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1、光电检测光电探测器第1页，共94页，编辑于2022年，星期五光光辐辐射射探探测测器器热热电电探探测测器器光光子子探探测测器器第2页，共94页，编辑于2022年，星期五 热电探测器特点：热电探测器特点：响应波长无选择性响应波长无选择性响应波长无选择性响应波长无选择性，它对从可见光到远红外，它对从可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感。的各种波长的辐射同样敏感。响应慢响应慢响应慢响应慢，吸收辐射产生信号需要的时，吸收辐射产生信号需要的时间长，一般在几毫秒以上。间长，一般在几毫秒以上。光电探测器特点：光电探测器特点：响应波长有选择性响应波长有选择性响应波长有选择性响应波长有选择性，存在某一截止波长，
2、存在某一截止波长0 0，超过此波长，器件没有响应。超过此波长，器件没有响应。响应快响应快响应快响应快，一般在纳秒到几百微秒。，一般在纳秒到几百微秒。第3页，共94页，编辑于2022年，星期五1.1.响应度（或灵敏度响应度（或灵敏度)光电探测器的输出电压或输出电流光电探测器的输出电压或输出电流(或光电导或光电导)与入射光与入射光功率功率(或光照度或光照度)之比之比，它描述器件的光电转换效能。，它描述器件的光电转换效能。第一节、基本特性参数第一节、基本特性参数一、响应方面的参数一、响应方面的参数第4页，共94页，编辑于2022年，星期五光谱响应度光谱响应度 光电探测器的输出电压或输出电流与入射到探
3、测器上的单色辐射通光电探测器的输出电压或输出电流与入射到探测器上的单色辐射通量之比量之比，光谱响应度愈大，表示光电探测器愈灵敏。光谱响应度愈大，表示光电探测器愈灵敏。第5页，共94页，编辑于2022年，星期五积分响应度积分响应度 光电探测器输出的电流或电压与入射总光通量之比称为积分光电探测器输出的电流或电压与入射总光通量之比称为积分响应度响应度。积分灵敏度表示探测器对积分灵敏度表示探测器对连续辐射通量连续辐射通量的反应程度。的反应程度。第6页，共94页，编辑于2022年，星期五2 2响应时间响应时间 当入射辐射到光电探测器后当入射辐射到光电探测器后或入射辐射遮断后，光电探测或入射辐射遮断后，光
4、电探测器的输出上升到稳定值或下降器的输出上升到稳定值或下降到照射前的值所需时间称为到照射前的值所需时间称为响响应时间应时间。上升时间和下降时间上升时间和下降时间第7页，共94页，编辑于2022年，星期五3 3频率响应频率响应 光电探测器的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性称为光电探测器的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性称为频率响应频率响应。第8页，共94页，编辑于2022年，星期五二、噪声方面的参数二、噪声方面的参数 从响应度的定义来看，好象只要有光辐射存在，不管它的功率从响应度的定义来看，好象只要有光辐射存在，不管它的功率如何小，都可探测出来。但事实并非如此。当入射功率很低时，输出如何
5、小，都可探测出来。但事实并非如此。当入射功率很低时，输出只是些杂乱无章的变化信号，而无法肯定是否有辐射入射在探测器上。只是些杂乱无章的变化信号，而无法肯定是否有辐射入射在探测器上。这并不是探测器不好引起的，而是它所固有的这并不是探测器不好引起的，而是它所固有的“噪声噪声”引起的。如果引起的。如果对这些随时间而起伏的电压对这些随时间而起伏的电压(流流)按时间取平均值，则平均值等于零。按时间取平均值，则平均值等于零。但这些值的但这些值的均方根不等于零，这个均方根电压均方根不等于零，这个均方根电压(流流)称为探测器的噪声称为探测器的噪声电压电压(流流)。第9页，共94页，编辑于2022年，星期五热噪
6、声：热噪声：也称约翰逊噪声，也称约翰逊噪声，载流子无规则的热运动造成的噪声。载流子无规则的热运动造成的噪声。热噪声存在于任何电阻中。热噪声存在于任何电阻中。热噪声存在于任何电阻中。热噪声存在于任何电阻中。热噪声与温度成正比。热噪声与温度成正比。热噪声与温度成正比。热噪声与温度成正比。热噪声与频率无关。热噪声与频率无关。热噪声与频率无关。热噪声与频率无关。热噪声是各种频率分量组成，就像白光是热噪声是各种频率分量组成，就像白光是各种波长的光组成一样，所以热噪声也称为各种波长的光组成一样，所以热噪声也称为白噪声白噪声。1 1、器件的噪声、器件的噪声第10页，共94页，编辑于2022年，星期五散粒噪声
7、：散粒噪声：也称散弹噪声，也称散弹噪声，穿越势垒的载流子的随机涨落（统计起伏）所造成的穿越势垒的载流子的随机涨落（统计起伏）所造成的噪声。在每个时间间隔内，穿过势垒区的载流子的数或从阴极到阳极的噪声。在每个时间间隔内，穿过势垒区的载流子的数或从阴极到阳极的电子数都围绕一平均值上下起伏。散粒噪声也是电子数都围绕一平均值上下起伏。散粒噪声也是白噪声白噪声。产生复合噪声：产生复合噪声：产生复合噪声：产生复合噪声：载流子的产生率与复合率在某个时间间隔内也会在平均值上下起伏，这载流子的产生率与复合率在某个时间间隔内也会在平均值上下起伏，这载流子的产生率与复合率在某个时间间隔内也会在平均值上下起伏，这载流
8、子的产生率与复合率在某个时间间隔内也会在平均值上下起伏，这种起伏导致载流子浓度的起伏，从而也产生均方噪声电流。它不是白噪声。种起伏导致载流子浓度的起伏，从而也产生均方噪声电流。它不是白噪声。种起伏导致载流子浓度的起伏，从而也产生均方噪声电流。它不是白噪声。种起伏导致载流子浓度的起伏，从而也产生均方噪声电流。它不是白噪声。第11页，共94页，编辑于2022年，星期五 1/f 噪声噪声(闪烁噪声或低频噪声）：闪烁噪声或低频噪声）：由于光敏层的微粒不均匀或不必要的微量杂质的存在，当电流流由于光敏层的微粒不均匀或不必要的微量杂质的存在，当电流流过时在微粒间发生微火花放电而引起的微电爆脉冲称为过时在微粒
9、间发生微火花放电而引起的微电爆脉冲称为1/f 噪声。噪声。频率越低，这种噪声越大，所以也称为低频噪声，它是属于频率越低，这种噪声越大，所以也称为低频噪声，它是属于“红红”噪声。噪声。第12页，共94页，编辑于2022年，星期五2 2、噪声参数：、噪声参数：信噪比信噪比(SN)：信噪比是判定噪声大小通常使用的参数。它是信噪比是判定噪声大小通常使用的参数。它是在负载电阻在负载电阻R RL L上产生上产生的信号功率与噪声功率之比的信号功率与噪声功率之比，即若用分贝若用分贝(dB)dB)表示，则为表示，则为第13页，共94页，编辑于2022年，星期五 利用利用S SN N评价两种光电探测器性能时，必须
10、在评价两种光电探测器性能时，必须在信号辐射功率信号辐射功率相同相同的情况下才能比较。的情况下才能比较。但对单个光电探测器，其但对单个光电探测器，其S SN N的大小与入射信号辐射功率及接的大小与入射信号辐射功率及接收面积有关。如果入射辐射强，接收面积大，收面积有关。如果入射辐射强，接收面积大，S SN N就大，但性能就大，但性能不一定就好。因此用不一定就好。因此用S SN N评价器件有一定的局限性。评价器件有一定的局限性。第14页，共94页，编辑于2022年，星期五等效噪声输入等效噪声输入等效噪声输入等效噪声输入(ENlENl)：它定义为器件在特定带宽内器件在特定带宽内(1(1Hz)Hz)产生
11、的均方根信号电流恰好等于均方根产生的均方根信号电流恰好等于均方根噪声电流值时的输入通量噪声电流值时的输入通量，此时，其他参数，如频率温度等应加以规定。这个参数是在确定光电探测器件的探测极限(以输入通量为瓦或流明表示)时使用。噪声等效功率噪声等效功率(NEP)：或称最小可探测功率最小可探测功率P Pminmin。它定义为信号功率与噪声功率之比为信号功率与噪声功率之比为1(1(即即S SN N=1)=1)时，入射到探测器上的辐射通量时，入射到探测器上的辐射通量(单位为瓦单位为瓦)。即第15页，共94页，编辑于2022年，星期五探测率探测率D D：只用只用NEPNEP无法比较两个不同来源的光探器的优
12、劣。为此，引入两个新的性无法比较两个不同来源的光探器的优劣。为此，引入两个新的性能参数能参数探测率探测率D D和比探测率和比探测率D D*。探测率探测率D D定义为定义为NEPNEP（噪声等效功率）的噪声等效功率）的倒数倒数，即，即 显然，显然，D D愈大，光电探测器的性能就愈好。探测率愈大，光电探测器的性能就愈好。探测率D D所提供的信息与所提供的信息与NEPNEP一一样，也是一项特征参数。不过它所描述的特性是：光电探测器在它的噪声电平之样，也是一项特征参数。不过它所描述的特性是：光电探测器在它的噪声电平之上产生一个可观测的电信号的本领，上产生一个可观测的电信号的本领，即光电探测器能响应的入
13、射光功率越小，即光电探测器能响应的入射光功率越小，即光电探测器能响应的入射光功率越小，即光电探测器能响应的入射光功率越小，则其探测率越高。则其探测率越高。则其探测率越高。则其探测率越高。第16页，共94页，编辑于2022年，星期五归一化探测率归一化探测率D D*：为了在不同带宽内对测得的不同的光敏面积的光电探测器件进行比较，为了在不同带宽内对测得的不同的光敏面积的光电探测器件进行比较，使用了归一化探测率（比探测率）使用了归一化探测率（比探测率）D D*。暗电流暗电流Id ：即光电探测器在没有输入信号和背景辐射时所流过的电流即光电探测器在没有输入信号和背景辐射时所流过的电流(加电源加电源时时)。
14、一般测量其直流值或平均值。一般测量其直流值或平均值。第17页，共94页，编辑于2022年，星期五1 1、量子效率、量子效率()：在某一特定波长上每秒钟内产生的光电子数与入射光量子数之比。在某一特定波长上每秒钟内产生的光电子数与入射光量子数之比。一般一般()反映的是入射辐射与最初的光敏面的相互作用。反映的是入射辐射与最初的光敏面的相互作用。若若()1（理论上），则入射一个光量子就能发射一个电子或产生理论上），则入射一个光量子就能发射一个电子或产生一对电子孔穴对。实际上一对电子孔穴对。实际上()410nm的的可可见见光光来来说说，很很难难产产生光电发射，生光电发射，量子效率低；量子效率低；量子效率
15、低；量子效率低；金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？第31页，共94页，编辑于2022年，星期五半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？光吸收系数比金属大；光吸收系数比金属大；光吸收系数比金属大；光吸收系数比金属大；体内自由电子少，散射能量变小体内自由电子少，散射能量变小体内自由电子少，散射能量变小体内自由电子少，散射能量变小故量
16、子效率比金属大；故量子效率比金属大；故量子效率比金属大；故量子效率比金属大；光发射波长延伸至可见光、近红外波段。光发射波长延伸至可见光、近红外波段。光发射波长延伸至可见光、近红外波段。光发射波长延伸至可见光、近红外波段。70 70 70 70年代后期，发展了年代后期，发展了年代后期，发展了年代后期，发展了负电子亲和势（负电子亲和势（负电子亲和势（负电子亲和势（NEANEANEANEA）光电阴极，长波可至光电阴极，长波可至光电阴极，长波可至光电阴极，长波可至1.61.6mm。第32页，共94页，编辑于2022年，星期五(1)(1)使光电阴极发射的光电子尽可能全部会聚到第一倍增极上，而将其他部分的
17、杂散电使光电阴极发射的光电子尽可能全部会聚到第一倍增极上，而将其他部分的杂散电子散射掉，提高信噪比；子散射掉，提高信噪比；(2)(2)使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中有尽可能相等的渡越时间，以保证光电倍增管使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中有尽可能相等的渡越时间，以保证光电倍增管的快速响应。的快速响应。光电阴极光电阴极聚焦极聚焦极3 3电子光学系统电子光学系统第33页，共94页，编辑于2022年，星期五 倍增系统是由许多倍增极组成的综合体，每个倍增极都是由二次电子倍增材料构成，具有倍增系统是由许多倍增极组成的综合体，每个倍增极都是由二次电子倍增材料构成，具有使一次电子倍增的能
18、力。因此倍增系统是决定整管灵敏度最关键的部分。使一次电子倍增的能力。因此倍增系统是决定整管灵敏度最关键的部分。4 4二次发射倍增系统二次发射倍增系统第34页，共94页，编辑于2022年，星期五 阳极是采用金属网作的栅网状结构，把它置于靠近最末一级倍增阳极是采用金属网作的栅网状结构，把它置于靠近最末一级倍增极附近，用来收集最末一级倍增极发射出来的电子。极附近，用来收集最末一级倍增极发射出来的电子。光入射窗口光入射窗口光电阴极光电阴极电子光学输入系统电子光学输入系统二次发射电子倍增器二次发射电子倍增器阳极阳极5 5阳极阳极第35页，共94页，编辑于2022年，星期五1 1、光子透过入射窗入射到光电
19、阴极、光子透过入射窗入射到光电阴极K K上。上。2 2、光电阴极的电子受光子激发，离开表面发射到真空中。、光电阴极的电子受光子激发，离开表面发射到真空中。3 3、光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增极、光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增极D1D1上，倍增极上，倍增极发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经N N级倍增后，光电子就放级倍增后，光电子就放大大N N次。次。4 4、经过倍增后的二次电子由阳极、经过倍增后的二次电子由阳极a a收集起来，形成阳极光电流，在负载收集起来，形成阳极光电流，在负载R RL L上产
20、生信号电压。上产生信号电压。第36页，共94页，编辑于2022年，星期五、基本特性参数、基本特性参数1 1光谱响应度光谱响应度 PMTPMT的光谱响应曲线与光电阴极的相同，主要取决于的光谱响应曲线与光电阴极的相同，主要取决于光电阴极材料光电阴极材料的性质的性质。第37页，共94页，编辑于2022年，星期五2 2放大倍数放大倍数(电流增益电流增益)在一定工作电压下，光电倍增管的阳极电流与阴极电流之比称为在一定工作电压下，光电倍增管的阳极电流与阴极电流之比称为管子的放大倍数管子的放大倍数M M或电流增益或电流增益G G。3.3.暗电流暗电流 它限制了可测直流光通量的最小值，同时也是产生噪声的重要因
21、素，它限制了可测直流光通量的最小值，同时也是产生噪声的重要因素，是鉴别管子质量的重要参量。应选取暗电流较小的管子。是鉴别管子质量的重要参量。应选取暗电流较小的管子。第38页，共94页，编辑于2022年，星期五4.4.伏安特性伏安特性 光电倍增管的伏安特性曲光电倍增管的伏安特性曲线分为阴极伏安特性曲线与阳线分为阴极伏安特性曲线与阳极伏安特性曲线。在电路设计极伏安特性曲线。在电路设计时，一般使用阳极伏安特性曲时，一般使用阳极伏安特性曲线来进行负载电阻、输出电流、线来进行负载电阻、输出电流、输出电压的计算。输出电压的计算。第39页，共94页，编辑于2022年，星期五5.5.频率响应频率响应 由于由于
22、PMT是光电发射型器件，而光电发射的延迟时间是光电发射型器件，而光电发射的延迟时间31013S，所以所以PMTPMT有很高的频率响应有很高的频率响应有很高的频率响应有很高的频率响应。6.6.噪声噪声 主要来源是光电阴极、光电发射的随机性和各倍增极二次电主要来源是光电阴极、光电发射的随机性和各倍增极二次电子发射的随机性，同时也与背景光或信号光中的直流分量有关。子发射的随机性，同时也与背景光或信号光中的直流分量有关。第40页，共94页，编辑于2022年，星期五、PMTPMT的供电电路的供电电路 倍增管各电极要求倍增管各电极要求直流供电直流供电，从阴极开始至各级的电压要依，从阴极开始至各级的电压要依
23、次升高，一般多采用次升高，一般多采用电阻链分压电阻链分压电阻链分压电阻链分压办法来供电。一般情况下，各办法来供电。一般情况下，各级间电压均相等，约级间电压均相等，约80V100V，总电压约总电压约1KV1.3KV。第41页，共94页，编辑于2022年，星期五 对对电源电压稳定性要求较高电源电压稳定性要求较高。如果电源电压不稳，会引起许多参量的变。如果电源电压不稳，会引起许多参量的变化，特别是电流增益变化，从而直接影响输出特性。目前已有光电倍增管专化，特别是电流增益变化，从而直接影响输出特性。目前已有光电倍增管专用的电源稳压块。用的电源稳压块。1)1)1)1)电源电压稳定性的要求电源电压稳定性的
24、要求电源电压稳定性的要求电源电压稳定性的要求 电源电压的变化和放大倍数变化的关系为：电源电压的变化和放大倍数变化的关系为：电源电压的变化和放大倍数变化的关系为：电源电压的变化和放大倍数变化的关系为：第42页，共94页，编辑于2022年，星期五 因倍增管中的电流与电阻链中的电流是并联关系，要保证各级电压稳定，因倍增管中的电流与电阻链中的电流是并联关系，要保证各级电压稳定，要求流过电阻链的电流要求流过电阻链的电流IR至少要比阳极电流至少要比阳极电流Ia大大20倍以上倍以上。一般说，一般说，IR越大，对稳定极间电压越大，对稳定极间电压U UD D越有利。但越有利。但IR也不能太大，因也不能太大，因为
25、为IR太大会增大电阻的功耗，加重电源负担。当太大会增大电阻的功耗，加重电源负担。当UD给定后，分压电阻给定后，分压电阻R的最大值的最大值应取决于阳极的最大平均电流应取决于阳极的最大平均电流，R最小值最小值应取决于高压电源应取决于高压电源输出的功率输出的功率。一般常用分压器的阻值选择范围为。一般常用分压器的阻值选择范围为20K 500K2)2)2)2)电阻链分压电阻的确定电阻链分压电阻的确定电阻链分压电阻的确定电阻链分压电阻的确定第43页，共94页，编辑于2022年，星期五 倍增管的输出电流主要是倍增管的输出电流主要是来自于最后几级，探测脉冲来自于最后几级，探测脉冲光时，为了不使光时，为了不使阳
26、极脉动电流阳极脉动电流引起极间电压发生大的变化，引起极间电压发生大的变化，常在最后几级的分压电阻上并常在最后几级的分压电阻上并联电容器。联电容器。3)3)并联电容的确定并联电容的确定第44页，共94页，编辑于2022年，星期五 倍增管供电电路与其后续信倍增管供电电路与其后续信倍增管供电电路与其后续信倍增管供电电路与其后续信号处理电路必须要有一个共用的号处理电路必须要有一个共用的号处理电路必须要有一个共用的号处理电路必须要有一个共用的参考电位，即接地点。倍增管的参考电位，即接地点。倍增管的参考电位，即接地点。倍增管的参考电位，即接地点。倍增管的接地方式有两种，即接地方式有两种，即接地方式有两种，
27、即接地方式有两种，即阴极接地阴极接地阴极接地阴极接地或或或或阳极接地阳极接地阳极接地阳极接地。4)4)接地方式接地方式阴极接地阴极接地阴极接地阴极接地阳极接地阳极接地阳极接地阳极接地第45页，共94页，编辑于2022年，星期五 优点：优点：便于屏蔽，光、磁、电的屏蔽罩可以跟阴极靠得近些，便于屏蔽，光、磁、电的屏蔽罩可以跟阴极靠得近些，屏蔽屏蔽效果好；暗电流小，噪声低效果好；暗电流小，噪声低。缺点：缺点：但这时阳极要处于正高压，会导致寄生电容大，匹配电缆连接但这时阳极要处于正高压，会导致寄生电容大，匹配电缆连接复杂，特别是后面若接直流放大器，整个放大器都处于高电压，不利于安全操作；复杂，特别是后
28、面若接直流放大器，整个放大器都处于高电压，不利于安全操作；如果后面接交流放大器，则必须接一个耐压很高的隔直电容器，而一般耐压很高如果后面接交流放大器，则必须接一个耐压很高的隔直电容器，而一般耐压很高的电容器体积大而且价格高。的电容器体积大而且价格高。阴极接地的特点阴极接地的特点阴极接地的特点阴极接地的特点 第46页，共94页，编辑于2022年，星期五优点优点优点优点：便于跟后面的放大器相接，操作安全，后面不仅可以通过一个便于跟后面的放大器相接，操作安全，后面不仅可以通过一个低压耦合电容与交流放大器相接，也可以直接与直流放大器相接。低压耦合电容与交流放大器相接，也可以直接与直流放大器相接。缺点：
29、缺点：但这时阴极要处于负高压，屏蔽罩不能跟阴极靠得很近，至但这时阴极要处于负高压，屏蔽罩不能跟阴极靠得很近，至少要间隔少要间隔1 1cmcm2 2cmcm，因此屏蔽效果差一些，暗电流和噪声都比阴极接地时因此屏蔽效果差一些，暗电流和噪声都比阴极接地时大，而且整个倍增管装置的体积也要大些。大，而且整个倍增管装置的体积也要大些。阳极接地的特点阳极接地的特点阳极接地的特点阳极接地的特点第47页，共94页，编辑于2022年，星期五 使用前应了解器件的特性。真空光电器件的共同特点是灵敏度高、惰性使用前应了解器件的特性。真空光电器件的共同特点是灵敏度高、惰性小、供电电压高、采用玻璃外壳、小、供电电压高、采用
30、玻璃外壳、抗震性差抗震性差。使用时不宜用强光照使用时不宜用强光照。光照过强时，光电线性会变差而且容易使光电阴极疲劳。光照过强时，光电线性会变差而且容易使光电阴极疲劳（轻度疲劳经一段时间可恢复，重度疲劳不能恢复），缩短寿命。（轻度疲劳经一段时间可恢复，重度疲劳不能恢复），缩短寿命。工作电流不宜过大工作电流不宜过大。工作电流大时会烧毁阴极面，或使倍增级二次电子发射系数下。工作电流大时会烧毁阴极面，或使倍增级二次电子发射系数下降，增益降低，光电线性变差，缩短寿命。降，增益降低，光电线性变差，缩短寿命。用来测量交变光时，用来测量交变光时，负载电阻不宜很大负载电阻不宜很大，因为负载电阻和管子的等效电容一
31、起，因为负载电阻和管子的等效电容一起构成电路的时间常数，若负载电阻较大，时间常数就变大，频带将变窄。构成电路的时间常数，若负载电阻较大，时间常数就变大，频带将变窄。6 6 6 6）使用注意事项）使用注意事项）使用注意事项）使用注意事项第48页，共94页，编辑于2022年，星期五一、简答题一、简答题1 1、光电倍增管的基本结构与工作原理是什么？、光电倍增管的基本结构与工作原理是什么？二、文献检索二、文献检索 什么是负电子亲和势（什么是负电子亲和势（NEANEA）光电阴极？原理？光电阴极？原理？第49页，共94页，编辑于2022年，星期五三、选择题三、选择题1 1、关于、关于PMTPMT，错误的是
32、（错误的是（）A A、使用时不宜用强光照使用时不宜用强光照 B B、抗震性好抗震性好 C C、工作电流不宜过大工作电流不宜过大 D D、选大负载电阻来扩展频带选大负载电阻来扩展频带2 2、关于良好的光电发射材料，错误的是（）、关于良好的光电发射材料，错误的是（）A A、光吸收系数要小光吸收系数要小 B B、溢出深度要小溢出深度要小C C、材料的溢出功要小材料的溢出功要小 D D、有一定的电导率有一定的电导率 第50页，共94页，编辑于2022年，星期五三、计算题三、计算题 现有现有GDB-423光电倍增管的阴极有效面积为光电倍增管的阴极有效面积为2cm2，阴极灵敏度阴极灵敏度为为25A/lm，
33、倍增系统的放大倍数倍增系统的放大倍数105，阳极额定电流为，阳极额定电流为20A，求允许求允许的最大照度。的最大照度。第51页，共94页，编辑于2022年，星期五一、光敏电阻一、光敏电阻第三节、半导体光电检测器件第三节、半导体光电检测器件第52页，共94页，编辑于2022年，星期五 本征型本征型半导体光敏电阻、半导体光敏电阻、掺杂型掺杂型半导体光敏电阻半导体光敏电阻第53页，共94页，编辑于2022年，星期五 当入射光子使电子由价带越升到导带时，导带中的电子和价带中的空当入射光子使电子由价带越升到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，因此电阻显著减小，电导增加。若连接电源和负载电阻，穴
34、均参与导电，因此电阻显著减小，电导增加。若连接电源和负载电阻，即可输出电信号。即可输出电信号。第54页，共94页，编辑于2022年，星期五 优点优点：灵敏度高灵敏度高，工作电流大工作电流大（达数毫安）（达数毫安），光谱，光谱响应范围宽，所测光强范围宽，无极性之分。响应范围宽，所测光强范围宽，无极性之分。缺点缺点：响应时间长，频率特性差，强光线性差，受温：响应时间长，频率特性差，强光线性差，受温度影响大。度影响大。主要用于主要用于红外的弱光探测与开关控制红外的弱光探测与开关控制。第55页，共94页，编辑于2022年，星期五第56页，共94页，编辑于2022年，星期五路灯自动点熄原理图如图所示，分
35、析它的工作原理。路灯自动点熄原理图如图所示，分析它的工作原理。第57页，共94页，编辑于2022年，星期五 它是利用光生伏特效应制成的将光能转换成电能的器件。它是利用光生伏特效应制成的将光能转换成电能的器件。它是一种不需加偏压就能把光能直接转换成电能它是一种不需加偏压就能把光能直接转换成电能P-NP-N结光电结光电器件。器件。按用途可分成按用途可分成太阳能光电池太阳能光电池和和光电检测光电池光电检测光电池。二、光电池二、光电池第58页，共94页，编辑于2022年，星期五 在在P P（N N）型硅作基底，然后在基底上扩散型硅作基底，然后在基底上扩散N N（P P）型型半导体作为受光面。构成半导体
36、作为受光面。构成P-NP-N结后，再经过各种工艺处理，结后，再经过各种工艺处理，分别在基底和光敏面上制作输出电极，涂上二氧化硅作分别在基底和光敏面上制作输出电极，涂上二氧化硅作保护膜，即成光电池。保护膜，即成光电池。第59页，共94页，编辑于2022年，星期五 当光照到当光照到PNPN结表面时，如果光子能量足够大，就将在结表面时，如果光子能量足够大，就将在PNPN结附近激发电子空穴对，在结附近激发电子空穴对，在PNPN结内电场作用下，结内电场作用下，N N区的区的光生空穴拉向光生空穴拉向P P区，区，P P区的光生电子拉向区的光生电子拉向N N区，结果在区，结果在N N区聚区聚集了电子，集了电
37、子，P P区聚集了空穴，这样在区聚集了空穴，这样在N N区和区和P P区之间产生了区之间产生了电势差。电势差。第60页，共94页，编辑于2022年，星期五 光电检测光电池具有光电检测光电池具有光敏面积大光敏面积大，频率响应高频率响应高，光电流随照度线光电流随照度线性变化性变化。太阳能光电池太阳能光电池耐辐射，转换效率高，成本低，体积小，结构简耐辐射，转换效率高，成本低，体积小，结构简单、重量轻、可靠性高、寿命长单、重量轻、可靠性高、寿命长，在空间能直接利用太阳能转换，在空间能直接利用太阳能转换成电能的特点。成电能的特点。第61页，共94页，编辑于2022年，星期五符号符号 连接电路连接电路 等
38、效电路等效电路第62页，共94页，编辑于2022年，星期五三、光敏二极管三、光敏二极管第63页，共94页，编辑于2022年，星期五共同点共同点：一个一个PNPN结，单向导电性结，单向导电性不同点：不同点：受光面大，受光面大，PNPN结面积更大，结面积更大，PNPN结深度较浅；结深度较浅；表面有防反射的表面有防反射的SiOSiO2 2保护层；保护层；外加负偏压；外加负偏压；与普通二极管相比与普通二极管相比:第64页，共94页，编辑于2022年，星期五共同点：共同点：均为一个均为一个PNPN结，利用光生伏特效应，结，利用光生伏特效应，SiOSiO2 2保护膜；保护膜；不同点：不同点：结面积结面积比
39、光电池的比光电池的小小，频率特性好频率特性好；光生电势与光电池相同，但光生电势与光电池相同，但电流电流比光电池比光电池小小；可在零偏压下工作，更常在可在零偏压下工作，更常在反偏压下工作反偏压下工作；与光电池相比：与光电池相比：第65页，共94页，编辑于2022年，星期五无光照时，只有热效应引起的暗电流流无光照时，只有热效应引起的暗电流流过过PNPN结；结；光照时，产生附加的光生载流子，光照时，产生附加的光生载流子，使流过使流过PNPN结的电流骤增；反向电压增结的电流骤增；反向电压增加了耗尽层的宽度和结电场，使更多加了耗尽层的宽度和结电场，使更多的光生载流子流过的光生载流子流过PNPN结。结。第
40、66页，共94页，编辑于2022年，星期五a)a)不加外电源不加外电源 b)b)加反向外电源加反向外电源 c)2DUc)2DU环极接法环极接法环极接法的作用：环极接法的作用：克制由于克制由于SiOSiO2 2保护膜中的保护膜中的杂质正离子静电感应。消除表面漏电流，杂质正离子静电感应。消除表面漏电流，减少暗电流和噪声。减少暗电流和噪声。第67页，共94页，编辑于2022年，星期五光谱响应光谱响应第68页，共94页，编辑于2022年，星期五光照特性光照特性随着入射光功率的变强，随着入射光功率的变强，则同一反向电压下的光电则同一反向电压下的光电流也变大。流也变大。入射光功率不变时，反向入射光功率不变
41、时，反向电压加到某一电压后，光电电压加到某一电压后，光电流几乎不随反向电压的变化流几乎不随反向电压的变化而变化。而变化。第69页，共94页，编辑于2022年，星期五频率响应频率响应光生载流子在薄层中的扩散时间及光生载流子在薄层中的扩散时间及PNPN结中的漂移时间（载流子的结中的漂移时间（载流子的渡越时间）；渡越时间）；结电容和杂散电容（结电容和杂散电容（RCRC时间常数）；时间常数）；它是它是半导体光电器件中频率响应最好的器件之一半导体光电器件中频率响应最好的器件之一，频率响应与下，频率响应与下列因素有关：列因素有关：第70页，共94页，编辑于2022年，星期五无论是光生载流子向结区扩散，还是
42、结电场中载流子的漂移，它们都有一无论是光生载流子向结区扩散，还是结电场中载流子的漂移，它们都有一定的驰豫时间，这个驰豫时间影响光敏器件的频率响应。对于扩散型二极管定的驰豫时间，这个驰豫时间影响光敏器件的频率响应。对于扩散型二极管主要驰豫时间为光生载流子向结区扩散时间。对于耗尽层型二极管主要驰豫主要驰豫时间为光生载流子向结区扩散时间。对于耗尽层型二极管主要驰豫时间为光生少子在结区的漂移时间。时间为光生少子在结区的漂移时间。对于不同波长的光，器件也有不同的频率响应。波长越长的光在较深处被吸收，对于不同波长的光，器件也有不同的频率响应。波长越长的光在较深处被吸收，产生的少数载流子远离产生的少数载流子
43、远离PNPN结，需较长的扩散时间。而较短波长的光在靠近表面处被结，需较长的扩散时间。而较短波长的光在靠近表面处被吸收，产生的少数载流子离吸收，产生的少数载流子离PNPN结很近，扩散时间短。所以结很近，扩散时间短。所以耗尽层型优于扩散型光敏二耗尽层型优于扩散型光敏二极管极管。载流子的渡越时间载流子的渡越时间载流子的渡越时间载流子的渡越时间第71页，共94页，编辑于2022年，星期五温度特性温度特性由于反向饱和电流对温度的强烈依赖性，光敏由于反向饱和电流对温度的强烈依赖性，光敏二极管的暗电流对温度的变化非常敏感。二极管的暗电流对温度的变化非常敏感。第72页，共94页，编辑于2022年，星期五按材料
44、按材料按材料按材料 硅光敏二极管、硅光敏二极管、锗光敏二极管、化合物光敏二极管；锗光敏二极管、化合物光敏二极管；按结特性：按结特性：按结特性：按结特性：PNPN结（扩散层、耗尽层）、结（扩散层、耗尽层）、PINPIN结结 、异质结、肖特基势、异质结、肖特基势 垒垒型及点接触型；型及点接触型；按对光的响应：按对光的响应：按对光的响应：按对光的响应：紫外、可见光、红外紫外、可见光、红外紫外、可见光、红外紫外、可见光、红外第73页，共94页，编辑于2022年，星期五PIN管管 它的结构特点是，在它的结构特点是，在P P型半导体和型半导体和N N型半导体之间夹着一层（相型半导体之间夹着一层（相对）很厚
45、的本征半导体。这样，对）很厚的本征半导体。这样，PNPN结的内电场就基本上全集中于结的内电场就基本上全集中于I I层中，从而使层中，从而使PNPN结双电层的间距加宽，结电容变小。结双电层的间距加宽，结电容变小。几种特殊的光敏二极管几种特殊的光敏二极管第74页，共94页，编辑于2022年，星期五 这种管子最大的特点是这种管子最大的特点是频带宽频带宽频带宽频带宽，可达，可达10GHz。另一个特点是，另一个特点是，线性输出范围宽线性输出范围宽线性输出范围宽线性输出范围宽。所不足的是，所不足的是，I层电阻很大，层电阻很大，管子的输出电流小管子的输出电流小管子的输出电流小管子的输出电流小，一般多为零点，
46、一般多为零点几微安至数微安。目前有将几微安至数微安。目前有将PIN管与前置运算放大器集成在同一硅片上管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。并封装于一个管壳内的商品出售。第75页，共94页，编辑于2022年，星期五雪崩光电二极管雪崩光电二极管 雪崩光电二极管是利用雪崩光电二极管是利用PNPN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。一种二极管。第76页，共94页，编辑于2022年，星期五 特点：特点：工作电压很高，约工作电压很高，约100V200V，接近于反向击穿电压。接近于反向击穿电压。有很有很高的内增益高的内增益，可达到
47、几百。，可达到几百。响应速度特别快，带宽可达响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响应速度最快的一种光是目前响应速度最快的一种光电二极管。电二极管。缺点：缺点：噪声大噪声大。第77页，共94页，编辑于2022年，星期五四、光敏三极管四、光敏三极管第78页，共94页，编辑于2022年，星期五第79页，共94页，编辑于2022年，星期五 特点：特点：光电晶体管的光电晶体管的灵敏度灵敏度比光电二极管比光电二极管高高，输出电流输出电流也比光电二也比光电二极管极管大大，多为毫安级。，多为毫安级。缺点：缺点：它的它的光电特性不光电特性不如光电二极管如光电二极管好好，在较强的光照下，光电流，在较强的光
48、照下，光电流与照度不成线性关系。所以光敏三极管多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。与照度不成线性关系。所以光敏三极管多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。第80页，共94页，编辑于2022年，星期五五、阵列式或象限式结型光电器件五、阵列式或象限式结型光电器件 利用集成电路技术使两个至几百个光电二极管或光电池排成一行，集利用集成电路技术使两个至几百个光电二极管或光电池排成一行，集成在一块集成电路片子上，即成为阵列式的一维光电器件，也可以使光电成在一块集成电路片子上，即成为阵列式的一维光电器件，也可以使光电二极管或光电池制成象限式的二维光电器件。二极管或光电池制成象限式的二维光电器件。这两种器件中，
49、衬底是共用的，而各光敏元都是独立的，分别有各这两种器件中，衬底是共用的，而各光敏元都是独立的，分别有各自的前极引出线。自的前极引出线。第81页，共94页，编辑于2022年，星期五 就目前的应用看，两个并列的光电二极管或光电池，可用来辨别光点就目前的应用看，两个并列的光电二极管或光电池，可用来辨别光点移动的方向。移动的方向。2 24 4个并列的光敏元，可用来收集光点移动的相位信息。个并列的光敏元，可用来收集光点移动的相位信息。几十个至几百个或更多并列的光敏元，可用来摄取光学图象或用作几十个至几百个或更多并列的光敏元，可用来摄取光学图象或用作空间频谱分析。空间频谱分析。象限式光电器件可用来确定光点
50、在二维平面上的位置坐标。多用于准象限式光电器件可用来确定光点在二维平面上的位置坐标。多用于准直、定位、跟踪或频谱分析等方面。直、定位、跟踪或频谱分析等方面。这种器件的特点是，光敏元件密集度大，总尺这种器件的特点是，光敏元件密集度大，总尺寸小，容易作到各单元多数一致，便于信号处理。寸小，容易作到各单元多数一致，便于信号处理。第82页，共94页，编辑于2022年，星期五六、光电位置探测器（六、光电位置探测器（PSDPSD）PSD PSD PSD PSD是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能量中心位置的结是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能量中心位置的结是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能