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1、泓域咨询/济南碳化硅项目建议书济南碳化硅项目济南碳化硅项目建议书建议书xxxx（集团）有限公司（集团）有限公司泓域咨询/济南碳化硅项目建议书目录目录第一章第一章 项目基本情况项目基本情况.8一、项目名称及项目单位.8二、项目建设地点.8三、可行性研究范围.8四、编制依据和技术原则.8五、建设背景、规模.9六、项目建设进度.11七、环境影响.11八、建设投资估算.12九、项目主要技术经济指标.12主要经济指标一览表.13十、主要结论及建议.14第二章第二章 市场分析市场分析.16一、碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求，下游应用领域广泛.16二、光伏：SiC 光伏逆变器性能提升显著，广泛应用
2、未来可期.17三、SiC 器件与传统产品价差持续收窄，具备经济效益指日可待.18第三章第三章 项目建设单位说明项目建设单位说明.20一、公司基本信息.20二、公司简介.20三、公司竞争优势.21四、公司主要财务数据.23泓域咨询/济南碳化硅项目建议书公司合并资产负债表主要数据.23公司合并利润表主要数据.23五、核心人员介绍.24六、经营宗旨.25七、公司发展规划.26第四章第四章 项目背景及必要性项目背景及必要性.31一、OBC：SiC 助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低.31二、射频：5G 推动 GaN-on-SiC 需求提升.32三、打造国内大循环的战略节点、国内国际双循环的战略枢纽
3、.33四、项目实施的必要性.35第五章第五章 项目选址方案项目选址方案.37一、项目选址原则.37二、建设区基本情况.37三、全面塑造强省会高质量发展新优势.40四、形成“东强西兴南美北起中优”城市发展新格局.44五、项目选址综合评价.49第六章第六章 建筑工程方案分析建筑工程方案分析.50一、项目工程设计总体要求.50二、建设方案.51三、建筑工程建设指标.52建筑工程投资一览表.52第七章第七章 运营管理运营管理.54泓域咨询/济南碳化硅项目建议书一、公司经营宗旨.54二、公司的目标、主要职责.54三、各部门职责及权限.55四、财务会计制度.58第八章第八章 SWOT 分析说明分析说明.6
4、2一、优势分析（S）.62二、劣势分析（W）.64三、机会分析（O）.64四、威胁分析（T）.66第九章第九章 发展规划分析发展规划分析.72一、公司发展规划.72二、保障措施.76第十章第十章 人力资源分析人力资源分析.79一、人力资源配置.79劳动定员一览表.79二、员工技能培训.79第十一章第十一章 原辅材料分析原辅材料分析.81一、项目建设期原辅材料供应情况.81二、项目运营期原辅材料供应及质量管理.81第十二章第十二章 劳动安全生产分析劳动安全生产分析.83一、编制依据.83泓域咨询/济南碳化硅项目建议书二、防范措施.84三、预期效果评价.87第十三章第十三章 项目环境保护项目环境保
5、护.89一、编制依据.89二、建设期大气环境影响分析.90三、建设期水环境影响分析.92四、建设期固体废弃物环境影响分析.93五、建设期声环境影响分析.93六、环境管理分析.94七、结论.95八、建议.95第十四章第十四章 投资估算及资金筹措投资估算及资金筹措.97一、投资估算的依据和说明.97二、建设投资估算.98建设投资估算表.100三、建设期利息.100建设期利息估算表.100四、流动资金.102流动资金估算表.102五、总投资.103总投资及构成一览表.103六、资金筹措与投资计划.104项目投资计划与资金筹措一览表.105泓域咨询/济南碳化硅项目建议书第十五章第十五章 经济效益及财务
6、分析经济效益及财务分析.106一、基本假设及基础参数选取.106二、经济评价财务测算.106营业收入、税金及附加和增值税估算表.106综合总成本费用估算表.108利润及利润分配表.110三、项目盈利能力分析.111项目投资现金流量表.112四、财务生存能力分析.114五、偿债能力分析.114借款还本付息计划表.115六、经济评价结论.116第十六章第十六章 风险评估风险评估.117一、项目风险分析.117二、项目风险对策.120第十七章第十七章 招标及投资方案招标及投资方案.122一、项目招标依据.122二、项目招标范围.122三、招标要求.123四、招标组织方式.125五、招标信息发布.12
7、7第十八章第十八章 总结分析总结分析.128泓域咨询/济南碳化硅项目建议书第十九章第十九章 补充表格补充表格.130建设投资估算表.130建设期利息估算表.130固定资产投资估算表.131流动资金估算表.132总投资及构成一览表.133项目投资计划与资金筹措一览表.134营业收入、税金及附加和增值税估算表.135综合总成本费用估算表.136固定资产折旧费估算表.137无形资产和其他资产摊销估算表.138利润及利润分配表.138项目投资现金流量表.139本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分
8、析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。泓域咨询/济南碳化硅项目建议书第一章第一章 项目基本情况项目基本情况一、项目名称及项目单位项目名称及项目单位项目名称：济南碳化硅项目项目单位：xx（集团）有限公司二、项目建设地点项目建设地点本期项目选址位于 xxx（以最终选址方案为准），占地面积约31.00 亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、可行性研究范围可行性研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安
9、全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、编制依据和技术原则编制依据和技术原则（一）编制依据（一）编制依据1、国家建设方针，政策和长远规划；2、项目建议书或项目建设单位规划方案；泓域咨询/济南碳化硅项目建议书3、可靠的自然，地理，气候，社会，经济等基础资料；4、其他必要资料。（二）技术原则（二）技术原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，
10、使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则，对项目可能产生的污染源进行综合治理，使其达到国家规定的排放标准。五、建设背景、规模建设背景、规模（一）项目背景（一）项目背景目前已有多家车企在主逆变器中采用 SiCMOSFET 方案替代 IGBT 方案，如特斯拉 Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3 共用到 48 颗意法半导体的 SiCMOSFET，如果仍采用 ModelX 的英飞凌的 IGBT，则需要泓域咨询/济南碳化硅项目
11、建议书54-60 颗。即使成本上升 370 美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择 SiC 方案。800V 架构下 SiCMOSFET 在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上 使 用。1）损 耗 更 低：根 据 ST 的 数 据，800V 系 统 下，1200VSiCMOSFET 较 IGBT 总 损 耗 更 低，在 常 用 的 25%负 载 下，SiCMOSFET 损耗最多低于 IGBT80%，在 100%负载下，SiCMOSFET 损耗最多低于 IGBT60%。2）高压下性能优势更
12、加明显：在 400V 左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在 650V 左右的 IGBT 模块或单管。在800V 的系统电压下，功率器件耐压需要提高到 1200V 以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了 1200V 的车规级 IGBT，但对比之下，SiC 器件在高压下性能更好。根据 ST 的数据，在 400V 电压平台下，SiCMOSFET 能够比 IGBT 器件拥有 2-4%的效率提升；而在 750V 电压平 台下 其提 升幅度 则可 增大至 3.5-8%。对 比市 场上 的领先SiCMOSFET 和 IGBT 器件参数可知，1200VSiC 产品优势较 650V 产品优势更加明显
13、，主要体现为损耗降低幅度更大。3）耐高温：SiC 的结温更高，能够在超过 175 度的高温下正常工作，较 IGBT 更加适合高温环境。4）体积节约：根据 ST，在 10kHz 工作频率和 800V 架构的情况下，对于一个 210kW 的逆变器，若采用全 SiCMOSFET 方案替代原先IGBT 及二极管方案：1）使用总功率器件体积可从 600mm2 缩小 5 倍至泓域咨询/济南碳化硅项目建议书120mm2；2）开关损耗和总损耗分别缩小为原来的 3.9/1.9 倍。3）损耗的降低使得 PCU（电源控制单元）的尺寸得以减少，相对应的冷却系统体积也将得以简化。（二）建设规模及产品方案（二）建设规模及
14、产品方案该项目总占地面积 20667.00（折合约 31.00 亩），预计场区规划总建筑面积 37860.28。其中：生产工程 26595.94，仓储工程4791.44，行政办公及生活服务设施 4278.06，公共工程 2194.84。项目建成后，形成年产 xx 吨碳化硅的生产能力。六、项目建设进度项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx（集团）有限公司将项目工程的建设周期确定为 12 个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、环境影响环境影响本期工程项目符合当地发展规划，选用生产工艺技术成熟可靠，符合当地产业结构调整规划和
15、国家的产业发展政策；项目建成投产后，在全面采取各项污染防治措施和加强企业环境管理的前提下，对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施，严格控制在国家规泓域咨询/济南碳化硅项目建议书定的排放标准内，所以，本期工程项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。八、建设投资估算建设投资估算（一）项目总投资构成分析（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资 15250.69 万元，其中：建设投资 12201.36万元，占项目总投资的 80.01%；建设期利息 139.62 万元，占项目总投资的 0.92%；流动资金 2909.71 万元，占项目
16、总投资的 19.08%。（二）建设投资构成（二）建设投资构成本期项目建设投资 12201.36 万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用 10671.96 万元，工程建设其他费用1252.51 万元，预备费 276.89 万元。九、项目主要技术经济指标项目主要技术经济指标（一）财务效益分析（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入 33400.00 万元，综合总成本费用 26894.38 万元，纳税总额 3151.48 万元，净利润4753.30 万元，财务内部收益率 23.82%，财务净现值 10371.67 万元，全部投资回收期 5.30 年。（二）主要
17、数据及技术指标表（二）主要数据及技术指标表泓域咨询/济南碳化硅项目建议书主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号序号项目项目单位单位指标指标备注备注1占地面积20667.00约 31.00 亩1.1总建筑面积37860.281.2基底面积12400.201.3投资强度万元/亩375.612总投资万元15250.692.1建设投资万元12201.362.1.1工程费用万元10671.962.1.2其他费用万元1252.512.1.3预备费万元276.892.2建设期利息万元139.622.3流动资金万元2909.713资金筹措万元15250.693.1自筹资金万元9551.903.2银行贷款万元
18、5698.794营业收入万元33400.00正常运营年份5总成本费用万元26894.38泓域咨询/济南碳化硅项目建议书6利润总额万元6337.737净利润万元4753.308所得税万元1584.439增值税万元1399.1610税金及附加万元167.8911纳税总额万元3151.4812工业增加值万元10599.8313盈亏平衡点万元13580.41产值14回收期年5.3015内部收益率23.82%所得税后16财务净现值万元10371.67所得税后十、主要结论及建议主要结论及建议本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及临近地区的
19、相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备，交通运输及水电供应均有充分保证，有优越的建设条件。，企业经济和社会效益较好，能实现技术进步，产业结构调整，提高经济效益的目的。项目建泓域咨询/济南碳化硅项目建议书设所采用的技术装备先进，成熟可靠，可以确保最终产品的质量要求。泓域咨询/济南碳化硅项目建议书第二章第二章 市场分析市场分析一、碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求，下游应用领域碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求，下游应用领域广泛广泛碳化硅属于第三代半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。碳化硅为第三代半导体材料典型代表，相较于硅材料等前两
20、代半导体材料，其禁带宽度更大，在击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面有显著优势。基于这些优良特性，碳化硅衬底在使用极限性能上优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求。因此，碳化硅材料制备的射频器件及功率器件可广泛应用于新能源汽车、光伏、5G 通信等领域，是半导体材料领域中具备广阔前景的材料之一。碳化硅用于制作功率及射频器件，产业链包括衬底制备、外延层生长、器件及下游应用。根据电化学性质不同，碳化硅晶体材料分为半绝缘型衬底（电阻率高于 105cm）和导电型衬底（电阻率区间1530mcm）。不同于传统硅基器件，碳化硅器件不可直接制作于衬底上，需先使用
21、化学气相沉积法在衬底表面生成所需薄膜材料，即形成外延片，再进一步制成器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成 HEMT 等微波射频器泓域咨询/济南碳化硅项目建议书件，适用于高频、高温工作环境，主要应用于 5G 通信、卫星、雷达等领域。在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅 MOSFET 等功率器件，适用于高温、高压工作环境，且损耗低，主要应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域。国内外厂商积极布局碳化硅，产业链日趋完善。以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底制备、外延层生长、器件
22、及模组制造三大环节。伴随更多厂商布局碳化硅赛道，产业链加速走向成熟。目前，碳化硅行业企业形成两种商业模式，第一种覆盖完整产业链各环节，同时从事碳化硅衬底、外延、器件及模组的制作，例如Wolfspeed、Rohm；第二种则只从事产业链的单个环节或部分环节，如-仅从事衬底及外延的制备，英飞凌则只负责器件及模组的制造。当前，国内的碳化硅生产厂商大多属于第二种商业模式，聚焦产业链部分环节。二、光伏：光伏：SiC 光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期基于硅基器件的传统逆变器成本约占光伏发电系统 10%，却是系统能量损耗的主要来源之一。使用 SiCMOSFET
23、功率模块的光伏逆变器，其转换效率可从 98.8%提升至 99%以上，能量损耗降低 8%，相同条件下输出功率提升 27%，推动发电系统在体积、寿命及成本上实现重要突泓域咨询/济南碳化硅项目建议书破。英飞凌最早于 2012 年推出 CoolSiC 系列产品应用于光伏逆变器，2020 年以来，西门子、安森美等众多厂商陆续推出相关产品，碳化硅光伏逆变器应用进一步推广。据 CASA 数据，2020 年光伏逆变器中碳化硅器件渗透率为 10%，预计 2025 年将增长至 50%。高效、高功率密度、高可靠和低成本为光伏逆变器未来发展趋势，SiC 器件有望迎来广阔增量空间。三、SiC 器件与传统产品价差持续收窄
24、，具备经济效益指日可待器件与传统产品价差持续收窄，具备经济效益指日可待SiC 器件价格持续下降，与硅基器件价差已缩小至 2-3 倍。SiCSBD方面，根据 Mouser 数据显示，公开报价方面，650V 的 SiCSBD2020 年底与 Si 器件的价差在 3.8 倍左右；1200V 的 SiCSBD 的平均价与 Si 器件的差距在 4.5 倍左右。根据 CASAResearch，实际成交价低于公开报价。2020 年，650V 的 SiCSBD 的实际成交价格约 0.7 元/A；1200V 的SiCSBD 价格约 1.2 元/A，较上年下降了 20%-30%，实际成交价与 Si 器件价差已经缩
25、小至 2-2.5 倍之间。SiCMOSFET 实际成交价格方面，根据CASAResearch，650V 的 SiCMOSFET 价格 0.9 元/A；1200V 的 SiCMOSFET价格 1.4 元/A，较 2019 年下降幅度达 30%-40%，与 Si 器件价差也缩小至 2.5-3 倍之间，基本达到甜蜜点，将加速 SiCMOS 器件的市场渗透。综上，目前 SiCMOSFET 单价约为 IGBT 单价的 3-4 倍，目前主逆变器中的 IGBT 成本约为 1500 元，若全部替换为 SiCMOSFET，考虑到器件节泓域咨询/济南碳化硅项目建议书约，成本将增加 3000-4000 元左右。以当
26、前成本来看，根据宁德时代、松下、LG 新能源等的电池成本数据，电动车动力电池度电单价约为 750 元，到 2025 年有望降至 560 元；根据特斯拉、小鹏等在售车型的电池容量，当前电动车平均电池容量约为 55kwh，在百公里电耗逐步下降及续航里程不变的情况下，到 2025 年平均电池容量有望降至43kwh，则 2022/2025E 电池包的价格为 41250/24000 元。根据丰田的实验数据，采用全碳化硅模块可使续航里程提升 5-10%，假设这将节约电池成本 5-10%。根据测算，若仅考虑电池成本节约，当 SiCMOSFET 成本下降到 IGBT 器件成本的 2 倍左右时，将具备经济效益。
27、若考虑使用SiC 带来的冷却系统节约、外围器件节约、整体空间节约等，当SiCMOSFET 成本下降到 IGBT 成本的 2-2.5 倍时采用 SiC 方案就将具备经济效益。泓域咨询/济南碳化硅项目建议书第三章第三章 项目建设单位说明项目建设单位说明一、公司基本信息公司基本信息1、公司名称：xx（集团）有限公司2、法定代表人：林 xx3、注册资本：750 万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx 市场监督管理局6、成立日期：2013-3-17、营业期限：2013-3-1 至无固定期限8、注册地址：xx 市 xx 区 xx9、经营范围：从事碳化硅相关业务（企业依法自
28、主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、公司简介公司简介公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。泓域咨询/济南碳化硅项目建议书展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。三、公司竞争优势公司竞争优势（
29、一）自主研发优势公司在各个细分领域深入研究的同时，通过整合各平台优势，构建全产品系列，并不断进行产品结构升级，顺应行业一体化、集成创新的发展趋势。通过多年积累，公司产品性能处于国内领先水平。公司多年来坚持技术创新，不断改进和优化产品性能，实现产品结构升级。公司结合国内市场客户的个性化需求，不断升级技术，充分体现了公司的持续创新能力。在不断开发新产品的过程中，公司已有多项产品均为国内领先水平。在注重新产品、新技术研发的同时，公司还十分重视自主知识产权的保护。（二）工艺和质量控制优势公司进口大量设备和检测设备，有效提高了精度、生产效率，为产品研发与确保产品质量奠定了坚实的基础。此外，公司是行业内较
30、泓域咨询/济南碳化硅项目建议书早通过 ISO9001 质量体系认证的企业之一，公司产品根据市场及客户需要通过了产品认证，表明公司产品不仅满足国内高端客户的要求，而且部分产品能够与国际标准接轨，能够跻身于国际市场竞争中。在日常生产中，公司严格按照质量体系管理要求，不断完善产品的研发、生产、检验、客户服务等流程，保证公司产品质量的稳定性。（三）产品种类齐全优势公司不仅能满足客户对标准化产品的需求，而且能根据客户的个性化要求，定制生产规格、型号不同的产品。公司齐全的产品系列，完备的产品结构，能够为客户提供一站式服务。对公司来说，实现了对具有多种产品需求客户的资源共享，拓展了销售渠道，增加了客户粘性。
31、公司产品价格与国外同类产品相比有较强性价比优势，在国内市场起到了逐步替代进口产品的作用。（四）营销网络及服务优势根据公司产品服务的特点、客户分布的地域特点，公司营销覆盖了华南、华东、华北及东北等下游客户较为集中的区域，并在欧美、日本、东南亚等国家和地区初步建立经销商网络，及时了解客户需求，为客户提供贴身服务，达到快速响应的效果。泓域咨询/济南碳化硅项目建议书公司拥有一支行业经验丰富的销售团队，在各区域配备销售人员，建立从市场调研、产品推广、客户管理、销售管理到客户服务的多维度销售网络体系。公司的服务覆盖产品服务整个生命周期，公司多名销售人员具有研发背景，可引导客户的技术需求并为其提供解决方案，
32、为客户提供及时、深入的专业技术服务与支持。公司与经销商互利共赢，结成了长期战略合作伙伴关系，公司经销网络较为稳定，有利于深耕行业和区域市场，带动经销商共同成长。四、公司主要财务数据公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据公司合并资产负债表主要数据项目项目20202020 年年 1212 月月20192019 年年 1212 月月20182018 年年 1212 月月资产总额6073.414858.734555.06负债总额2821.672257.342116.25股东权益合计3251.742601.392438.80公司合并利润表主要数据公司合并利润表主要数据项目项目20202020 年度年
33、度20192019 年度年度20182018 年度年度营业收入16683.4113346.7312512.56泓域咨询/济南碳化硅项目建议书营业利润4044.353235.483033.26利润总额3317.592654.072488.19净利润2488.191940.791791.50归属于母公司所有者的净利润2488.191940.791791.50五、核心人员介绍核心人员介绍1、林 xx，中国国籍，1978 年出生，本科学历，中国注册会计师。2015 年 9 月至今任 xxx 有限公司董事、2015 年 9 月至今任 xxx 有限公司董事。2019 年 1 月至今任公司独立董事。2、吕
34、xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971 年出生，本科学历，中级会计师职称。2002 年 6 月至 2011 年 4 月任 xxx 有限责任公司董事。2003 年 11 月至 2011 年 3 月任 xxx 有限责任公司财务经理。2017 年 3 月至今任公司董事、副总经理、财务总监。3、黄 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970 年出生，硕士研究生学历。2012 年 4 月至今任 xxx 有限公司监事。2018 年 8 月至今任公司独立董事。4、叶 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958 年出生，本科学历，高级经济师职称。1994 年 6 月至 2002 年 6 月任 xxx 有限
35、公司董事泓域咨询/济南碳化硅项目建议书长；2002 年 6 月至 2011 年 4 月任 xxx 有限责任公司董事长；2016 年11 月至今任 xxx 有限公司董事、经理；2019 年 3 月至今任公司董事。5、谭 xx，1957 年出生，大专学历。1994 年 5 月至 2002 年 6 月就职于 xxx 有限公司；2002 年 6 月至 2011 年 4 月任 xxx 有限责任公司董事。2018 年 3 月至今任公司董事。6、秦 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961 年出生，本科学历，高级工程师。2002 年 11 月至今任 xxx 总经理。2017 年 8 月至今任公司独立董事。
36、7、向 xx，中国国籍，1976 年出生，本科学历。2003 年 5 月至2011 年 9 月任 xxx 有限责任公司执行董事、总经理；2003 年 11 月至2011 年 3 月任 xxx 有限责任公司执行董事、总经理；2004 年 4 月至2011 年 9 月任 xxx 有限责任公司执行董事、总经理。2018 年 3 月起至今任公司董事长、总经理。8、丁 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959 年出生，大专学历，高级工程师职称。2003 年 2 月至 2004 年 7 月在 xxx 股份有限公司兼任技术顾问；2004 年 8 月至 2011 年 3 月任 xxx 有限责任公司总工程师。
37、2018 年 3 月至今任公司董事、副总经理、总工程师。六、经营宗旨经营宗旨泓域咨询/济南碳化硅项目建议书运用现代科学管理方法，保证公司在市场竞争中获得成功，使全体股东获得满意的投资回报并为国家和本地区的经济繁荣作出贡献。七、公司发展规划公司发展规划（一）公司未来发展战略公司秉承“不断超越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念，贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心价值观，为客户提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务，致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进一步巩固公司在相关领域的领先地位，扩大市场份额；另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展
38、方向进一步拓展公司产品类别，加大研发推广力度，进一步提升公司综合实力以及市场地位。（二）扩产计划经过多年的发展，公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势，随着公司业务规模逐年增长，产能瓶颈日益显现。因此，产能提升计划是实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持续发展及逐渐向中国转移为依托，提高公司生产能力和生产效率，满足不断增长的客户需求，巩固并扩大公司在行业中的竞争优势，提高市场占有率和公司影响力。泓域咨询/济南碳化硅项目建议书在产品拓展方面，公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时，不断丰富产品类型，持续提升产品质量和附加值，保持公司产品在行业中的竞争地位。（三）技术研发计划公
39、司未来将继续加大技术开发和自主创新力度，在现有技术研发资源的基础上完善技术中心功能，规范技术研究和产品开发流程，引进先进的设计、测试等软硬件设备，提高公司技术成果转化能力和产品开发效率，提升公司新产品开发能力和技术竞争实力，为公司的持续稳定发展提供源源不断的技术动力。公司将本着中长期规划和近期目标相结合、前瞻性技术研究和产品应用开发相结合的原则，以研发中心为平台，以市场为导向，进行技术开发和产品创新，健全和完善技术创新机制，从人、财、物和管理机制等方面确保公司的持续创新能力，努力实现公司新技术、新产品、新工艺的持续开发。（四）技术研发计划公司将以新建研发中心为契机，在对现有产品的技术和工艺进行
40、持续改进、提高公司的研发设计能力、满足客户对产品差异化需求的同时，顺应行业技术发展，不断研发新工艺、新技术，不断提升产品自动化程度，在充分满足下游领域对产品质量要求不断提高的同时，泓域咨询/济南碳化硅项目建议书强化公司自主创新能力，巩固公司技术的行业先进地位，强化公司的综合竞争实力。积极实施知识产权保护自主创新、自主知识产权和自主品牌是公司今后持续发展的关键。自主知识产权是自主创新的保障，公司未来三年将重点关注专利的保护，依靠自主创新技术和自主知识产权，提高盈利水平。公司计划在未来三年内大量引进或培养技术研发、技术管理等专业人才，以培养技术骨干为重点建设内容，建立一支高、中、初级专业技术人才合
41、理搭配的人才队伍，满足公司快速发展对人才的需要。公司将采用各种形式吸引优秀的科技人员。包括：提高技术人才的待遇；通过与高校、科研机构联合，实行对口培训等形式，强化技术人员知识更新；积极拓宽人才引进渠道，实行就地取才、内部挖掘和面向社会广揽人才相结合。确保公司产品的高技术含量，充分满足客户的需求，使公司在激烈的市场竞争中立于不败之地。公司将加强与高等院校、研发机构的合作与交流，整合产、学、研资源优势，通过自主研发与合作开发并举的方式，持续提升公司技术研发水平，提升公司对重大项目的攻克能力，提高自身研发技术水平，进一步强化公司在行业内的影响力。（五）市场开发规划泓域咨询/济南碳化硅项目建议书公司根
42、据自身技术特点与销售经验，制定了如下市场开发规划：首先，公司将以现有客户为基础，在努力提升产品质量的同时，以客户需求为导向，在各个方面深入了解客户需求，以求充分满足客户的差异化需求，从而不断增加现有客户订单；其次，公司将在稳定与现有客户合作关系的同时，凭借公司成熟的业务能力及优质的产品质量逐步向新的客户群体拓展，挖掘新的销售市场；最后，公司将不断完善营销网络建设，提升公司售后服务能力，从而提升公司整体服务水平，实现整体业务的协同及平衡发展。（六）人才发展规划人才是公司发展的核心资源，为了实现公司总体战略目标，公司将健全人力资源管理体系，制定科学的人力资源开发计划，进一步建立完善的培训、薪酬、绩
43、效和激励机制，最大限度的发挥人才潜力，为公司的可持续发展提供人才保障。公司将立足于未来发展需要，进一步加快人才引进。通过专业化的人力资源服务和评估机制，满足公司的发展需要。一方面，公司将根据不同部门职能，有针对性的招聘专业化人才：管理方面，公司将建立规范化的内部控制体系，根据需要招聘行业内专业的管理人才，提升公司整体管理水平；技术方面，公司将引进行业内优秀人才，提升公司的技术创新能力，增加公司核心技术储备，并加速成果转化，泓域咨询/济南碳化硅项目建议书确保公司技术水平的领先地位。另一方面，公司将建立人才梯队，以培养管理和技术骨干为重点，有计划地吸纳各类专业人才进入公司，形成高、中、初级人才的塔
44、式人才结构，为公司的长远发展储备力量。培训是企业人力资源整合的重要途径，未来公司将强化现有培训体系的建设，建立和完善培训制度，针对不同岗位的员工制定科学的培训计划，并根据公司的发展要求及员工的发展意愿，制定员工的职业生涯规划。公司将采用内部交流课程、外聘专家授课及先进企业考察等多种培训方式提高员工技能。人才培训的强化将大幅提升员工的整体素质，使员工队伍进一步适应公司的快速发展步伐。公司将制定具有市场竞争力的薪酬结构，制定和实施有利于人才成长和潜力挖掘的激励政策。根据员工的服务年限及贡献，逐步提高员工待遇，激发员工的创造性和主动性，为员工提供广阔的发展空间，全力打造团结协作、拼搏进取、敬业爱岗、
45、开拓创新的员工队伍，从而有效提高公司凝聚力和市场竞争力。泓域咨询/济南碳化硅项目建议书第四章第四章 项目背景及必要性项目背景及必要性一、OBC：SiC 助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC 典型电路结构由前级 PFC 电路和后级 DC/DC 输出电路两部分组成。二极管和开关管（IGBT、MOSFET 等）是 OBC 中主要应用的功率器件，采用 SiC 替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC 中采用 SiC 二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC 的前级PFC 电路和后级 DC/DC 输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1）影响二极管
46、损耗的指标包括正向导通压降（VF）、反向恢复电流（IR）、输入电容（QC）和开通关断速度等。相比于硅基 SBD，SiCSBD的最大优势在于 IR 可以忽略不计，使得反向恢复损耗极低，在 PFC 电路使用 SiCSBD 可有效提升 PFC 电路效率。同时，QC、VF 两个主要参数相比硅基二极管也具有优势，在后级输出电路中使用 SiCSBD 可以进一步提升输出整流的效率。同时，由于 SiC 材料的优势，SiC 二极管的结温更高，其可在更高温度下保持正常工作状态，在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外，SiC 二极管可实现更高频率及功率密度，从而提升系统整体效率。全 SiCMOSFET 方案降低 O
47、BC 系统尺寸、重量和成本，同时提高运行效率。根据 Wolfspeed 的研究，采用全 SiCMOSFET 方案的 22kW 双向泓域咨询/济南碳化硅项目建议书OBC，可较 Si 方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少 30%以上，且开关频率提高一倍以上，实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC 系统在 3kW/L 的功率密度下可实现 97%的峰值系统效率，而 SiOBC 仅可在2kW/L 的功率密度下实现 95%的效率。同时，进一步拆分成本，由于SiC 器件的性能可减少 DC/DC 模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此，尽管相比单个 Si 基二极管和功率晶体管，SiC 基功率器件的成本更高
48、，但整体全 SiC 方案的 OBC 成本可节约 15%左右。二、射频：射频：5G 推动推动 GaN-on-SiC 需求提升需求提升5G 发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长，市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数，5G 通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势，在功率放大器上的应用可满足5G 通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前 5G 新建基站仍使用LDMOS 功率放大器，但随 5G 技术进一步发展，MIMO 基站建立需使用氮化镓功率放大器，氮化
49、镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续提升。据 Yole 和 Wolfspeed 预测，2024 年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破 20 亿美元，2027 年进一步增长至 35 亿美元。根据预测，受益 5G 通讯快速发展，通讯频段向高频迁移，基站和通信设备需要支持泓域咨询/济南碳化硅项目建议书高频性能的 PA，碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基 LDMOS 和 GaAs 的优势将逐步凸显，2020 年全球碳化硅射频器件市场规模为 8.92 亿美元，预计到 2025 年将增长至 21.21 亿美元，对应 CAGR 为 18.9%，和 Yole和 Wolfspeed 预测基本一致。三、打造国内大循环
50、的战略节点、国内国际双循环的战略枢纽打造国内大循环的战略节点、国内国际双循环的战略枢纽把实施扩大内需战略同深化供给侧结构性改革有机结合起来，以创新驱动、高质量供给引领和创造新需求，促进消费与投资协调互动、供给与需求动态平衡、国内市场与国际市场相互贯通，在畅通国内大循环和联通国内国际双循环中展现更大作为。（一）大力促进消费升级坚持把扩大消费同改善人民生活品质结合起来，培育新一代消费热点，加快实物消费、服务消费提质升级，适当增加公共消费，促进消费向绿色、健康、安全发展。扩大旅游、文化、体育、康养等服务消费多元化供给，深入开展家政服务业提质扩容“领跑者”行动。创造消费新场景，促进线上线下消费融合，打