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1、第三章之第一部分光电二极管本讲稿第一页，共五十九页第三章第三章 半导体光电检测器件及应用半导体光电检测器件及应用3.1 3.1 光敏电阻3.2 光生伏特器件光生伏特器件-光电池3.3 3.3 光电二极管与光电三极管光电二极管与光电三极管3.4 3.4 发光器件3.5 3.5 光电耦合器件光电耦合器件3.6 3.6 光电位置敏感器件光电位置敏感器件3.7 3.7 光热辐射检测器件光热辐射检测器件3.8 3.8 各种光电检测器件的性能比较各种光电检测器件的性能比较本讲稿第二页，共五十九页3.1 光敏电阻利用具有光电导效应的材料（如用具有光电导效应的材料（如SiSi、GeGe等本征半导体等本征半导体
2、与杂质半导体，如与杂质半导体，如CdSCdS、CdSeCdSe、PbOPbO）可以制成电导率随入）可以制成电导率随入射光辐射量变化而变化的器件，这类器件被称为光电导器件射光辐射量变化而变化的器件，这类器件被称为光电导器件或光敏电阻。或光敏电阻。结构特点：体积小、坚固耐用、价格低廉、光谱响构特点：体积小、坚固耐用、价格低廉、光谱响应范围宽，广泛应用于微弱辐射信号的检测技术领域。应范围宽，广泛应用于微弱辐射信号的检测技术领域。本讲稿第三页，共五十九页3.1.1、光敏电阻的结构及工作原理UbbIpIp金属电极金属电极光电导材料光电导材料入射光入射光光敏电阻原理及符号光敏电阻符号工作原理本讲稿第四页，
3、共五十九页UIp电极入射光当入射光子使半导体物质中的电子由价带跃升到导带入射光子使半导体物质中的电子由价带跃升到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，因此电阻显时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，因此电阻显著减小，电导增加，或连接电源和负载电阻，可输出电信号，著减小，电导增加，或连接电源和负载电阻，可输出电信号，此时可得出光电导此时可得出光电导g g与光电流与光电流I I光光的表达式为：的表达式为：工作原理g=gL-gdI光=IL-Id本讲稿第五页，共五十九页工作原理光敏电阻按半导体材料的不同可分为敏电阻按半导体材料的不同可分为本征型本征型和和杂质型杂质型两种，两种，本征型半导体
4、光敏电阻常本征型半导体光敏电阻常 用于可见光长波段检测，杂质型常用于用于可见光长波段检测，杂质型常用于红外波段至远红外波段光辐射的检测。红外波段至远红外波段光辐射的检测。光敏电阻设计的基本原则光光敏电阻在弱光辐射下光电导灵敏度敏电阻在弱光辐射下光电导灵敏度SgSg与光敏电阻两电极间与光敏电阻两电极间距离距离l l的平方成反比的平方成反比 ，在强辐射作用下，在强辐射作用下SgSg与与l l的二分之三次方成反比，的二分之三次方成反比，因此在设计光敏电阻时，尽可能地缩短光敏电阻两极间距离。因此在设计光敏电阻时，尽可能地缩短光敏电阻两极间距离。本讲稿第六页，共五十九页光敏电阻的基本结构12321-光电
5、导材料；2-电极；3-衬底材料绝缘基底光电导体膜本讲稿第七页，共五十九页工作性能特点：n n光谱响应范围相当宽。可见光、红外、远红外、紫外区域光谱响应范围相当宽。可见光、红外、远红外、紫外区域n n工作电流大，可达数毫安。工作电流大，可达数毫安。n n所测光电强度范围宽，既可测弱光，也可测强光所测光电强度范围宽，既可测弱光，也可测强光n n灵敏度高，光电增益可以大于灵敏度高，光电增益可以大于1 1n n无选择极性之分，使用方便。无选择极性之分，使用方便。缺点：强光下光电线性度较差，弛豫时间过长，频率特性差。强光下光电线性度较差，弛豫时间过长，频率特性差。本讲稿第八页，共五十九页光敏电阻的种类及
6、应用n n主要材料：主要材料：SiSi、GeGe、II-VIII-VI族和族和III-VIII-V族化合物，以及一些族化合物，以及一些有机物。分紫外光、可见光、红外及远红外敏感的光敏电有机物。分紫外光、可见光、红外及远红外敏感的光敏电阻。阻。应用：照相机、光度计、光电自动控制、辐射测量、能量辐射、物体搜索和跟踪、红外成像和红外通信等技术方面制成的光辐射接收器件。本讲稿第九页，共五十九页3.1.2、光敏电阻特性参数1、光电特性光光敏电阻的光电流敏电阻的光电流I I光光与输入辐射照度有下列关系式：与输入辐射照度有下列关系式：其中：I光为光电流，I光=IL-Id；E为照度，为光照指数，与材料的入射强
7、弱有关，对CdS光电导体，弱光照射下=1，强光下=0.5；U为光敏电阻两端所加电压，为电压指数，与光电导体和电极材料间接触有关，欧姆接触时=1，非欧姆接触时=1.1-1.2Sg为光电导灵敏度，单位S/lxOI光ECdS的光电特性对CdS光电导体，弱光照射下=1，强光下=0.5；为什么？光照增强的同时，载流子浓度不断光照增强的同时，载流子浓度不断的增加，同时光敏电阻的温度也在升高，的增加，同时光敏电阻的温度也在升高，从而导致载流子运动加剧，因此复合几从而导致载流子运动加剧，因此复合几率也增大，光电流呈饱和趋势。（冷却率也增大，光电流呈饱和趋势。（冷却可以改善）可以改善）本讲稿第十页，共五十九页2
8、、伏安特性（输出特性）一定光照下，光敏电阻一定光照下，光敏电阻的光电流与所加电压关系的光电流与所加电压关系即为伏安特性。即为伏安特性。3.1.2、光敏电阻特性参数允许的功耗线O10电压V/VI光/mA510050100lx10lx250mW光敏电阻的伏安特性 光敏电阻为一纯电阻，符合欧姆定律，曲线为直线。但对大多数半导体，电场强度超过 时，不再遵守欧姆定律。而CdS在100V时就不成线性了。本讲稿第十一页，共五十九页3.1.2、光敏电阻特性参数3、温度特性 光敏电阻为多数载流子导电的光电器件，具有复杂光敏电阻为多数载流子导电的光电器件，具有复杂的温度特性。不同材料的光敏电阻温度特性不同。书的温
9、度特性。不同材料的光敏电阻温度特性不同。书2525页中图页中图3-53-5中为中为CdSCdS和和CdSeCdSe光敏电阻不同照度下的温光敏电阻不同照度下的温度特性曲线。可以看出温度升高可以导致材料光电导度特性曲线。可以看出温度升高可以导致材料光电导率的下降。实际中往往采用控制光敏电阻工作的温度率的下降。实际中往往采用控制光敏电阻工作的温度的办法提高工作稳定性。的办法提高工作稳定性。本讲稿第十二页，共五十九页3.1.2、光敏电阻特性参数换句话说，温度的变化，引起温度噪声，导致光敏电阻灵敏度、光照特性、响应率等都发生变化。为了提高灵敏度，必须采用冷却装置，尤其是杂质型半导体对长波长红外辐射检测领
10、域更为重要。温度特性本讲稿第十三页，共五十九页3.1.2、光敏电阻特性参数4、前历效应指光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的一种现象。即测试前光敏电阻所处状态对光敏电阻特性的影响。暗态前历效应：指光敏电阻测试或工作前处于暗态，当它突然受到光照后光电流上升的快慢程度。一般地，工作电压越低，光照度越低，则暗态前历效应就越重，光电流上升越慢。1-黑暗放置3分钟后2-黑暗放置60分钟后3-黑暗放置24小时后本讲稿第十四页，共五十九页 亮态前历效应：亮态前历效应：光敏电阻测试或工作前已处于亮态，当照度与工光敏电阻测试或工作前已处于亮态，当照度与工作时所要达到的照度不同时，所出现的一种滞后现象。作时所
11、要达到的照度不同时，所出现的一种滞后现象。3.1.2、光敏电阻特性参数前历效应本讲稿第十五页，共五十九页3.1.2、光敏电阻特性参数5、频率特性 光光敏电阻的时间常数较大，所以其上限频率敏电阻的时间常数较大，所以其上限频率f f上低，只有上低，只有PbSPbS光敏光敏电阻的工作频率特性达到几千赫兹。电阻的工作频率特性达到几千赫兹。当当E=0.11lxE=0.11lx时，光敏电阻时，光敏电阻t tr r=1.4s=1.4s，E=10lx E=10lx时，时，光敏电阻光敏电阻t tr r=66mS,=66mS,E=100lx E=100lx时，时，光敏电阻光敏电阻t tr r=6mS=6mS。同时
12、，时间特性与输入光的照度、工作温度有明显的依赖关系。4123O1f/Hz相对输出0.41051010.20.60.81021031041-Se；2-CdS；3-TlS；4-PbS本讲稿第十六页，共五十九页3.1.2、光敏电阻特性参数6、时间响应 光光敏电阻的时间常敏电阻的时间常数较大，惯性大，时间数较大，惯性大，时间响应比其它光电器件差。响应比其它光电器件差。频率响应低。频率响应低。时间特性与光照度、时间特性与光照度、工作温度有明显的依赖工作温度有明显的依赖关系。关系。rfEtOi(%)tO1006337rf矩形光矩形光脉冲脉冲10lx100lx本讲稿第十七页，共五十九页3.1.2、光敏电阻特
13、性参数7、光谱特性相对灵敏度与波长的关系可见光区光敏电阻的光谱特性 光谱特性曲线光谱特性曲线覆盖了整个可见光覆盖了整个可见光区，峰值波长在区，峰值波长在515515600nm600nm之间。尤其之间。尤其硫化镉（硫化镉（2 2）的峰值）的峰值波长与人眼的很敏波长与人眼的很敏感的峰值波长感的峰值波长（555nm555nm）是很接近）是很接近的，因此可用于与的，因此可用于与人眼有关的仪器。人眼有关的仪器。本讲稿第十八页，共五十九页3.1.2、光敏电阻特性参数光谱特性红外区光敏电阻的光谱特性注明：此特性与所用材料的光谱响应、制造工艺、掺杂浓度和使用的环境温度有关。本讲稿第十九页，共五十九页1、常用光
14、敏电阻uCdSCdS光敏电阻：光敏电阻：峰值响应波长0.52um，掺铜或氯时峰值波长变长，光谱响应向红外区延伸，其亮暗电导比在10lx照度上可达1011(一般约为106)，其时间常数与入射光强度有关，100lx下可达几十毫秒。是可见光波段最灵敏的光敏电阻。uPbSPbS光敏电阻：光敏电阻：响应波长在近红外波段，室温下响应波长可达3um，峰值探测率D*=1.51011cmHz1/2/w。缺点主要是响应时间太长，室温条件下100-300uS。内阻约为1M，u锑化铟（锑化铟（InSbInSb）光敏电阻：）光敏电阻：长波限7.5um，内阻低（约50），峰值探测率D*=1.21011cmHz1/2/w。
15、时间常数0.02uS。零度时探测率可提高2-3倍。u碲镉汞HgCdTe系列光敏电阻。其性能优良，最有前途的光敏电阻。不同的Cd组分比例，可实现1-3um,3-5um,8-14um的光谱范围的探测。例如Hg0.8Cd0.2Te响应在大气窗口8-14um，峰值波长10.6um，Hg0.72Cd0.28Te响应波长在3-5um.u碲锡铅（碲锡铅（PbSnTePbSnTe）系列光敏电阻：）系列光敏电阻：不同的锡组分比例，响应波长不同。主要用在8-10um波段探测，但探测率低，应用不广泛。3.1.3、光敏电阻的应用电路本讲稿第二十页，共五十九页2、基本偏置电路3.1.3、光敏电阻的应用电路RPURLUL
16、I忽略暗电导Gd(暗电阻很大)：G=Gp=SgE或G=Sg即对R求导得到负号表示电阻是随温度的增加而减小。当光通量变化时，电阻变化Rp，电流变化I，即有：即本讲稿第二十一页，共五十九页2、基本偏置电路3.1.3、光敏电阻的应用电路URLULI输出电压本讲稿第二十二页，共五十九页3.1.3、光敏电阻的应用电路1、火焰检测报警器R12k中心站放大器VDW6VR2200kR3PbSC168nFC268uFR43.9MR5820kR71kR832kR63.9kR9150kC44.7nF+C3 100uFV1V2V3PbS光敏电阻：Rd=1M,Rl=0.2M，峰值波长2.2um。恒压偏置电路高输入阻抗放
17、大电路Vo本讲稿第二十三页，共五十九页快门按钮驱动单元UthURUth=?UR=?+_ARp210kRp110kR2300R15.1kC11uFMVDVRCdSUbb3.1.3、光敏电阻的应用电路2、照相机电子快门本讲稿第二十四页，共五十九页3、照明灯的光电控制电路3.1.3、光敏电阻的应用电路CKVDRCdS常闭灯220V半波整流测光与控制执行控制本讲稿第二十五页，共五十九页3.1.4、光敏电阻使用的注意事项1.1.测光的光源光谱特性与光敏电阻的光敏特性相匹配。测光的光源光谱特性与光敏电阻的光敏特性相匹配。2.2.要防止光敏电阻受杂散光的影响。要防止光敏电阻受杂散光的影响。3.3.要防止使光
18、敏电阻的电参数要防止使光敏电阻的电参数(电压电压,功耗功耗)超过允许值。超过允许值。4.4.根据不同用途，选用不同特性的光敏电阻。根据不同用途，选用不同特性的光敏电阻。一般一般,数字信息传输数字信息传输:亮电阻与暗电阻差别大，光照指数亮电阻与暗电阻差别大，光照指数 大大的光敏电阻。的光敏电阻。模拟信息传输模拟信息传输:则以选用则以选用 值小、线性特性好的光敏电阻。值小、线性特性好的光敏电阻。本讲稿第二十六页，共五十九页分类n n按用途按用途按用途按用途 太阳能光电池：用作电源（效率高，成本低）太阳能光电池：用作电源（效率高，成本低）太阳能光电池：用作电源（效率高，成本低）太阳能光电池：用作电源
19、（效率高，成本低）测量用光电池：探测器件（线性、灵敏度高等）测量用光电池：探测器件（线性、灵敏度高等）测量用光电池：探测器件（线性、灵敏度高等）测量用光电池：探测器件（线性、灵敏度高等）n n按材料按材料按材料按材料 硅光电池：光谱响应宽，频率特性好硅光电池：光谱响应宽，频率特性好硅光电池：光谱响应宽，频率特性好硅光电池：光谱响应宽，频率特性好 硒光电池：波谱峰值位于人眼视觉内硒光电池：波谱峰值位于人眼视觉内硒光电池：波谱峰值位于人眼视觉内硒光电池：波谱峰值位于人眼视觉内 薄膜光电池：薄膜光电池：薄膜光电池：薄膜光电池：CdSCdS增强抗辐射能力增强抗辐射能力增强抗辐射能力增强抗辐射能力 紫光
20、电池：紫光电池：紫光电池：紫光电池：PNPN结非常薄：结非常薄：结非常薄：结非常薄：0.2-0.3 0.2-0.3 m,m,短波峰值短波峰值短波峰值短波峰值600nm600nm3.2 光电池本讲稿第二十七页，共五十九页 光电池是一种利用光生伏特效应制成的不需加偏压就能将光能转化成电能的光电器件。3.2.1 光电池的基本结构和工作原理1、金属-半导体接触型（硒光电池）基本结构2、PN结型几个特征：1、栅状电极2、受光表面的保护膜3、上、下电极的区分符号符号本讲稿第二十八页，共五十九页3.2.2 硅光电池的特性参数1、光照特性伏安特性伏安特性硅光电池工作在第四象限，若工作在反偏置状态，则伏安特性将
21、近伸到第三象限。由光电池的电流方程：Rs很小，可忽略，上式变为：RsRLVDIpI+ILRLVDILIp=SgE本讲稿第二十九页，共五十九页1、光照特性3.2.2 3.2.2 硅光电池的特性参数硅光电池的特性参数负载电流负载电流ILERL1RL2RL3RL4RL4RL5RL=RL=0Voc1Voc5Isc1Isc2Isc3Isc4Is当IL=0时一般IpIs,当RL=0时，Isc=Ip=SgE下面看两个关系：下面看两个关系：当E=0时本讲稿第三十页，共五十九页1、Voc，Isc与E的关系：当IL=0，RL=时一般IpIs,且Ip=SgE3.2.2 硅光电池的特性参数用于光电池检测当V=0，RL
22、=0时，本讲稿第三十一页，共五十九页2、Isc与E和RL的关系：3.2.2 3.2.2 硅光电池的特性参数硅光电池的特性参数RL=120RL=2.4kRL=12kE/lxJ/uAmm2当RL=0时，Isc=Ip=SgE当RL不为0时RLVDIL为什么RL的增加会使光电流减小？本讲稿第三十二页，共五十九页光电池光照特性特征：1、Voc与光照E成对数关系；典型值在0.45-0.6V。作电源时，转化效率10%左右。最大15.5-20%。2、Isc与E成线性关系，常用于光电池检测，Isc典型值35-45mA/cm2。2、RL越小，线性度越好，线性范围越宽。3、光照增强到一定程度，光电流开始饱和，与负载
23、电阻有关。负载电阻越大越容易饱和。3.2.2 3.2.2 硅光电池的特性参数硅光电池的特性参数本讲稿第三十三页，共五十九页2、输出特性3.2.2 3.2.2 硅光电池的特性参数硅光电池的特性参数RL/0100200300400500Voc/VIsc/mA400200010080400PLVocILRMUL随RL的增大而增大，直到接近饱和。RL小时IL趋近于短路电流Isc。在RL=RM时，有最大输出功率，RM称为最佳负载。光电池作为换能器件时要考虑最大输出问题，跟入射光照度也有关。作为测量使用，光电池以电流使用。短路电流Isc与光照度成线性关系，RL的存在使IL随光照度非线性的增加。RL增大，线
24、性范围越来越小。本讲稿第三十四页，共五十九页3、光谱特性3.2.2 3.2.2 硅光电池的特性参数硅光电池的特性参数本讲稿第三十五页，共五十九页4、温度特性3.2.2 3.2.2 硅光电池的特性参数硅光电池的特性参数Voc具有负温度系数，其值约为2-3mV/度。Isc具有正温度系数，但随温度升高增长的比例很小，约为10-5-10-3mA/度总结：总结：当光电池接收强光照时要考虑温度升高的影响。如硅光电池不能超过200度。本讲稿第三十六页，共五十九页3.2.3 3.2.3 硅光电池的应用硅光电池的应用1 1、光电池用作太阳能电池、光电池用作太阳能电池 把光能直接转化成电能，需要最大的输出功率和转
25、化效率。即把光能直接转化成电能，需要最大的输出功率和转化效率。即把受光面做得较大，或把多个光电池作串、并联组成电池组，与把受光面做得较大，或把多个光电池作串、并联组成电池组，与镍镉蓄电池配合，可作为卫星、微波站等无输电线路地区的电源镍镉蓄电池配合，可作为卫星、微波站等无输电线路地区的电源供给。供给。2 2、光电池用作检测元件、光电池用作检测元件 利用其光敏面大，频率响应高，光电流与照度线性变化，适用于利用其光敏面大，频率响应高，光电流与照度线性变化，适用于开关和线性测量等。开关和线性测量等。本讲稿第三十七页，共五十九页光电池与外电路的连接方式3.2.3 硅光电池的应用-10VVociC3DG6
26、2CR21k硅三极管的放大光电流电路-10VVociC3AX42CR锗三极管的放大电路1k光电池作缓变信号检测时的的变换电路举例本讲稿第三十八页，共五十九页硅三极管放大光电流的电路+4VVociC3DG7A2CR1k2AP71003.2.3 3.2.3 硅光电池的应用硅光电池的应用+_VocRf2CR采用运算放大器的电路光电池的变换电路举例本讲稿第三十九页，共五十九页1 1太阳电池电源太阳电池电源 太阳电池电源系统主要由太阳电池方阵、蓄电池组、调节控制和阻塞二极管组成。如果还需要向交流负载供电，则加一个直流交流变换器，太阳电池电源系统框图如图。逆变器交流负载直流负载太阳能电池电源系统阻塞二极管
27、 调节控制器太阳电池方阵本讲稿第四十页，共五十九页本讲稿第四十一页，共五十九页(a)光电追踪电路+12VR4R3R6R5R2R1WBG1BG2图(a)为光电地构成的光电跟踪电路，用两只性能相似的同类光电池作为光电接收器件。当入射光通量相同时，执行机构按预定的方式工作或进行跟踪。当系统略有偏差时，电路输出差动信号带动执行机构进行纠正，以此达到跟踪的目的。光电池在检测和控制方面应用中的几种基本电路本讲稿第四十二页，共五十九页BG2BG1+12VCJ R1 R2(b)光电开关图(b)所示电路为光电开关，多用于自动控制系统中。无光照时，系统处于某一工作状态，如通态或断态。当光电池受光照射时，产生较高的
28、电动势，只要光强大于某一设定的阈值，系统就改变工作状态，达到开关目的。本讲稿第四十三页，共五十九页(c)光电池触发电路R1R2R3R4R5R6BG1BG2BG3BG4C1C2C3+12VW图(c)为光电池触发电路。当光电池受光照射时，使单稳态或双稳态电路的状态翻转，改变其工作状态或触发器件(如可控硅)导通。本讲稿第四十四页，共五十九页+12V5G23(d)光电池放大电路C3-12VWR1R2R3R4R5C1C218765432图(d)为光电池放大电路。在测量溶液浓度、物体色度、纸张的灰度等场合，可用该电路作前置级，把微弱光电信号进行线性放大，然后带动指示机构或二次仪表进行读数或记录。在实际应用
29、中，主要利用光电池的光照特性、光谱特性、频率特性和温度特性等，通过基本电路与其它电子线路的组合可实现或自动控制的目的。本讲稿第四十五页，共五十九页220VC1路灯CJD-108V200F200FC2C3100FR1R3R5R7R4R6R7R2J470k200k10k4.3kBG1280k25k57k10k路灯自动控制器路灯自动控制器BG2BG3BG42CR本讲稿第四十六页，共五十九页光电二极管的分类：按材料分，光电二极管有硅、砷化镓、锑化铟光电二极管等许多种。按结构分，有同质结与异质结之分。其中最典型的是同质结硅光电二极管。国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同，分为2CU和2DU两种系列。
30、2CU系列以N-Si为衬底，2DU系列以P-Si为衬底。2CU系列的光电二极管只有两条引线，而2DU系列光电二极管有三条引线。3.3 光电二极管与光电三极管本讲稿第四十七页，共五十九页3.3 光电二极管与光电三极管光电二极管与光电池的特性比较1.基本结构相同，由一个PN结；2.光电二极管的光敏面小，结面积小，频率特性好，虽然光生电动势相同,但光电流普遍比光电池小,为数微安。3.掺杂浓度：光电池约为1016-1019/cm3，硅光电二极管10121013/cm3，4.电阻率：光电池0.1-0.01/cm，光电二极管1000/cm。5.光电池零偏压下工作，光电二极管反偏压下工作。光电二极管的类型：
31、光电二极管的类型：硅、锗、PIN、APD本讲稿第四十八页，共五十九页3.3 光电二极管与光电三极管光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理NP光+_外加反向偏压符号本讲稿第四十九页，共五十九页光电二极管的基本结构光电二极管的基本结构3.3 光电二极管与光电三极管N环极前极N+N+P后极环型光电二极管的结构前级后级环级VARLh等效电路本讲稿第五十页，共五十九页光电二极管的伏安特性光电二极管的伏安特性IUOE2E1E0E0E1E3u加正向偏压时，表现为单向导电性。u作为光敏二极管使用时，需要加反向偏压，当有光照时会产生光电流，且光电流远大于反向饱和电流。u反向偏压可以减小载流子的渡越时间和二极管
32、的极间电容。反向偏压较小时反向电压达到一定值时。uiO暗电流暗电流E=200 lxE=400 lx本讲稿第五十一页，共五十九页光电二极管的光谱特性光电二极管的光谱特性1、光敏二极管在较小负载电阻下，光电流与入射光功率有较好的线性关系。2、光敏二极管的响应波长与GaAs激光管和发光二极管的波长一致，组合制作光电耦合器件。3、光电二极管结电容很小，频率响应高，带宽可达100kHz。本讲稿第五十二页，共五十九页光电二极管的温度特性光电二极管的温度特性 光电二极管的温度特性主要是指反向饱和电流对温度的依赖性，暗电流对温度的变化非常敏感。暗电流/mA1020305070T/C250504060本讲稿第五
33、十三页，共五十九页光电二极管的典型应用电路光电二极管的典型应用电路应用电路EhRLVoRL+EVoh本讲稿第五十四页，共五十九页光电二极管的典型应用电路光电二极管的典型应用电路电流放大型VoRf2CR+_ACRf2CRVo+_ARLRf电压放大型本讲稿第五十五页，共五十九页 PIN管是光电二极管中的一种。它的结构特点是，在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。这样，PN结的内电场就基本上全集中于本征层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小。时间常数变小，频带变宽。PINPIN光电二极管光电二极管P-SiN-SiI-SiPIN管结构示意图本讲稿第五十六页，共五十九页特
34、点：1、频带宽，可达10GHz。2、本征层很厚，在反偏压下运用可承受较高的反向电压，线性输出范围宽。3、由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使耗尽层宽度增加，且集中在本征层，从而结电容要进一步减小，使频带宽度变宽。4、本征层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。目前有将PIN管与前置运算放大器集成在同一芯片上并封装成一个器件。本讲稿第五十七页，共五十九页 雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。这种管子工作电压很高，约100200V，接近于反向击穿电压。结区内电场极强，光生电子在这种强电场中可得到极大的加速，同时与晶格碰撞而产生电离雪崩反应。因此，这种管子有很高的内增益，可达到几百。当电压等于反向击穿电压时，电流增益可达106，即产生所谓的雪崩。这种管子响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响应速度最快的一种光电二极管。噪声大是这种管子目前的一个主要缺点。由于雪崩反应是随机的，所以它的噪声较大，特别是工作电压接近或等于反向击穿电压时，噪声可增大到放大器的噪声水平，以至无法使用。但由于APD的响应时间极短，灵敏度很高，它在光通信中应用前景广阔。雪崩光电二极管(APD)本讲稿第五十八页，共五十九页雪崩光电二极管(APD)原理图本讲稿第五十九页，共五十九页