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1、第17课联想B50-30LA-B102P凌动单CPU时序说明、联想B50-30隔离保护部分说明凌动联想B50-30VALLEYVIEWBAYTRAIL悲催平台SOC（CPU+桥集成一起）“不支持深度睡眠”注：此机器没有CPU风扇，亮机电流很低0.2XA就亮机（1.35V内存低电压板）注：+1.35V以前为待机时就产生的电压（除了VCCRTC和B+以外，最少四个待机电压3V5V多了1.01.8VVALW）S3状态下会产生内存主供电+1.35VS0状态下多了1.5V1.05V其它都是后来转换出来的凌动联想B50-30VALLEYVIEWBAYTRAIL悲催平台SOC上电时序1、 首先产生一个+3V
2、LP线性给EC做为待机供电2、 EC待机得到供电、时钟、复位、程序满足后发出EC_ON开启CPU的待机供电+5V、+3V、+1.0V、1.8VALW3、 按下开关，EC收到开机触发信号后，发出RSMRST#给CPU4、 EC再延时发出PWRBTN#给CPU5、 CPU待机条件满足情况下置高S4S3给EC（没有S5、SLP_A#、SLP_LAN#等信号）6、 EC发出SYSON控制产生内存主供电1.35V7、 内存供电正常产生后会产生一个DDR_PWROK信号给CPU8、 EC发出VR_ON控制产生CPUVBOOT电压和集显供电“+CORE_VNN集显+CORE_VCC核心”9、 CPU供电正常
3、，PWM芯片产生VGATE的PG送给EC注：INTELVALLEYVIEWBAYTRAIL悲催平台悲内存主供电和CPU供电要先出来10、 当EC收到VGATE后，EC再发出SUSP#控制产生S0状态的其它供电如+1.0VS+1.05VS+1.35VS+1.8VS+3VS+5VS+0.675VS1、 首先分析公共点VIN电压经PQ301的D极加到PQ301的G极和PQ302的G极，高电平的电压使PQ301和PQ302截止VIN电压经PR301和PQ305和B极，使PQ305导通，PQ304的CE极也导通，也使PQ301和PQ302的G极为高，截止注：同时高电平的VIN电压也加到电池放电管的G极，
4、使PQ302截止，隔离电池分析:要想产生大公流的公共点电压1、 PQ304必须要截止，PQ301和PQ302的G极电压要串联分压成相对低电平A:PQ307B的G极要为高电平受控于PACIN，PACIN受控于充电芯片（线性分压+芯片信号控制）ACPRN#来源充电芯片BQ24727,好像与BQ24737一样ACOK#：当ACDET超过2.4V，芯片内部MOS管拉低ACOK#脚，开漏输出低电平ACDET：适配器检测输入引脚（来源适配器电压经电阻分压而来），当ACDET脚超过0.6V，REGN输出电压，ACOK#输出VCC：芯片供电，来源二极管、电池、适配器电压REGN：线性电压输出，6V输出（输出的
5、来源VCC，当ACDET超过0.6V，VCC超过欠压锁定阀值，经电容到地）SRP：充电电流电阻检测正端输入SRN：充电电流电阻检测负端输入SDA：SM总线，开漏输出连接EC，外部上拉SCL：SM总线，开漏输出连接EC，外部上拉IOUT:充电电流输出CMPUT：给芯片内部比较器补偿输出CMPIN：给芯片内部比较器补偿输入ACN:输入电流检测电阻负端ACP:输入电流检测电阻正端BQ24737充电芯片工作流程：1、 芯片得到供电VCC2、 ACDET得到供电“来源适器电压经电阻分压”3、 REGN输出6V线性电压（输出的来源VCC，当ACDET超过0.6V，VCC超过欠压锁定阀值，经电容到地）1、 插入适配器产生VIN电压，VIN电压给多处供电（如：充电芯片VCC脚）2、 BQ24737“充电芯片得到VCC脚供电”输出线性电压上拉BQ24737VDD为高电平3、 BQ24737“当ACDET高于0.6V，VCC超过欠压锁定阀值”开漏输出ACPRN#信号，并产生PACIN信号4、 PACIN控制PQ307导通让电阻分压产生公共点“同时PACIN转换成PCIN_2高电控制电池隔离管截止”