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1、第6章 半导体二极管和三极管本讲稿第一页，共四十五页14.1 半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：(可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性掺杂性掺杂性掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变能力明显改变(可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。体器件，如二极管、三极
2、管和晶闸管等）。光敏性：光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化(可做可做可做可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等管、光敏三极管等管、光敏三极管等管、光敏三极管等)。热敏性：热敏性：热敏性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强本讲稿第二页，共四十五页14.1.1 本征半导体本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。完全纯净的、具
3、有晶体结构的半导体，称为本征半导体。完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构共价健共价健共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为价电子价电子价电子价电子。Si Si Si Si价电子价电子本讲稿第三页，共四十五页 Si Si Si Si价电子价电子 价电子在获得一定能量（温价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为脱原子核的束缚，成为自由电自由电子子（带负电），同时
4、共价键中（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为留下一个空位，称为空穴空穴（带（带正电）正电）。本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理这一现象称为激发。这一现象称为激发。空穴空穴 温度愈高，晶体中产生温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。的自由电子便愈多。自由电子自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。运动（相当于正电荷的移动）。本讲稿第四页，共四十五页本征半导体的导
5、电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流电流电流电流 (1)(1)自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动 电子电流电子电流 (2)(2)价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴 空穴电流空穴电流空穴电流空穴电流注意：注意：注意：注意：(1)本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导
6、体中载流子数目极少,其导电性能很差；其导电性能很差；(2)(2)温度愈高，温度愈高，载流子的数目愈多载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈半导体的导电性能也就愈半导体的导电性能也就愈半导体的导电性能也就愈好。好。好。好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和自由电子和空穴都称为载流子。空穴都称为载流子。空穴都称为载流子。空穴都称为载流子。自由电子和自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一空穴成对
7、地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。子便维持一定的数目。子便维持一定的数目。子便维持一定的数目。本讲稿第五页，共四十五页14.1.2 N型半导体和型半导体和 P 型半导体型半导体 掺杂后自由电子数目大量掺杂后自由电子数目大量掺杂后自由电子数目大量掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这增加，自由电子导电成为这增加，自由电子导电成为这增加，自由电子导电成为这种半导
8、体的主要导电方式，种半导体的主要导电方式，种半导体的主要导电方式，种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或称为电子半导体或称为电子半导体或称为电子半导体或N N型半导型半导体。体。掺入五价元素掺入五价元素 Si Si Si Sip+多多余余电电子子磷原子磷原子在常温下即可变在常温下即可变为自由电子为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成形成杂质半导体。杂质半导体。在在在在N N 型半导体中型半导体中自由电子是自由电子是多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流子。子。本讲稿第六页，共
9、四十五页14.1.2 N型半导体和型半导体和 P 型半导体型半导体 掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或 P型半导体。型半导体。掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素 Si Si Si Si 在在 P 型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中空穴是多数载空穴是多数载空穴是多数载空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。流子，自由电子是少数载流子。流子，自由电子是少数载流子。流子，自由电子是少数载流子。B硼原子硼原子接受一个接受一个电子变为电子变为负离子负离子空穴空穴无
10、论无论N N型或型或型或型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。本讲稿第七页，共四十五页 1.1.在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与 （a.a.掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、b.温度）有关。温度）有关。温度）有关。温度）有关。2.2.在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与 （a.掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、b.温度）有关。温度）有关。3.当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量 （a.a.减少、减少、减少、减少、b.b.不变、不变、c.c.增多）。增多）。增多）。增多）。a abc c 4.在外加电
11、压的作用下，在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流型半导体中的电流主要是主要是 ，N 型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是 。（a.电子电流、电子电流、b.b.空穴电流）空穴电流）空穴电流）空穴电流）b ba本讲稿第八页，共四十五页14.2 PN结结14.2.1 PN PN结的形成结的形成多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差P P 型半导体型半导体型半导体型半导体N N 型半导体型半导体型半导体型半导体 内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间动越强
12、，而漂移使空间动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间电荷区变薄。电荷区变薄。电荷区变薄。电荷区变薄。扩散的结果使空扩散的结果使空间电荷区变宽。间电荷区变宽。空间电荷区也称空间电荷区也称 PN 结结 扩散和漂移这扩散和漂移这扩散和漂移这扩散和漂移这一对相反的运动一对相反的运动一对相反的运动一对相反的运动最终达到动态平最终达到动态平最终达到动态平最终达到动态平衡，空间电荷区衡，空间电荷区衡，空间电荷区衡，空间电荷区的厚度固定不变。的厚度固定不变。的厚度固定不变。的厚度固定不变。+形成空间电荷区形成空间电荷区本讲稿第九页，共四十五页14.2.2 PN结的单向导电性结的单向导电性 1.PN 结加正向
13、电压结加正向电压（正向偏置）（正向偏置）PN 结变窄结变窄 P接正、接正、N接负接负 外电场外电场IF 内电场被内电场被削弱，多子削弱，多子的扩散加强，的扩散加强，形成较大的形成较大的扩散电流。扩散电流。PN 结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，PNPN结变窄，正向电流较大，正结变窄，正向电流较大，正结变窄，正向电流较大，正结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，向电阻较小，向电阻较小，向电阻较小，PN结处于导通状态。结处于导通状态。内电场内电场PN+本讲稿第十页，共四十五页PN PN 结变宽结变宽结变宽结变宽2.PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（
14、反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）外电场外电场外电场外电场 内电场被加内电场被加强，少子的漂强，少子的漂移加强，由于移加强，由于少子数量很少，少子数量很少，形成很小的反形成很小的反向电流。向电流。IR P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。+PN 结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，PNPN结变宽，反向电流较小，反向电结变宽，反向电流较小，反向电结变宽，反向电流
15、较小，反向电结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，阻较大，阻较大，阻较大，PN结处于截止状态。结处于截止状态。内电场内电场内电场内电场P PN N+本讲稿第十一页，共四十五页阴极引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅(c)平面型平面型金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳(a )点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线(b )面接触型面接触型图图 1 12 半导体二极管的结构和符号半导体二极管的结构和符号 14.3 半导体二极管半导体二极管二极管的结构示意图
16、二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图阴极阴极阳极阳极(d )符号符号D本讲稿第十二页，共四十五页14.3.2 伏安特性伏安特性硅管硅管0.5V,锗锗锗锗管管管管0.1V。反向击穿反向击穿电压电压U(BR)导通压降导通压降 外加电压大于死区外加电压大于死区电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿外加电压大于反向击穿外加电压大于反向击穿外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去电压二极管被击穿，失去电压二极管被击穿，失去电压二极管被击穿，失去单向导电性。单向导电性。单向导电性。单向导电性。正向特性正向特性正向特性正向特性反向特性反向特性特点：非线性特点：非线性
17、硅硅0 0.60.8V.60.8V锗锗0.2.20.3VUI死区电压死区电压死区电压死区电压PN+PN+反向电流反向电流在一定电压在一定电压范围内保持范围内保持常数。常数。常数。常数。本讲稿第十三页，共四十五页14.3.3 主要参数主要参数1.最大整流电流最大整流电流 IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。均电流。2.反向工作峰值电压反向工作峰值电压U URWMRWM是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压是二极管反向击穿电压U UBRBR的一半或三分之二。二
18、极管击穿的一半或三分之二。二极管击穿的一半或三分之二。二极管击穿的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。3.3.反向峰值电流反向峰值电流IRM指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，流大，说明管子的单向导电性差，I IRM受温度的影响，温受温度的影响，温受温度的影响，温受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小度越高反向电流越大。硅管
19、的反向电流较小度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。电流较大，为硅管的几十到几百倍。本讲稿第十四页，共四十五页二极管二极管的单向导电性的单向导电性 1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负负）时，）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。小，正向电流较大。2.2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正二极管加反向电压（反向偏置，
20、阳极接负、阴极接正 ）时，）时，）时，）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。向电流很小。向电流很小。向电流很小。3.3.3.3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。导电性。导电性。导电性。4.4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向
21、电流愈大。电流愈大。本讲稿第十五页，共四十五页 二极管电路分析举例二极管电路分析举例 定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止否则，正向管压降否则，正向管压降硅硅0 0.60.7V锗锗0.20.3V 若二极管是理想的，若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。向截止时二极管相当于断开。分析方法：分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压的高低或所加电压UD D的正负。的正负。若若若若 V V阳阳 VV阴阴阴阴或或 UD为正为正(正向偏置正向偏置)，二极管
22、导通，二极管导通，二极管导通，二极管导通若若 V阳阳 VV阴阴阴阴 二极管导通二极管导通二极管导通二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，U UABAB=6V6V否则，否则，UABAB低于低于6V6V一个管压降，为一个管压降，为一个管压降，为一个管压降，为6.3或或6.7V6.7V例例1：取取取取 B B 点作参考点，断点作参考点，断开二极管，分析二极管开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。阳极和阴极的电位。在这里，二极管起钳位作用。在这里，二极管起钳位作用。D6V12V3k BAUAB+本讲稿第十七页，共四十五页两个二极管的阴极接在一起两个二极管的阴极接在一
23、起两个二极管的阴极接在一起两个二极管的阴极接在一起取取取取 B 点作参考点，断开二极点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的管，分析二极管阳极和阴极的电位。电位。V V1阳阳阳阳 =6 V6 V，V V2阳阳=0 V，V V1 1阴阴阴阴 =V2 2阴阴=12 V12 VUD1=6V，UD2=12V=12V UD2D2 UD1 D D2 2 优先导通，优先导通，D1 1截止。截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，U UABAB =0 V例例2:D D1承受反向电压为承受反向电压为6 V流过流过
24、 D2 2 的电流为的电流为求：求：求：求：U UABAB 在这里，在这里，在这里，在这里，D2 起钳起钳位作用，位作用，D D1 1起隔离起隔离起隔离起隔离作用。作用。作用。作用。BD16V12V3k AD2UAB+本讲稿第十八页，共四十五页ui i 8V，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路 u uo=8V=8V ui 8V 8V，二极管截止，可看作开路，二极管截止，可看作开路，二极管截止，可看作开路，二极管截止，可看作开路 u uo o=ui i已知：已知：二极管是理想的，试画出二极管是理想的，试画出 uo 波形。波形。8V8V例例例例3 3：二极管的用途：二极管的用途：二极管
25、的用途：二极管的用途：整流、检波、整流、检波、整流、检波、整流、检波、限幅、钳位、开限幅、钳位、开限幅、钳位、开限幅、钳位、开关、元件保护、关、元件保护、关、元件保护、关、元件保护、温度补偿等。温度补偿等。温度补偿等。温度补偿等。ui18V参考点参考点参考点参考点二极管阴极电位为二极管阴极电位为二极管阴极电位为二极管阴极电位为 8 V8 VD D8V8VR Ru uo ou ui i+本讲稿第十九页，共四十五页14.4 稳压二极管稳压二极管1.符号符号符号符号 UZIZIZM UZ IZ2.2.伏安特性伏安特性伏安特性伏安特性 稳压管正常工作时稳压管正常工作时稳压管正常工作时稳压管正常工作时加
26、反向电压加反向电压加反向电压加反向电压使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电稳压管反向击穿后，电稳压管反向击穿后，电稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电流变化很大，但其两端电流变化很大，但其两端电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，压变化很小，利用此特性，压变化很小，利用此特性，压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压稳压管在电路中可起稳压稳压管在电路中可起稳压稳压管在电路中可起稳压作用。作用。作用。作用。_+UIO本讲稿第二十页，共四十五页3.3.主要参数主要参数主要参数主要参数(1)(1)(1)(1)稳定电压稳定
27、电压稳定电压稳定电压UZ 稳压管正常工作稳压管正常工作(反向击穿反向击穿)时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。(2)(2)电压温度系数电压温度系数 环境温度每变化环境温度每变化1 1 C引起引起引起引起稳压值变化的稳压值变化的百分数百分数。(3)(3)(3)(3)动态电阻动态电阻动态电阻动态电阻(4)(4)(4)(4)稳定电流稳定电流 IZ、最大稳定电流、最大稳定电流 IZM(5)(5)(5)(5)最大允许耗散功率最大允许耗散功率最大允许耗散功率最大允许耗散功率 P PZM ZM=UZ Z IZMrZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好
28、。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。本讲稿第二十一页，共四十五页在电路中稳压管只有与适当的电阻在电路中稳压管只有与适当的电阻连接才能起到稳压作用。连接才能起到稳压作用。UIIZIZmax UZ IZUZ本讲稿第二十二页，共四十五页稳压二极管的应用举例稳压二极管的应用举例uoiZDZRiLiuiRL稳压管的技术参数稳压管的技术参数:解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为为I Iz zmax max 方程方程1 1要求当输入电压由正常值发生要求当输入电压由正常值发生 20%20%波动时，负载电压基本波动时，负载电压基本不变。
29、不变。求：求：电阻电阻R R和输入电压和输入电压 u ui i 的正常值。的正常值。本讲稿第二十三页，共四十五页令输入电压降到下限时，令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为流过稳压管的电流为I Iz zmin min。方程方程2 2u uo oi iZ ZD DZ ZR Ri iL Li iu ui iR RL L联立方程联立方程1 1、2 2，可解得：，可解得：本讲稿第二十四页，共四十五页光电二极管光电二极管光电二极管光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。IU 照度增加照度增加符号符号发光二
30、极管发光二极管发光二极管发光二极管有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为
31、几 几十几十mA光电二极管光电二极管发光二极管发光二极管发光二极管发光二极管本讲稿第二十五页，共四十五页14.5 晶体管晶体管14.5.1 基本结构基本结构NNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPNNPN型型BECBECPNP型型P PP PN N基极基极发射极发射极集电极集电极符号：符号：符号：符号：BECIBIEICBECIBIEICNPNNPN型三极管型三极管型三极管型三极管PNPPNP型三极管型三极管型三极管型三极管本讲稿第二十六页，共四十五页基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低发射区：掺发射区：掺发射区：掺发射区：掺杂浓度
32、最高杂浓度最高发射结发射结发射结发射结集电结集电结集电结集电结B BE EC CN NN NP P基极基极发射极发射极集电极集电极结构特点：结构特点：结构特点：结构特点：集电区：集电区：面积最大面积最大面积最大面积最大本讲稿第二十七页，共四十五页14.5.2 电流分配和放大原理电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件B BEC CN NN NP PEBRBE EC CRC发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏 PNP发射结正偏发射结正偏发射结正偏发射结正偏 VB BVE集电结反偏集电结反偏 VC VE集电结反偏集电结反偏集
33、电结反偏集电结反偏 V VC C VB 本讲稿第二十八页，共四十五页晶体管电流放大的实验电路晶体管电流放大的实验电路 设设 EC C=6 V，改改变变可可变变电电阻阻 R RB B,则则基基极极电电流流 IB、集集集集电电电电极极极极电电电电流流流流 IC 和和发发射射极极电电流流 I IE 都都发发生生变变化化，测测量量结结果果如如下下表：表：2.各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用mA AVVmAICECIBIERB+UBE+UCE EBCEB3DG100本讲稿第二十九页，共四十五页IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.100.001
34、0.0010.701.502.303.103.950.0010.0010.721.542.363.184.05结论结论结论结论:实质实质实质实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是化，是化，是化，是CCCS器件器件。1.IE=IC+IB3.IB=0,IC=ICEO4.4.要使晶体管放大要使晶体管放大,发射结发射结必须正偏必须正偏,集电结必须反偏。集电结必须反偏。本讲稿第三十页，共四十五页3.3.3.3.三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律B
35、ECNNPEBRBECIEIBEICEICBO 基区空穴基区空穴基区空穴基区空穴向发射区的向发射区的向发射区的向发射区的扩散可忽略。扩散可忽略。扩散可忽略。扩散可忽略。发射结正偏，发发射结正偏，发发射结正偏，发发射结正偏，发射区电子不断向基射区电子不断向基射区电子不断向基射区电子不断向基区扩散，形成发射区扩散，形成发射区扩散，形成发射区扩散，形成发射极电流极电流极电流极电流I I I IE E E E。进入进入进入进入P P P P 区的电区的电区的电区的电子少部分与基区子少部分与基区子少部分与基区子少部分与基区的空穴复合，形的空穴复合，形的空穴复合，形的空穴复合，形成电流成电流成电流成电流I
36、 I I IBE BE BE BE，多数，多数，多数，多数扩散到集电结。扩散到集电结。扩散到集电结。扩散到集电结。从基区扩散来的从基区扩散来的从基区扩散来的从基区扩散来的电子作为集电结电子作为集电结电子作为集电结电子作为集电结的少子，漂移进的少子，漂移进的少子，漂移进的少子，漂移进入集电结而被收入集电结而被收入集电结而被收入集电结而被收集，形成集，形成集，形成集，形成I I I ICECECECE。集电结反偏，集电结反偏，集电结反偏，集电结反偏，有少子形成的有少子形成的有少子形成的有少子形成的反向电流反向电流反向电流反向电流I I I ICBOCBOCBOCBO。本讲稿第三十二页，共四十五页3
37、.3.三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律IC=ICE+ICBO ICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBO IBE I ICE CE 与与 IBE BE 之比称为共发之比称为共发射极电流放大倍数射极电流放大倍数集射极穿透电流集射极穿透电流集射极穿透电流集射极穿透电流,温度温度ICEOCEO(常用公式常用公式常用公式常用公式)若若若若IB B=0,则则则则 IC ICE0CE0本讲稿第三十三页，共四十五页14.5.3 特性曲线特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部
38、表现，反映了晶体管的性能，是部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线：为什么要研究特性曲线：为什么要研究特性曲线：为什么要研究特性曲线：1 1 1 1）直观地分析管子的工作状态）直观地分析管子的工作状态）直观地分析管子的工作状态）直观地分析管子的工作状态 2 2 2 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特
39、性曲线本讲稿第三十四页，共四十五页发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路共发射极电路输入回路输入回路输出回路输出回路 测量晶体管特性的实验线路测量晶体管特性的实验线路ICEBmA AVUCEUBERBIBECV+本讲稿第三十五页，共四十五页1.输入特性输入特性输入特性输入特性特点特点特点特点:非线性非线性死区电压：死区电压：硅管硅管0.50.5V，锗管，锗管，锗管，锗管0.10.10.10.1V V。正常工作时发射结电压：正常工作时发射结电压：正常工作时发射结电压：正常工作时发射结电
40、压：NPNNPN型硅管型硅管型硅管型硅管 UBE BE 0.60.7V 0.60.7VPNPPNP型锗管型锗管 UBE BE 0.2 0.2 0.3V 0.3VIB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1VO本讲稿第三十六页，共四十五页2.输出特性输出特性IB=020 A40 A60 A80 A100 A36IC(mA )1234UCE(V)912O放大区放大区输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：(1)放大区放大区 在放大区有在放大区有 I IC C=I IB ，也也称为线性区，具有恒流称为线性区，具有恒流称为线性区，具有恒流称为线性区，具有恒流特性。特
41、性。特性。特性。在放大区，在放大区，在放大区，在放大区，发射结处于正发射结处于正发射结处于正发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏向偏置、集电结处于反向偏向偏置、集电结处于反向偏向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。置，晶体管工作于放大状态。置，晶体管工作于放大状态。置，晶体管工作于放大状态。本讲稿第三十七页，共四十五页I IB B=0=02020 A A4040 A A6060 A A8080 A A100100 A A3 36 6I IC C(mmA )A )1 12 23 34 4U UCECE(V)(V)9 91212O（2）截止区）截止区IB 0 I IC C，U UCEC
42、E 0.3V0.3V (3)(3)截止区：截止区：U UBEBE 0 ICIB+UCE UBC 0+(b)截止截止IC 0 IB=0+UCE UCC UBC 0 IB+UCE 0 UBC 0+当当晶晶体体管管饱饱和和时时，UCE 0，发发射射极极与与集集电电极极之之间间如如同同一一个个开开关关的的接接通通，其其间间电电阻阻很很小小；当当晶晶体体管管截截止止时时，IC 0，发发射射极极与与集集电电极极之之间间如如同同一一个个开开关关的的断断开开，其其间间电电阻阻很很大大，可可见见，晶晶体体管管除除了了有有放放大大作作用用外外，还还有有开开关关作用。作用。本讲稿第四十页，共四十五页14.5.4 主
43、要参数主要参数1.1.电流放大系数电流放大系数，直流电流放大系数直流电流放大系数直流电流放大系数直流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数当晶体管接成发射极电路时，当晶体管接成发射极电路时，表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。参数也是设计电路、选用晶体管的依据。参数也是设计电路、选用晶体管的依据。参数也是设计电路、选用晶体管的依据。注意：注意：注意：注意：和和 的含义不同，但在特性曲线近于平行等的含义不同，
44、但在特性曲线近于平行等距并且距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的常用晶体管的常用晶体管的常用晶体管的 值在值在20 200之间。之间。之间。之间。本讲稿第四十一页，共四十五页例：在例：在UCE=6 V=6 V时，时，在在 QQ1 1 点点I IB B=40 A,A,I IC C=1.5mA=1.5mA；在在在在 QQ2 点点点点IB=60=60 A,A,IC=2.3mA=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理：=。I IB B=0=02020 A A4040 A A6060 A A8080 A A100100
45、A A3 36 6I IC C(mmA )A )1 12 23 34 4U UCECE(V)(V)9 912120 0QQ1 1QQ2 2在在在在 Q1 1 点，有点，有由由由由 Q1 1 和和和和QQ2点，得点，得本讲稿第四十二页，共四十五页2.2.集集集集-基极反向截止电流基极反向截止电流基极反向截止电流基极反向截止电流 I ICBOCBO I ICBOCBO是由少数载流子的是由少数载流子的是由少数载流子的是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，漂移运动所形成的电流，漂移运动所形成的电流，漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。受温度的影响大。温度温度温度温度I
46、 ICBOCBO ICBO A+EC3.集集集集-射极反向截止电流射极反向截止电流(穿透电流穿透电流)I ICEOCEO AICEOIB=0+ICEO受温度的影响大。受温度的影响大。温度温度温度温度ICEO，所以所以所以所以I IC C也也也也相应增加。相应增加。相应增加。相应增加。三极管的温度三极管的温度三极管的温度三极管的温度特性较差。特性较差。特性较差。特性较差。本讲稿第四十三页，共四十五页4.4.集电极最大允许电流集电极最大允许电流集电极最大允许电流集电极最大允许电流 ICM5.5.集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压射极反向击穿电压射极反向击穿电压U(BR)CEO(BR)CEO 集
47、电极电流集电极电流 IC上升会导致三极管的上升会导致三极管的上升会导致三极管的上升会导致三极管的 值的下降，当值的下降，当值的下降，当值的下降，当 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICMCM。当集当集射极之间的电压射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极超过一定的数值时，三极超过一定的数值时，三极超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是管就会被击穿。手册上给出的数值是管就会被击穿。手册上给出的数值是管就会被击穿。手册上给出的数值是25 C、
48、基极开路时基极开路时的击穿电压的击穿电压U U(BR)CEOCEO。6.集电极最大允许耗散功耗集电极最大允许耗散功耗P PCM PCMCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。升过高会烧坏三极管。PC P PCM CM=IC C U UCECE 硅硅管允许结温约为管允许结温约为150150 C C，锗锗锗锗管约为管约为管约为管约为70 9090 C C。本讲稿第四十四页，共四十五页ICMU(BR)CEO由三个极限参数可画出三极管的安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区ICUCEOI IC CU UCECE=PCMCM安全工作区安全工作区本讲稿第四十五页，共四十五页