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1、泓域咨询/天津碳化硅项目投资计划书天津碳化硅项目投资计划书xxx有限公司目录第一章 项目总论8一、 项目概述8二、 项目提出的理由9三、 项目总投资及资金构成11四、 资金筹措方案11五、 项目预期经济效益规划目标11六、 项目建设进度规划12七、 环境影响12八、 报告编制依据和原则12九、 研究范围13十、 研究结论14十一、 主要经济指标一览表14主要经济指标一览表14第二章 建设单位基本情况16一、 公司基本信息16二、 公司简介16三、 公司竞争优势17四、 公司主要财务数据18公司合并资产负债表主要数据18公司合并利润表主要数据19五、 核心人员介绍19六、 经营宗旨20七、 公司
2、发展规划21第三章 行业发展分析23一、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升23二、 OBC：SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低23三、 SiC器件与传统产品价差持续收窄，具备经济效益指日可待25第四章 背景及必要性27一、 新能源汽车：800V架构下的甜蜜时刻，SiC渗透的核心驱动力27二、 乘碳中和之东风，2025年市场规模有望较2020年翻5倍28三、 碳化硅材料：全球加速扩产“跑马圈地”，关注稀缺的有效产能29四、 加快构筑现代产业体系，推动构建新发展格局31五、 项目实施的必要性33第五章 产品规划方案34一、 建设规模及主要建设内容34二、 产品规划方案及生产纲领
3、34产品规划方案一览表34第六章 建筑工程说明36一、 项目工程设计总体要求36二、 建设方案37三、 建筑工程建设指标40建筑工程投资一览表40第七章 发展规划42一、 公司发展规划42二、 保障措施43第八章 SWOT分析46一、 优势分析（S）46二、 劣势分析（W）47三、 机会分析（O）48四、 威胁分析（T）48第九章 原辅材料及成品分析54一、 项目建设期原辅材料供应情况54二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理54第十章 环保分析56一、 编制依据56二、 环境影响合理性分析57三、 建设期大气环境影响分析57四、 建设期水环境影响分析59五、 建设期固体废弃物环境影响分析59
4、六、 建设期声环境影响分析60七、 环境管理分析61八、 结论及建议62第十一章 技术方案分析64一、 企业技术研发分析64二、 项目技术工艺分析67三、 质量管理68四、 设备选型方案69主要设备购置一览表70第十二章 投资估算及资金筹措71一、 投资估算的依据和说明71二、 建设投资估算72建设投资估算表76三、 建设期利息76建设期利息估算表76固定资产投资估算表78四、 流动资金78流动资金估算表79五、 项目总投资80总投资及构成一览表80六、 资金筹措与投资计划81项目投资计划与资金筹措一览表81第十三章 经济效益评价83一、 基本假设及基础参数选取83二、 经济评价财务测算83营
5、业收入、税金及附加和增值税估算表83综合总成本费用估算表85利润及利润分配表87三、 项目盈利能力分析87项目投资现金流量表89四、 财务生存能力分析90五、 偿债能力分析91借款还本付息计划表92六、 经济评价结论92第十四章 风险评估分析94一、 项目风险分析94二、 项目风险对策96第十五章 招标方案98一、 项目招标依据98二、 项目招标范围98三、 招标要求98四、 招标组织方式100五、 招标信息发布101第十六章 总结102第十七章 补充表格104主要经济指标一览表104建设投资估算表105建设期利息估算表106固定资产投资估算表107流动资金估算表108总投资及构成一览表109
6、项目投资计划与资金筹措一览表110营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表111利润及利润分配表112项目投资现金流量表113借款还本付息计划表115本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目总论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：天津碳化硅项目2、承办单位名称：xxx有限公司3、项目性质：扩建4、项目建设地点：xxx（以最终选址方案为准）5、项目联系人：郭xx（二）主办单位基本情况公司满怀
7、信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。公司不断推动企业品牌建设，实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著
8、名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设，提高区域内企业影响力。公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准），占地面积约35.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx吨碳化硅/年。二、 项目提
9、出的理由目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT，则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低，在常用的2
10、5%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%，在100%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2）高压下性能优势更加明显：在400V左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下，功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT，但对比之下，SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据，在400V电压平台下，SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升；而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGB
11、T器件参数可知，1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显，主要体现为损耗降低幅度更大。3）耐高温：SiC的结温更高，能够在超过175度的高温下正常工作，较IGBT更加适合高温环境。4）体积节约：根据ST，在10kHz工作频率和800V架构的情况下，对于一个210kW的逆变器，若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案：1）使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2；2）开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3）损耗的降低使得PCU（电源控制单元）的尺寸得以减少，相对应的冷却系统体积也将得以简化。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设
12、投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资16033.92万元，其中：建设投资12735.04万元，占项目总投资的79.43%；建设期利息332.36万元，占项目总投资的2.07%；流动资金2966.52万元，占项目总投资的18.50%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资16033.92万元，根据资金筹措方案，xxx有限公司计划自筹资金（资本金）9251.08万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额6782.84万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：27200.00万元。2、年综合总成本费用（T
13、C）：22063.91万元。3、项目达产年净利润（NP）：3751.99万元。4、财务内部收益率（FIRR）：16.89%。5、全部投资回收期（Pt）：6.43年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：10858.16万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 环境影响该项目在建设时，应严格执行建设项目环保，“三同时”管理制度及环境影响报告书制度。处理好生产建设与环境保护的关系，避免对周围环境造成不利影响。烟尘、污废水、噪声、固体废弃物分别执行大气污染物综合排放标准、城市污水综合排放标准、工业企业帮界噪声标准
14、、城镇垃圾农用控制标准。该项目在建设生产中只要认真执行各项环境保护措施,不会对周围环境造成影响。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。（二）编制原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规，认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定；2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线，提高项目的竞争力和市场适应性；3、设备的布置根据现场实际情况，合理用地；4、严格执行“三同时”原则，积极推进“安全文明清洁”生产工艺，做到环境保护
15、、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行，注意可持续发展要求，具有可操作弹性；5、形成以人为本、美观的生产环境，体现企业文化和企业形象；6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求；7、充分估计工程各类风险，采取规避措施，满足工程可靠性要求。九、 研究范围1、确定生产规模、产品方案；2、调研产品市场；3、确定工程技术方案；4、估算项目总投资，提出资金筹措方式及来源；5、测算项目投资效益，分析项目的抗风险能力。十、 研究结论本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的
16、。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积23333.00约35.00亩1.1总建筑面积43664.561.2基底面积13299.811.3投资强度万元/亩355.922总投资万元16033.922.1建设投资万元12735.042.1.1工程费用万元11150.462.1.2其他费用万元1267.542.1.3预备费万元317.042.2建设期利息万元332.362.3流动资金万元2966.523资金筹措万元16033.923.1自筹资金万元9251.083.2银行贷款万元6782.844营业收入万元27200.00正常运营年份5总成本费用万元22063.9
17、16利润总额万元5002.657净利润万元3751.998所得税万元1250.669增值税万元1112.0710税金及附加万元133.4411纳税总额万元2496.1712工业增加值万元8853.2413盈亏平衡点万元10858.16产值14回收期年6.4315内部收益率16.89%所得税后16财务净现值万元3016.07所得税后第二章 建设单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xxx有限公司2、法定代表人：郭xx3、注册资本：1420万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2012-10-67、营业期限：2012-10-6至无
18、固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司不断推动企业品牌建设，实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设，提高区域内企业影响力。公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息
19、、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障
20、。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负
21、债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额6988.195590.555241.14负债总额2778.352222.682083.76股东权益合计4209.843367.873157.38公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入14951.7711961.4211213.83营业利润2581.332065.061936.00利润总额2141.281713.021605.96净利润1605.961252.651156.29归属于母公司所有者的净利润1605.961252.651156.29五、 核心人员介绍1、郭xx，中国国籍，无永久境
22、外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。2、沈xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。3、程xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。4、彭xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年
23、出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。5、刘xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。6、廖xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。7、付xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事
24、、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。8、薛xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。六、 经营宗旨依据有关法律、法规，自主开展各项业务，务实创新，开拓进取，不断提高产品质量和服务质量，改善经营管理，促进企业持续、稳定、健康
25、发展，努力实现股东利益的最大化，促进行业的快速发展。七、 公司发展规划根据公司的发展规划，未来几年内公司的资产规模、业务规模、人员规模、资金运用规模都将有较大幅度的增长。随着业务和规模的快速发展，公司的管理水平将面临较大的考验，尤其在公司迅速扩大经营规模后，公司的组织结构和管理体系将进一步复杂化，在战略规划、组织设计、资源配置、营销策略、资金管理和内部控制等问题上都将面对新的挑战。另外，公司未来的迅速扩张将对高级管理人才、营销人才、服务人才的引进和培养提出更高要求，公司需进一步提高管理应对能力，才能保持持续发展，实现业务发展目标。公司将采取多元化的融资方式，来满足各项发展规划的资金需求。在未来
26、融资方面，公司将根据资金、市场的具体情况，择时通过银行贷款、配股、增发和发行可转换债券等方式合理安排制定融资方案，进一步优化资本结构，筹集推动公司发展所需资金。公司将加快对各方面优秀人才的引进和培养，同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制，确保公司发展规划和目标的实现。一方面，公司将继续加强员工培训，加快培育一批素质高、业务强的营销人才、服务人才、管理人才；对营销人员进行沟通与营销技巧方面的培训，对管理人员进行现代企业管理方法的教育。另一方面，不断引进外部人才。对于行业管理经验杰出的高端人才，要加大引进力度，保持核心人才的竞争力。其三，逐步建立、完善包括直接物质奖励、职业生涯规划、长期股
27、权激励等多层次的激励机制，充分调动员工的积极性、创造性，提升员工对企业的忠诚度。公司将严格按照公司法等法律法规对公司的要求规范运作，持续完善公司的法人治理结构，建立适应现代企业制度要求的决策和用人机制，充分发挥董事会在重大决策、选择经理人员等方面的作用。公司将进一步完善内部决策程序和内部控制制度，强化各项决策的科学性和透明度，保证财务运作合理、合法、有效。公司将根据客观条件和自身业务的变化，及时调整组织结构和促进公司的机制创新。第三章 行业发展分析一、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升5G发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长，市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站
28、无线通讯距离、信号质量等关键参数，5G通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势，在功率放大器上的应用可满足5G通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前5G新建基站仍使用LDMOS功率放大器，但随5G技术进一步发展，MIMO基站建立需使用氮化镓功率放大器，氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续提升。据Yole和Wolfspeed预测，2024年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破20亿美元，2027年进一步增长至35亿美元。根据预测，受益5G通讯快速发展，通讯频段向高频迁移，基站和通信设备需要支持高频性
29、能的PA，碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基LDMOS和GaAs的优势将逐步凸显，2020年全球碳化硅射频器件市场规模为8.92亿美元，预计到2025年将增长至21.21亿美元，对应CAGR为18.9%，和Yole和Wolfspeed预测基本一致。二、 OBC：SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管（IGBT、MOSFET等）是OBC中主要应用的功率器件，采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中
30、会使用到快恢复硅基二极管。1）影响二极管损耗的指标包括正向导通压降（VF）、反向恢复电流（IR）、输入电容（QC）和开通关断速度等。相比于硅基SBD，SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计，使得反向恢复损耗极低，在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时，QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势，在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时，由于SiC材料的优势，SiC二极管的结温更高，其可在更高温度下保持正常工作状态，在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外，SiC二极管可实现更高频率及功率密度，从而提升系统整体效率。全SiCMOSFET方案降低
31、OBC系统尺寸、重量和成本，同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究，采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC，可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上，且开关频率提高一倍以上，实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率，而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时，进一步拆分成本，由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此，尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管，SiC基功率器件的成本更高，但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。三、 SiC器件与传统产品
32、价差持续收窄，具备经济效益指日可待SiC器件价格持续下降，与硅基器件价差已缩小至2-3倍。SiCSBD方面，根据Mouser数据显示，公开报价方面，650V的SiCSBD2020年底与Si器件的价差在3.8倍左右；1200V的SiCSBD的平均价与Si器件的差距在4.5倍左右。根据CASAResearch，实际成交价低于公开报价。2020年，650V的SiCSBD的实际成交价格约0.7元/A；1200V的SiCSBD价格约1.2元/A，较上年下降了20%-30%，实际成交价与Si器件价差已经缩小至2-2.5倍之间。SiCMOSFET实际成交价格方面，根据CASAResearch，650V的Si
33、CMOSFET价格0.9元/A；1200V的SiCMOSFET价格1.4元/A，较2019年下降幅度达30%-40%，与Si器件价差也缩小至2.5-3倍之间，基本达到甜蜜点，将加速SiCMOS器件的市场渗透。综上，目前SiCMOSFET单价约为IGBT单价的3-4倍，目前主逆变器中的IGBT成本约为1500元，若全部替换为SiCMOSFET，考虑到器件节约，成本将增加3000-4000元左右。以当前成本来看，根据宁德时代、松下、LG新能源等的电池成本数据，电动车动力电池度电单价约为750元，到2025年有望降至560元；根据特斯拉、小鹏等在售车型的电池容量，当前电动车平均电池容量约为55kwh
34、，在百公里电耗逐步下降及续航里程不变的情况下，到2025年平均电池容量有望降至43kwh，则2022/2025E电池包的价格为41250/24000元。根据丰田的实验数据，采用全碳化硅模块可使续航里程提升5-10%，假设这将节约电池成本5-10%。根据测算，若仅考虑电池成本节约，当SiCMOSFET成本下降到IGBT器件成本的2倍左右时，将具备经济效益。若考虑使用SiC带来的冷却系统节约、外围器件节约、整体空间节约等，当SiCMOSFET成本下降到IGBT成本的2-2.5倍时采用SiC方案就将具备经济效益。第四章 背景及必要性一、 新能源汽车：800V架构下的甜蜜时刻，SiC渗透的核心驱动力S
35、iC功率器件主要包括SBD、JFET、MOSFET和模块，在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期，主要器件类型为SiC二极管，以及在高端车系应用，目前渗透率较低。未来随着：1）特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”，更多车企将会逐步采用SiC方案；2）碳化硅器件价格逐步下降，成本经济效益不断提升；3）800V架构时代来临，SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显，损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018年，特斯拉Model3率先使用由意法半导体提供的SiCM
36、OSFET，开启电动汽车使用SiC先河，随后比亚迪、保时捷、丰田等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中，在2020年比亚迪汉搭载自主研发制造的SiCMOSFET控制模块，整体加速性能及续航能力均得到显著提升。2021年，碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速增长阶段，国内外众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告信息，在未来几年，小鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的厂商将在其新车型中使用SiC器件，新能源汽车中应用SiC器件以提升性能、实现轻量化为大势所趋。二、 乘碳中和之东风，2025年市场规模有望较2020年翻5倍2020年全球SiC器件市场规模达11.84亿美元，预计到2025年
37、有望增长至59.79亿美元，对应CAGR为38.2%。根据测算，在碳中和趋势下，受益于SiC在新能源汽车、光伏、风电、工控等领域的持续渗透，SiC功率器件市场规模有望从2020年的2.92亿美元增长至2025年的38.58亿美元，对应CAGR为67.6%；5G、国防驱动GaN-on-SiC射频器件加速渗透，逐步取代硅基LDMOS，SiC射频器件市场规模有望从2020年的8.92亿美元增长至2025年的21.21亿美元，对应CAGR为18.9%。下游SiC功率及射频器件高速增长的需求也将带动SiC材料市场规模快速成长，按照SiC材料在SiC器件中价值量占比50%计算（根据CASA），预计将由20
38、20年的5.92亿美元增长至2025年的29.90亿美元，对应CAGR为38.2%。从下游领域来看，新能源汽车为SiC市场的核心驱动力。新能源汽车逐步向800V架构时代迈进，SiC相比于IGBT在耐高压、耐高温、频率、损耗、质量体积等方面优势更加明显。同时随着全球产能开出及良率提升，SiC价格下探将驱动其在新能源车中的逆变器、OBC等部件中加速渗透。根据Wolfspeed测算，2020年全球SiC器件市场规模中，新能源汽车领域占比约为22.51%，随着SiC在主逆变器和OBC中的加速渗透，预计到2025年占比将提升至50.26%，为第一大驱动力。此外，基于SiC较IGBT的性能优势，随着SiC
39、器件及模块成本的下降，预计SiC在光伏、风电等新能源发电领域渗透率也将逐步提升，预计市场规模占比到2025年提升至8.84%；工控市场规模占比到2025年提升至5.43%。三、 碳化硅材料：全球加速扩产“跑马圈地”，关注稀缺的有效产能SiC衬底和外延技术壁垒较高，存在长晶速度慢、扩径难度高、杂质控制难度高等难点。目前行业处于寡头垄断局面，Wolfspeed占据全球SiC材料超过60%市场份额（根据Yole）。2020年SiC材料市场规模5.92亿美元，2025年将达29.90亿美元，CAGR为38.2%。1）目前全球SiC材料处于跑马圈地阶段，海内外加速扩产，国内远期规划年产能超400万片/年
40、，建议关注重复建设问题；2）虽然国内产能规划量很大，但是由于良率及衬底质量原因，国内有效产能仍然稀缺，尤其是导电型衬底，中长期行业能达到45%-50%毛利率，建议关注具备优质产能的龙头。碳化硅为第三代半导体材料，碳化硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势。碳化硅具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，广泛应用于新能源汽车、光伏、工控、射频通信等领域。SiCMOSFET较IGBT可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。此外，据Wolfspeed研究显示，相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET
41、相比，其尺寸可大幅减少至原来的1/10。在新能源汽车方面，基于上述性能优势，碳化硅可助力新能源汽车实现轻量化及降低损耗，增加续航里程，特斯拉、比亚迪等车企已率先开始应用SiC方案。全球碳化硅市场处于高速成长阶段，25年市场规模有望较20年翻5倍。2020年全球SiC器件市场规模达11.84亿美元，预计到2025年有望增长至59.79亿美元，对应CAGR为38.2%。根据测算，在碳中和趋势下，受益于SiC在新能源汽车、光伏、风电、工控等领域的持续渗透，SiC功率器件市场规模有望从2020年的2.92亿美元增长至2025年的38.58亿美元，对应CAGR为67.6%；5G、国防驱动GaN-on-S
42、iC射频器件加速渗透，逐步取代硅基LDMOS，SiC射频器件市场规模有望从2020年的8.92亿美元增长至2025年的21.21亿美元，对应CAGR为18.9%。下游SiC功率及射频器件高速增长的需求也将带动SiC材料市场规模快速成长，预计将由2020年的5.92亿美元增长至2025年的29.90亿美元，对应CAGR为38.2%。碳化硅加速渗透的核心驱动力为新能源汽车。根据测算，2020年全球新能源汽车SiC器件及模块市场规模为2.7亿美元，预计到2025年达30.1亿美元，对应CAGR为62.3%，占全球碳化硅器件市场规模将达到50%。目前应用碳化硅的包括特斯拉、比亚迪中高端车型等，主要场景
43、为主逆变器/OBC，预计至2025年SiC渗透率有望达38/43%，其主要驱动力为1）特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等头部新能源车厂的“示范效应”；2）碳化硅器件价格下降后带来系统经济效益；3）800V架构有望成为重要催化剂，1200VSiC在高压下较IGBT性能优势更为明显。衬底和外延SiC为产业链核心环节，国内有效产能不足致中短期供不应求态势。据CASAResearch数据显示，在传统硅基器件中，硅片前道处理附加价值量达到80%，衬底和外延环节仅占11%；而在碳化硅器件的成本构成中，衬底和外延占比分别为50%和25%，合计达到75%，为产业链中价值量最高环节。国内厂商国产碳化硅衬底质量在部分参
44、数上比肩国际龙头，但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距，此外积极进行衬底迭代，开始研发8英寸衬底。Wolfspeed、ROHM等海外龙头厂商加速扩产，国内厂商远期规划年产能超过420万片。但在另一方面，受衬底良率及质量等因素影响，国内实际产能尤其是导电型衬底或严重不足，中短期内全球SiC衬底市场仍将维持供不应求的态势。四、 加快构筑现代产业体系，推动构建新发展格局坚持把深化供给侧结构性改革同实施扩大内需战略有机结合起来，以发展壮大实体经济为着力点，推进产业数字化、数字产业化，加快建设制造强市、质量强市、网络强市、数字城市，畅通产业循环、市场循环、经济社会循环。（一）全面增强全国
45、先进制造研发基地核心竞争力坚持制造业立市，推动制造业高质量发展。充分发挥海河产业基金、滨海产业基金支撑引导作用，以信创产业为主攻方向，增强智能科技产业引领力，着力壮大生物医药、新能源、新材料等战略性新兴产业，巩固提升高端装备、汽车、石油化工、航空航天等优势产业，加快构建“1+3+4”现代工业产业体系。做强做实世界智能大会品牌，大力发展数字经济，实施应用场景“十百千”工程，推进互联网、大数据、人工智能、区块链等同实体经济深度融合，着力打造人工智能先锋城市。推动建设国家基础软件创新中心，大力培育国产自主可控产业链和产业生态，全力构筑全国领先的信创产业基地。加快发展工业互联网和智能制造，建成一批标杆
46、性智能工厂和数字化车间，建设国家智能制造中心城市和典范城市。支持5G关键产品的研发和生产，引导企业开发应用解决方案，建设5G产业集聚高地，打造全国一流5G城市。全面加强军民融合产业发展。（二）提升产业链供应链现代化水平坚持自主可控、安全高效，聚焦重点产业和关键领域，锻长板、补短板，推动传统产业数字化、智能化、绿色化，促进产业链价值链向中高端跃升。大力实施新动能引育计划，充分发挥新兴产业（人才）联盟作用，提高本地产业配套率，打造一批空间上高度集聚、上下游紧密协同、供应链集约高效的国家级先进制造产业集群。加快推进南港工业区重大项目建设，打造世界一流的化工新材料基地和国家级石化产业聚集区。推进国家海洋经济发展示范区建设，做强海洋工程装备、海水淡化等海洋经济优势产业链。深入开展质量提升行动。实施产业基础再造工程，提升重要原材料、关键零部件、核心元器件的稳定供应水平，增强产业抗风险能力。五、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，