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1、泓域咨询/半导体光刻胶产业园项目招商方案半导体光刻胶产业园项目招商方案xx有限责任公司目录第一章 项目投资主体概况9一、 公司基本信息9二、 公司简介9三、 公司竞争优势10四、 公司主要财务数据11公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据12五、 核心人员介绍12六、 经营宗旨14七、 公司发展规划14第二章 绪论20一、 项目名称及投资人20二、 编制原则20三、 编制依据21四、 编制范围及内容21五、 项目建设背景22六、 结论分析23主要经济指标一览表25第三章 项目背景及必要性27一、 半导体光刻胶：技术难度最高，增速最快27二、 逻辑：制程提升+扩产是两大推动力30三
2、、 光刻胶：光刻工艺所需核心材料，助力制程持续升级30四、 加速推进西渭融合33五、 项目实施的必要性33第四章 项目选址方案35一、 项目选址原则35二、 建设区基本情况35三、 突出工业倍增再造新动能36四、 营造最优环境再强新支撑38五、 项目选址综合评价39第五章 产品方案与建设规划40一、 建设规模及主要建设内容40二、 产品规划方案及生产纲领40产品规划方案一览表41第六章 SWOT分析43一、 优势分析（S）43二、 劣势分析（W）44三、 机会分析（O）45四、 威胁分析（T）46第七章 发展规划分析52一、 公司发展规划52二、 保障措施56第八章 运营模式分析59一、 公司
3、经营宗旨59二、 公司的目标、主要职责59三、 各部门职责及权限60四、 财务会计制度63第九章 法人治理67一、 股东权利及义务67二、 董事70三、 高级管理人员74四、 监事77第十章 原辅材料供应、成品管理79一、 项目建设期原辅材料供应情况79二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理79第十一章 项目规划进度81一、 项目进度安排81项目实施进度计划一览表81二、 项目实施保障措施82第十二章 投资估算83一、 投资估算的依据和说明83二、 建设投资估算84建设投资估算表88三、 建设期利息88建设期利息估算表88固定资产投资估算表90四、 流动资金90流动资金估算表91五、 项目总投
4、资92总投资及构成一览表92六、 资金筹措与投资计划93项目投资计划与资金筹措一览表93第十三章 项目经济效益评价95一、 基本假设及基础参数选取95二、 经济评价财务测算95营业收入、税金及附加和增值税估算表95综合总成本费用估算表97利润及利润分配表99三、 项目盈利能力分析99项目投资现金流量表101四、 财务生存能力分析102五、 偿债能力分析103借款还本付息计划表104六、 经济评价结论104第十四章 招标方案106一、 项目招标依据106二、 项目招标范围106三、 招标要求107四、 招标组织方式109五、 招标信息发布112第十五章 总结评价说明113第十六章 附表附录115
5、主要经济指标一览表115建设投资估算表116建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动资金估算表119总投资及构成一览表120项目投资计划与资金筹措一览表121营业收入、税金及附加和增值税估算表122综合总成本费用估算表122固定资产折旧费估算表123无形资产和其他资产摊销估算表124利润及利润分配表125项目投资现金流量表126借款还本付息计划表127建筑工程投资一览表128项目实施进度计划一览表129主要设备购置一览表130能耗分析一览表130报告说明按显影过程中曝光区域的去除或保留分，分成正性光刻胶（正胶）和负性光刻胶（负胶），正负胶各有优势，但正胶分辨率更高，是主流光刻胶。1）
6、正性光刻胶：正性光刻胶在紫外线等曝光源的照射下，将图形转移至光胶涂层上，受光照射后感光部分将发生分解反应，可溶于显影液，未感光部分不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。正性光刻胶响应波长为330430纳米，胶膜厚为13微米，正性光刻胶的分辨率更高，无溶胀现象。因此，正性光刻胶的应用比负性光刻胶更为普及。2）负性光刻胶：负性光刻胶在紫外线等曝光源的照射下，将图形转移至光胶涂层上，在显影溶液的作用下，负性光刻胶曝光部分产生交联反应而不溶于显影液；未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。负性光刻胶响应波长为330430纳米，胶膜厚0.31微米，负性光刻胶的
7、分辨率比正性光刻胶低。负胶占总体光刻胶比重较小，多用于特殊工艺。由于负胶耐热性强，多应用于高压功率器件、高耗能器件等，此外也常用于一些特殊工艺，因为负胶难以去除的特性，在芯片最后的封装阶段可以使用负胶，能起到绝缘、保护芯片的作用。总的来说，正胶有以下主要优点：高分辨率，高对比度；使用暗场掩模减少了曝光图形的缺陷率，因为掩模大部分区域都是不透光的。使用水溶性显影液；去胶容易。因此，正胶普及率大于负胶。根据谨慎财务估算，项目总投资18767.34万元，其中：建设投资15331.75万元，占项目总投资的81.69%；建设期利息164.76万元，占项目总投资的0.88%；流动资金3270.83万元，占
8、项目总投资的17.43%。项目正常运营每年营业收入33000.00万元，综合总成本费用27454.57万元，净利润4047.55万元，财务内部收益率15.52%，财务净现值1933.09万元，全部投资回收期6.25年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，实现高质量发展的目标。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目投资主体概况一、 公司基本信息1、公司名称：xx有限责任公司
9、2、法定代表人：蔡xx3、注册资本：640万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2011-4-67、营业期限：2011-4-6至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事半导体光刻胶相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，
10、在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公
11、司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经
12、过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额8616.976893.586462.73负债总额4718.083774.463538.56股东权益合计3898.893119.112924.17公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入21016.4116813.13157
13、62.31营业利润3897.213117.772922.91利润总额3630.482904.382722.86净利润2722.862123.831960.46归属于母公司所有者的净利润2722.862123.831960.46五、 核心人员介绍1、蔡xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。2、叶xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科
14、学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。3、陈xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。4、郝xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任
15、公司董事。5、江xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。6、梁xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。7、袁xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司
16、监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。8、邱xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。六、 经营宗旨以市场需求为导向；以科研创新求发展；以质量服务树品牌；致力于产业技术进步和行业发展，创建国际知名企业。七、 公司发展规划（一）公司未来发展战略公司秉承“不断超越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念，贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心价值观，为客户提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务，致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进一步巩固公司在相关领域的领
17、先地位，扩大市场份额；另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展方向进一步拓展公司产品类别，加大研发推广力度，进一步提升公司综合实力以及市场地位。（二）扩产计划经过多年的发展，公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势，随着公司业务规模逐年增长，产能瓶颈日益显现。因此，产能提升计划是实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持续发展及逐渐向中国转移为依托，提高公司生产能力和生产效率，满足不断增长的客户需求，巩固并扩大公司在行业中的竞争优势，提高市场占有率和公司影响力。在产品拓展方面，公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时，不断丰富产品类型，持续提升产品质量和附加值，保持公司产品在行业中
18、的竞争地位。（三）技术研发计划公司未来将继续加大技术开发和自主创新力度，在现有技术研发资源的基础上完善技术中心功能，规范技术研究和产品开发流程，引进先进的设计、测试等软硬件设备，提高公司技术成果转化能力和产品开发效率，提升公司新产品开发能力和技术竞争实力，为公司的持续稳定发展提供源源不断的技术动力。公司将本着中长期规划和近期目标相结合、前瞻性技术研究和产品应用开发相结合的原则，以研发中心为平台，以市场为导向，进行技术开发和产品创新，健全和完善技术创新机制，从人、财、物和管理机制等方面确保公司的持续创新能力，努力实现公司新技术、新产品、新工艺的持续开发。（四）技术研发计划公司将以新建研发中心为契
19、机，在对现有产品的技术和工艺进行持续改进、提高公司的研发设计能力、满足客户对产品差异化需求的同时，顺应行业技术发展，不断研发新工艺、新技术，不断提升产品自动化程度，在充分满足下游领域对产品质量要求不断提高的同时，强化公司自主创新能力，巩固公司技术的行业先进地位，强化公司的综合竞争实力。积极实施知识产权保护自主创新、自主知识产权和自主品牌是公司今后持续发展的关键。自主知识产权是自主创新的保障，公司未来三年将重点关注专利的保护，依靠自主创新技术和自主知识产权，提高盈利水平。公司计划在未来三年内大量引进或培养技术研发、技术管理等专业人才，以培养技术骨干为重点建设内容，建立一支高、中、初级专业技术人才
20、合理搭配的人才队伍，满足公司快速发展对人才的需要。公司将采用各种形式吸引优秀的科技人员。包括：提高技术人才的待遇；通过与高校、科研机构联合，实行对口培训等形式，强化技术人员知识更新；积极拓宽人才引进渠道，实行就地取才、内部挖掘和面向社会广揽人才相结合。确保公司产品的高技术含量，充分满足客户的需求，使公司在激烈的市场竞争中立于不败之地。公司将加强与高等院校、研发机构的合作与交流，整合产、学、研资源优势，通过自主研发与合作开发并举的方式，持续提升公司技术研发水平，提升公司对重大项目的攻克能力，提高自身研发技术水平，进一步强化公司在行业内的影响力。（五）市场开发规划公司根据自身技术特点与销售经验，制
21、定了如下市场开发规划：首先，公司将以现有客户为基础，在努力提升产品质量的同时，以客户需求为导向，在各个方面深入了解客户需求，以求充分满足客户的差异化需求，从而不断增加现有客户订单；其次，公司将在稳定与现有客户合作关系的同时，凭借公司成熟的业务能力及优质的产品质量逐步向新的客户群体拓展，挖掘新的销售市场；最后，公司将不断完善营销网络建设，提升公司售后服务能力，从而提升公司整体服务水平，实现整体业务的协同及平衡发展。（六）人才发展规划人才是公司发展的核心资源，为了实现公司总体战略目标，公司将健全人力资源管理体系，制定科学的人力资源开发计划，进一步建立完善的培训、薪酬、绩效和激励机制，最大限度的发挥
22、人才潜力，为公司的可持续发展提供人才保障。公司将立足于未来发展需要，进一步加快人才引进。通过专业化的人力资源服务和评估机制，满足公司的发展需要。一方面，公司将根据不同部门职能，有针对性的招聘专业化人才：管理方面，公司将建立规范化的内部控制体系，根据需要招聘行业内专业的管理人才，提升公司整体管理水平；技术方面，公司将引进行业内优秀人才，提升公司的技术创新能力，增加公司核心技术储备，并加速成果转化，确保公司技术水平的领先地位。另一方面，公司将建立人才梯队，以培养管理和技术骨干为重点，有计划地吸纳各类专业人才进入公司，形成高、中、初级人才的塔式人才结构，为公司的长远发展储备力量。培训是企业人力资源整
23、合的重要途径，未来公司将强化现有培训体系的建设，建立和完善培训制度，针对不同岗位的员工制定科学的培训计划，并根据公司的发展要求及员工的发展意愿，制定员工的职业生涯规划。公司将采用内部交流课程、外聘专家授课及先进企业考察等多种培训方式提高员工技能。人才培训的强化将大幅提升员工的整体素质，使员工队伍进一步适应公司的快速发展步伐。公司将制定具有市场竞争力的薪酬结构，制定和实施有利于人才成长和潜力挖掘的激励政策。根据员工的服务年限及贡献，逐步提高员工待遇，激发员工的创造性和主动性，为员工提供广阔的发展空间，全力打造团结协作、拼搏进取、敬业爱岗、开拓创新的员工队伍，从而有效提高公司凝聚力和市场竞争力。第
24、二章 绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称半导体光刻胶产业园项目（二）项目投资人xx有限责任公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（待定）。二、 编制原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠，并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，
25、以最大程度减少投资，提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性，实事求是地作出研究结论。三、 编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。四、 编制范围及内容投资必要性：主要根据市场调查及分析预测的结果，以及有关的产业政策等因素，论证项目投资建设的必要性；技术的可行性：主要从事项目实施的技术角度，合理设计技术方案，并进行比选和评价；财务可行性：主要从项目及投资者的角度,设计合理财务方案,从企业理财的角度进行资本预算，评价项目的财务盈
26、利能力，进行投资决策，并从融资主体的角度评价股东投资收益、现金流量计划及债务清偿能力；组织可行性：制定合理的项目实施进度计划、设计合理组织机构、选择经验丰富的管理人员、建立良好的协作关系、制定合适的培训计划等，保证项目顺利执行；经济可行性：主要是从资源配置的角度衡量项目的价值，评价项目在实现区域经济发展目标、有效配置经济资源、增加供应、创造就业、改善环境、提高人民生活等方面的效益；风险因素及对策：主要是对项目的市场风险、技术风险、财务风险、组织风险、法律风险、经济及社会风险等因素进行评价，制定规避风险的对策，为项目全过程的风险管理提供依据。五、 项目建设背景上游原材料是影响光刻胶品质的重要因素
27、，目前我国光刻胶原材料市场基本被国外厂商垄断，尤其是树脂和感光剂高度依赖于进口，国产化率很低，由此增加了国内光刻胶生产成本以及供应链风险。行业高度集中，日本三巨头+美国杜邦垄断市场。全球光刻胶市场基本被日本和美国企业所垄断，2020年数据显示，东京应化排名第一，份额为26%，杜邦排名第二，份额为17%，加上JSR和住友化学，CR4接近70%，行业集中度较高。创新转型实现新突破。渭南(西安)创新创业孵化器建成运行，成功打造“西安研发渭南制造”产业新模式。市级以上众创空间、星创天地分别达到21家和23家，高新技术企业达到88家，全市战略性新兴产业增加值年均保持10%以上，服务业增加值年均增长5.7
28、%，高于GDP增速0.7个百分点。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（待定），占地面积约49.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx吨半导体光刻胶的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资18767.34万元，其中：建设投资15331.75万元，占项目总投资的81.69%；建设期利息164.76万元，占项目总投资的0.88%；流动资金3270.83万元，占项目总投资的17.43%。（五）资金筹措项目总投资18767.34万元，根据资金筹措方案，x
29、x有限责任公司计划自筹资金（资本金）12042.36万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额6724.98万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：33000.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：27454.57万元。3、项目达产年净利润（NP）：4047.55万元。4、财务内部收益率（FIRR）：15.52%。5、全部投资回收期（Pt）：6.25年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：14801.39万元（产值）。（七）社会效益此项目建设条件良好，可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施，项目投资省、见效快；此项目贯彻“先进适用、稳
30、妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则，技术先进，成熟可靠，投产后可保证达到预定的设计目标。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积32667.00约49.00亩1.1总建筑面积60379.311.2基底面积20580.211.3投资强度万元/亩304.702总投资万元18767.342.1建设投资万元15331.752.1.1工程费用万元13368.282.1.2其他费
31、用万元1614.242.1.3预备费万元349.232.2建设期利息万元164.762.3流动资金万元3270.833资金筹措万元18767.343.1自筹资金万元12042.363.2银行贷款万元6724.984营业收入万元33000.00正常运营年份5总成本费用万元27454.576利润总额万元5396.737净利润万元4047.558所得税万元1349.189增值税万元1239.1710税金及附加万元148.7011纳税总额万元2737.0512工业增加值万元9399.1413盈亏平衡点万元14801.39产值14回收期年6.2515内部收益率15.52%所得税后16财务净现值万元193
32、3.09所得税后第三章 项目背景及必要性一、 半导体光刻胶：技术难度最高，增速最快全球半导体光刻胶市场增速远高于全球光刻胶平均水平，占比不断提升。据SEMI统计，2021年全球半导体光刻胶市场规模达24.71亿美元，较上年同期增长19.49%，2015-2021年CAGR为12.03%。2019年全球半导体光刻胶市场规模分别为约为18亿美元，半导体光刻胶占整体光刻胶比重约21.9%，到2021年占比提升至26.85%。大陆半导体光刻胶增速超全球两倍。分地区看，中国大陆半导体光刻胶市场依旧保持着最快增速，2021年市场规模达到4.93亿美元，较上年同期增长43.69%，超过全年半导体光刻胶增速的
33、两倍；中国占比全球半导体光刻胶市场比重也将从2015年约10.4%提升到2021年接近20%。中国半导体光刻胶的快速崛起离不开中国整体半导体产业的发展。受益于5G大规模建设，以及2020年新冠疫情导致远程办公、网络直播等应用普及，全球集成电路行业发展迅猛，根据Frost&Sullivan数据，2013年集成电路市场规模为2518亿美元，到2019年集成电路市场规模高达3334亿美元，年复合增长率为4.79%。2019年全球集成电路市场规模有所下滑，主要系全球贸易摩擦、存储供需变化以及智能手机、服务器等产品需求下滑因素影响。预计到2025年，全球集成电路市场规模将达到4750亿美元,2020-2
34、025年CAGR为6.02%。我国集成电路行业起步较晚，但发展迅速。根据中国半导体行业协会数据，2013年中国集成电路销售收入为2508亿元，2019年达到7562亿元，年均复合增速达到20.2%，在5G和新兴产业的发展带动下，如汽车电子行业和物联网的推动下，中国集成电路行业市场规模将不断扩大，预计到2025年，我国集成电路市场规模将达到18932亿元，2020-2025年CAGR为16.22%。按曝光波长分，全球ArF/EUV光刻胶占比超50%，为国际主流。半导体光刻胶按照曝光波长不同可分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）以及新兴起的EUV光
35、刻胶5大类，高端光刻胶指KrF、ArF和EUV光刻胶，等级越往上其极限分辨率越高，同一面积的硅晶圆布线密度越大，性能越好。根据TECHCET数据，从市场分布看，2021年ArFi+ArF光刻胶占全球光刻胶市场规模的比例为48.1%，KrF占比34.7%，G/I线占14.7%。ArF（包括ArFi）光刻胶已是集成电路制造需求金额最大的光刻胶产品，随着集成电路产业超先进制程持续发展，ArF光刻胶持续迎来广阔市场机遇。随着全球半导体产业的发展，制造工艺技术节点的不断缩小，KrF和ArF光刻胶市场需求量更大，增速更快，是推动当下光刻胶市场快速增长的主要因素。从市场规模增速来看，EUV光刻胶发展最快，但
36、处于发展初期体量较小，2021年仅约0.51亿美元，预计到2025年达到1.97亿美元，2020-2025CAGR达48.8%；增速第二快的是KrF光刻胶，其2021年全球市场规模为6.9亿美元，预计到2025年达到9.07亿美元，2020-2025年CAGR为8.2%。ArF光刻胶（ArF+ArFi）2021年全球市场规模为9.55亿美元，预计到2025达到10.72亿美元，2020-2025CAGR为3.5%；较为低端的g/i线光刻胶预计市场规模变化不大，占比缩小。从应用产品看，2021年逻辑占比超63.5%，是第一大应用领域。非易失性存储器（NVM）是一种计算机即使关闭电源也能够保存已保
37、存数据的存储器，增速最快。根据TECHCET数据，2021年逻辑用光刻胶需求超过595万升，占比超过63.5%，到2025年需求量提升到约677万升，2021-2025年CAGR为3.3%，由于NVM对光刻胶需求的快速提升（2021-2025CAGR12.8%），预计2025年逻辑占比略降低到59.5%，NVM占比提升到26.4%。对非易失性存储器（NVM）的需求是主要由于移动设备所需要的存储容量大幅提升，尤其是相机、智能手机和平板电脑。随着制程缩减和存储容量提升，光刻次数增加，单位面积光刻胶的金额越高。根据SEMI的数据，单位面积所使用的的光刻胶价值量从15年3月不到0.12美元/平方英寸上
38、升到2021年9月约0.19美元/平方英寸，平均价值量的提升主要来源于先进制程占比的提升以及光刻次数的增加。二、 逻辑：制程提升+扩产是两大推动力制程越先进，需要进行光刻的次数就越多，光刻胶用量相应提升。为了突破线宽极限而达到所需的更窄线宽，高端制程的关键层次需要双重曝光甚至多重曝光来实现，随着曝光次数的增加，光刻次数在增加，28nm仅需要6次光刻，而7nm浸没式光刻需要34次，对应的光刻胶的需求量也在快速提升，虽然EUV光刻技术能有效地减小线宽并且降低光刻次数，7nm制程使用EUV技术仅需要9次光刻，但其所用的光源、光刻胶及掩膜版等与先前的光刻技术有较大差异，因此目前的商业化程度不高。全球普
39、遍扩产，产能增加带来光刻胶需求增加。在经历2019年半导体周期低谷后，得益于下游需求旺盛，全球主要晶圆厂均加大了扩产力度，从资本开支的数据来看，各大晶圆厂于2020年、2021年开始加大资本开支投入，22年资本开支指引的强度均强于2021年，2018-2022年合计的资本开支YoY分别为-23%/8%/21%/25%/30%，开支强度逐年递增，标志了扩产力度的加强，随着晶圆厂产能的提高，光刻胶的用量也将随之大幅提升。三、 光刻胶：光刻工艺所需核心材料，助力制程持续升级光刻胶百年发展史，是光刻工艺所需关键材料。光刻胶被应用于印刷工业已经超过一个世纪。到20世纪20年代，开始被用于PCB领域，到2
40、0世纪50年代，开始被用于生产晶圆。20世纪50年代末，eastmankodak（伊士曼柯达公司）和Shipley（已被陶氏收购）分别设计出适合半导体工业所需的正胶和负胶。光刻胶用于光刻工艺，帮助将设计好的电路图形由掩膜版转移至硅片，从而实现特定的功能。光刻胶的质量和性能直接影响制造产线良率。以集成电路为例，光刻工艺步骤和光刻胶的使用场景如下：1）气体硅片表面预处理：在光刻前，硅片会经历一次湿法清洗和去离子水冲洗，目的是去除沾污物。在清洗完毕后，硅片表面需要经过疏水化处理，用来增强硅片表面同光刻胶（通常是疏水性的）的黏附性。2）旋涂光刻胶，抗反射层：在气体预处理后，光刻胶需要被涂敷在硅片表面。
41、涂敷的方法是最广泛使用的旋转涂胶方法，光刻胶（大约几毫升）先被管路输送到硅片中央，然后硅片会被旋转起来，并且逐渐加速，直到稳定在一定的转速上（转速高低决定了胶的厚度，厚度反比于转速的平方根）。3）曝光前烘焙：当光刻胶被旋涂在硅片表面后，必须经过烘焙。烘焙的目的在于将几乎所有的溶剂驱赶走。这种烘焙由于在曝光前进行叫做“曝光前烘焙”，简称前烘，又叫软烘（softbake）。前烘改善光刻胶的黏附性，提高光刻胶的均匀性，以及在刻蚀过程中的线宽均匀性控制。4）对准和曝光：在投影式曝光方式中，掩膜版被移动到硅片上预先定义的大致位臵，或者相对硅片已有图形的恰当位臵，然后由镜头将其图形通过光刻转移到硅片上。对
42、接近式或者接触式曝光，掩膜版上的图形将由紫外光源直接曝光到硅片上。5）曝光后烘焙：曝光完成后，光刻胶需要经过又一次烘焙。后烘的目的在于通过加热的方式，使光化学反应得以充分完成。曝光过程中产生的光敏感成分会在加热的作用下发生扩散，并且同光刻胶产生化学反应，将原先几乎不溶解于显影液体的光刻胶材料改变成溶解于显影液的材料，在光刻胶薄膜中形成溶解于和不溶解于显影液的图形。由于这些图形同掩膜版上的图形一致，但是没有被显示出来，又叫“潜像”（latentimage）。6）显影：由于光化学反应后的光刻胶呈酸性，显影液采用强碱溶液。一般使用体积比为2.38%的四甲基氢氧化铵水溶液。光刻胶薄膜经过显影过程后，曝
43、过光的区域被显影液洗去，掩膜版的图形便在硅片上的光刻胶薄膜上以有无光刻胶的凹凸形状显示出来。7）坚膜烘焙：在显影后，由于硅片接触到水分，光刻胶会吸收一些水分，这对后续的工艺，如湿发刻蚀不利。于是需要通过坚膜烘焙（hardbake）来将过多的水分驱逐出光刻胶。由于现在刻蚀大多采用等离子体刻蚀，又称为“干刻”，坚膜烘焙在很多工艺当中已被省去。制程升级是确定发展方向，光刻设备和光刻胶是核心因素。随着高集成度、超高速、超高频集成电路及元器件的开发，集成电路与元器件特征尺寸呈现出越来越精细的趋势，加工尺寸达到百纳米直至纳米级，光刻设备和光刻胶产品也为满足超微细电子线路图形的加工应用而推陈出新。光刻胶的分
44、辨率直接决定了特征尺寸的大小，通常而言，曝光波长越短，分辨率越高，因此为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的曝光波长由紫外宽谱向线(436nm)线(365nm)KrF(248nm)ArF(193nm)F2（157nm）的方向转移，并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。四、 加速推进西渭融合跟踪落实西渭融合重点项目合作框架协议，推进轨道交通、城市供水等8个项目建设。积极对接西安港务区，开行“渭西欧”班列15趟以上。深化富阎产业合作园建设，力争西飞民机、比亚迪新能源卡车等项目取得实质性进展，新舟700支线飞机等项目开工建设，三秦汽车配套产业园建成投产。五、 项目实施的必要性（一）现有
45、产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量
46、水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第四章 项目选址方案一、 项目选址原则1、符合城乡建设总体规划，应符合当地工业项目占地使用规划的要求，并与大气污染防治、水资源和自然生态保护相一致。2、项目选址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其它特别需要保护的敏感性目标。3、节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地。4、项目选址选择应提供足够的场地以满足工艺及辅助生产设施的建设需要。5、项目选址应具备良好的生产基础条件，水源、电力、运输等生产要素供应充裕，能源供应有可靠的保障。6、项目选址应靠近交通主干道，具备便利的交通条件，有利于原料和产成品的运输。通讯便捷，有利于及时反馈市场信息。7、地势平缓，便于排除雨水和生产、生活废水。8、应与居民区及环