有限公司董事。2019 年 1 月至今任公司独立董事。泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书六、经营宗旨经营宗旨自主创新,诚实守信,让世界分享中国创造的魅力。七、公司发展规划公司发展规划(一)公司未来发展战略公司秉承“不断超越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念,贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心价值观,为客户提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务,致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进

31、一步巩固公司在相关领域的领先地位,扩大市场份额;另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展方向进一步拓展公司产品类别,加大研发推广力度,进一步提升公司综合实力以及市场地位。(二)扩产计划经过多年的发展,公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势,随着公司业务规模逐年增长,产能瓶颈日益显现。因此,产能提升计划是实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持续发展及逐渐向中国转移为依托,提高公司生产能力和生产效率,满足不断增长的客户需求,巩固并扩大公司在行业中的竞争优势,提高市场占有率和公司影响力。泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书在产品拓展方面,公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时,

32、不断丰富产品类型,持续提升产品质量和附加值,保持公司产品在行业中的竞争地位。(三)技术研发计划公司未来将继续加大技术开发和自主创新力度,在现有技术研发资源的基础上完善技术中心功能,规范技术研究和产品开发流程,引进先进的设计、测试等软硬件设备,提高公司技术成果转化能力和产品开发效率,提升公司新产品开发能力和技术竞争实力,为公司的持续稳定发展提供源源不断的技术动力。公司将本着中长期规划和近期目标相结合、前瞻性技术研究和产品应用开发相结合的原则,以研发中心为平台,以市场为导向,进行技术开发和产品创新,健全和完善技术创新机制,从人、财、物和管理机制等方面确保公司的持续创新能力,努力实现公司新技术、新产

33、品、新工艺的持续开发。(四)技术研发计划公司将以新建研发中心为契机,在对现有产品的技术和工艺进行持续改进、提高公司的研发设计能力、满足客户对产品差异化需求的同时,顺应行业技术发展,不断研发新工艺、新技术,不断提升产品自动化程度,在充分满足下游领域对产品质量要求不断提高的同时,泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书强化公司自主创新能力,巩固公司技术的行业先进地位,强化公司的综合竞争实力。积极实施知识产权保护自主创新、自主知识产权和自主品牌是公司今后持续发展的关键。自主知识产权是自主创新的保障,公司未来三年将重点关注专利的保护,依靠自主创新技术和自主知识产权,提高盈利水平。公司计划在未来三年内大量

34、引进或培养技术研发、技术管理等专业人才,以培养技术骨干为重点建设内容,建立一支高、中、初级专业技术人才合理搭配的人才队伍,满足公司快速发展对人才的需要。公司将采用各种形式吸引优秀的科技人员。包括:提高技术人才的待遇;通过与高校、科研机构联合,实行对口培训等形式,强化技术人员知识更新;积极拓宽人才引进渠道,实行就地取才、内部挖掘和面向社会广揽人才相结合。确保公司产品的高技术含量,充分满足客户的需求,使公司在激烈的市场竞争中立于不败之地。公司将加强与高等院校、研发机构的合作与交流,整合产、学、研资源优势,通过自主研发与合作开发并举的方式,持续提升公司技术研发水平,提升公司对重大项目的攻克能力,提高

35、自身研发技术水平,进一步强化公司在行业内的影响力。(五)市场开发规划泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书公司根据自身技术特点与销售经验,制定了如下市场开发规划:首先,公司将以现有客户为基础,在努力提升产品质量的同时,以客户需求为导向,在各个方面深入了解客户需求,以求充分满足客户的差异化需求,从而不断增加现有客户订单;其次,公司将在稳定与现有客户合作关系的同时,凭借公司成熟的业务能力及优质的产品质量逐步向新的客户群体拓展,挖掘新的销售市场;最后,公司将不断完善营销网络建设,提升公司售后服务能力,从而提升公司整体服务水平,实现整体业务的协同及平衡发展。(六)人才发展规划人才是公司发展的核心资源,

36、为了实现公司总体战略目标,公司将健全人力资源管理体系,制定科学的人力资源开发计划,进一步建立完善的培训、薪酬、绩效和激励机制,最大限度的发挥人才潜力,为公司的可持续发展提供人才保障。公司将立足于未来发展需要,进一步加快人才引进。通过专业化的人力资源服务和评估机制,满足公司的发展需要。一方面,公司将根据不同部门职能,有针对性的招聘专业化人才:管理方面,公司将建立规范化的内部控制体系,根据需要招聘行业内专业的管理人才,提升公司整体管理水平;技术方面,公司将引进行业内优秀人才,提升公司的技术创新能力,增加公司核心技术储备,并加速成果转化,泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书确保公司技术水平的领先地

37、位。另一方面,公司将建立人才梯队,以培养管理和技术骨干为重点,有计划地吸纳各类专业人才进入公司,形成高、中、初级人才的塔式人才结构,为公司的长远发展储备力量。培训是企业人力资源整合的重要途径,未来公司将强化现有培训体系的建设,建立和完善培训制度,针对不同岗位的员工制定科学的培训计划,并根据公司的发展要求及员工的发展意愿,制定员工的职业生涯规划。公司将采用内部交流课程、外聘专家授课及先进企业考察等多种培训方式提高员工技能。人才培训的强化将大幅提升员工的整体素质,使员工队伍进一步适应公司的快速发展步伐。公司将制定具有市场竞争力的薪酬结构,制定和实施有利于人才成长和潜力挖掘的激励政策。根据员工的服务

38、年限及贡献,逐步提高员工待遇,激发员工的创造性和主动性,为员工提供广阔的发展空间,全力打造团结协作、拼搏进取、敬业爱岗、开拓创新的员工队伍,从而有效提高公司凝聚力和市场竞争力。泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书第四章第四章 背景、必要性分析背景、必要性分析一、新能源汽车:新能源汽车:800V 架构下的甜蜜时刻,架构下的甜蜜时刻,SiC 渗透的核心驱动力渗透的核心驱动力SiC 功率器件主要包括 SBD、JFET、MOSFET 和模块,在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期,主要器件类型为 SiC 二极管,以及在高端车系应用,目前渗透率较低。未来随

39、着:1)特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”,更多车企将会逐步采用 SiC 方案;2)碳化硅器件价格逐步下降,成本经济效益不断提升;3)800V 架构时代来临,SiC 在高压下较 IGBT 性能优势更为明显,损耗降低幅度更大。SiC 在新能源车主逆变器及 OBC 中渗透率将快速提升。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018 年,特斯拉 Model3 率先使用由意法半导体提供的 SiCMOSFET,开启电动汽车使用 SiC 先河,随后比亚迪、保时捷、丰田等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中,在 2020 年比亚迪汉搭载自主研发制造的SiCMOSFET 控制模块,

40、整体加速性能及续航能力均得到显著提升。2021年,碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速增长阶段,国内外众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告信息,在未来几年,小鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的厂商将在其新车型中使用 SiC 器泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书件,新能源汽车中应用 SiC 器件以提升性能、实现轻量化为大势所趋。二、主逆变器:主逆变器:800V 系统下系统下 SiCMOSFET 大显身手,降低主逆变大显身手,降低主逆变器损耗及体积器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用 SiCMOSFET 方案替代 IGBT 方案,如特斯拉 Model3、比亚迪汉高性能版等。Mod

41、el3 共用到 48 颗意法半导体的 SiCMOSFET,如果仍采用 ModelX 的英飞凌的 IGBT,则需要54-60 颗。即使成本上升 370 美金左右(按照艾睿供应商网站价格计算,实际大批量采购价格更低),但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择 SiC 方案。800V 架构下 SiCMOSFET 在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素,会率先在中高端车型上使用。1)损耗更低:根据 ST 的数据,800V 系统下,1200VSiCMOSFET 较IGBT 总损耗更低,在常用的 25%负载下,SiCMOSFET 损耗最多低于IGBT80%,在 100%负载下,SiC

42、MOSFET 损耗最多低于 IGBT60%。2)高压下性能优势更加明显:在 400V 左右的直流母线电压下,需要最大工作电压在 650V 左右的 IGBT 模块或单管。在 800V 的系统电压下,功率器件耐压需要提高到 1200V 以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了 1200V 的车规级 IGBT,但对比之下,SiC 器泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书件在高压下性能更好。根据 ST 的数据,在 400V 电压平台下,SiCMOSFET 能够比 IGBT 器件拥有 2-4%的效率提升;而在 750V 电压平台下其提升幅度则可增大至 3.5-8%。对比市场上的领先 SiCMOSF

43、ET 和IGBT 器件参数可知,1200VSiC 产品优势较 650V 产品优势更加明显,主要体现为损耗降低幅度更大。3)耐高温:SiC 的结温更高,能够在超过 175 度的高温下正常工作,较 IGBT 更加适合高温环境。4)体积节约:根据 ST,在 10kHz 工作频率和 800V 架构的情况下,对于一个 210kW 的逆变器,若采用全 SiCMOSFET 方案替代原先IGBT 及二极管方案:1)使用总功率器件体积可从 600mm2 缩小 5 倍至120mm2;2)开关损耗和总损耗分别缩小为原来的 3.9/1.9 倍。3)损耗的降低使得 PCU(电源控制单元)的尺寸得以减少,相对应的冷却系统

44、体积也将得以简化。三、OBC:SiC 助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC 典型电路结构由前级 PFC 电路和后级 DC/DC 输出电路两部分组成。二极管和开关管(IGBT、MOSFET 等)是 OBC 中主要应用的功率器件,采用 SiC 替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC 中采用 SiC 二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC 的前级PFC 电路和后级 DC/DC 输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1)影泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书响二极管损耗的指标包括正向导通压降(VF)、反向恢复电流(IR)、输入电容(QC)和

45、开通关断速度等。相比于硅基 SBD,SiCSBD的最大优势在于 IR 可以忽略不计,使得反向恢复损耗极低,在 PFC 电路使用 SiCSBD 可有效提升 PFC 电路效率。同时,QC、VF 两个主要参数相比硅基二极管也具有优势,在后级输出电路中使用 SiCSBD 可以进一步提升输出整流的效率。同时,由于 SiC 材料的优势,SiC 二极管的结温更高,其可在更高温度下保持正常工作状态,在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外,SiC 二极管可实现更高频率及功率密度,从而提升系统整体效率。全 SiCMOSFET 方案降低 OBC 系统尺寸、重量和成本,同时提高运行效率。根据 Wolfspeed 的研

46、究,采用全 SiCMOSFET 方案的 22kW 双向OBC,可较 Si 方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少 30%以上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC 系统在 3kW/L 的功率密度下可实现 97%的峰值系统效率,而 SiOBC 仅可在2kW/L 的功率密度下实现 95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC 器件的性能可减少 DC/DC 模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个 Si 基二极管和功率晶体管,SiC 基功率器件的成本更高,但整体全 SiC 方案的 OBC 成本可节约 15%左右。四、大力实施产业发展大力实施产业发展“千百十千

47、百十”工程工程泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书坚持把园区作为建设广西东融先行示范区的主战场,积极探索多种方式结合的园区发展模式,加快完善园区基础设施以及配套公共服务设施,深化产城融合,统筹谋划园区产业链条布局,引导全产业链集聚,切实提升园区集聚力,打造旺高工业区、东融产业园、黄金珠宝产业园等超千亿元产业园区。开展专项企业培育行动,支持龙头企业做大做强,大力培育一批百亿级龙头企业。聚焦供应链生态体系建设,打造一批十亿级供应链平台。五、创新谋划实施重大事项和重大项目创新谋划实施重大事项和重大项目聚焦中央和自治区的重大战略部署,把创新谋划实施重大事项、重大项目作为推动经济社会发展的重大支撑和编

48、制“十四五”规划纲要重中之重去扎实推进。重点推进广西东融先行示范区、产业发展“千百十”工程、粤桂画廊、广西东融职业教育城、中国温泉之都、优化营商环境等一批重大事项。全力争取国家部委和自治区各有关方面的支持,力争更多重大项目、重大产业列入国家、自治区“十四五”规划“三个重大”盘子。全面落实厅级领导联系服务项目机制、领导联系推进重大项目责任制,实行“表格化、清单化、项目化、责任化”管理,推动重大事项、重大项目集中攻坚。建立健全“要素跟着项目走”长效机制。泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书第五章第五章 运营模式分析运营模式分析一、公司经营宗旨公司经营宗旨自主创新,诚实守信,让世界分享中国创造的魅

49、力。二、公司的目标、主要职责公司的目标、主要职责(一)目标(一)目标近期目标:深化企业改革,加快结构调整,优化资源配置,加强企业管理,建立现代企业制度;精干主业,分离辅业,增强企业市场竞争力,加快发展;提高企业经济效益,完善管理制度及运营网络。远期目标:探索模式创新、制度创新、管理创新的产业发展新思路。坚持发展自主品牌,提升企业核心竞争力。此外,面向国际、国内两个市场,优化资源配置,实施多元化战略,向产业集团化发展,力争利用 3-5 年的时间把公司建设成具有先进管理水平和较强市场竞争实力的大型企业集团。(二)主要职责(二)主要职责1、执行国家法律、法规和产业政策,在国家宏观调控和行业监管下,以

50、市场需求为导向,依法自主经营。泓域咨询/贺州碳化硅器件项目商业计划书2、根据国家和地方产业政策、碳化硅器件行业发展规划和市场需求,制定并组织实施公司的发展战略、中长期发展规划、年度计划和重大经营决策。3、根据国家法律、法规和碳化硅器件行业有关政策,优化配置经营要素,组织实施重大投资活动,对投入产出效果负责,增强市场竞争力,促进区域内碳化硅器件行业持续、快速、健康发展。4、深化企业改革,加快结构调整,转换企业经营机制,建立现代企业制度,强化内部管理,促进企业可持续发展。5、指导和加强企业思想政治工作和精神文明建设,统一管理公司的名称、商标、商誉等无形资产,搞好公司企业文化建设。6、在保证股东企业

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