《半导体器件电子学教学大纲bbbp.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体器件电子学教学大纲bbbp.docx（7页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、半导体体器件电电子学教教学大纲纲课程编号号：MII322210009课程名称称：半导导体器件件电子学学 英英文名称称：Ellecttronnicssof Semmicoonduuctoor DDeviicess学时：446 学分：3课程类型型：限选选 课课程性质质：专业业课适用专业业：微电电子学先先修课程程：固体体物理，半半导体物物理开课学期期：6 开课课院系：微电子子学院一、课程程的教学学目标与与任务目标：本本课程是是微电子子学专业业的基础础课。通过本课程的的学习，掌掌握金属属-半导体体接触、半半导体表表面及MMIS结结构、异异质结，半半导体的的光、热热、磁和和压阻等等物理物物理与电电学特性
2、性，为后续课课程的学学习打好好基础。任务：以以半导体体的晶体体结构和和能带理理论、载流子子的输运运理论为为基础，系统掌握金属半导体接触、异质结、半导体表面及MIS结构等的基本概念、基本物理与电学特性，熟悉半导体光、热、磁、压阻等各种物理现象，了解金属-半导体接触、MIS结构、异质结的应用及其当前的技术发展。二、本课课程与其其它课程程的联系系和分工工本课程的的先修课课程是固固体物理理、半导导体物理理。三、课程程内容及及基本要要求(一) 金属和和半导体体的接触触 ( 8学时时)具体内容容：金属属半导体体接触及及其能级级图，金金属半导导体接触触整流理理论，少少数载流流子的注注入和欧欧姆接触触。1.基
3、本本要求（1）掌掌握金属属半导体体接触所所形成的的能级图图。（2）掌掌握金属属半导体体接触整整流理论论。（3）熟熟悉少数数载流子子的注入入和欧姆姆接触。2.重点点、难点点重点：掌掌握金属属半导体体接触所所形成的的能级图图。难点：金金属半导导体接触触整流特特性。3.说明明：金属属半导体体接触在在半导体体器件和和集成电电路的制制作中具具有很重重要的作作用，在在超高频频和大功功率器件件中，欧欧姆接触触是设计计和制造造中的关关键问题题之一。（二）半半导体表表面与MMIS结结构（110学时时）具体内容容：表面面态、表表面电场场效应，MMIS结结构的电电容-电电压特性性，硅-二氧化化硅系统统的性质质，表面
4、面电导及及迁移率率，表面面电场对对p-nn结特性性的影响响。1.基本本要求（1）熟熟悉表面面态的概概念及引引起表面面态的原原因。（2）掌掌握理想想MISS结构在在各种外外加电压压下的表表面势和和空间电电荷分布布。（3）掌掌握MIIS结构构的电容容-电压压特性。（4）掌掌握硅-二氧化化硅系统统的性质质。（5）了了解表面面电导及及迁移率率以及表表面电场场对p-n结特特性的影影响。2.重点点、难点点重点：了了解半导导体表面面状态，表表面电场场效应及及MISS的电容容-电压压特性。难点：半半导体表表面势与与表面状态态。3.说明明：研究究半导体体表面现现象对于于改善器器件性能能、提高高器件稳稳定性，以以
5、及指导导人们探探索新型型器件等等有着十十分重要要的意义义。（三）异异质结（8学时）具体内容容：异质质结及其其能带图图，异质质结的电电流输运运机构，异异质结在在器件中中的应用用，半导导体超晶晶格。1.基本本要求（1）熟熟练掌握握异质结结的定义义、特征征和类型型。（2）掌掌握异质质结的能能带结构构和电流流输运机机构。（3）了了解异质质结在器器件中的的应用。（4）了了解超晶晶格的基基本概念念。2.重点点、难点点重点：异异质结的的能带图图，电流流输运机机构。难点：异异质结的的能带结结构，异异质结的的电流输输运机构构3.说明明：异质质结器件件具有高高速/高高性能优优势，是是新型的的、有发发展前途途的半导
6、导体器件件。（四）半半导体的的光学性性质和光光电与发发光现象象（100学时）具体内容容：半导导体的光光学常数数，半导导体的光光吸收，半半导体的的光电导导，半导导体的光光生伏特特效应，半半导体发发光，半半导体激激光。1.基本本要求（1）掌掌握半导导体的光光吸收、光光电导、光光生伏特特效应、半半导体发发光等物物理概念念。（2）掌掌握半导导体的吸吸收、光光电导、光光生伏特特效应和和发光等等效应。（3）了了解半导导体激光光的基本本原理和和物理过过程。2.重点点、难点点重点：掌掌握半导导体的光光电特性性。难点：半半导体的的光生伏伏特效应应、半导导体发光光。3.说明明：半导导体的官官学特性性是半导导体光电
7、电子器件件的基础础。（五）半半导体的的热电性性质（44学时）具体内容容：热电电效应的的一般描描述，半半导体的的温差电电动势率率，半导导体的珀珀耳帖效效应，半半导体的的汤姆孙孙效应及及半导体体的热导导率。1.基本本要求（1）熟熟悉赛贝贝克效应应、珀耳耳帖效应应和汤姆姆孙效应应的一般般描述。（2）掌掌握产生生赛贝克克效应、珀耳帖效应和汤姆孙效应的机理。（3）掌掌握半导导体的热热导率。2.重点点、难点点重点：产产生赛贝贝克效应应、珀耳耳帖效应应和汤姆姆孙效应应的机理理，半导导体的热热导率。难点：产产生赛贝贝克效应应、珀耳耳帖效应应和汤姆姆孙效应应的机理理。3.说明明：半导导体的热热电性质质在温差差发
8、电、温温差致冷冷方面获获得了发发展。（六）半半导体磁磁和压阻阻效应（66学时）具体内容容：半导导体的霍霍耳效应应、磁阻阻效应、磁磁光效应应、量子子化霍耳耳效应、热热磁效应应、光磁磁电效应应、压阻阻效应和和声电效效应。1.基本本要求（1）掌掌握半导导体的霍霍耳效应应、磁阻阻效应、热热磁效应应、光磁磁电效应应和压阻阻效应。（2）了了解磁光光效应、量量子化霍霍耳效应应和声电电效应。2.重点点、难点点重点：掌掌握霍耳耳效应、磁磁阻效应应、热磁磁效应、光光磁电效效应和压压阻效应应。难点：半半导体的的霍耳效效应、磁磁阻效应应。3.说明明：半导导体磁和和压阻效效应在半半导体的的应用方方面是很很重要的的，常见
9、见的有传传感器与与探测器器。四、教学学安排及及方式总学时 46 学时，讲讲课 441 学学时，多多种形式式教学 5 学学时 教学环环节教学时数数课程内容容讲 课实 验习 题 课讨 论 课上 机机参观或看录像小 计金属和半半导体的的接触718半导体表表面与MMIS结结构9110异质结718半导体的的光学性性质和光光电与发发光现象象9110半导体的的热电性性质44半导体磁磁和压阻阻效应516五、考核核方式笔试（闭闭卷）。各教学环环节占总总分的比比例:平平时测验验及作业业：20%，期期末考试试：80%六、推荐荐教材与与参考资资料刘恩科、朱朱秉生等等编半导导体物理理学（第第四版），北北京：国国防工业业出版社社，19994。（执笔人人：张军军琴 审核核人：柴柴常春）20055年8月20日7