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1、名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 1 页，共 9 页 -名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 2 页，共 9 页 -名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 3 页，共 9 页 -名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 4 页，共 9 页 -名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 5 页，共 9 页 -名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 6 页，共 9 页 -面向微加工的虚拟光刻系统建模与实现作者：孙广毅，赵新，卢桂章，Sun Guangyi，Zhao Xin，Lu Guizhang作者单位：南开大学机器人与信息自动化研究所
2、,天津,300071刊名：高技术通讯英文刊名：CHINESE HIGH TECHNOLOGY LETTERS年，卷(期)：2009，19(1)引用次数：0次参考文献(16条)1.Fatikow S.Rembold U Microsystem Technology and Microrobotics 19972.CoventorWare3.IntelliSuite4.张海霞.郭辉.肖志勇 MEMS CAD系统IMEE 的研究和开发期刊论文-微纳电子技术 2003(07)5.常洪龙 基于Top-Down 的MEMS集成设计方法及关键技术研究学位论文 20026.Zhao X.Li Y W.Zhou
3、 Y Y Virtual process:concept,problems and implementation framework 20037.Sun G Y.Zhao X.Lu G Z Voxel-based modeling and rendering for virtual MEMS fabrication process 20068.Stephen D.Senturia.刘泽文.王晓红.黄庆安 微系统设计 20049.Maluf N An Introduction to Microelectromechanical Systems Engineering 200010.Mack C
4、A Prolith:A comprehensive optical lithography model,optical microlithography IV 198511.Mack C A Lithographic simulation:a review 200112.Plummer J D.Deal M D.Griffin P B.严利人.王玉东.熊小义 硅超大规模集成电路工艺技术-理论、实践与模型13.Scheckler E W.Neureuther A RModels and algorithms for three-dimensional topography simulationw
5、ith SAMPLE-3D 199414.Kaufman A E Introduction to volume graphics15.Coin3D16.SimVoleon相似文献(10条)1.学位论文井亮 激光微加工辅助系统研究2007 随着微技术的不断发展，以形状尺寸微小、操作尺寸极小为特征的微机械已经成为人们从微观角度认识和改造客观世界的一种高新技术，激光微加工技术为加工微小器件提供了新方法，已经成为全世界的研究热点。本文针对激光微加工系统，分别研究了去除和加成两种激光微加工系统的部分辅助设备及其控制系统。在去除加工方面，以建立准分子激光光刻直写微加工系统为目标，介绍了准分子激光光刻直写微
6、加工系统的组成，围绕可编程运动控制器和精密电移台，阐述了准分子激光光刻直写微加工系统控制软件的设计方法与具体实现过程。为提高器件设计的复杂程度，缩短器件从设计到加工完成的周期，以AutoCAD为平台，阐述了准分子激光光刻直写微加工系统CAM接口的设计思路，并针对准分子激光微加工系统进行优化，准分子激光微加工系统CAM接口软件，并在准分子激光微加工系统平台上进行实验，验证了CAM接口软件设计的正确性。在加成成型方面，以搭建光纤激光金属粉末微成型系统为目标，根据激光铺粉快速成型加工系统的铺粉相关要求，以提高铺粉的可控性为目的，设计了自动铺粉装置，以运动控制器为核心搭建了自动铺粉装置的控制系统，并编
7、写了自动铺粉装置的控制软件，实现了对200 目到400 目金属粉末的自动化平铺，通过铺粉成型实验，验证了铺粉装置的可行性。2.学位论文贺德建 纳米压印光刻技术原理与实验研究2004 本文介绍了纳米压印光刻技术的原理并进行了相关的实验研究,目的在于研究采用纳米压印光刻技术制备三维微结构的工艺,以促进此项技术更快的走向广泛的实际应用.本文首先介绍了纳米压印光刻技术的原理,以及纳米压印光刻技术的趋势和面临的挑战,并针对这些挑战提出了可能的解决方案.为了满足纳米压印光刻技术研究的需要,本文研制了纳米压印光刻机.该光刻机可以同时满足热软化纳米压印光刻和光固化纳米压印光刻的需要,并能够适应从纳米级到毫米级
8、各种尺寸范围微结构加工的需要.在该纳米光刻机的设计中,一种新型的楔形补偿模块被研制,该模块避免了国外设计中存在的问题,提高了图形加工的均匀性,而且还具有过载保护的辅助功能.针对光刻胶力学性能测试的要求,本文研制了一台聚合物单轴试验机,该试验机能够同时对温度和压力加载,以测试聚合物光刻胶在不同温度下的力学性能.试验机的研制还包含了一种高精度六维力传感器的研制,该传感器通过新颖的基体结构设计和巧妙的布片方案实现了结构解耦,大大简化了信号处理电路的设计并降低了成本.本文还进行了与温度相关的光刻胶力学特性研究.这些研究对纳米压印光刻工艺中温度、压力等参数的控制具有指导性的意义.此外,本文在总结传统的样
9、品加热方式的基础上,提出了模板加热的工艺方案,理论分析和实验结果证明,该方案比常规的样品加热方案具有更好的图形复制效果.针对纳米压印光刻最重要的高分辨率特点,本文采用扫描电子束曝光制备了纳米级模板,并采用该模板在 PMMA光刻胶上制备成功 200nm 直径的点阵列.此外,针对纳米压印光刻在制备三维微结构方面的优势,采用热压印方法制备了二元光学微透镜名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 7 页，共 9 页 -阵列,折射微透镜阵列,微流体通道、血糖检测芯片封盖等.本文还对热压印工艺中温度、压力、脱模温度等参数的对实验结果的影响进行了研究,并摸索出合适的工艺参数.3.期刊论文伊福廷.Mi
10、no Green 纳米岛光刻技术及其应用-微细加工技术 2004,(4)介绍了一种基于微加工技术的新方法-纳米岛光刻技术.利用该技术制造出几十纳米到微米尺度的岛结构,然后利用剥离、刻蚀等微加工技术,将该岛转化成纳米孔、纳米岛、纳米井等结构.该技术的特点是能够制造出具有各种密度的纳米结构(最高覆盖率可达 50%以上),且开发成本低,工艺性能优越,是一种有效制造纳米岛结构的专业方法.4.学位论文耿煜 激光照排技术光栅光阀设计和制作2008 激光照排机采用电子计算机编辑排版系统，把书稿输入到计算机内，书稿内容经过计算机而转换成点阵信息。我们提出采用微机电系统（Microelectro mechani
11、cal system，MEMS）技术制作的光栅光阀（Grating Light Valve，GLV）芯片作为光调制器件。由于 GLV 是由一个个单元组成的，采用微细加工技术可以很容易得到多个单元的阵列，且每个单元响应速度快，采用这种方法可以达到几百路同时快速扫描，大大提高速度。又由于GLV 的基体材料是硅，可以承受极高的光强而不会损坏，可以满足激光照排机上对扫描光强的需要。本文介绍了GLV 的光学原理，机电原理，并根据光学原理提出了一种简化的 GLV 模型。GLV 作为一种 MEMS器件，其加工工艺极其重要。本文针对GLV 制作中遇到的工艺问题，介绍了微加工工艺中的薄膜理论，光刻理论、光刻胶、
12、刻蚀等步骤的具体过程，并讨论了制作 GLV 过程中经常遇到的缺陷及其克服方法。GLV 由于线宽小，所以保持光刻胶图形不发生变形和良好的附着性能对其影响巨大。通过大量的实验和理论分析，对光刻胶形貌，光刻胶附着性能和刻蚀展宽提出了改善措施。研究发现，光刻胶停止流动后，其主要的变形原因是由于硬烘中光刻胶的收缩及边缘和非边缘部分的收缩差，而这种收缩差又是因为树脂固化大量放热和光刻胶极弱的热传导性。光刻胶非边缘部分温度比其边缘部分和烘焙温度高。温度分布由红外热像仪测量，并由二维仿真，二者均显示变形与光刻胶厚度和烘焙温度有很大关系。实验结果证明通过合适的烘焙工艺，变形问题可以得到缓解。线条展宽是附着力差最
13、直接的影响，光刻胶的内部应力又直接影响了其附着力。光刻胶内应力主要是由于烘焙工艺中光刻胶收缩远大于基底硅片。通过前烘后的弛豫和硬烘退火步骤，光刻胶附着性明显增加。通过以上处理，GLV 线宽的精确度得到了一定的提到。GLV 的工作涉及到了结构场和静电场的耦合问题，本文采用ANSYS来进行此仿真，结果显示 GLV 可以起到光调制作用。GLV 的加工基于硅材料的体微加工，本文采用适当的薄膜工艺，光刻工艺和刻蚀工艺的配合，制作出GLV 样品。5.会议论文方芳.吴志勇.徐章润.戴敬.方肇伦 一种混沌微流控芯片混合器的微加工 本文基于混沌混合原理,设计了一种易加工的微流控混合芯片.采用玻璃基材,用常规光刻
14、方法,一次刻蚀得到了旨在促进混合的多层次微结构特征.6.学位论文卢伟 SU-8 胶接触式UV 光刻模拟2006 光刻在微制造过程中占据着举足轻重的地位，是在批量制造小尺寸半导体器件结构的关键瓶颈之一。半导体工艺工程师们需要尽可能准确的预测光刻的能力，因为这一信息影响着其它所有的后续工艺(离子注入、氧化、扩散、刻蚀、沉积等)的变化。工艺的进步带来工艺设备的大规模更新，这需要极大的投资，半导体制造商需要仔细规划以保证投资的成功性。而模拟是检测这些成功性的有力而关键的工具。另外，模拟是决定怎样利用现有的工艺设备生产出更好的器件的最好的办法，这无需数额巨大的投资，而能够对未来的发展有前瞻性的预测。随着
15、信息技术的飞速发展，微型化与集成化是器件发展的两大趋势。由于化学放大型负性SU-8 光刻胶克服了普通光刻胶采用 UV 光刻深宽比不足的问题，十分适合于制备高深宽比微结构，因此直接采用SU-8 光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件是微加工领域的一项新技术。自从SU-8 胶被报道以来，SU-8 胶的应用引起了极大的兴趣，由于它具有较多优点，SU-8 胶正被越来越多的应用于 MEMS、芯片封装和微加工等领域。应用标准UV 工艺可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形，可以形成台阶、管道等结构复杂的图形；且SU-8 胶不导电，在电镀时可以直接作为绝缘体使用，用来电镀金属零件(UV-LIGA)；因SU-8
16、 胶具有良好的抗腐蚀性，被许多人采用做微制造掩模。现在SU-8 胶的工艺优化是通过大量的重复性的实验来得到对于某特定器件尺寸和结构的最佳工艺条件，这种方法耗费大量的人力和物力。这篇论文的工作是通过模拟的方法仿真 SU-8 胶的光刻图形，使模拟的 SU-8 胶图形接近与实际情形。本文给出了一套 SU-8 胶uV 接触式光刻的模拟模型及其 C/C+实现程序。这个模型在普通的化学放大胶光刻模拟的基础上，添加了溶胀模型和对显影速率随深度变化效应的模拟。对于厚 SU-8 胶的模拟，这种模型比普通的模拟模型更加合适。经过模拟结果和实验结果对照，总的模拟误差在6以内。这篇论文是厚 SU-8 光刻胶接触式 U
17、V 光刻后形貌的两维模拟。SU-8 胶是一种化学放大的、基于环氧基的负性光刻胶。我们的模型和模拟基于早期的化学放大胶的研究和 SU-8 胶的光刻机理和性质。早期对化学放大胶的研究主要集中在薄的应用于亚微米光刻的化学放大胶，而很少涉及到对厚的化学放大胶的建模。因而这篇文章包括了我们在厚的化学放大胶光刻模型方面的努力，这些新的模型适用于SU-8 胶。文章从介绍前人做的光刻模拟工作开始，包括空气影像成形模型、DNQ胶和化学放大胶的曝光模型、化学放大胶后烘模型和一般显影模型。然后从SU-8 胶的物理和化学反应机制方面介绍 SU-8 胶的曝光、后烘和显影过程中的变化。由于SU-8 胶的厚胶特殊性，文章中
18、对 SU-8 胶的模拟建立了两个模块：显影过程中对溶胀效应的模拟和显影速率深度影响模型。最后一章包括实现 SU-8 胶UV 光刻模拟程序的流程图，详细介绍实现模拟的编程思想。最后，将模拟结果值和实验结果进行两种方式对比：图形直接对比和宽度数值对比，并计算了模拟和实际结果的误差。这些误差显示，对于线宽为100 m 的光刻胶，最大误差为 61 m，最小误差 2gm，可以说总的误差在 6以内。文章附录了实现模拟的 C/C+代码。7.会议论文殷伯华.张瑜.陈涛 基于Intel 8254 的准分子激光外触发器的研究2003 本文介绍了一种利用可编程 8254 定时器/计数器,在微机上实现准分子激光微加工
19、过程激光外触发控制的新方法.针对准分子激光的光刻直写技术的需求特点对所使用的分频器,以及8254 的组合工作方式进行了研究.并在实际应用中对此外触发器的优势进行了分析.由此方法制作的准分子激光外触发控制器具有性能可靠,结构简单,可编程控制等特点.8.学位论文刘德 垂直磁各向异性多层膜的微加工及电流导致的磁化反转2007 本文利用磁控溅射的方法制备了垂直易磁化的Co/Pt多层膜。以垂直磁各向异性的 Co/Pt多层膜为材料，研究了异常 Hall效应和电流导致的磁化反转。光刻技术是利用光学复制的方法把超小图样刻印到薄片上来制作复杂电路的技术。本文系统地介绍了光刻技术的制造工艺，再现了从运用图形发生器
20、制造掩模版，到光刻机、光刻胶、曝光、显影过程，最后到离子束刻蚀这一系列工业步骤。我们运用光刻技术，将垂直磁各向异性Co/Pt多层膜样品制作成小尺寸结构，对其进行了电输运性质的研究，主要对其中的异常Hall效应进行了测量和分析。一般材料的正常Hall效应正比于外磁场，而铁磁金属系统中还存在异常 Hall效应，其 Hall电阻率正比于磁矩，比正常 Hall效应大 45个数量级。垂直磁各向异性多层膜具有较大的Hall电阻率、较低的饱和场与明显的翻转过程、Hall效应曲线呈矩形等特点。同时我们利用异常 Hall效应探测到由膜面内电流导致的垂直易磁化Pt/Co/Pt膜的磁化反转现象。在固定外磁场的情况下
21、，随着面内电流密度的增大，垂直磁各向异性的 Co/Pt多层膜的异常 Hall电阻将会有从正值到负值的明显变化。由电流导致的磁化反转的临界电流密度在104 A/cm2，远远小于文献中报道的自旋转移矩效应中磁化反转需要的电流密度。并且发现随着磁场的增大，磁化反转的临界电流密度不断减小。随着电流密度的增加，磁化反转的临界磁场会变小，这和随温度上升，反转场变小类似。因此，我们观测到的磁化反转现象可能与电流导致的样品温度升高有关。由于电流的作用，样品的温度升高，热效应导致了样品磁结构的不稳定，畴壁位移更容易发生。从物理本质上，不同于来源于自旋转移矩效应的电流驱动的磁化反转。可以估计，在设定温度为 5 K
22、时，4.8104A/cm2 的电流密度通过薄膜，样品的温度升高了约3.5 K。可见，在电流驱动的磁化反转这类实验中，电流导致的样品温度升高是值得注意的。9.会议论文王朝晖.王小章.叶鹏.王腾 微流动注射式化学发光芯片2007 应用MEMS微加工技术，在基底材料上用标准的光刻工艺制作出微通道结构。以显影后的SU-8 胶层作模具，采用软印加工制作了高深宽比PDMS微通道结构，经过等离子表面氧化改性实现了PDMS芯片的不可逆封装。利用流动注射化学发光分析系统，通过用鲁米诺发光剂检测标准浓度的过氧化苯甲酰BPO，验证了化学发光芯片的检测性能，并对测试结果进行了分析。名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 8 页，共 9 页 -10.学位论文高延军 硅微通道列阵电化学微加工技术研究2001 该文采用 P 型单晶硅片,由热氧化形成 SiO 掩膜层,标准光刻工艺进行图形转移,用KOH溶液湿法刻蚀制作倒四棱锥腐蚀坑列阵.在三极电解槽中,进行了电化学深刻蚀的探索性实验.对氧化、光刻、湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究,同时,采用SEM对实验样品进行了形貌分析,并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析.本文链接：http:/ 年6月22日名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 9 页，共 9 页 -