2010年全国高考试卷试题汇编(电磁学计算题)孝感 三尺方地 doc--高中物理 .doc

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1、 永久免费组卷搜题网2010年全国高考试卷试题汇编(电磁学计算题) 孝感三中 三尺方地解答时请写出必要的文字说明、方程式和重要的演算步骤只写出最后答案的不能得分有数值计算的题答案中必须明确写出数值和单位1、(陕西卷)如图所示,在0xa、0y范围内有垂直于xy平面向外的匀强磁场,磁感应强度大小为B,坐标原点O处有一个粒子源,在某时刻发射大量质量为m、电荷量为q的带正电粒子,它们的速度大小相同,速度方向均在xy平面内,与y轴正方向的夹角分布在090范围内,已知粒子在磁场中做圆周运动的半径介于a/2到a之间,从发射粒子到粒子全部离开磁场经历的时间恰好为粒子在磁场中做圆周运动周期的四分之一,求最后离开

2、磁场的粒子从粒子源射出时的(1)速度的大小;(2)速度方向与y轴正方向夹角的正弦.解析:(1)设粒子的发射速度为v,粒子做圆周运动的轨道半径为R,由牛顿第二定律和洛仑兹力公式,得qvB=m由式得R=当a/2Ra时,在磁场中运动时间最长的粒子,其轨迹是圆心为C的圆弧,圆弧与磁场的上边界相切,如图所示.设该粒子在磁场运动的时间为t,依题意t=T/4,得OCA=设最后离开磁场的粒子的发射方向与y轴正方向的夹角为,由几何关系可得Rsin=RRsin=Rcos又sin2+cos2=1由式得 R=由式得v=(2)由式得sin=2、( 山东卷)如图所示,以两虚线为边界,中间存在平行纸面且与边界垂直的水平电场

3、,宽度为,两侧为相同的匀强磁场,方向垂直纸面向里。一质量为、带电量、重力不计的带电粒子,以初速度垂直边界射入磁场做匀速圆周运动,后进入电场做匀加速运动,然后第二次进入磁场中运动,此后粒子在电场和磁场中交替运动。已知粒子第二次在磁场中运动的半径是第一次的二倍,第三次是第一次的三倍,以此类推。求(1)粒子第一次经过电场的过程中电场力所做的功。(2)粒子第次经过电场时电场强度的大小。(3)粒子第次经过电场所用的时间。(4)假设粒子在磁场中运动时,电场区域场强为零。请画出从粒子第一次射入磁场至第三次离开电场的过程中,电场强度随时间变化的关系图线(不要求写出推导过程,不要求标明坐标刻度值)。解析:3、(

4、宁夏卷)如图所示,在0xa、oy范围内有垂直手xy平面向外的匀强磁场,磁感应强度大小为B。坐标原点0处有一个粒子源,在某时刻发射大量质量为m、电荷量为q的带正电粒子,它们的速度大小相同,速度方向均在xy平面内,与y轴正方向的夹角分布在0范围内。己知粒子在磁场中做圆周运动的半径介于a2到a之间,从发射粒子到粒子全部离开磁场经历的时间恰好为粒子在磁场中做圆周运动周期的四分之一。求最后离开磁场的粒子从粒子源射出时的 (1)速度的大小:(2)速度方向与y轴正方向夹角的正弦。解析:设粒子的发射速度为v,粒子做圆周运动的轨道半径为R。由牛顿第二定律和洛仑兹力公式,得当时,在磁场中运动时间最长的粒子,其轨迹

5、是圆心为C的圆弧,圆弧与磁场的边界相切,如图所示。设该粒子在磁场中运动的时间为t,依题意,时,OCA=。 设最后离开磁场的粒子的发射方向与y轴正方向的夹角为,由几何关系可得: 再加上解得: 4、(四川卷)如图所示,电源电动势内阻,电阻。间距的两平行金属板水平放置,板间分布有垂直于纸面向里、磁感应强度的匀强磁场。闭合开关,板间电场视为匀强电场,将一带正电的小球以初速度沿两板间中线水平射入板间。设滑动变阻器接入电路的阻值为,忽略空气对小球的作用,取。(1) 当时,电阻消耗的电功率是多大?若小球进入板间做匀速度圆周运动并与板相碰,碰时速度与初速度的夹角为,则是多少?解析:暂缺EFGH5、(全国卷II

6、)图中左边有一对平行金属板,两板相距为d,电压为V;两板之间有匀强磁场,磁场应强度大小为B0,方向平行于板面并垂直于纸面朝里。图中右边有一边长为a的正三角形区域EFG(EF边与金属板垂直),在此区域内及其边界上也有匀强磁场,磁感应强度大小为B,方向垂直于纸面朝里。假设一系列电荷量为q的正离子沿平行于金属板面,垂直于磁场的方向射入金属板之间,沿同一方向射出金属板之间的区域,并经EF边中点H射入磁场区域。不计重力(1)已知这些离子中的离子甲到达磁场边界EG后,从边界EF穿出磁场,求离子甲的质量。(2)已知这些离子中的离子乙从EG边上的I点(图中未画出)穿出磁场,且GI长为,求离子乙的质量。(3)若

7、这些离子中的最轻离子的质量等于离子甲质量的一半,而离子乙的质量是最大的,问磁场边界上什么区域内可能有离子到达。解析:(1)由题意知,所有离子在平行金属板之间做匀速直线运动,它所受到的向上的磁场力和向下的电场力平衡,有 式中ks5u,v是离子运动的速度,E0是平行金属板之间的匀强电场的强度,有ks5u由式得:ks5u 在正三角形磁场区域,离子甲做匀速圆周运动。设离子甲质量为m,由洛仑兹力公式和牛顿第二定律有: EFGHOKI/ks5u ks5u式中,r是离子甲做圆周运动的半径。离子甲在磁场中的运动轨迹为半圆,圆心为O:这半圆刚好与EG边相切于K,与EF边交于I/点。在EOK中,OK垂直于EG。由

8、几何关系得 ks5uks5u由式得ks5u EFGHO/Iks5u联立式得,离子甲的质量为ks5u(2)同理,有洛仑兹力公式和牛顿第二定律有ks5uks5u式中,和分别为离子乙的质量和做圆周运动的轨道半径。离子乙运动的圆周的圆心必在E、H两点之间,又几何关系有ks5uks5u由式得ks5uks5u联立式得,离子乙的质量为 (3)对于最轻的离子,其质量为,由式知,它在磁场中做半径为的匀速圆周运动。因而与EH的交点为O,有ks5uks5u当这些离子中的离子质量逐渐增大到m时,离子到达磁场边界上的点的位置从点沿边变到点;当离子质量继续增大时,离子到达磁场边界上的点的位置从点沿边趋向于点。点到点的距离

9、为ks5uks5u所以,磁场边界上可能有离子到达的区域是:边上从到I/点。边上从到。6、(天津卷)质谱分析技术已广泛应用于各前沿科学领域。汤姆孙发现电子的质谱装置示意如图,M、N为两块水平放置的平行金属极板,板长为L,板右端到屏的距离为D,且D远大于L,OO为垂直于屏的中心轴线,不计离子重力和离子在板间偏离OO的距离。以屏中心O为原点建立xOy直角坐标系,其中x轴沿水平方向,y轴沿竖直方向。(1)设一个质量为m0、电荷量为q0的正离子以速度v0沿OO的方向从O点射入,板间不加电场和磁场时,离子打在屏上O点。若在两极板间加一沿+y方向场强为E的匀强电场,求离子射到屏上时偏离O点的距离y0;(2)

10、假设你利用该装置探究未知离子,试依照以下实验结果计算未知离子的质量数。上述装置中,保留原电场,再在板间加沿-y方向的匀 强磁场。现有电荷量相同的两种正离子组成的离子流,仍从O点沿OO方向射入,屏上出现两条亮线。在两线上取y坐标相同的两个光点,对应的x坐标分别为3.24mm和3.00mm,其中x坐标大的光点是碳12离子击中屏产生的,另一光点是未知离子产生的。尽管入射离子速度不完全相同,但入射速度都很大,且在板间运动时OO方向的分速度总是远大于x方向和y方向的分速度。解析:(1)离子在电场中受到的电场力离子获得的加速度离子在板间运动的时间到达极板右边缘时,离子在方向的分速度离子从板右端到达屏上所需

11、时间离子射到屏上时偏离点的距离由上述各式,得(2)设离子电荷量为,质量为,入射时速度为,磁场的磁感应强度为,磁场对离子的洛伦兹力已知离子的入射速度都很大,因而离子在磁场中运动时间甚短,所经过的圆弧与圆周相比甚小,且在板间运动时,方向的分速度总是远大于在方向和方向的分速度,洛伦兹力变化甚微,故可作恒力处理,洛伦兹力产生的加速度是离子在方向的加速度,离子在方向的运动可视为初速度为零的匀加速直线运动,到达极板右端时,离子在方向的分速度离子飞出极板到达屏时,在方向上偏离点的距离当离子的初速度为任意值时,离子到达屏上时的位置在方向上偏离点的距离为,考虑到式,得由、两式得其中上式表明,是与离子进入板间初速

12、度无关的定值,对两种离子均相同,由题设条件知,坐标3.24mm的光点对应的是碳12离子,其质量为,坐标3.00mm的光点对应的是未知离子,设其质量为,由式代入数据可得故该未知离子的质量数为14。7、(天津卷)如图所示,质量m1=0.1kg,电阻R1=0.3,长度l=0.4m的导体棒ab横放在U型金属框架上。框架质量m2=0.2kg,放在绝缘水平面上,与水平面间的动摩擦因数=0.2,相距0.4m的MM、NN相互平行,电阻不计且足够长。电阻R2=0.1的MN垂直于MM。整个装置处于竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度B=0.5T。垂直于ab施加F=2N的水平恒力,ab从静止开始无摩擦地运动,始终与MM

13、、NN保持良好接触,当ab运动到某处时,框架开始运动。设框架与水平面间最大静摩擦力等于滑动摩擦力,g取10m/s2.(1)求框架开始运动时ab速度v的大小;(2)从ab开始运动到框架开始运动的过程中,MN上产生 的热量Q=0.1J,求该过程ab位移x的大小。解析:(1)对框架的压力框架受水平面的支持力依题意,最大静摩擦力等于滑动摩擦力,则框架受到最大静摩擦力中的感应电动势中电流受到的安培力F框架开始运动时由上述各式代入数据解得(2)闭合回路中产生的总热量由能量守恒定律,得代入数据解得8、( 福建卷 )如图所示的装置,左半部为速度选择器,右半部为匀强的偏转电场。一束同位素离子流从狭缝射入速度选择

14、器,能够沿直线通过速度选择器并从狭缝射出的离子,又沿着与电场垂直的方向,立即进入场强大小为的偏转电场,最后打在照相底片上。已知同位素离子的电荷量为(0),速度选择器内部存在着相互垂直的场强大小为的匀强电场和磁感应强度大小为的匀强磁场,照相底片D与狭缝、连线平行且距离为L,忽略重力的影响。(1) 求从狭缝射出的离子速度的大小;(2) 若打在照相底片上的离子在偏转电场中沿速度方向飞行的距离为,求出与离子质量之间的关系式(用、L表示)。解析:9、(福建卷)如图所示,两条平行的光滑金属导轨固定在倾角为的绝缘斜面上,导轨上端连接一个定值电阻。导体棒a和b放在导轨上,与导轨垂直并良好接触。斜面上水平虚线P

15、Q以下区域内,存在着垂直穿过斜面向上的匀强磁场。现对a棒施以平行导轨斜向上的拉力,使它沿导轨匀速向上运动,此时放在导轨下端的b棒恰好静止。当a棒运动到磁场的上边界PQ处时,撤去拉力,a棒将继续沿导轨向上运动一小段距离后再向下滑动,此时b棒已滑离导轨。当a棒再次滑回到磁场边界PQ处时,又恰能沿导轨匀速向下运动。已知a棒、b棒和定值电阻的阻值均为R,b棒的质量为m,重力加速度为g,导轨电阻不计。求(1) a棒在磁场中沿导轨向上运动的过程中,a棒中的电流强度I,与定值电阻R中的电流强度IR之比;(2) a棒质量ma;(3) a棒在磁场中沿导轨向上运动时所受的拉力F。解析:10、(北京卷)利用霍尔效应

16、制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域。如图1,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是c、f间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH。当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UHRH,其中比例系数RH称为堆尔系数,仅与材料性质有关。(1)设半导体薄片的宽度(c、f间距)为l,请写出UH和EH的关系式;若半导体材料是电子导电的,请判断图1中c、f哪端的电势高;

17、(2)已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e,请导出霍尔系数RH的表达式。(通过横截面积S的电流InevS,其中v是导电电子定向移动的平均速率);(3)图2是霍尔测速仪的示意图,将非磁性圆盘固定在转轴上,圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体,相邻永磁体的极性相反。霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近。当圆盘匀速转动时,霍尔元件输出的电压脉冲信号图像如图3所示。a.若在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,请导出圆盘转速N的表达式。b.利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程。除此之外,请你展开“智慧的翅膀”,提出另一个实例或设想。解析:(1)Un= c端电势高(2)由 得 当电场力与

18、洛伦磁力相等时 eEh=evB得 Eh=evB 又 I=nevS 将、带入得 (3)a.由于在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,则 P=mNt 圆盘转速为 N=P/mt b.提出的实例或设想爱合理即可11、(湖北卷)如下图,在区域内存在与xy平面垂直的匀强磁场,磁感应强度的大小为B。在t=0 时刻,一位于坐标原点的粒子源在xy平面内发射出大量同种带电粒子,所有粒子的初速度大小相同,方向与y轴正方向夹角分布在0180范围内。已知沿y轴正方向发射的粒子在t=时刻刚好从磁场边界上P(,a)点离开磁场。求:(1)粒子在磁场中做圆周运动的半径R及粒子的比荷q;()此时刻仍在磁场中的粒子的初速度方向与

19、轴正方向夹角的取值范围;()从粒子发射到全部粒子离开磁场所用的时间解析:12、(广东卷)如图16(a)所示,左为某同学设想的粒子速度选择装置,由水平转轴及两 个薄盘N1、N2构成,两盘面平行且与转轴垂直,相距为L,盘上各开一狭缝, 两狭缝夹角 可调(如图16(b);右为水平放置的长为d的感光板,板的正上 方有一匀强磁场,方向垂直纸面向外,磁感应强度为B.一小束速度不同、带 正电的粒子沿水平方向射入N1,能通过N2的粒子经O点垂直进入磁场。 O到感 光板的距离为 ,粒子电荷量为q,质量为m,不计重力。(1) 若两狭缝平行且盘静止(如图16(c),某一粒子进入磁场后,数值向下打在感光板中心点M上,

20、求该粒子在磁场中运动的时间t;(2) 若两狭缝夹角为 ,盘匀速转动,转动方向如图16(b).要使穿过N1、N2的粒子均打到感光板P1、P2连线上,试分析盘转动角速度 的取值范围(设通过N1的所有粒子在盘转一圈的时间内都能到达N2)。答案暂缺13、(上海卷)如图,宽度L=0.5m的光滑金属框架MNPQ固定板个与水平面内,并处在磁感应强度大小B=0.4T,方向竖直向下的匀强磁场中,框架的电阻非均匀分布,将质量m=0.1kg,电阻可忽略的金属棒ab放置在框架上,并且框架接触良好,以P为坐标原点,PQ方向为x轴正方向建立坐标,金属棒从处以的初速度,沿x轴负方向做的匀减速直线运动,运动中金属棒仅受安培力作用。求:(1)金属棒ab运动0.5m,框架产生的焦耳热Q;(2)框架中aNPb部分的电阻R随金属棒ab的位置x变化的函数关系;(3)为求金属棒ab沿x轴负方向运动0.4s过程中通过ab的电量q,某同学解法为:先算出金属棒的运动距离s,以及0.4s时回路内的电阻R,然后代入q=求解。指出该同学解法的错误之处,并用正确的方法解出结果。答案暂缺 永久免费组卷搜题网

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