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1、设计方案1.单片机采用：C8051F410。12 位 AD，200KSPS，多达 24 路外部输入（内部选择器）。输入范围为0-VREF。VREF 可以被配置成内部1.5V，2.2V，或外部输入。若配置成2.2V，则分辨率为2.2/4096=0.54mV。理论精度为1/4096=0.03%。若采用8 位则是 0.4%。12 位电流输出DA，电流最大输出范围为0-0.25/0.5/1/2mA。（XTR115 的输入电流范围 0.04-0.2mA）JTAG 在片调试，速度可达50MIPS（时钟频率为50MHz 时）存储器，2304 字节内部数据RAM（256+2048），32KB FLASH；可在
2、系统编程，扇区大小为 512 字节。64 字节电池后备RAM（smaRTClock）24 个端口 I/O；推挽或漏极开路，耐5.25 V 电压。可同时使用的硬件SMBus（I2C兼容）、SPI 和 UART 串口，4 个通用 16 位计数器/定时器，16 位可编程计数器/定时器阵列（PCA），有 6 个捕捉/比较模块和WDT。硬件实时时钟（smaRTClock），工作电压可低至1V，64 字节电池后备RAM 和后备稳压器供电电压范围2.00-5.25V。50M 频率下 10mA 电流，1M 频率下 0.3mA。芯片内部用于温度传感器。32 脚 LQFP 2.（C8051F350=8K FLAS
3、H；768RAM；2.7-3.6V，24 位 AD，8 位 DA，待选）3.4-20 mA 电流输出采用：XTR115。2 线制，24V 供电。提供外部电路+5V 电源，+2.5V 参考电源。输入电流控制，输出电流=100 倍输入电流。4.温度传感器采用：TMP36（实验后决定是否使用）。供电电压范围2.70-5.50V。输出 10mV/，测温范围-40-+125，输出电压0-1.8V。50uA 电流5.霍尔位移传感器采用：SS495模拟霍尔位置传感器。体积小巧（0.16x0.118）低功耗典型7mA 在 5VDC，最大 8.7 mA 电源沉或源线性输出名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心
4、整理-第 1 页，共 3 页 -内含激光修正的薄膜电阻提供精确的灵敏度和温暖度补偿工作温度范围-40+150 可反应于正的或负的磁场方块霍尔传感元件提供稳定的输出Rail-to-Rail 性能可提供更有效的信号以达到6.FLASH 存储器采用：M24C04。4KBit，2mA，2.5V-5.5V。7.3.3V 电源采用：TPS76933DBVR 2.7-5.5V 输入，3.3V 输出，最大输出电流100mA。8.Hart 协议采用：HT2012 3.0-5.5V 电压，5mA。9.手抄机接口10.电流闭环控制11.问题C8051 的 DA 电流输出能否直接接入,控制 XTR115 芯片（资料上
5、可以，不行的话，用 PWM 信号控制）。XTR115 芯片是否自动协调了整个系统的电流消耗，只要输入控制电流正确，输出能自动减除系统本身的电流消耗。整个系统的电流消耗是否要小于24V 下的 4mA。24V 输入、4-20mA 输出C8051F410 霍尔传感器温度传感器电流变送器电源 3.3V 通信接口液晶名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 2 页，共 3 页 -12.设计管脚分配：液晶需要 12 个 I/O，霍尔传感器需要1 个 I/O，温度传感器需要1 个 I/O，电流变送器需要1 个 I/O，通信接口需要3 个 I/O，FLASH 存储器需要6 个 I/O。一共需要 24
6、个 I/O。功率分配：24*4=96mW。单片机 33 mW，HT201217 mW，模拟霍尔位置传感器45mW，温度传感器 1 mW，FLASH7 Mw。一共小于88 mW。1.C8051F430+XTR115+TMP36+HMC1501：输入和输出精度不保证2.C8051F430+XTR115+AD7705+TMP36+HMC1501：输入精度高，输出精度不保证3.C8051F430+AD472+AD7705+TMP36+HMC1501：输入精度高，输出精度高4.C8051F350+XTR115+TMP36+HMC1501：输入精度高，输出精度低5.C8051F350+AD472+TMP36+HMC1501：输入输出精度高，资源不保证6.7.C8051F350+AD472+XTR115+TMP36+HMC1501：输入输出精度高，资源不保证8.C8051F430+AD472+AD7705+XTR115+TMP36+HMC1501：输入输出精度高，资源不保证1.F430+AD472+AD7705+XTR115+TMP36+HMC1501 2.F350+AD472+XTR115+TMP36+HMC1501 名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 3 页，共 3 页 -