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1、化学工艺过程1第1页，本讲稿共23页本节主要内容一、一、常用基本化学方程式常用基本化学方程式二、电池片生产工艺中的主要化学方程式二、电池片生产工艺中的主要化学方程式三、半导体安全基本知识三、半导体安全基本知识 2第2页，本讲稿共23页电池片生产工艺中的主要化学方程式存在于下列工序：1一次清洗工艺1.1去除硅片损伤层1.2制绒面1.3HF酸去除SiO2层1.4HCl酸去除金属离子2扩散过程中磷硅玻璃的形成3等离子刻蚀工艺4二次清洗工艺5PECVD工艺3第3页，本讲稿共23页常用基本化学方程式化学反应过程是参加反应各物质化学反应过程是参加反应各物质(反应物反应物)的原子重新组合的原子重新组合生成新
2、物质生成新物质(生成物生成物)的过程，化学方程式是化学反应简明的过程，化学方程式是化学反应简明的表达形式。它从的表达形式。它从“质质”和和“量量”两个方面表达了化学反两个方面表达了化学反应的意义。应的意义。(1)“质”的含义:表示什么物质参加了反应，生成了什么物质以及反应是在什么条件下进行的。(2)“量”的含义:从宏观看，表示了各反应物、生成物间的质量比。如果反应物都是气体，还能表示它们在反应时的体积比。从微观看，如果各反应物、生成物都是由分子构成的，那么化学方程式还表示各反应物、生成物间的分子个数比。4第4页，本讲稿共23页举例：例如，化学方程式：2H2+O2=2H2O43236“质”的含义
3、：经点燃，氢气跟氧气反应生成水。“量”的含义：从宏观看，每4份质量的氢气跟32份质量的氧气反应生成36份质量的水，即氢气跟氧气反应时的质量比为1:8，从微观看，氢气、氧气和水都是由分子构成的，因此，这个化学方程式还表示了每2个氢分子跟1个氧分子反应生成了2个水分子。5第5页，本讲稿共23页常用基本化学方程式化学方程式遵守质量守恒定律，主要包括以下三方面：化学方程式遵守质量守恒定律，主要包括以下三方面：化学反应前后各元素的原子个数守恒。化学反应前后各元素的原子个数守恒。化学反应前后各元素的质量守恒。化学反应前后各元素的质量守恒。化学反应前后各物质质量总和守恒化学反应前后各物质质量总和守恒 6第6
4、页，本讲稿共23页书写化学方程式的三个步骤：（1）依据实验事实，把反应物的化学式写在左边，生成）依据实验事实，把反应物的化学式写在左边，生成物的化学式写在右边，反应物物的化学式写在右边，反应物 与生成物之间用一条短线相连。与生成物之间用一条短线相连。（2）根据质量守恒定律，在反应物、生成物的化）根据质量守恒定律，在反应物、生成物的化学式前配上适当的系数，使式子左、右两边的每一学式前配上适当的系数，使式子左、右两边的每一种元素的原子总数相等，这个过程叫做化学方程式种元素的原子总数相等，这个过程叫做化学方程式的配平。的配平。（3）要在化学方程式中注明反应发生的基本条件，）要在化学方程式中注明反应发
5、生的基本条件，用用“”表示生成物中的沉淀，用表示生成物中的沉淀，用“”表示生成表示生成物中的气体。物中的气体。7第7页，本讲稿共23页一次清洗工艺去除硅片损伤层：去除硅片损伤层：Si+2 NaOH+H2O=Na2SiO3+2 H2 28 80 122 4计算：计算：对对125*125的单晶硅片来说，假设硅片表面每边去除的单晶硅片来说，假设硅片表面每边去除10um，两边共去除，两边共去除20um，则，则每片去除的硅的重量为：每片去除的硅的重量为：g=12.5*12.5*0.002*2.33=0.728g。（硅的密度为（硅的密度为2.33g/cm3）设每片消耗的设每片消耗的NaOH为为X克，生成的
6、硅酸钠和氢气分别为克，生成的硅酸钠和氢气分别为Y和和Z克，根据化学方程式有：克，根据化学方程式有：28：80=0.728：=2.08g28：122=0.728：Y Y=3.172g 28：4 =0.728：Z Z=0.104g8第8页，本讲稿共23页一次清洗工艺制绒面：制绒面：Si+2 NaOH+H2O=Na2SiO3+2 H2 28 80 122 4由于在制绒面的过程中，产生氢气得很容易附着在硅片表面，从而造成绒面的不连续性，所以要在溶液中加入异丙醇作为消泡剂以助氢气释放。另外在绒面制备开始阶段，为了防止硅片腐蚀太快，有可能引起点腐蚀，容易形成抛光腐蚀，所以要在开始阶段加入少量的硅酸钠以减缓
7、对硅片的腐蚀。9第9页，本讲稿共23页一次清洗工艺HF酸去除SiO2层在前序的清洗过程中硅片表面不可避免的形成了一层很薄的SiO2层，用HF酸把这层SiO2去除掉。SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O10第10页，本讲稿共23页一次清洗工艺HCl酸去除一些金属离子，盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。11第11页，本讲稿共23页扩散过程中磷硅玻璃的形成扩散过程中磷硅玻璃的形成：扩散过程中磷硅玻璃的形成：Si+O2 SiO2 5POCl3 3 PCl5+P2O5（600）三氯氧磷分解时的副产物三氯氧磷分
8、解时的副产物PCl5，是不容易分解的，对硅，是不容易分解的，对硅片有腐蚀作用，但是在有氧气的条件下，可发生以下反应：片有腐蚀作用，但是在有氧气的条件下，可发生以下反应：PCl5+5O2 2 P2O5+10Cl2(高温条件下高温条件下)磷硅玻璃的主要组成：小部分磷硅玻璃的主要组成：小部分P2O5，其他是，其他是SiO2P2O5或或SiO2P2O5。这三种成分分散在二氧化硅中。这三种成分分散在二氧化硅中。在较高温度的时候，在较高温度的时候，P2O5作为磷源和作为磷源和Si反应生成磷，反应反应生成磷，反应如下：如下：2 P2O5+5 Si=5 SiO2+4 P 在扩散工艺中，三氯乙烷用于炉管清洗，三
9、氯乙烷的燃烧在扩散工艺中，三氯乙烷用于炉管清洗，三氯乙烷的燃烧（分解）的产物有：光气、一氧化碳、二氧化碳和氯化氢等。（分解）的产物有：光气、一氧化碳、二氧化碳和氯化氢等。12第12页，本讲稿共23页等离子刻蚀工艺所谓等离子体就是由带电的正、负电荷的粒子组成的气体，正负电荷数相等，其所谓等离子体就是由带电的正、负电荷的粒子组成的气体，正负电荷数相等，其净电荷相等。等离子刻蚀所用的等离子体，是辉光放电形成的净电荷相等。等离子刻蚀所用的等离子体，是辉光放电形成的“电离态电离态”气体，其中气体，其中包括正离子、负离子、电子、中性原子、分子及化学上活泼的自由基，这种包括正离子、负离子、电子、中性原子、分
10、子及化学上活泼的自由基，这种“电离态电离态”的气体是在向气体系统中施加足以引起电离的高能电场条件下产生的。的气体是在向气体系统中施加足以引起电离的高能电场条件下产生的。在我们的工艺中，是用在我们的工艺中，是用CF4来刻蚀扩散后的硅片，其刻蚀原理如下：来刻蚀扩散后的硅片，其刻蚀原理如下：CF4 CFx*+(4-x)F*(x3)Si+4 F*SiF4 SiO2+4 F*SiF4+O2Si和SiO2在CF4等离子体中的刻蚀速率是很低的，因为在纯的CF4等离子体中，这些过程的刻蚀速率受制于较低的F*浓度，因此刻蚀效率较低，如果在其中加入O2，Si和SiO2的刻蚀速率会增加，加入O2之后，反应室中产生了
11、COF2，CO及CO2而消耗了CFx*自由基，于是减少了F*消耗量，结果F*浓度增大，相应的刻蚀速率也增大。选择适当的CF4和O2的比例，会得到良好的刻蚀效果。13第13页，本讲稿共23页二次清洗工艺由于在扩散以后在硅片表面形成了一层磷硅玻璃，主要成分还由于在扩散以后在硅片表面形成了一层磷硅玻璃，主要成分还是二氧化硅。因此为了形成良好的欧姆接触，减少光的反射，在是二氧化硅。因此为了形成良好的欧姆接触，减少光的反射，在沉积减反射膜后续工艺之前，必须用沉积减反射膜后续工艺之前，必须用HF酸把磷硅玻璃腐蚀掉。酸把磷硅玻璃腐蚀掉。SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O 由于这个反应太快，不便于控制，
12、因此不能单独用氢氟作为腐由于这个反应太快，不便于控制，因此不能单独用氢氟作为腐蚀剂。根据化学平衡原理，减小氢氟酸的浓度和氢离子浓度，蚀剂。根据化学平衡原理，减小氢氟酸的浓度和氢离子浓度，可以降低腐蚀速度。所以要在氢氟酸的溶液中加入氟化铵溶可以降低腐蚀速度。所以要在氢氟酸的溶液中加入氟化铵溶液，以减少氢氟酸的浓度和氢离子的浓度，从而减缓氢氟酸液，以减少氢氟酸的浓度和氢离子的浓度，从而减缓氢氟酸对对SiO2的腐蚀速度。其原因：的腐蚀速度。其原因：1.氟化铵是一种弱酸和弱碱组成的盐，由于它在水中可以电离为氟化铵是一种弱酸和弱碱组成的盐，由于它在水中可以电离为铵离子和氟离子，溶液中大量的氟离子的存在使
13、氢氟酸在溶铵离子和氟离子，溶液中大量的氟离子的存在使氢氟酸在溶液中的电离平衡液中的电离平衡HF=H+F 向左移动。向左移动。14第14页，本讲稿共23页二次清洗工艺（续）2.氟化铵能与氢氟酸结合生成络合物氟氢化铵氟化铵能与氢氟酸结合生成络合物氟氢化铵NH4HF2，从而减，从而减低了氢氟酸的浓度。低了氢氟酸的浓度。HF+NH4F=NH4HF2 当氢氟酸和二氧化硅作用时，氢氟酸浓度因消耗而减当氢氟酸和二氧化硅作用时，氢氟酸浓度因消耗而减少，这时氟氢化铵少，这时氟氢化铵NH4HF2就电离生成氢氟酸，继续补充氢就电离生成氢氟酸，继续补充氢氟酸，使氢氟酸的浓度基本上保持不变，同时氢离子浓度变化不氟酸，使
14、氢氟酸的浓度基本上保持不变，同时氢离子浓度变化不大，从而使腐蚀过程保持一定的较低速度。大，从而使腐蚀过程保持一定的较低速度。3.由于反应生成的六氟硅酸由于反应生成的六氟硅酸H2SiF6是一种强酸，在溶液中是一种强酸，在溶液中全部电离。随着反应地进行，氢离子的浓度不断增加，全部电离。随着反应地进行，氢离子的浓度不断增加，就不断增加反应速度。加入氟化铵以后，在反应中就不就不断增加反应速度。加入氟化铵以后，在反应中就不能生成六氟硅酸，而是生成六氟硅酸铵，使氢离子浓度能生成六氟硅酸，而是生成六氟硅酸铵，使氢离子浓度不会随反应而增加。不会随反应而增加。15第15页，本讲稿共23页PECVD工艺为了进一步
15、减少入射光的损失，在硅片上沉积一层氮化硅薄膜。3SiH4+4NH3=Si3N4+12H23SiH4+2N2=Si3N4+6H216第16页，本讲稿共23页三、半导体安全基本知识半导体厂的安全卫生问题半导体厂常见的潜在危害可分为三大类：(一一).化学物质危害化学物质危害半导体工艺非常繁杂，使用的危险化学品也相当多，包括强酸、强碱、腐蚀性有机溶剂、有毒气体、自燃气体、或窒息气体等，如果这些危险化学物质泄漏出来，接触到人体会造成很大的伤害；也有可能因为这些物质产生化学变化，造成火灾爆炸等重大意外事故。危害性气体危害性气体根据危害特征，半导体工艺中使用的气体分为以下四类：有毒、易腐蚀、易燃和自然性气体
16、，有毒气体是指对人体生命有危害的气体，腐蚀性气体接触时会损毁生命组织和设备，易燃气体则为暴露于火星、明火和其他燃烧源时易被引燃的气体，如氢气。54以下在空气中易自然的物质为自然性气体。危害性气体的毒性等级是以规定的时间内人体暴露在其中却不会受到健康伤害的最高浓度来量化的。允许暴露的程度越低，毒性越大。17第17页，本讲稿共23页半导体安全基本知识危害性化学品危害性化学品半导体制造中，有许多液体化学品是危险的腐蚀性物质，处理腐蚀性化学品时，则必须穿戴上防护镜和身体防护设施，为了防止吸入腐蚀性化学品的蒸汽，必须在通风橱中进行操作，储存化学品时必须特别小心，例如，HF必须保存在塑料容器中，因为它会腐
17、蚀玻璃。所有员工必须知道最近的眼睛冲洗器处。因为大多数溶剂会挥发出有害蒸气，而且许多是易燃的，所以防止暴露和吸入溶剂蒸气的眼部和身体防护设施也是必不可少的。溶剂必须保存在易燃物质储存柜中，远离明火、火星和热源。处理废溶剂时要将它们放置在废溶剂容器中。注意要特别小心，不能将废酸和废溶剂混合在一起，防止发生剧烈的化学反应。18第18页，本讲稿共23页半导体安全基本知识(二二).幅射和静电危害幅射和静电危害 在半导体工艺中所用的一些设备单元，例如PECVD微波源、蚀刻机RF产生器等皆有潜在产生游离或非游离幅射的危害。如果防护措施没做好，使人体曝露在辐射中过量，即会伤害到人体。游离幅射对曝露的人体具有
18、伤害细胞效应，而非游离幅射会造成眼睛与皮肤伤害，还可能引起令人恶厌的电效应干扰重要设备的功能操作，或发生静电火花等。19第19页，本讲稿共23页半导体安全基本知识(三三).机械危害机械危害半导体工艺有使用机械人与自动化操作之相关工艺设备有潜在对相关人员发生机械危害，例如设备组件之功能异常与移动部份对人员所发生之撞击、切割、夹卷等机械性危害。在半导体生产制造中，虽然经常要用到化学品，有害气体，这些很可能对人体造成危害，但是像化学品、有害气体、辐射等这些在正常情况下都是被有效控制的，按照相应的程序文件正常操作，并合理使用PPE(个人防护设备)条件下不会有安全性问题，只有在意外情况下才可能导致一些伤
19、害。20第20页，本讲稿共23页半导体安全基本知识防护用具防护用具：化学品酸碱贮存区等可能接触酸碱腐蚀性液体的人员配备耐酸碱围裙、耐酸碱手套、防护眼镜、防酸碱工作鞋等。可能接触有毒气体的人员配备防毒面具。设备维修、检修人员配备防毒面具、耐酸碱工作服、手套、工作鞋、安全眼镜等。应急救援人员配备防护服、防毒面具、耐酸碱工作服、耐酸碱手套、耐酸碱工作鞋、安全眼镜、空气呼吸器等。21第21页，本讲稿共23页半导体安全基本知识下面是半导体电池片生产工艺中可能产生的危害：所处的工艺生产过程中可能产生危害清洗工艺NaOH、HCl酸、HF酸、异丙醇、硅酸钠等扩散工艺POCl3、Cl2、高温等。刻蚀工艺氟化物（CF4、CFx自由基）、COF2、CO、CO2PECVD工艺SiH4、NH3、N2、H2、高温、微波辐射等。印刷工艺烧结工艺高温、有机物的蒸发测试分选工艺氙灯辐射22第22页，本讲稿共23页本节结束，谢谢！2007.623第23页，本讲稿共23页