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1、目录集成电路路工程领领域半导体体器件物物理课课程教学学大纲11微电子子制造工工艺课课程教学学大纲22模拟集集成电路路设计课课程教学学大纲33数字集集成电路路设计课课程教学学大纲44超大规规模集成成电路基基础课课程教学学大纲5510半导体体器件物物理课课程教学学大纲课程名称称（中文文）：半半导体器器件物理理 学分数数：2课程名称称（英文文）：Semmicoonduuctoor DDeviicess 课内学时时数：660 上上机时数数：100课外学时时数：660教学方式式：授课课及上机机教学要求求： 使学生生掌握微微电子学学中半导导体器件件基本原原理、物物理机制制和特性性，为进进一步学学习有关关器
2、件的的专门知知识以及及IC设设计打下下必要的的基础。课程主要要内容：（字以以内）双极晶体体管（含含异质结结双极晶晶体管）化合物半半导体场场效应晶晶体管MOSFFET以以及相关关器件量子效应应和热电电子器件件教材名称称：现代代半导体体器件物物理，施施敏，科科学出版版社。主要参考考书： 半导体体器件物物理，施施敏，电电子工业业出版社社。预修课程程： 半导体体物理适用专业业：电子与通通信微电子子制造工工艺课课程教学学大纲课程名称称（中文文）：微电子子制造技技术学分分数：2课程名称称（英文文）：Miccroeelecctroonicc Maanuffactturiing Tecchnoologgy课内
3、内学时数数：3240课课外学时时数：工艺实实验教学方式式：课堂授授课教学要求求：1通过过本课程程的教学学使学生生对集成成电路制制造工艺艺、工艺艺原理有深深入的理理解；2熟悉悉和了解解集成电电路制造造的全过过程，包括硅片片制造、硅硅片测试试/拣选选、装配配和封装装以及终终测。课程主要要内容：（字以以内）本课程的的主要内内容是系系统介绍绍集成电电路的制制造工艺艺及工艺艺原理，详详细描述述了集成成电路制制造的全全过程，即即硅片制制造、硅硅片测试试/拣选选、装配配和封装装以及终终测。配配合大量量精美的的图片、图图表及具具体详实实的数据据。对立立志从事事微电子子技术工工作，而而又未能能体验集集成电路路制
4、造过过程的人人来说，无无疑是一一位良师师益友。通通过本课课程的学学习可以以为学生生将来从从事集成成电路的的设计和和与微电电子学相相关的工工作打下下良好的的基础。教材名称称： 韩郑生译译 半半导体制制造技术术 电电子工业业出版社社，20004主要参考考书：1、Peeterr Vaan ZZanttMiicroochiip FFabrricaatioon电电子工业业出版社社，200042、曾莹莹译微微电子制制造科学学原理与与工程技技术 电子工工业出版版社，2200553、黄汉汉尧主编编：半半导体工工艺原理理国防防工业出出版社，119800预修课程程：固体物物理，半半导体物物理适用专业业：微电子子学
5、、电电子科学学与技术术模拟集集成电路路设计课课程教学学大纲课程名称称（中文文）：模模拟集成成电路设设计 学学分数：2课程名称称（英文文）：Dessignn off Annaloog IInteegraatedd Ciircuuitss 课内学时时数：660 上机时时数：330课外学时时数：660教学方式式：授课课及上机机教学要求求： 通过对对CMOOS基本本模拟电电路和模模拟系统统的原理理的学习习，分析析和掌握握各种CCMOSS模拟电电路，达达到能够够独立设设计运放放、比较较器和有有关模拟拟系统的的目的。课程主要要内容：（字以以内） MOSS晶体管管模型；CMOOS放大大器及差差动放大大器；运
6、运放和比比较器；D/AA和A/D转换换器；开开关电容容滤波器器；振荡荡器和锁锁相环；版图设设计。教材名称称：CMMOS集集成电路路设计，西西安交通通大学出出版社，陈陈贵灿，邵邵志标等等。主要参考考书：1、 Desiign of Anaalogg CMMOS Inttegrrateed CCirccuitts，西西安交通通大学出出版社。2、 CMOSS模拟电电路设计计（中译译本），科科学出版版社。预修课程程：1、 数字和模模拟电子子学基础础2、 高级程序序设计语语言适用专业业：微电子，信信息与通通信，计计算机，自自动控制制，仪器器和仪表表。数字集集成电路路设计课课程教学学大纲课程名称称（中文文）
7、：数数字集成成电路设设计 学分分数：33课程名称称（英文文）：Dessignn off Diigittal Inttegrrateed CCirccuitts 课内学时时数：660 上上机时数数：300课外学时时数：660教学方式式：授课课、上机机教学要求求： 通过对对数字电电路及其其系统原原理的学学习，能能分析和和掌握各各种数字字电路，达达到以硬硬件描述述语言（HHDL）设设计各种种数字电电路的目目的。课程主要要内容：（字以以内） MOSS晶体管管工作原原理及核核比例缩缩小理论论；静态态逻辑门门电路，信信号传输输延迟及及功耗；动态逻逻辑电路路和时序序电路；VHDDL语言言；MOOS存储储器及
8、微微处理器器系统。教材名称称：CMMOS集集成电路路设计（西西安交通通大学出出版社），陈陈贵灿，邵邵志标等等，20000年年。主要参考考书：1、 数字CMMOS VLSSI分析析与设计计基础（北北京大学学出版社社，甘学学温）；2、 Westt N, Esshraaghiian K., Prrincciplles of CMOOS VVLSII DeesiggnAA syysteem PPersspecctivve. 2ndd. ReeadiingMMasssachhuseettss: AdddissonWessleyy Puubliishiing Commpanny, 19993.预修课程程：
9、1、 数字与模模拟电子子学基础础2、 高级程序序设计语语言适用专业业：微电子，信信息与通通信，计计算机，自自动控制制，仪器器与仪表表。超大规规模集成成电路基基础课课程教学学大纲课程名称称：超超大规模模集成电电路基础础 以超大规规模集成成电路（VVLSII）为表表征的微微电子技技术是信信息时代代的关键键技术之之一。它它是技术术进步和和经济发发展的重重要因素素，作为为计算机机技术、自自动控制制、通信信技术的的基础技技术的VVLSII不只是是微电子子类工程程师所掌掌握，而而应为越越来越多多的电子子系统设设计工程程师所了了解和掌掌握。本课程系系统介绍绍集成电电路设计计中的基基础问题题、MOOS晶体体管
10、、特特性与分分析、CCMOSS集成电电路设计计与制造造、寄生生效应与与延时，工工艺和版版图设计计规则，集集成电路路各种电电路类型型、分析析和设计计方法以以及电路路、版图图设计优优化等基基本问题题。通过本课课程学习习，将为为非微电电子专业业的工程程研究生生从事集集成电路路开发设设计和VVLSII的应用用开发打打下较为为全面的的必要的的专业基基础。*注：总总计588学时参考书：超大规规模集成成电路设设计基础础，清华华大学出出版社，220044年 VLLSI设设计概论论，清华华大学出出版社，220022年VLSSI（超超大规模模集成电电路）基基础课课程概况况介绍第1章 集成电电路概述述 （55学时）
11、 发展进进程、特特点、设设计要求求，分类类，设计计方法第2章 VLSSI和MMOS器器件 （55学时） 集成电电路结构构，增强强型MOOS管，耗耗尽型MMOS管管，体效效应，闩闩锁，阀阀值电压压第3章 CMOOS技术术 （55学时） 基本制制造技术术，CMMOS工工艺，设设计规则则，合格格率第4章 MOSS基本电电路 （88学时） MOSSFETT开关，基基本门电电路，复复杂门电电路，传传输门逻逻辑多路路选择器器，存储储单元，电电路设计计考虑（大大负载扇扇出驱动动，电迁迁移，互互连线延延迟）第5章 电路性性能分析析 （110学时时） 集成电电路电阻阻（矩形形、非矩矩形导体体电阻，沟沟道电阻阻，
12、MOOSFEET电阻阻），电电容（栅栅极电容容，扩散散电容，互互连线电电容），导导线长度度限制，延延迟时间间（逻辑辑门的上上升时间间，下降降时间，延延迟时间间计算），直直流转移移特性，噪噪声容限限，功率率消耗（动动态功耗耗、静态态功耗），CCMOSS和NMMOS逻逻辑电路路比较。第6章 CMOOS电路路设计 （114学时时） 逻辑电电路设计计（时钟钟静态逻逻辑：移移位寄存存器，主主从式DD触发器器、钟控控CMOOS；动动态CMMOS逻逻辑：动动态电路路结构、单单相控制制，四相相控制，多多米诺逻逻辑，nnp-CCMOSS逻辑，流流水线电电路）；设计优优化（晶晶体管尺尺寸，门门输入端端头数、漏漏源扩散散区电容容）；输输入输出出电路结结构；特特殊CMMOS电电路：伪伪NMOOS电路路，传输输门电路路，差分分共源共共栅电压压开关逻逻辑，各各种逻辑辑电路比比较第7单 集成电电路设计计与布局局布线方方法 （6学学时） 条形图图与布局局，版图图设计，布布局优化化，设计计方式，结结构设计计；门阵阵列方法法，标准准单元法法，可编编程逻辑辑阵列，全全定制，设设计工具具第8章 低压低低功耗电电路设计计 （44学时）第9章 子系统统电路设设计 （66学时） 加法器器，乘法法器，计计数器，存存储器（RRAM，RROM）