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1、第七章 存储器器和可编编程逻辑辑器件思考题1.存储储器的地地址码的的位数与与存储容容量有什什么关系系？存储器的的容量由由地址码码的位数数n和字字的位数数m决定。n位地址址码，mm位字长长的RAAM内含含2nm个存储储单元,称为22n字m位的RRAM。如n=110,mm= 44 则RAAM的容容量210410224字4位1KK4如n=111 ,m = 4 则RAAM的容容量211420448字4位2KK42.MOOS型静静态RAAM和动动态RAAM相比比较的优优缺点？动态RAAM的突突出优点点是容量量大、功功耗低，缺缺点是要要求定期期刷新；静态RRAM不不需要刷刷新，因因而使用用方便，缺缺点是每
2、每个存储储单元需需6个MMOS管管，与动动态RAAM相比比，容量量较小、功功耗较大大。3RAAM的主主要参数数有哪些些？RAM的的容量和和工作速速度是其其主要的的技术参参数。4为什什么说RRAM属属于时序序逻辑电电路，RROM属属于组合合逻辑电电路？RAM存存储单元元必须具具有置数数和保持持功能，在在不进行行读写操操作时RRAM保保存它所所存储的的信息，在在进行读读操作时时，RAAM的输输出和电电路以前前的状态态有关，因因此RAAM属于于时序逻逻辑电路路。对于ROOM来说说，若把把地址码码视为输输入变量量，输出出的每一一位数据据随地址址码改变变而改变变，这取取决于RROM阵阵列中的的开关元元件
3、是接接通还是是断开，即即ROMM任一时时刻的输输出仅仅仅取决于于该时刻刻的输入入地址码码，因此此ROMM属于组组合逻辑辑电路，其其地址译译码器是是一个与与门构成成的阵列列（与阵阵），存存储单元元矩阵是是一个或或门的阵阵列（或或阵）。5.PRROM、PPLA和和PALL如何实实现组合合逻辑函函数？PROMM与阵（地地址译码码器）是是不可编编的，或或阵（存存储单元元矩阵）是是可编的的，因此此ROMM按标准准与或表表达式即即最小项项表达式式编程。根据如下下ROMM阵列结结构示意意图，实实现逻辑辑函数DD1、DD2、DD3、DD4如下下所示。可编逻辑辑阵列PPLA按按照最简简与或表表达式编编程，它它的
4、与阵阵和或阵阵都是可可编的。根根据教材材2488页图7.3.1的实实例，与与阵的输输出P11和P22为：或阵的输输出F11和F22为：可编阵列列逻辑PPAL与与阵可编编而或阵阵不可编编，编程程时按照照需要将将与阵中中的某些些熔丝烧烧断，如如图所示示为用PPAL实实现异或或函数的的熔丝图图。6.什么么是GAAL？通用阵列列逻辑GGAL是是CMOOS工艺艺的、可可多次编编程的器器件，GGAL用用EEPPROMM的浮栅栅隧道管管取代了了PALL中的熔熔丝，可可以进行行1000次以上上的多次次编程。GGAL和和PALL一样，有有一个可可编程的的与阵和和一个不不可编程程的或阵阵，但为为了通用用，GAAL
5、在或或阵之后后接一个个输出逻逻辑宏单单元（OOLMCC），可可实现不不同的输输出模式式（组合合电路型型输出模模式、寄寄存器型型输出模模式），构构成多种种组合电电路或时时序电路路。练习题1用一一个ROOM实现现如下两两个函数数：解：W15 W14 W13 W12 W11 W10 W9 W8 W7 W6 W5 W4 W3 W2 W1 W0F1 F2 F22用一一个PLLA实现现如下两两个函数数：AABB CC DDEEFFF1F2联系 填空空题：1.MOOS型RRAM存存储单元元目前有有管管存储单单元和管存存储单元元两类。2.常用用的可编编程ROOM有、和和类型。3.地址址码为110位的的存储器器中存储储个字字。4.81192字字32位位存储器器的地址址码是位，它它有个存存储单元元。5.ROOM是阵阵可可编，阵不不可编；PALL是阵可编编，阵不可可编。答案：1.六，静静态，单单，动态态2.PRROM，EEPROOM，EEEPRROM3.2110(11K)4.133，81192325.或，与与，与，或或练习题：1.用一一个ROOM实现现如下两两个函数数：