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1、第一页，讲稿共六十三页哦存储器n微型计算机的存储结构微型计算机的存储结构n寄存器寄存器位于位于CPU中中n高高速速缓缓存存(CACHE)分分CPU内部、外部，还分一级、二级内部、外部，还分一级、二级n主主 存存由由 半半 导导 体体 存存 储储 器器(ROM/RAM)构成构成n辅辅存存指指磁磁盘盘、磁磁带带、磁磁鼓鼓、光光盘盘等等大大容容量量存存储储器器，采采用用磁磁、光原理工作光原理工作n本本章章讨讨论论半半导导体体存存储储器器及及组组成成主存的方法主存的方法CPU（寄存器）（寄存器）CACHE（高速缓存）（高速缓存）主存（内存）主存（内存）辅存（外存）辅存（外存）第二页，讲稿共六十三页哦6
2、.1 半导体存储器的分类半导体存储器的分类n按制造工艺分类按制造工艺分类n双极型：速度快、集成度低、功耗大双极型：速度快、集成度低、功耗大nMOS型：速度慢、集成度高、功耗低型：速度慢、集成度高、功耗低n按使用属性分类按使用属性分类n随机存取存储器随机存取存储器 RAM：可读可写、断电丢失：可读可写、断电丢失n只读存储器只读存储器 ROM：只读、断电不丢失：只读、断电不丢失详细分类，请看图示：详细分类，请看图示：P176 P176 图图6-26-2第三页，讲稿共六十三页哦图图6-2 半导体存储器的分类半导体存储器的分类半导体半导体存储器存储器只读存储器只读存储器（ROM）随机存取存储器随机存取
3、存储器（RAM）静态静态 RAM（SRAM）动态动态 RAM（DRAM）非易失非易失 RAM（NVRAM）掩膜式掩膜式ROM一次性可编程一次性可编程 ROM（PROM）紫外线擦除可编程紫外线擦除可编程 ROM（EPROM）电擦除可编程电擦除可编程 ROM（EEPROM）第四页，讲稿共六十三页哦6.2 6.2 读写存储器读写存储器RAMRAM类型构成速度集成度应用SRAM触发器快低小容量系统DRAM极间电容慢高大容量系统NVRAM带微型电池快低小容量非易失第五页，讲稿共六十三页哦6.2.1 6.2.1 基本存储电路基本存储电路1.六管静态存储电路六管静态存储电路 P177-178第六页，讲稿共六
4、十三页哦2.2.单管动态存储电路单管动态存储电路 P178P178第七页，讲稿共六十三页哦SRAM 芯片的内部芯片的内部结构结构D行行地地址址译译码码列地址译码列地址译码A3A2A1A0A4 A5 A6 A710015151CSOEWE输入缓冲输出缓冲6管基本存储单元列选通第八页，讲稿共六十三页哦6.2.2 RAM的结构的结构第九页，讲稿共六十三页哦半导体存储器芯片的结构半导体存储器芯片的结构（一一）存存储储体体由由基基本本存存储储电电路路构构成成，用用来来存存储储信信息息，通常排列成矩阵。通常排列成矩阵。（二）外围电路（二）外围电路地地址址译译码码电电路路根根据据输输入入的的地地址址编编码码
5、来来选选中中芯芯片片内内某某个特定的存储单元。个特定的存储单元。I/O电电路路处处于于数数据据总总线线和和被被选选中中单单元元之之间间，控控制制被被选中单元读出或写入，有放大作用。选中单元读出或写入，有放大作用。片选控制端片选控制端CS和和读写读写控制逻辑。控制逻辑。数据缓冲数据缓冲电路电路数据输入输出通道。数据输入输出通道。第十页，讲稿共六十三页哦3.地址译码电路地址译码电路译译码码器器A5A4A3A2A1A06301存储单元存储单元64个单元个单元行行译译码码A2A1A0710列译码列译码A3A4A501764个单元个单元单译码结构单译码结构双译码结构双译码结构p246第十一页，讲稿共六十
6、三页哦4.一个实例一个实例SRAM芯片芯片2114n存储容量为存储容量为10244n18个个引脚：引脚：n10 根地址线根地址线 A9A0n4 根数据线根数据线 I/O4I/O1n片选片选 CSn读写读写 WE123456789181716151413121110VccA7A8A9I/O1I/O2I/O3I/O4WEA6A5A4A3A0A1A2CSGND功能第十二页，讲稿共六十三页哦SRAM芯片芯片6264n存储容量为存储容量为 8K8n28个引脚：个引脚：n13 根地址线根地址线 A12A0n8 根数据线根数据线 D7D0n2 根片选根片选 CS1、CS2n读写读写 WE、OE功能+5VWE
7、CS2A8A9A11-OEA10CS1D7D6D5D4D3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND12345678910111213142827262524232221201918171615第十三页，讲稿共六十三页哦6.2.3 RAM与与CPU的连接的连接n半导体存储器与半导体存储器与CPU的连接是本章的的连接是本章的重点重点nSRAM、EPROM与与CPU的连接的连接n其其译码方法译码方法同样适合同样适合I/O端口端口第十四页，讲稿共六十三页哦存储芯片与存储芯片与CPU的连接的连接n存储芯片数据线的处理存储芯片数据线的处理n存储芯片地址线的处理存储芯片地址线的处理n存储
8、芯片片选端的处理存储芯片片选端的处理n存储芯片读写控制线的处理存储芯片读写控制线的处理nP182连接时需注意的几个方面连接时需注意的几个方面第十五页，讲稿共六十三页哦1.存储芯片数据线的处理存储芯片数据线的处理n若芯片的数据线正好若芯片的数据线正好 8 根：根：n一次可从芯片中访问到一次可从芯片中访问到 8 位数据位数据n全部数据线与系统的全部数据线与系统的 8 位数据总线相连位数据总线相连n若芯片的数据线不足若芯片的数据线不足 8 根：根：n一次不能从一个芯片中访问到一次不能从一个芯片中访问到 8 位数据位数据n利用多个芯片扩充数据位（数据宽度）利用多个芯片扩充数据位（数据宽度）n这种扩充方
9、式称这种扩充方式称“位扩充位扩充”第十六页，讲稿共六十三页哦位扩充位扩充2114（1）A9A0I/O4I/O1片选片选D3D0D7D4A9A02114（2）A9A0I/O4I/O1CECE两片同时选中数据分别提供第十七页，讲稿共六十三页哦2.存储芯片地址线的连接存储芯片地址线的连接n芯芯片片的的地地址址线线通通常常应应全全部部与与系系统统的低位地址总线相连的低位地址总线相连n寻寻址址时时，这这部部分分地地址址的的译译码码是是在在存存储储芯芯片片内内完完成成的的，我我们们称称为为“片内译码片内译码”第十八页，讲稿共六十三页哦片内译码片内译码地址线 A9A0存储芯片存储芯片存储单元存储单元第十九页
10、，讲稿共六十三页哦片内译码片内译码000H001H002H3FDH3FEH3FFH000000010010110111101111（16进制表示）进制表示）A9A0片内片内10 位地址译码位地址译码10 位地址的变化：位地址的变化：全全0全全1第二十页，讲稿共六十三页哦 存储芯片片选端的译码存储芯片片选端的译码n存存储储系系统统常常需需要要利利用用多多个个存存储储芯芯片片进进行行容容量量的的扩扩充充，也也就就是是扩扩充充存存储储器器的地址范围的地址范围n这种扩充简称为这种扩充简称为“地址扩充地址扩充”或或“字扩充字扩充”n进进行行“地地址址扩扩充充”时时，需需要要利利用用存存储储芯芯片片的的片
11、片选选端端来来对对存存储储芯芯片片（芯片组）进行寻址（芯片组）进行寻址n通通过过存存储储芯芯片片的的片片选选端端与与系系统统的的高高位位地地址址线线相相关关联联来来实实现现对对存存储储芯芯片（芯片组）的寻址，常用的方法有：片（芯片组）的寻址，常用的方法有：n全译码全译码全部高位地址线与片选端关联（参与芯片译码）全部高位地址线与片选端关联（参与芯片译码）n部分译码部分译码部分高位地址线与片选端关联（参与芯片译码）部分高位地址线与片选端关联（参与芯片译码）n线选法线选法某根高位地址线与片选端关联（参与芯片译码）某根高位地址线与片选端关联（参与芯片译码）n片选端常有效片选端常有效无高位地址线与片选端
12、关联（不参与芯片译码）无高位地址线与片选端关联（不参与芯片译码）第二十一页，讲稿共六十三页哦地址扩充（字扩充）地址扩充（字扩充）片选端片选端D7D0A19A10A9A0（2）A9A0D7D0CE（1）A9A0D7D0CE译码器00000000010000000000低位地址线高位地址线第二十二页，讲稿共六十三页哦片选端常有效片选端常有效A19A15 A14A0 全全0全全1D7D027256EPROMA14A0CE片选端常有效与A19A15 无关第二十三页，讲稿共六十三页哦 译码和译码器译码和译码器n译译码码：将将某某个个特特定定的的“编编码码输输入入”翻翻译译为为唯唯一一一一个个“有效输出有
13、效输出”的过程的过程n译码器件：译码器件：n采用门电路组合逻辑进行译码采用门电路组合逻辑进行译码n采用集成译码器进行译码，常用的器件有：采用集成译码器进行译码，常用的器件有：n2-4（4 选选 1）译码器）译码器74LS139n3-8（8 选选 1）译码器）译码器74LS138n4-16（16 选选 1）译码器）译码器74LS154第二十四页，讲稿共六十三页哦全译码全译码n所有的系统地址线均参与对存储单元的译码寻址所有的系统地址线均参与对存储单元的译码寻址n包包括括低低位位地地址址线线对对芯芯片片内内各各存存储储单单元元的的译译码码寻寻址址（片片内内译译码码），高高位位地地址址线线对对存存储储
14、芯芯片片的的译译码寻址（片选译码）码寻址（片选译码）n采采用用全全译译码码，每每个个存存储储单单元元的的地地址址都都是是唯唯一一的的，不存在地址重复不存在地址重复n译码电路可能比较复杂、连线也较多译码电路可能比较复杂、连线也较多示例第二十七页，讲稿共六十三页哦全译码示例全译码示例A19A18A17A15 A14A13A16CBAE3138 A12A0CEY6E2E1IO/M2764请看地址分析请看地址分析第二十八页，讲稿共六十三页哦1C000H1DFFFH全全0全全10 0 0 1 1 1 00 0 0 1 1 1 0地址范围地址范围A12A0A19A18A17A16A15A14 A13全译码
15、示例全译码示例地址分析地址分析第二十九页，讲稿共六十三页哦 部分译码部分译码n只只有有部部分分（高高位位）地地址址线线参参与与对对存存储芯片的译码储芯片的译码n每每个个存存储储单单元元将将对对应应多多个个地地址址（地地址重复），需要选取一个可用地址址重复），需要选取一个可用地址n可简化译码电路的设计可简化译码电路的设计n但系统的部分地址空间将被浪费但系统的部分地址空间将被浪费示例第三十页，讲稿共六十三页哦部分译码示例部分译码示例138A17 A16A11A0A14 A13A12(4)(3)(2)(1)2732273227322732CBAE3E2E1IO/MCECECECEY0Y1Y2Y3请看
16、地址分析请看地址分析第三十一页，讲稿共六十三页哦部分译码示例部分译码示例地址分析地址分析1234芯片芯片10101010A19 A1520000H20FFFH21000H21FFFH22000H22FFFH23000H23FFFH全全0全全1全全0全全1全全0全全1全全0全全1000001010011一个可用地址一个可用地址A11A0A14 A12第三十二页，讲稿共六十三页哦线选译码线选译码n只只用用少少数数几几根根高高位位地地址址线线进进行行芯芯片片的的译译码，且每根负责选中一个芯片（组）码，且每根负责选中一个芯片（组）n虽构成简单，但地址空间严重浪费虽构成简单，但地址空间严重浪费n必然会出
17、现地址重复必然会出现地址重复n一个存储地址会对应多个存储单元一个存储地址会对应多个存储单元n多个存储单元共用的存储地址不应使用多个存储单元共用的存储地址不应使用示例第三十三页，讲稿共六十三页哦线选译码示例线选译码示例A14A12A0A13(1)2764(2)2764 CECE请看地址分析请看地址分析第三十四页，讲稿共六十三页哦线选译码示例地址分析12芯芯片片A19 A1504000H05FFFH02000H03FFFH全全0全全1全全0全全11 00 1一个可用地址一个可用地址A12A0A14 A13切记：切记：A14 A13“00”的情况不能出现，的情况不能出现，此时此时 00000H01F
18、FFH 的地址将不能使用的地址将不能使用第三十五页，讲稿共六十三页哦片选端译码小结片选端译码小结n存存储储芯芯片片的的片片选选控控制制端端可可以以被被看看作作是是一一根根最高位地址线最高位地址线n在在系系统统中中，主主要要与与地地址址发发生生联联系系：包包括括地地址址空空间间的的选选择择（接接系系统统的的IO/M信信号号）和和高高位位地地址址的的译译码码选选择择（与与系系统统的的高高位位地地址址线相关联）线相关联）n对对一一些些存存储储芯芯片片通通过过片片选选无无效效可可关关闭闭内内部部的输出驱动机制，起到降低功耗的作用的输出驱动机制，起到降低功耗的作用第三十六页，讲稿共六十三页哦3.存储芯片
19、的读写控制存储芯片的读写控制n芯片芯片OE与系统的读命令线相连与系统的读命令线相连n当当芯芯片片被被选选中中、且且读读命命令令有有效效时时，存存储储芯芯片片将开放并驱动数据到总线将开放并驱动数据到总线n芯片芯片WE与系统的写命令线相连与系统的写命令线相连n当当芯芯片片被被选选中中、且且写写命命令令有有效效时时，允允许许总总线线数据写入存储芯片数据写入存储芯片分析分析P183 图图6-9 图图8-12 图图6-13第三十七页，讲稿共六十三页哦综合举例一个综合性例子一个综合性例子(最大组态最大组态)CS1 A12 OE CS26264A11A0 WE138CBAY0Y1Y2E3E2E3+5VA17
20、A16A11A0D7D0A12A15A14A13MEMRMEMW+5VCS2 CS1 A12 OED7D0D7D06264A11A0 WE CE OE 2732A11A0 D7D0 CE OE 2732A11A0 D7D0请进行地址分析请进行地址分析第三十八页，讲稿共六十三页哦综合举例地址分析0 0 00 0 10 1 00 1 0A15 A1300000H01FFFH02000H03FFFH04000H04FFFH05000H05FFFH一个可用地址一个可用地址XX 00XX 00XX 00XX 00A19 A166264-16264-22732-12732-2芯片芯片全全0全全1全全0全全
21、1A12 A11 A0全全0全全1全全0全全1018选1译码2选1译码通过与门组合这2个译码输出信号第三十九页，讲稿共六十三页哦6.2.4 64位动态位动态RAM存储器存储器nDRAM 的的基基本本存存储储单单元元是是单单个个场场效效应应管管及及其其极极间间电电容容n必须配备必须配备“读出再生放大电路读出再生放大电路”进行刷新进行刷新n每次同时对每次同时对1行的存储单元进行刷新行的存储单元进行刷新n每个基本存储单元存储每个基本存储单元存储1位二进制数位二进制数n许多个基本存储单元形成行、列存储矩阵许多个基本存储单元形成行、列存储矩阵nDRAM一般采用一般采用“位结构位结构”存储体：存储体：n每
22、个存储单元存放每个存储单元存放 1 位位n需要需要 8 个存储芯片构成个存储芯片构成 1 个字节存储单元个字节存储单元n每个字节存储单元拥有每个字节存储单元拥有 1 个唯一地址个唯一地址第四十一页，讲稿共六十三页哦DRAM芯片芯片的内部结构 T5T4T3T2T1VDD读出再生读出再生放大电路放大电路列列128列列2DINDOUT列列1行行128行行66行行65行行64行行2行行1I/O缓冲缓冲单管基本存储单元读出再生放大电路第四十二页，讲稿共六十三页哦1.DRAM芯片芯片2164n存储容量为存储容量为 64K1n16个个引脚：引脚：n8 根地址线根地址线A7A0n1 根数据输入线根数据输入线D
23、INn1 根数据输出线根数据输出线DOUTn行地址选通行地址选通-RASn列地址选通列地址选通-CASn读写控制读写控制 WEP258图图5-21内部结构图内部结构图N/CDINWERASA0A2A1VDDVSSCASDOUTA6A3A4A5A712345678161514131211109第四十三页，讲稿共六十三页哦2164n存储体由存储体由4个个128 128的存储矩阵。的存储矩阵。n7条条行行地地址址产产生生128个个行行选选信信号号，7条条列列地地址址产产生生128个个列列选选信信号号，同同时时加加到到4个个存存储储矩矩阵阵上上，选选中中4个个单单元元，最最后后由由RA7和和CA7选选
24、中中1个个单元进行读写。单元进行读写。nWE为高，读，为高，读，WE为低，写。为低，写。第四十四页，讲稿共六十三页哦DRAM 2164的刷新的刷新采用采用“仅行地址有效仅行地址有效”方法方法刷新刷新n行行地地址址选选通通RAS有有效效，传传送送行行地地址址，在在4个个存存储储矩阵中都选中矩阵中都选中1行，每次同时刷新行，每次同时刷新512个单元。个单元。n列地址选通列地址选通CAS无效，没有列地址无效，没有列地址Intel的读周期、写、读的读周期、写、读-修改修改-写周期（略）写周期（略）5.Intel 2164A的刷新周期的刷新周期512个个读读出出放放大大器器，按按行行刷刷新新，同同时时书
25、书信信刷刷新新512个个单单元元。刷刷新新是是读读出出重重写写，数数据据不不会会读读出出至至数数据据线。线。第四十五页，讲稿共六十三页哦6.3 现代现代 RAMn先期先期EDO DRAM(扩展数据输出动态随机存储器扩展数据输出动态随机存储器)n现在现在SDRAM(同步动态随机访问存储器同步动态随机访问存储器)n以后以后DDR(双数据速率双数据速率)-SDRAM、RDRAM。6.3.1 内存条内存条n1.内内存存芯芯片片-安安装装在在一一定定地地址址的的一一排排电电容容和和晶晶体体管管，数数据的存取是对芯片进行据的存取是对芯片进行“充电充电”、“放电放电”。n2.桥路电阻桥路电阻数据传输过程中阻
26、抗匹配和信号衰减。数据传输过程中阻抗匹配和信号衰减。n3.电容电容滤除高频干扰。滤除高频干扰。n4.EEPROM-存存放放内内存存速速度度、容容量量、电电压压等等基基本本参参数数（称（称SPD）。每次开机，主板读取、适应。）。每次开机，主板读取、适应。第四十六页，讲稿共六十三页哦6.3.2 EDO ERAM 略略n6.3.3 SDRAM 略略n6.3.4 RDRAM 略略第四十七页，讲稿共六十三页哦6.4 6.4 只读存储器只读存储器位线位线地地址址译译码码A1A0字线字线3字线字线2字线字线1字线字线011100100VDDD0D1D2D3掩膜式掩膜式ROM位位线线字选线字选线熔丝熔丝VCC
27、熔丝式熔丝式PROM 第四十八页，讲稿共六十三页哦只读存储器只读存储器ROMn掩膜掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改信息制作在芯片中，不可更改nPROM：允许一次编程，此后不可更改允许一次编程，此后不可更改nEPROM：用用紫紫外外光光擦擦除除，擦擦除除后后可可编编程程；并并允允许许用户多次擦除和编程用户多次擦除和编程nEEPROM（E2PROM）：采采用用加加电电方方法法在在线线进进行行擦擦除和编程，也可多次擦写除和编程，也可多次擦写nFlash Memory（闪闪存存）：能能够够快快速速擦擦写写的的EEPROM，但只能按块（，但只能按块（Block）进行擦除）进行擦除n没有数据从芯片中
28、输出，也没有数据输入芯片没有数据从芯片中输出，也没有数据输入芯片n每每隔隔固固定定的的时时间间（约约15uS）DRAM必必须须进进行行一一次次刷刷新新，2毫秒（毫秒（128次）可将次）可将DRAM全部刷新一遍。全部刷新一遍。第四十九页，讲稿共六十三页哦6.4.2 可擦除的可编程序的只读存储器可擦除的可编程序的只读存储器EPROMnEPROM 芯芯片片顶顶部部开开有有一一个个圆圆形形的的石石英英窗窗口口，用用于紫外线透过、以擦除芯片中保存的信息于紫外线透过、以擦除芯片中保存的信息n使使用用专专门门的的编编程程器器（烧烧写写器器）对对EPROM芯芯片片进进行编程行编程n编程后，应贴上不透光的封条编
29、程后，应贴上不透光的封条n出出厂厂时时，每每个个基基本本存存储储单单元元存存储储的的都都是是信信息息“1”，编程实际上就是将编程实际上就是将“0”写入某些基本存储单元写入某些基本存储单元第五十页，讲稿共六十三页哦EPROM的的存储结构存储结构浮置栅雪崩注入型浮置栅雪崩注入型场效应管场效应管多晶硅多晶硅浮置栅浮置栅漏极漏极D源极源极S-N基底基底SiO2SiO2+字选线字选线位位线线浮置栅场效应浮置栅场效应管管EPROM基本存储结构基本存储结构VCCPP第五十一页，讲稿共六十三页哦EPROM芯片芯片2716n存储容量为存储容量为 2K8n24个个引脚：引脚：n11 根地址线根地址线 A10A0n
30、8 根数据线根数据线 DO7DO0n片选片选/编程编程-CE/PGMn读写读写-OEn编程电压编程电压 VPP功能表功能表VDDA8A9VPP-OEA10-CE/PGMDO7DO6DO5DO4DO3123456789101112242322212019181716151413A7A6A5A4A3A2A1A0DO0DO1DO2Vss第五十二页，讲稿共六十三页哦EPROM芯片芯片2764n存储容量为存储容量为 8K8n28个个引脚：引脚：n13 根地址线根地址线 A12A0n8 根数据线根数据线 D7D0n片选片选-CEn编程编程-PGMn读写读写-OEn编程电压编程电压 VPP功能表功能表Vpp
31、A12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDVccPGMNCA8A9A11OEA10CED7D6D5D4D312345678910111213142827262524232221201918171615第五十四页，讲稿共六十三页哦EPROM芯片芯片2725612345678910111213141516171819202122232425262728VppA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDD3D4D5D6D7CEA10OEA11A9A8A13A14Vcc27256引脚图引脚图A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0CE OED7D
32、6D5D4D3D2D1D027256逻辑图逻辑图第五十六页，讲稿共六十三页哦电可擦除的可编程序的电可擦除的可编程序的ROM（EEPROM）n用用加加电电方方法法，进进行行在在线线（无无需需拔拔下下，直直接接在在电路中）擦写（擦除和编程一次完成）电路中）擦写（擦除和编程一次完成）n有字节擦写、块擦写和整片擦写等方法有字节擦写、块擦写和整片擦写等方法n并行并行EEPROM：多位数据线：多位数据线n串行串行EEPROM：1位数据线位数据线第五十七页，讲稿共六十三页哦EEPROM芯片芯片2817An存储容量为存储容量为 2K8n28个个引脚：引脚：n11 根地址线根地址线 A10A0n8 根数据线根数
33、据线 I/O7I/O0n片选片选-CEn读写读写-OE、-WEn状态输出状态输出 RDY/-BUSY功能表功能表NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GNDVcc-WENCA8A9NC-OEA10-CEI/O7I/O6I/O5I/O4I/O312345678910111213142827262524232221201918171615第五十八页，讲稿共六十三页哦EEPROM芯片芯片2864An存储容量为存储容量为 8K8n28个个引脚：引脚：n13 根地址线根地址线 A12A0n8 根数据线根数据线 I/O7I/O0n片选片选 CEn读写读写 OE、WE功能表功能表
34、VccWENCA8A9A11OEA10CEI/O7I/O6I/O5I/O4I/O3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GND12345678910111213142827262524232221201918171615第六十页，讲稿共六十三页哦新一代可编程只读存储器新一代可编程只读存储器FLASHnP206 略略nP206 习题习题n6.1 6.2 6.3 6.4 6.5 第六十二页，讲稿共六十三页哦第6章教学要求1.掌握半导体存储器的分类，了解应用特点；掌握半导体存储器的分类，了解应用特点；2.熟悉半导体存储器芯片的结构；熟悉半导体存储器芯片的结构；3.了了 解解 SRAM 2114、DRAM 2164、EPROM 2764、EEPROM 2817A的引脚功能；的引脚功能；4.理理解解SRAM读读写写原原理理、DRAM读读写写和和刷刷新新原原理理、EPROM和和EEPROM工作方式工作方式5.掌掌握握存存储储芯芯片片与与CPU连连接接的的方方法法，特特别别是是片片选选端端的处理；的处理；6.了了解解存存储储芯芯片片与与CPU连连接接的的总总线线驱驱动动和和时时序序配配合合问题。问题。第六十三页，讲稿共六十三页哦