硅材料及衬底制备PPT讲稿.ppt

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1、硅材料及衬底制备第1页，共46页，编辑于2022年，星期一集成电路（集成电路（Integrated CircuitIntegrated Circuit）制造工艺制造工艺是集成电路实现的手段，是集成电路实现的手段，也是集成电路设计的基础。也是集成电路设计的基础。第2页，共46页，编辑于2022年，星期一硅是自然界中蕴含最丰富的元素之一，约占地壳重硅是自然界中蕴含最丰富的元素之一，约占地壳重量的量的2525；目前，集成电路和各种半导体器件制造中所用的材目前，集成电路和各种半导体器件制造中所用的材料主要是硅、锗和砷化镓等单晶。料主要是硅、锗和砷化镓等单晶。硅器件占世界上出售的半导体器件的硅器件占世界

2、上出售的半导体器件的9898以上以上 硅材料硅材料 第3页，共46页，编辑于2022年，星期一l.1 半导体材料的特征与属性半导体材料的特征与属性 电阻率（电阻率（）来度量自然界物质的导电能力，可划分为三类）来度量自然界物质的导电能力，可划分为三类 导导 体，其电阻率范围在体，其电阻率范围在110-6cm至至110-3 cm之间；之间；绝缘体，其电阻率范围在绝缘体，其电阻率范围在1108cm至至11020cm之间；之间；半导体，其电阻率范围在半导体，其电阻率范围在 110-3cm至至1108cm之间之间 制造集成电路对半导体材料（通常称制造集成电路所使用的基底材料为衬底材料制造集成电路对半导体

3、材料（通常称制造集成电路所使用的基底材料为衬底材料Substrate-Sub.Substrate-Sub.）有以下）有以下基本要求基本要求：（1 1）衬底材料必须是纯净的（仅含所需类型及所需数量的杂质）、晶体结）衬底材料必须是纯净的（仅含所需类型及所需数量的杂质）、晶体结 构完美（含有尽可能少的晶体缺陷）的单晶体；构完美（含有尽可能少的晶体缺陷）的单晶体；（2 2）单晶硅片：单面或双面高度平整和光洁（）单晶硅片：单面或双面高度平整和光洁（131314-14-属机械行业的表属机械行业的表 面光洁度的最高标识）；面光洁度的最高标识）；（3 3）衬底片的厚度在）衬底片的厚度在800800至至5005

4、00微米范围内。微米范围内。第4页，共46页，编辑于2022年，星期一l.1 半导体材料的特征与属性半导体材料的特征与属性 晶体的基本形态可认为有晶体的基本形态可认为有单晶形态、多晶形态和非晶形态单晶形态、多晶形态和非晶形态。1 1、单晶形态则为单晶体，体内原子呈三维有序排列；、单晶形态则为单晶体，体内原子呈三维有序排列；2 2、多晶形态即为多晶体，是由若干微小的晶粒（晶粒内部的原子排列是三、多晶形态即为多晶体，是由若干微小的晶粒（晶粒内部的原子排列是三 维有序的，故每一个晶粒即可被认为是单晶体的最小形式。）结构而成。维有序的，故每一个晶粒即可被认为是单晶体的最小形式。）结构而成。所以，多晶体

5、也可认为是由若干微小的单晶体结合而成。所以，多晶体也可认为是由若干微小的单晶体结合而成。3 3、非晶形态体内的原子排列就近程而言是有序的，而远程来看则是无序的，、非晶形态体内的原子排列就近程而言是有序的，而远程来看则是无序的，故整体上可认为呈无序状态。但非晶体体内不存在间界（晶粒间界）。故整体上可认为呈无序状态。但非晶体体内不存在间界（晶粒间界）。（突出的（突出的光电转换效率和形态的韧性光电转换效率和形态的韧性使其在光电器件领域有着广泛的应用使其在光电器件领域有着广泛的应用 ）第5页，共46页，编辑于2022年，星期一1.1 1.1 半导体材料的特征与属性半导体材料的特征与属性 集成电路制造工

6、业对半导体材料的集成电路制造工业对半导体材料的综合指标有一个基本的要求综合指标有一个基本的要求：1.1.导电类型：导电类型：N N型或型或P P型；型；2.2.要有确定的体电阻率（特定的、均匀的杂质含量）；要有确定的体电阻率（特定的、均匀的杂质含量）；3.3.符合要求的晶体结晶质量（要求晶体的缺陷面密度符合要求的晶体结晶质量（要求晶体的缺陷面密度1010个个/平方厘米）；平方厘米）；4.4.具有确定的晶体取向，例如：具有确定的晶体取向，例如：、或或（描述（描述 晶体取向采用密勒指数，相关教学内容详见固体物理学有关晶体取向采用密勒指数，相关教学内容详见固体物理学有关 章节。例如：章节。例如：表示

7、晶体的晶向指数；表示晶体的晶向指数；(111)(111)表示晶体的晶面指表示晶体的晶面指数）。数）。第6页，共46页，编辑于2022年，星期一l.2 l.2 半导体材料硅的结构特征半导体材料硅的结构特征 硅晶体属金刚石晶格结构，由两个面心立方晶格套构而成。但其原子在晶硅晶体属金刚石晶格结构，由两个面心立方晶格套构而成。但其原子在晶格中的几何位置是不等价。格中的几何位置是不等价。硅单晶的面心立方晶格套构硅单晶的面心立方晶格套构 硅的四面体单位晶胞硅的四面体单位晶胞 硅六棱柱晶胞三维示意硅六棱柱晶胞三维示意 硅六棱柱晶胞原子架构硅六棱柱晶胞原子架构 硅晶体原子的硅晶体原子的排列，其各向异性排列，其

8、各向异性特征。特征。硅单晶体的各硅单晶体的各向异性特征在晶体向异性特征在晶体管和集成电路的制管和集成电路的制造过程中有着十分造过程中有着十分重要的应用。重要的应用。第7页，共46页，编辑于2022年，星期一l.3 l.3 半导体单晶制备过程中的晶体缺陷半导体单晶制备过程中的晶体缺陷 制造集成电路的衬底材料主要有三种类型：制造集成电路的衬底材料主要有三种类型：一是元素半导体，如锗和硅；一是元素半导体，如锗和硅；二是化合物半导体材料，如砷化镓材料；二是化合物半导体材料，如砷化镓材料；三是绝缘体类：如蓝宝石和尖晶石。三是绝缘体类：如蓝宝石和尖晶石。晶体缺陷：晶体缺陷：单晶缺陷单晶缺陷主要来自由于晶体

9、生长条件的不良影响所造成的位错缺陷、微缺陷、主要来自由于晶体生长条件的不良影响所造成的位错缺陷、微缺陷、晶粒间界、局部多晶等等。晶粒间界、局部多晶等等。外延生长过程中形成的缺陷：外延生长过程中形成的缺陷：有层错有层错,同时，也不可避免地会引进一些有害杂质，如：铜、铁、钠等重金属同时，也不可避免地会引进一些有害杂质，如：铜、铁、钠等重金属杂质和氧、碳等杂质。杂质和氧、碳等杂质。第8页，共46页，编辑于2022年，星期一l.3 l.3 半导体单晶制备过程中的晶体缺陷半导体单晶制备过程中的晶体缺陷 位错 刃型位错 螺型位错 刃型位错 多晶硅 第9页，共46页，编辑于2022年，星期一l.3 l.3

10、半导体单晶制备过程中的晶体缺陷半导体单晶制备过程中的晶体缺陷 刃型位错、螺型位错刃型位错、螺型位错 其生成均是起因于晶体生长时硅原子生长周围的应其生成均是起因于晶体生长时硅原子生长周围的应力（如：单晶生长机械装置所造成的机械应力和因加热力（如：单晶生长机械装置所造成的机械应力和因加热装置造成的热应力）场装置造成的热应力）场“失衡失衡”。无论是机械应力还是。无论是机械应力还是热应力，我们都将其等价为单位应力。热应力，我们都将其等价为单位应力。第10页，共46页，编辑于2022年，星期一l.3 l.3 半导体单晶制备过程中的晶体缺陷半导体单晶制备过程中的晶体缺陷 刃型位错的形成刃型位错的形成 第1

11、1页，共46页，编辑于2022年，星期一l.3 l.3 半导体单晶制备过程中的晶体缺陷半导体单晶制备过程中的晶体缺陷 螺形位错形成螺形位错形成 第12页，共46页，编辑于2022年，星期一l.4l.4集成电路技术的发展和硅材料的关系集成电路技术的发展和硅材料的关系 集成电路的产业化生产要求不断地提高集成电集成电路的产业化生产要求不断地提高集成电路管芯的路管芯的性能价格比性能价格比指标，其主要途径之一就是指标，其主要途径之一就是在保障硅单晶综合质量参数的前提下，向在保障硅单晶综合质量参数的前提下，向增大增大晶圆片直径和缩小器件图形特征尺寸晶圆片直径和缩小器件图形特征尺寸的方向发展的方向发展 .第

12、13页，共46页，编辑于2022年，星期一l.4l.4集成电路技术的发展和硅材料的关系集成电路技术的发展和硅材料的关系硅集成电路工艺技术发展的特点及其与硅单晶材料的关系硅集成电路工艺技术发展的特点及其与硅单晶材料的关系 1 1、集成电路的特征尺寸逐渐缩小，芯片的面积逐渐增大；、集成电路的特征尺寸逐渐缩小，芯片的面积逐渐增大；2 2、降低生产成本，提高硅晶圆片的直径；、降低生产成本，提高硅晶圆片的直径；3 3、集成电路的器件结构越来越趋向硅圆片的浅表层；、集成电路的器件结构越来越趋向硅圆片的浅表层；假设考虑对象是直径为假设考虑对象是直径为100100毫米、厚度为毫米、厚度为520520微米的硅圆

13、片微米的硅圆片 第一层为器件结构层，约第一层为器件结构层，约1 1微米厚，微米厚，第二层为功能延展层，约第二层为功能延展层，约2020微米厚，微米厚，第三层为结构支撑层，约第三层为结构支撑层，约490490微米，微米，第四层为硅片背面的加工损伤层，通常约为数微米第四层为硅片背面的加工损伤层，通常约为数微米 4 4、现代集成电路尽可能采取尽可能低的加工温度来完成管芯的制造、现代集成电路尽可能采取尽可能低的加工温度来完成管芯的制造；5 5、追求高集成度和高性能、追求高集成度和高性能,提高内部元器件互连的灵活性，在集成电路的制造过程中，提高内部元器件互连的灵活性，在集成电路的制造过程中，金属和介质薄

14、膜淀积的层次越来越多；金属和介质薄膜淀积的层次越来越多；6 6、集成电路的特点和发展方向不但对硅单晶的制备和加工以及对单晶材料的、集成电路的特点和发展方向不但对硅单晶的制备和加工以及对单晶材料的检测分析方法和测试工具也提出了相应的要求。检测分析方法和测试工具也提出了相应的要求。第14页，共46页，编辑于2022年，星期一l.5l.5关于半导体硅材料及硅衬底晶片的制备关于半导体硅材料及硅衬底晶片的制备第15页，共46页，编辑于2022年，星期一l.5l.5关于半导体硅材料及硅衬底晶片的制备关于半导体硅材料及硅衬底晶片的制备半导体材料水平与集成电路特征指标关系览表半导体材料水平与集成电路特征指标关

15、系览表年代年代圆片直径圆片直径 （mmmm）圆片厚度圆片厚度 （mm）平整度平整度(m)(m)芯片规模芯片规模 DRAM DRAM 特征尺寸特征尺寸 (m)(m)19681968505025025015-2015-20 1K(LSI)1K(LSI)8-10 8-1019721972757538038010-1510-15 4K(LSI)4K(LSI)5-7 5-71976197675-10075-100380-525380-5256-106-10 16K(LSI)16K(LSI)3-5 3-519801980100-125100-125525-625525-6254-64-6 64K(VLSI

16、)64K(VLSI)2-3 2-319841984150150625-675625-6751.5-21.5-2 256K(VLSI)256K(VLSI)1.5-2 1.5-219881988200200725-775725-7751-1.51-1.5 1M(ULSI)1M(ULSI)1.0-1.5 1.0-1.5 硅圆片直径每增加二英寸，即可获得较原来多一倍的电路管芯。而对其生产硅圆片直径每增加二英寸，即可获得较原来多一倍的电路管芯。而对其生产成本进行测算可知，硅圆片直径增加二英寸还可降低生产成本成本进行测算可知，硅圆片直径增加二英寸还可降低生产成本34%34%。第16页，共46页，编辑于20

17、22年，星期一l.6 l.6 半导体硅材料的提纯技术半导体硅材料的提纯技术l.6.1 l.6.1 精馏提纯四氯化硅技术及其提纯装置精馏提纯四氯化硅技术及其提纯装置 SiC14粗料中所含粗料中所含杂质组杂质组分及其沸点分及其沸点值值 组组 分分 沸沸 点点（）组组 分分 沸沸 点点（）SiH SiH2 2CLCL2 2 8.3 8.3 SiHCLSiHCL3 3 31.531.5 BCL BCL3 3 12.1 12.1 SnCL SnCL4 4 113113 SiCLSiCL4 4 57.6 57.6 CrO CrO2 2CLCL2 2 116.7116.7 PCL PCL3 3 76 76

18、VOCL VOCL3 3 127127 CCL CCL4 4 77 77 AsCL AsCL3 3 130130 POCLPOCL3 3 105.3105.3 TiCL TiCL4 4 136136第17页，共46页，编辑于2022年，星期一l.7 l.7 直拉法生长硅单晶直拉法生长硅单晶1 1、为什么要进行晶体生长？、为什么要进行晶体生长？造不同要求的器件结构区还需要制备特定规格的体单晶或单晶薄膜；造不同要求的器件结构区还需要制备特定规格的体单晶或单晶薄膜；晶体生长是半导体材料制备中极为重要的课题；晶体生长是半导体材料制备中极为重要的课题；2 2、晶体生长的发展、晶体生长的发展 晶体生长理论

19、的研究逐步向微观理论模型的定量计算方面大踏步地晶体生长理论的研究逐步向微观理论模型的定量计算方面大踏步地前进前进.第18页，共46页，编辑于2022年，星期一l.7 l.7 直拉法生长硅单晶直拉法生长硅单晶晶体生长的方式可以分为三大类晶体生长的方式可以分为三大类 （1 1）固相生长方式：）固相生长方式：固相生长方式是通过固固相生长方式是通过固-固相转变完成的晶体生长过固相转变完成的晶体生长过程。程。（2 2）液相生长方式：）液相生长方式：液相生长方式包括溶液中生长和熔体中生液相生长方式包括溶液中生长和熔体中生 长两种。长两种。GaAsGaAs液相外延是最为典型的溶液生长过程。以硅的单晶生长为例

20、，液相外延是最为典型的溶液生长过程。以硅的单晶生长为例，获得硅体单晶的生长过程则是从熔体中生长晶体的典型实例。获得硅体单晶的生长过程则是从熔体中生长晶体的典型实例。（3 3）汽相生长方式：）汽相生长方式：汽相生长方式是由汽相向固相晶体转变的汽相生长方式是由汽相向固相晶体转变的 汽汽-固相固相转变的过程，属于气体凝华过程。转变的过程，属于气体凝华过程。化学汽相淀积（化学汽相淀积（CVDCVD）方式即属于这种方式。）方式即属于这种方式。第19页，共46页，编辑于2022年，星期一l.7 l.7 直拉法（直拉法（CZCZ法）生长硅单晶法）生长硅单晶单晶硅的直拉生长技术单晶硅的直拉生长技术 熔体中生长

21、体单晶，是当前制备半导体单晶材料的主要方法。例如熔体中生长体单晶，是当前制备半导体单晶材料的主要方法。例如GeGe、SiSi、GaAsGaAs、InPInP等单晶材料，都是从熔体中生长获得的。等单晶材料，都是从熔体中生长获得的。构成：构成：炉体炉体 拉晶装置拉晶装置 环境控制环境控制 电子控制及电源系统电子控制及电源系统单晶生长过程中的热传递示意单晶生长过程中的热传递示意 直拉单晶生产设备直拉单晶生产设备 第20页，共46页，编辑于2022年，星期一21直拉法直拉法CzochralskiCzochralski法（法（CZCZ法）法）起源起源:19181918年年由由CzochralskiCzo

22、chralski从从熔熔融融金金属属中中拉拉制制细细灯灯丝丝，5050年年代代开开发发出出与与此此类类似似的的直直拉拉法法生生长长单单晶晶硅硅，这是生长单晶硅的主流技术。这是生长单晶硅的主流技术。第21页，共46页，编辑于2022年，星期一一块具有所需要晶向的单晶硅作为一块具有所需要晶向的单晶硅作为籽晶籽晶来生长硅锭，来生长硅锭，生长的单晶硅就像是籽晶的复制品生长的单晶硅就像是籽晶的复制品;坩锅里的硅被单晶炉加热，硅变成熔体坩锅里的硅被单晶炉加热，硅变成熔体;籽晶与熔体表面接触，并旋转，旋转方向与坩锅的旋转籽晶与熔体表面接触，并旋转，旋转方向与坩锅的旋转方向相反方向相反;随着籽晶在直拉过程中离

23、开熔体，熔体上的液体会因随着籽晶在直拉过程中离开熔体，熔体上的液体会因为表面张力而提高。随着籽晶从熔体中拉出，与籽晶为表面张力而提高。随着籽晶从熔体中拉出，与籽晶有同样晶向的单晶就生长出来。有同样晶向的单晶就生长出来。l.7 l.7 直拉法生长硅单晶直拉法生长硅单晶第22页，共46页，编辑于2022年，星期一l.7 l.7 直拉法生长硅单晶直拉法生长硅单晶炉体炉体石英坩埚：盛熔融硅液；石英坩埚：盛熔融硅液；石墨基座：支撑石英坩埚；加热坩埚；石墨基座：支撑石英坩埚；加热坩埚；旋转装置：顺时针转；旋转装置：顺时针转；加热装置：加热装置：RF线圈；线圈；拉晶装置拉晶装置籽晶夹持器：夹持籽晶（单晶）；

24、籽晶夹持器：夹持籽晶（单晶）；旋转提拉装置：逆时针；旋转提拉装置：逆时针；环境控制环境控制真空系统：真空系统：气路系统：提供惰性气体；气路系统：提供惰性气体；排气系统：排气系统：电子控制及电源系统电子控制及电源系统1.1.拉晶仪拉晶仪第23页，共46页，编辑于2022年，星期一第24页，共46页，编辑于2022年，星期一第25页，共46页，编辑于2022年，星期一l.7 l.7 直拉法生长硅单晶直拉法生长硅单晶第26页，共46页，编辑于2022年，星期一第27页，共46页，编辑于2022年，星期一l.7 l.7 直拉法生长硅单晶直拉法生长硅单晶1.1.籽晶熔接籽晶熔接:加大加热功率，使多晶硅完

25、全熔化，并挥发一定加大加热功率，使多晶硅完全熔化，并挥发一定时间后，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗时间后，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称称“烤晶烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击。，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击。2.2.引晶和缩颈：当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触。此时要控制引晶和缩颈：当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触。此时要控制好温度，当籽晶与熔体液面接触，浸润良好时，可开始缓慢提拉，好温度，当籽晶与熔体液面接触，浸润良好时，可开始缓慢提拉，随着籽晶上升硅在籽晶头部结晶，这一步骤叫随着籽晶上升硅在籽晶头部结晶，这一步骤叫“引晶引晶”。“缩颈缩颈”是

26、指在引晶后略为降低温度，是指在引晶后略为降低温度，提高拉速提高拉速，拉一段直径比籽，拉一段直径比籽晶细的部分。其目的是晶细的部分。其目的是排除接触不良引起的多晶排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。颈一般要长于晶内原有位错的延伸。颈一般要长于20mm20mm。第28页，共46页，编辑于2022年，星期一l.7 l.7 直拉法生长硅单晶直拉法生长硅单晶3.3.放肩：缩颈工艺完成后，略降低温度，让晶体逐渐长大到所需放肩：缩颈工艺完成后，略降低温度，让晶体逐渐长大到所需的直径为止。这称为的直径为止。这称为“放肩放肩”。在放肩时可判别晶体是否是。在放肩时可判别晶体是否是单晶

27、，否则要将其熔掉重新引晶。单晶体外形上的特征单晶，否则要将其熔掉重新引晶。单晶体外形上的特征棱棱的出现可帮助我们判别，的出现可帮助我们判别，方向应有对称三条棱，方向应有对称三条棱，方向有对称的四条棱。方向有对称的四条棱。4.4.等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。此再增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速不变。时要严格控制温度和拉速不变。5.5.收晶：晶体生长所需长度后，拉速不变，升高熔体温度或熔体收晶：晶体生长所需长度

28、后，拉速不变，升高熔体温度或熔体温度不变，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。温度不变，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。第29页，共46页，编辑于2022年，星期一l.7 l.7 直拉法生长硅单晶直拉法生长硅单晶直拉生长硅单晶的基本步骤直拉生长硅单晶的基本步骤：拉制出完美的单晶的要求：拉制出完美的单晶的要求：精心精心“选种选种”“”“育种育种”，并认真做好，并认真做好“下种下种”前的准备工作前的准备工作 直拉单晶生长工艺步骤示意图直拉单晶生长工艺步骤示意图 整个直拉硅单晶的过程包括：整个直拉硅单晶的过程包括：引晶（下种）、缩颈（细颈）、放肩、等颈生长和收尾。引晶（下种）、缩颈（细颈）、放肩、等颈生长和

29、收尾。第30页，共46页，编辑于2022年，星期一CZ法晶体提拉資料來源:http:/ 硅单晶体定向切割出硅晶圆片之前，首要的任务就是确定晶圆基硅单晶体定向切割出硅晶圆片之前，首要的任务就是确定晶圆基准定位面。在硅单晶体晶锭上定向切割出基准定位面，再进行硅晶圆准定位面。在硅单晶体晶锭上定向切割出基准定位面，再进行硅晶圆片的定向切割。这样，每枚硅晶圆片都带有定位切口而作为电路管芯片的定向切割。这样，每枚硅晶圆片都带有定位切口而作为电路管芯排布的定位参考依据。排布的定位参考依据。第32页，共46页，编辑于2022年，星期一晶体具有各向异性晶体具有各向异性 器件一般制作在不同米勒指数面的晶片上，如器

30、件一般制作在不同米勒指数面的晶片上，如 双极器件：双极器件：111面；面；MOS器件：器件：100面。面。晶体定向的方法晶体定向的方法 1.光图像定向法（参考李乃平）光图像定向法（参考李乃平）腐腐蚀蚀：要要定定向向的的晶晶面面经经研研磨磨、腐腐蚀蚀，晶晶面面上上出出现现许许多多由由低低指指数数小小平平面面围围成成、与与晶晶面面具具有有一一定定对对应应关关系系的的小小腐腐蚀蚀坑；坑；光照：利用这些小腐蚀坑的宏观对称性，正入射平行光反光照：利用这些小腐蚀坑的宏观对称性，正入射平行光反映出不同的图像，从而确定晶面映出不同的图像，从而确定晶面。l.8l.8硅单晶的各向异性特征在管芯制造中的应用硅单晶的

31、各向异性特征在管芯制造中的应用 第33页，共46页，编辑于2022年，星期一硅片的制备晶体生长整型切片磨片倒角刻蚀抛光清洗检查包装第34页，共46页，编辑于2022年，星期一定位边研磨径向研磨去掉两端整型处理：整型处理：1.去掉两端；2.径向研磨；3.硅片定位边或定位槽第35页，共46页，编辑于2022年，星期一切片（内圆切割机/线锯）内圆切割机第36页，共46页，编辑于2022年，星期一磨片和倒角粗略研磨；使用传统的浆料；移除表面大部分损伤产生平坦的表面减小位错的影响第37页，共46页，编辑于2022年，星期一刻 蚀消除硅片表面的损伤和沾污将硝酸(水中浓度79%),氢氟酸(水中浓度49%),

32、和纯醋酸 依照4:1:3 比例混合.化学反应式:3 Si+4 HNO3+6 HF 3 H2SiF6+4 NO+8 H2O第38页，共46页，编辑于2022年，星期一普通的磨片完成过后硅片表面还有一个薄层的表面缺陷。现在的抛光是机械加化学，经过抛光工艺后使硅片表面真正达到高度平整、光洁如镜的理想表面。抛 光第39页，共46页，编辑于2022年，星期一研磨液研磨垫压力晶圆夹具晶圆抛 光第40页，共46页，编辑于2022年，星期一Upper polishing padLower polishing padWaferSlurry第41页，共46页，编辑于2022年，星期一200 200 mmmm的的晶

33、圆晶圆厚度和表面平坦度的厚度和表面平坦度的变化变化76 mm914 mm晶圆晶圆切片之切片之后后边缘圆滑边缘圆滑化之化之后后76 mm914 mm12.5 mm814 mm2.5 mm750 mm725 mm几乎几乎是是零零缺陷的表面缺陷的表面粗磨之粗磨之后后刻蚀之后刻蚀之后CMP CMP 之之后后第42页，共46页，编辑于2022年，星期一清洗硅片评估包装第43页，共46页，编辑于2022年，星期一1.3.3 晶片加工晶片加工第44页，共46页，编辑于2022年，星期一小 结硅原材料怎样精炼成半导体级硅晶体缺陷和晶面CZ直拉法硅片制备的基本步骤第45页，共46页，编辑于2022年，星期一作作 业业P371,2,3，第46页，共46页，编辑于2022年，星期一