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1、第第3章半导体二极管章半导体二极管及其基本应用电路及其基本应用电路本讲稿第一页，共五十四页3.1 半导体的基础知识半导体的基础知识3.1.1 本征半导体本征半导体 1.导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体导体：导体：自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体，金属一般都，金属一般都是导体。是导体。绝缘体：绝缘体：有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡胶、陶，如橡胶、陶瓷、塑料和石英。瓷、塑料和石英。半导体：半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为之间，称为半导体半导体，如锗、硅、砷化镓和
2、一些硫，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。化物、氧化物等。本讲稿第二页，共五十四页半导体半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。有不同于其它物质的特点。例如：例如：当受外界热和光的作用时，当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。会使它的导电能力明显改变。热敏性和热敏性和光敏性光敏性掺杂性掺杂性本讲稿第三页，共五十四页+4+4+4+4+4+4+4+4+4 完完全全纯纯净净的的、不不含含其其他他杂杂质质且且具具有有晶晶体体
3、结结构构的的半半导导体体称称为为本征半导体本征半导体 将将硅硅或或锗锗材材料料提提纯纯便便形形成成单单晶晶体体，它它的的原原子子结结构构为为共共价价键结构。键结构。价价电电子子共共价价键键图图 3.1.1本征半导体结构示意图本征半导体结构示意图2.本征半导体的晶体结构本征半导体的晶体结构本讲稿第四页，共五十四页+4+4+4+4+4+4+4+4+4图图 3.1.2本征半导体中的本征半导体中的 自由电子和空穴自由电子和空穴自由电子自由电子空穴空穴 T 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴空穴。3.本征半导体中的
4、两种载流子本征半导体中的两种载流子（动画1-1）（动画1-2）在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。本讲稿第五页，共五十四页本征半导体的导电原理+4+4+4+4在电场的作用下，一方面，自由电子将产生定向移动，形成电子电流，另一方面，价电子将按一定的方向依次填补空穴，其效果相当于空穴向相反的方向产生定向移动，形成空穴电流，因此，空穴可看作是一种载流子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电自由电子子和空穴空穴。空空穴穴可可看看成成带带正正电电的的载流子。载流子。本讲稿第六页
5、，共五十四页温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：1.自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。2.空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。本讲稿第七页，共五十四页4、本征半导体中载流子的浓度本征激发：本征半导体因受激发而产生自由电子和空本征半导体因受激发而产生自由电子和空穴对的现象。穴对的现象。复合：自由电子在运动过程中如果与空穴相遇就会填补空自由电子在运动过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两
6、者同时消失的现象。穴，使两者同时消失的现象。动态平衡：在一定的温度下，单位时间内本征激发产在一定的温度下，单位时间内本征激发产生的电子空穴对与因复合而消失的电子空穴对相等，生的电子空穴对与因复合而消失的电子空穴对相等，本征半导体中载流子的浓度一定。本征半导体中载流子的浓度一定。本讲稿第八页，共五十四页1.半导体中两种载流子半导体中两种载流子带负电的带负电的自由电子自由电子带正电的带正电的空穴空穴 2.本本征征半半导导体体中中，自自由由电电子子和和空空穴穴总总是是成成对对出出现现，称为称为 电子电子-空穴对。空穴对。3.本征半导体中本征半导体中自由电子自由电子和和空穴空穴的浓度的浓度用用 ni
7、和和 pi 表示，显然表示，显然 ni=pi。4.由由于于物物质质的的运运动动，自自由由电电子子和和空空穴穴不不断断的的产产生生又又不不断断的的复复合合。在在一一定定的的温温度度下下，产产生生与与复复合合运运动动会会达达到平衡，载流子的浓度就一定了。到平衡，载流子的浓度就一定了。5.载载流流子子的的浓浓度度与与温温度度密密切切相相关关，它它随随着着温温度度的的升升高，基本按指数规律增加。高，基本按指数规律增加。小结：小结：本讲稿第九页，共五十四页3.1.23.1.2杂质半导体杂质半导体杂质半导体有两种杂质半导体有两种N 型半导体型半导体P 型半导体型半导体1.N(Negative)型半导体型半
8、导体在在硅硅或或锗锗的的晶晶体体中中掺掺入入少少量量的的 5 价价杂杂质质元元素素，如如磷磷、锑、砷等，即构成锑、砷等，即构成 N 型半导体型半导体(或称电子型半导体或称电子型半导体)。本讲稿第十页，共五十四页+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5自由电子自由电子施主原子施主原子图图 3.1.3N 型半导体型半导体本讲稿第十一页，共五十四页二、二、P 型半导体型半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4在在硅硅或或锗锗的的晶晶体体中中掺掺入入少少量量的的 3价价杂杂质质元元素素，如如硼硼、镓镓、铟等，即构成铟等，即构成 P 型半导体型半导体。+3空空穴穴浓浓度度多多于于电电子子浓浓度度，即即
9、 p n。空空穴穴为为多多数数载载流子流子，电子为少数载流子。，电子为少数载流子。3 价价杂杂质质原原子子称称为为受受主主原子。原子。受主受主原子原子空穴空穴图图 3.1.4P 型半导体型半导体本讲稿第十二页，共五十四页说明：说明：1.掺掺入入杂杂质质的的浓浓度度决决定定多多数数载载流流子子浓浓度度；温温度度决决定定少数载流子的浓度。少数载流子的浓度。4.杂质半导体总体上保持电中性。杂质半导体总体上保持电中性。3.杂质半导体的表示方法如下图所示。杂质半导体的表示方法如下图所示。2.杂杂质质半半导导体体载载流流子子的的数数目目要要远远远远高高于于本本征征半半导导体体，因而其导电能力大大改善。因而
10、其导电能力大大改善。(a)N 型半导体型半导体(b)P 型半导体型半导体图图 杂质半导体的的简化表示法杂质半导体的的简化表示法本讲稿第十三页，共五十四页 在在一一块块半半导导体体单单晶晶上上一一侧侧掺掺杂杂成成为为 P 型型半半导导体体，另另一一侧侧掺掺杂杂成成为为 N 型型半半导导体体，两两个个区区域域的的交交界界处处就就形形成成了了一一个个特特殊的薄层，殊的薄层，称为称为 PN 结结。PNPN结结图图 PN 结的形成结的形成3.1.3PN结结本讲稿第十四页，共五十四页耗尽层耗尽层空间电荷区空间电荷区PN1).扩散运动扩散运动2).扩扩散散运运动动形成空间电荷区形成空间电荷区电电子子和和空空
11、穴穴浓浓度度差差形形成成多多数数载载流流子的扩散运动。子的扩散运动。耗尽层。耗尽层。PN1.PN 结的形成结的形成本讲稿第十五页，共五十四页3).空间电荷区产生内电场空间电荷区产生内电场PN空间电荷区空间电荷区内电场内电场Uho空空间间电电荷荷区区正正负负离离子子之之间间电电位位差差 Uho 电电位位壁壁垒垒；内电场内电场；内电场阻止多子的扩散；内电场阻止多子的扩散 阻挡层阻挡层。4).漂移运动漂移运动内内电电场场有有利利于于少子运动少子运动漂移。漂移。少少子子的的运运动动与与多多子子运运动动方方向向相反相反 阻挡层阻挡层本讲稿第十六页，共五十四页5).扩散与漂移的动态平衡扩散与漂移的动态平衡
12、扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加；随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加；当当扩扩散散电电流流与与漂漂移移电电流流相相等等时时，总总的的电电流流等等于于零零，空空间电荷区的宽度达到稳定，形成间电荷区的宽度达到稳定，形成PN 结结。即即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。扩散运动与漂移运动达到动态平衡。PNPN结结本讲稿第十七页，共五十四页2、PN 结的单向导电性结的单向导电性1.PNPN结结结结 外加正向电压时处于导通状态外加正向电压时处于导通状态PNPN结结结结 外加正向电压又称正向偏置，简称正偏。外加正向电压
13、又称正向偏置，简称正偏。外电场方向外电场方向内电场方向内电场方向耗尽层耗尽层VRI空间电荷区变窄，有利空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有于扩散运动，电路中有较大的正向电流。较大的正向电流。图图 3.1.6PN什么是什么是PN结的单向结的单向导电性？导电性？有什么作用？有什么作用？本讲稿第十八页，共五十四页在在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻流，为防止电流过大，可接入电阻 R。2.PN PN 结结结结外加反向电压时处于截止状态外加反向电压时处于截止状态(反偏反偏)反反向向接接法法时时，外外电电
14、场场与与内内电电场场的的方方向向一一致致，增增强强了了内内电电场场的作用；的作用；外电场使空间电荷区变宽；外电场使空间电荷区变宽；耗尽层耗尽层PN外电场方向外电场方向内电场方向内电场方向VRIS本讲稿第十九页，共五十四页耗尽层耗尽层PN外电场方向外电场方向内电场方向内电场方向VRIS不不利利于于扩扩散散运运动动，有有利利于于漂漂移移运运动动，漂漂移移电电流流大大于于扩扩散散电电流流，电路中产生反向电流电路中产生反向电流 IS；由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。本讲稿第二十页，共五十四页耗尽层耗尽层图图 3.1.7PN 结加反向电压时截止结加
15、反向电压时截止 反向电流又称反向电流又称反向饱和电流反向饱和电流。对温度十分敏感对温度十分敏感，随着温度升高，随着温度升高，IS 将急剧增大将急剧增大。PN外电场方向外电场方向内电场方向内电场方向VRIS本讲稿第二十一页，共五十四页 当当 PN 结结正正向向偏偏置置时时，回回路路中中将将产产生生一一个个较较大大的的正正向向电电流流，PN 结处于结处于 导通状态导通状态；当当 PN 结结反反向向偏偏置置时时，回回路路中中反反向向电电流流非非常常小小，几几乎乎等等于零，于零，PN 结处于结处于截止状态截止状态。综上所述：综上所述：可见，可见，PN 结具有结具有单向导电性单向导电性。本讲稿第二十二页
16、，共五十四页IS：反向饱和电流反向饱和电流UT：温度的电压当量温度的电压当量在常温在常温(300 K)下，下，UT 26 mV3.PN 结的电流方程结的电流方程PN结所加端电压结所加端电压u与流过的电流与流过的电流i的关系为的关系为本讲稿第二十三页，共五十四页4.PN结的伏安特性结的伏安特性i=f(u)之间的关系曲线。之间的关系曲线。604020 0.002 0.00400.5 1.02550i/mAu/V正向特性正向特性死区电压死区电压击穿电压击穿电压U(BR)反反向向特特性性图图 1.1.10PN结的伏安特性结的伏安特性反向击穿反向击穿齐纳击穿齐纳击穿雪崩击穿雪崩击穿本讲稿第二十四页，共五
17、十四页5.PN结的电容效应结的电容效应当当PN结结上的电压发生变化时，储存的电荷量将随之发生变化，上的电压发生变化时，储存的电荷量将随之发生变化，使使PN结具有电容效应。结具有电容效应。电容效应包括两部分电容效应包括两部分势垒电容势垒电容扩散电容扩散电容(1).势垒电容势垒电容Cb是由是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。结的空间电荷区变化形成的。(a)PN 结加正向电压结加正向电压（b)PN 结加反向电压结加反向电压-N空间空间电荷区电荷区PVRI+UN空间空间电荷区电荷区PRI+-UV本讲稿第二十六页，共五十四页空空间间电电荷荷区区的的正正负负离离子子数数目目发发生生变变化化，如如同同电电
18、容容的的放放电电和和充电过程。充电过程。势垒电容的大小可用下式表示：势垒电容的大小可用下式表示：由由于于 PN 结结 宽宽度度 l 随随外外加加电电压压 u 而而变变化化，因因此此势势垒垒电电容容 Cb不不是是一一个个常常数数。其其 Cb=f(U)曲曲线线如图示。如图示。：半导体材料的介电系数；：半导体材料的介电系数；S：结面积；结面积；l：耗尽层宽度。耗尽层宽度。本讲稿第二十七页，共五十四页2.扩散电容扩散电容 Cd是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。在在某某个个正正向向电电压压下下，P 区区中中的的电电子子浓浓度度 np(或或 N 区区的的空空穴
19、穴浓浓度度 pN)分分布曲线如图中曲线布曲线如图中曲线 1 所示。所示。x=0 处处为为 P 与与 耗耗尽尽层的交界处层的交界处当当电电压压加加大大，np(或或 pN)会会升升高高，如如曲曲线线 2 所示所示(反之浓度会降低反之浓度会降低)。OxnPQ12当当加加反反向向电电压压时时，扩扩散散运运动动被被削削弱弱，扩扩散电容的作用可忽略。散电容的作用可忽略。正正向向电电压压变变化化时时，载载流流子子的的变变化化是是电电荷荷积积累累变变化化过过程程，相相当当于于电电容容器器充充电电和和放放电电的的过程过程 扩散电容效应。扩散电容效应。PNPN 结结本讲稿第二十八页，共五十四页综上所述：综上所述：
20、PN 结总的结电容结总的结电容 Cj 包括势垒电容包括势垒电容 Cb 和扩散电容和扩散电容 Cd 两部分。两部分。Cb 和和 Cd 值值都都很很小小，通通常常为为几几个个皮皮法法 几几十十皮皮法法，有有些些结面积大的二极管可达几百皮法。结面积大的二极管可达几百皮法。当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为 Cj Cb。一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为用，即可以认为 Cj Cd；在信号频率较高时，须考虑结电容的作用。在信号频率较高时，须考虑结电容的作用。本讲稿第二十九页，共五十四
21、页 3.2 半导体二极管1.二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型图图3.2.13.2.1二极管的几种二极管的几种外形外形2.2.按工作频率区分按工作频率区分：有高频管和低频管。有高频管和低频管。3.3.按功率区分：有大功率管和小功率管。按功率区分：有大功率管和小功率管。4.4.按用途区分：有普通管、整流管、稳压管、按用途区分：有普通管、整流管、稳压管、开关管等等。开关管等等。本讲稿第三十页，共五十四页1.点接触型二极管点接触型二极管(a)a)点接触型点接触型 二极管的结构示意图二极管的结构示意图3.2.1半导体二极管的几种常见结构半导体二极管的几
22、种常见结构 PN结面积小，结面积小，结电容小，用于结电容小，用于检检波波和变频等高频和变频等高频电路。电路。本讲稿第三十一页，共五十四页3 平面型二极管平面型二极管 往往用于集成电往往用于集成电路制造工艺中。路制造工艺中。PN 结面结面积可大可小，用于高频整积可大可小，用于高频整流和流和开关开关电路中。电路中。2 面接触型二极管面接触型二极管 PN结面积大，结面积大，用于用于工频工频大电流大电流整整流流电路。电路。(b)b)面接触型面接触型4二极管的代表符号二极管的代表符号D阴极引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅(c)平面型平面型本讲稿第三十二页，共五
23、十四页 3.2.2二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线可用下式表示二极管的伏安特性曲线可用下式表示硅二极管硅二极管2 2CP10CP10的的伏安伏安特性特性正向特正向特性性反向特性反向特性反向击穿特反向击穿特性性开启电压：开启电压：0.5V导通电压：导通电压：0.71.1.伏安特性伏安特性锗二极管锗二极管2 2AP15AP15的的伏安伏安特性特性UonU(BR)开启电压：开启电压：0.1V导通电压：导通电压：0.2V本讲稿第三十三页，共五十四页2.温度对二极管伏安特性的影响温度对二极管伏安特性的影响在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反
24、向特性将下移。下移。二极管的特性对温度很敏感。二极管的特性对温度很敏感。50I/mAU/V0.20.4 25510150.010.020温度增加温度增加本讲稿第三十四页，共五十四页3.2.3 3.2.3 二极管的二极管的主要参数主要参数1.最大整流电流最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.最高最高反向工作电压反向工作电压UR 二极管工作时允许外加的最大反向电压。通常是击穿电压U（BR）的一半。3.反向电流反向电流 IR 指二极管未击穿时的反向电流。IR与温度有关，越小越好4.最高工作频率最高工作频率f fM M 二极管正常工作时允许通过的交流信号的最高频率
25、,超过此值,二极管的单向导电性将不能很好地体现。本讲稿第三十五页，共五十四页3.2.4 二极管的等效电路1.伏安特性的折线化及等效电路（实线为折线化）伏安特性的折线化及等效电路（实线为折线化）理想模型理想模型 恒压降模型恒压降模型折线模型折线模型本讲稿第三十六页，共五十四页 例3.2.1电路如图所示，电路如图所示，UD=0.7V，试估算开关断开和闭合输出电压试估算开关断开和闭合输出电压UO。V1=6VV2=12VDSRUo本讲稿第三十七页，共五十四页 2.低频交流小信号作用下等效电路低频交流小信号作用下等效电路 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向
26、特性可以等效成一个动态电阻。其正向特性可以等效成一个动态电阻。即即根据根据得得Q点处的微变电导点处的微变电导则则常温下（常温下（T=300K）图图3.2.6二极管的微变等效电路二极管的微变等效电路本讲稿第三十九页，共五十四页3.2.5 基本应用电路1.整流电路整流电路（D D视为理想）视为理想）u1u2aTbDRLuou2uouD t 2 3 4 0u2 0 时时:二极管导通，二极管导通，uo=u2u2 0 时时:二极管截止二极管截止,uo=0半波整流电路本讲稿第四十页，共五十四页u1u2aTbD1RLuoD2u2io全波整流电路全波整流电路u2uouD1 t 2 3 4 0uD2+0 ：uD
27、2=-2u2忽略二极管正向压降忽略二极管正向压降本讲稿第四十一页，共五十四页2.开关电路开关电路利用二极管的单向导电性可作为电子开关vI1 vI2二极管工作状态D1 D2v00V 0V导通 导通导通 截止截止 导通0V 4.3V4.3V 0V4.3V 4.3V0V0V0V4.3V求vI1和vI2不同值组合时的v0值（二极管为理想模型）。解：解：导通 导通本讲稿第四十二页，共五十四页3.集成运放输入端保护电路集成运放输入端保护电路当UI大到一定程度时二极管导通，使集成运放的净输入电压限定在二极管的导通电压。R为限流电阻本讲稿第四十三页，共五十四页3.23.2稳压二极管稳压二极管 稳压二极管是一种
28、用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管，其结构与普通二极管相似，只是掺杂浓度比普通二极管大得多。起稳压、限幅作用1 1。稳压管的伏安特性。稳压管的伏安特性 正向特性、未击穿时的反向特性曲线与普通二极管的相似，但反向击穿特性曲线很陡。稳压管的伏安特性和等效电路 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态，反向电压应大于稳定电压。本讲稿第四十四页，共五十四页(1)稳定电压稳定电压UZ(2)动态电阻动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工在规定的稳压管反向工作电流下，所对应的反向作电流下，所对应的反向击穿电压。击穿电压。rZ=VZ/IZ(3)(3)最大耗散功率最大耗散功率 PZM
29、(4)(4)最大稳定电流最大稳定电流 IZmax 和最小稳定电流和最小稳定电流 IZ(IZmin)(5)温度系数温度系数 VZ2.稳压管的主要参数本讲稿第四十五页，共五十四页 3.3.2 稳压管的基本应用电路稳压管的基本应用电路1.稳压管稳定电压稳压管稳定电压UOUI（1 1）设电源电压波动）设电源电压波动）设电源电压波动）设电源电压波动(负载不变负载不变负载不变负载不变)UI UOUZ IZUOUR IR#不加不加不加不加R R可以吗？可以吗？可以吗？可以吗？本讲稿第四十六页，共五十四页（2 2）设负载变化）设负载变化）设负载变化）设负载变化(电源不变电源不变电源不变电源不变)UOUIRLU
30、OUZ IZUO UR IR 本讲稿第四十七页，共五十四页例例1：稳压二极管的应用：稳压二极管的应用RLuiuORDZiiziLUZ稳压二极管技术数据为：稳压值稳压二极管技术数据为：稳压值U UZ Z=10V=10V，I Izmaxzmax=12mA=12mA，I Iz z=2mA=2mA，负载电阻负载电阻R RL L=2k=2k，输入电压输入电压u ui i=12V=12V，限流电阻限流电阻R=200 R=200 ，求求iZ。若若负载电阻负载电阻变化范围为变化范围为1.5 1.5 k k -4 -4 k k ，是否还能稳压？是否还能稳压？本讲稿第四十八页，共五十四页RLuiuORDZiizi
31、LUZUZ=10V ui=12VR=200 Izmax=12mA Iz=2mARL=2k (1.5 k 4 k)iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA）i=（ui-UZ）/R=（12-10）/0.2=10（mA）iZ=i-iL=10-5=5（mA）RL=1.5 k ,iL=10/1.5=6.7（mA）,iZ=10-6.7=3.3（mA）RL=4 k ,iL=10/4=2.5（mA）,iZ=10-2.5=7.5（mA）负载变化负载变化,但但iZ仍在仍在12mA和和2mA之间之间,所以稳压管仍能起所以稳压管仍能起稳压作用稳压作用本讲稿第四十九页，共五十四页2.限幅电路限幅电路本讲稿第五十
32、一页，共五十四页四四窗窗口口比比较较器器uIURLURH,uO1=-UOM,D1截止 uO2=+UOM,D2导通URLuIURHURL,uO1=+UOM,D1导通 uO2=-UOM,D2截止uO=+UZuO=0uO=+UZ本讲稿第五十二页，共五十四页发光二极管发光二极管 LED(Light Emitting Diode)将电能转换为光能的半导体器件。正偏时，有正向电流通过而发光，其正向通态管压降为1.62.2V.符号和特性符号和特性工作条件：工作条件：正向偏置正向偏置一般工作电流几十一般工作电流几十mA，导通电压导通电压(1 2)V符号符号u/Vi /mAO2特性特性3.4发光二极管发光二极管本讲稿第五十三页，共五十四页发光类型：发光类型：可见光：可见光：红、黄、绿红、黄、绿显示类型：显示类型：普通普通 LED，不可见光：不可见光：红外光红外光点阵点阵 LED七段七段 LED,本讲稿第五十四页，共五十四页