半导体结型光电器件.ppt

《半导体结型光电器件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体结型光电器件.ppt（61页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。

1、关于半导体结型光电器件现在学习的是第1页，共61页 结型器件与均质型器件（如结型器件与均质型器件（如PC探测器）探测器）比较，主要区别在于：比较，主要区别在于： 1、产生光电转换的部位不同。产生光电转换的部位不同。光电导光电导器件不管那一部分受光，电导率都会增大；器件不管那一部分受光，电导率都会增大；而结型器件只有光照到其结区，所产生的光而结型器件只有光照到其结区，所产生的光生载流子才能产生有效作用。生载流子才能产生有效作用。 2、光电导器件无极性，工作时必须加、光电导器件无极性，工作时必须加偏压；偏压；而光伏器件有确定的正负极性而光伏器件有确定的正负极性，工作，工作时可以加偏压，也可以不加偏

2、压都能把光信时可以加偏压，也可以不加偏压都能把光信号转换成电信号。号转换成电信号。现在学习的是第2页，共61页 3、光电导器件的光电效应主要依赖于、光电导器件的光电效应主要依赖于非平衡载流子中多数载流子的产生与复合运非平衡载流子中多数载流子的产生与复合运动，驰豫时间大，响应速度慢，频率响应性动，驰豫时间大，响应速度慢，频率响应性能较差。而光伏器件主要依赖于结区非平衡能较差。而光伏器件主要依赖于结区非平衡载流子中少数载流子的漂移运动，载流子中少数载流子的漂移运动，驰豫时间短驰豫时间短，频率特性好。，频率特性好。 4、有些器件如、有些器件如APD（雪崩二极管）、（雪崩二极管）、光光电三极管等具有很

3、大的内增益，不仅灵敏度电三极管等具有很大的内增益，不仅灵敏度高，还可以通过较大的电流。高，还可以通过较大的电流。 基于上述特点，基于上述特点，PV探测器应用非常广泛，探测器应用非常广泛，多用于光度测量、光开关、图象识别、自动控多用于光度测量、光开关、图象识别、自动控制等方面制等方面。现在学习的是第3页，共61页一、结型光电器件工作原理一、结型光电器件工作原理 1、平衡下的、平衡下的P-N结结 由半导体理论可得：由半导体理论可得： 势垒高度势垒高度 结区宽度结区宽度 210)(2VVNNNNqWDDADAr2lniDADnNNkTqV 现在学习的是第4页，共61页 结电容结电容 结电流结电流 其

4、方向从其方向从P区经区经P-N结指向结指向n区。区。 是反向饱和电流，是反向饱和电流，A是结区面积，是结区面积，V是结区电压是结区电压。2101)(2VVNNNNqACDDAADrj)(0pnnnppnLDpLDAqI) 1(0kTqveII现在学习的是第5页，共61页2、光照下的、光照下的PN结结 P-N结光电效应和结光电效应和P-N结工作模式结工作模式 当光照射当光照射P-N结时，只要光子能量大于结时，只要光子能量大于材料禁带宽度，就会在结区产生电子材料禁带宽度，就会在结区产生电子空穴空穴对。这些非平衡载流子在内建电场作用下发对。这些非平衡载流子在内建电场作用下发生漂移，在生漂移，在n区边

5、界积累光生电子，在区边界积累光生电子，在P区边区边界积累光生空穴，在界积累光生空穴，在P-N结上产生一个由积结上产生一个由积累的光生载流子产生的光生电场，即在累的光生载流子产生的光生电场，即在P区区与与n区之间产生光生电压。这就是第三章所区之间产生光生电压。这就是第三章所讲的光生伏特效应。讲的光生伏特效应。现在学习的是第6页，共61页 原则上，原则上，P-N结可工作于正偏、零结可工作于正偏、零偏与反偏状态。但在正偏置时，外偏置偏与反偏状态。但在正偏置时，外偏置电压产生的电流远大于光生载流子产生电压产生的电流远大于光生载流子产生的电流，看不到明显的光电效应。的电流，看不到明显的光电效应。P-N结

6、结处于处于零偏置零偏置或或反偏置反偏置时，光生电流在外时，光生电流在外电路形成光电流，具有明显的光电效应。电路形成光电流，具有明显的光电效应。所以结型光电器件一般都所以结型光电器件一般都工作于零偏或工作于零偏或反偏状态反偏状态。现在学习的是第7页，共61页 光照下的电流方程光照光照下的电流方程光照 未受光照时，结电流方程是未受光照时，结电流方程是 受到光照时，光激发载流子在受到光照时，光激发载流子在P-n结上内结上内电场作用下形成光生电流电场作用下形成光生电流IP，总电流是两者，总电流是两者之差，之差， 此处此处V是外电路加到是外电路加到P-n结上的电压，正向是结上的电压，正向是P区为正，区为

7、正，n区为负。区为负。) 1(0kTqVeIIPkTqVLIeII) 1(0现在学习的是第8页，共61页光电流在光电流在P-n结上是由结上是由n区指向区指向P区，故与外区，故与外电压产生电流方向相反。如以光电流电压产生电流方向相反。如以光电流 方向为电流正方向，则：方向为电流正方向，则：PI) 1(0kTqVPLeIII现在学习的是第9页，共61页二、光电池二、光电池 光电池是根据光生伏特效应制成的将光能转换成电光电池是根据光生伏特效应制成的将光能转换成电能的一种器件。能的一种器件。 PN结的光生伏特效应：结的光生伏特效应：当用适当波长的光照射当用适当波长的光照射PN结时，由于内建场的作用（不

8、加外电场），光生结时，由于内建场的作用（不加外电场），光生电子拉向电子拉向n区，光生空穴拉向区，光生空穴拉向p区，相当于区，相当于PN结上加一结上加一个正电压。个正电压。 半导体内部产生电动势（光生电压）；半导体内部产生电动势（光生电压）；如将如将PN结结短路，则会出现电流（光生电流）。短路，则会出现电流（光生电流）。现在学习的是第10页，共61页1、光电池的结构特点、光电池的结构特点 光电池核心部分是一个光电池核心部分是一个PN结，一般作成面积大结，一般作成面积大的薄片状，来接收更多的入射光。的薄片状，来接收更多的入射光。 在在N型硅片上扩散型硅片上扩散P型杂质（如硼），受光面是型杂质（如硼

9、），受光面是P型层型层 或在或在P型硅片上扩散型硅片上扩散N型杂质（如磷），型杂质（如磷）， 受光面是受光面是N型层型层现在学习的是第11页，共61页 受光面有二氧化硅抗反射膜，起到增透作用和保受光面有二氧化硅抗反射膜，起到增透作用和保护作用。护作用。 上电极做成栅状，便于更多的光入射。上电极做成栅状，便于更多的光入射。 由于光子入射深度有限，为使光照到由于光子入射深度有限，为使光照到PN结上，结上，实际使用的光电池制成薄实际使用的光电池制成薄P型或薄型或薄N型。型。现在学习的是第12页，共61页现在学习的是第13页，共61页2、光电池等效电路、光电池等效电路现在学习的是第14页，共61页00

10、0exp() 1exp() 1LpLspssLpqIIIUI RkTIIqURRqUIIIkT为光电池等效电路中的恒流源为光电池等效二极管反向饱和电流,为电子电荷量为光电池输出电压为光电池等效电路中串联电阻，很小，可以忽略现在学习的是第15页，共61页00ln(1)0pocscpscIIkTUqIUIII当，得到开路电压当，得到短路电流与入射光强度成正比开路电压与入射光强度的对数成正比现在学习的是第16页，共61页3、光电池的特性、光电池的特性 （ 1）伏安特性）伏安特性 无光照时，光电池伏安特性曲线与普通半导体二极无光照时，光电池伏安特性曲线与普通半导体二极管相同。管相同。 有光照时，沿电流

11、轴方向平移，平移幅度与光照有光照时，沿电流轴方向平移，平移幅度与光照度成正比。度成正比。 曲线与电压轴交点称为曲线与电压轴交点称为开路电压开路电压VOC，与电流，与电流轴交点称为轴交点称为短路电流短路电流ISC。现在学习的是第17页，共61页光电池伏安特性曲线光电池伏安特性曲线现在学习的是第18页，共61页反向电流随光照度的增加而上升反向电流随光照度的增加而上升IU照度增加照度增加现在学习的是第19页，共61页 （2）时间和频率响应时间和频率响应 硅光电池频率特性好硅光电池频率特性好 硒光电池频率特性差硒光电池频率特性差 硅光电池是目前使用最广泛的光电池硅光电池是目前使用最广泛的光电池 现在学

12、习的是第20页，共61页 要得到短的响应时间，必须选用小的负载电阻要得到短的响应时间，必须选用小的负载电阻RL； 光电池面积越大则响应时间越大，因为光电池面积越光电池面积越大则响应时间越大，因为光电池面积越大则结电容大则结电容Cj越大，在给定负载时，时间常数就越大。故要求越大，在给定负载时，时间常数就越大。故要求短的响应时间，必须选用小面积的光电池。短的响应时间，必须选用小面积的光电池。现在学习的是第21页，共61页开路电压下降大约开路电压下降大约 2 2 3mV/3mV/度度短路电流上升大约短路电流上升大约 10 10-5-5 1010-3-3mA/mA/度度 （3 3）温度特性温度特性 随

13、着温度的上升，硅光电池的光谱响应向长波方向移动，开路随着温度的上升，硅光电池的光谱响应向长波方向移动，开路电压下降，短路电流上升。光电池做探测器件时，测量仪器应考电压下降，短路电流上升。光电池做探测器件时，测量仪器应考虑温度的漂移，要进行补偿。虑温度的漂移，要进行补偿。现在学习的是第22页，共61页（4 4）光谱响应度）光谱响应度 硅光电池：硅光电池： 响应波长响应波长0.4-1.10.4-1.1微米，微米， 峰值波长峰值波长0.8-0.90.8-0.9微米。微米。 硒光电池：硒光电池：响应波长响应波长0.34-0.750.34-0.75微米，微米， 峰值波长峰值波长0.540.54微米。微米

14、。现在学习的是第23页，共61页（5）光电池的光照特性）光电池的光照特性 连接方式：开路电压输出连接方式：开路电压输出-(a) 短路电流输出短路电流输出-(b)光电池在不同的光强照射下可产生不同的光电池在不同的光强照射下可产生不同的光电流和光生电动势。光电流和光生电动势。现在学习的是第24页，共61页短路电流在很大范围内与光强成线性短路电流在很大范围内与光强成线性关系。关系。开路电压随光强变化是非线性的，并开路电压随光强变化是非线性的，并且当照度在且当照度在2000lx时趋于饱和。时趋于饱和。 光照特性光照特性- 开路电压输出：开路电压输出：非线性非线性(电压电压-光强光强)，灵敏度高灵敏度高

15、 短路电流输出：短路电流输出：线性好线性好(电流电流-光强光强) ，灵，灵敏度低敏度低现在学习的是第25页，共61页 开关测量开关测量（开路电压输出）。（开路电压输出）。 线性检测线性检测（短路电流输出）（短路电流输出）现在学习的是第26页，共61页 随着负载随着负载RL的增大，线性范围将越来越小。因此，的增大，线性范围将越来越小。因此，在要求输出电流与光照度成线性关系时，负载电阻在在要求输出电流与光照度成线性关系时，负载电阻在条件许可的情况下越小越好，并限制在适当的光照范条件许可的情况下越小越好，并限制在适当的光照范围内使用。围内使用。现在学习的是第27页，共61页4、光电池的应用、光电池的

16、应用 （1）光电探测器件光电探测器件 利用光电池做探测器有频率响应高，光电流随利用光电池做探测器有频率响应高，光电流随光照度线性变化等特点。光照度线性变化等特点。 （2）将太阳能转化为电能）将太阳能转化为电能 实际应用中，把硅光电池经串联、并联组成实际应用中，把硅光电池经串联、并联组成电池组。电池组。现在学习的是第28页，共61页硅太阳能电池硅太阳能电池 硅太阳能电池包括单晶硅太阳能电池、多晶硅硅太阳能电池包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池。太阳能电池、非晶硅太阳能电池。 单晶硅太阳能电池在实验室里最高的转换效率为单晶硅太阳能电池在实验室里最高的转换效率为23%,23%,

17、而规模生产的单晶硅太阳能电池而规模生产的单晶硅太阳能电池, ,其效率为其效率为15%15%。 多晶硅半导体材料的价格比较低廉多晶硅半导体材料的价格比较低廉, ,但是由于但是由于它存在着较多的晶粒间界而有较多的弱点。多晶它存在着较多的晶粒间界而有较多的弱点。多晶硅太阳能电池的实验室最高转换效率为硅太阳能电池的实验室最高转换效率为18%,18%,工业规工业规模生产的转换效率为模生产的转换效率为10%10%。现在学习的是第29页，共61页非晶硅太阳能电池非晶硅太阳能电池 非晶硅薄膜太阳能电池组件的制造采用薄膜工艺非晶硅薄膜太阳能电池组件的制造采用薄膜工艺, 具具有较多的优点有较多的优点,例如例如:沉

18、积温度低、衬底材料价格较低沉积温度低、衬底材料价格较低廉廉,能够实现大面积沉积。能够实现大面积沉积。 非晶硅的可见光吸收系数比单晶硅大非晶硅的可见光吸收系数比单晶硅大,是单晶硅是单晶硅的的40倍倍,1微米厚的非晶硅薄膜微米厚的非晶硅薄膜,可以吸引大约可以吸引大约90%有用有用的太阳光能。的太阳光能。 非晶硅太阳能电池的稳定性较差非晶硅太阳能电池的稳定性较差, 从而影响了它从而影响了它的迅速发展的迅速发展。 现在学习的是第30页，共61页化合物太阳能电池化合物太阳能电池 三五族化合物电池和二六族化合物电池。三五族化合物电池和二六族化合物电池。 三五族化合物电池主要有三五族化合物电池主要有GaAs

19、电池、电池、InP电池、电池、GaSb电池等电池等; 二六族化合物电池主要有二六族化合物电池主要有CaS/CuInSe电池、电池、CaS/CdTe电池等。电池等。 在三五族化合物太阳能电池中在三五族化合物太阳能电池中,GaAs电池的转换效电池的转换效率最高率最高,可达可达28%;现在学习的是第31页，共61页GaAs 化合物太阳能电池化合物太阳能电池 Ga是其它产品的副产品是其它产品的副产品,非常稀少珍贵非常稀少珍贵;As 不是稀有元素不是稀有元素,有毒。有毒。GaAs化合物材料尤其适用于制造高效电池和多结电化合物材料尤其适用于制造高效电池和多结电池池,这是由于这是由于GaAs具有十分理想的光

20、学带隙以及较高具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率。的吸收效率。 GaAs 化合物太阳能电池虽然具有诸多优点化合物太阳能电池虽然具有诸多优点,但是但是GaAs材料的价格不菲材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。电池的普及。 现在学习的是第32页，共61页太阳能太阳能 太阳能特点：太阳能特点： 无枯竭危险；无枯竭危险；绝对干净；绝对干净；不受资源分布地域不受资源分布地域的限制；的限制；可在用电处就近发电；可在用电处就近发电；能源质量高；能源质量高；使用者从感情上容易接受；使用者从感情上容易接受；获取能源花费的时获取能源花费的时间短。间短。 要使太

21、阳能发电真正达到实用水平，一是要提要使太阳能发电真正达到实用水平，一是要提高太阳能光电变换效率并降低成本；二是要实现太高太阳能光电变换效率并降低成本；二是要实现太阳能发电同现在的电网联网。阳能发电同现在的电网联网。现在学习的是第33页，共61页三、光敏二极管三、光敏二极管 光敏二极管与普通二极管一样有一个光敏二极管与普通二极管一样有一个PN结，属于单结，属于单向导电性的非线形元件。外形不同之处是在光电二极管向导电性的非线形元件。外形不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换。转换。 为了获得尽可能大的光生电流，需要

22、较大的工作面，即为了获得尽可能大的光生电流，需要较大的工作面，即PN结面积比普通二极管大得多，以扩散层作为它的受光结面积比普通二极管大得多，以扩散层作为它的受光面。面。 为了提高光电转换能力，为了提高光电转换能力，PN结的深度较普通二极管浅。结的深度较普通二极管浅。1、光敏二极管结构、光敏二极管结构现在学习的是第34页，共61页2 2、光电二极管（光敏二极管）符号、光电二极管（光敏二极管）符号光敏二极管符号光敏二极管符号 光敏二极管接法光敏二极管接法 现在学习的是第35页，共61页3、光敏二极管的偏置、光敏二极管的偏置 （1）可以不加偏压，与光电池不同，光敏二极管）可以不加偏压，与光电池不同，

23、光敏二极管一般在负偏压情况下使用。一般在负偏压情况下使用。 （2）大反偏压的施加，增加了耗尽层的宽度）大反偏压的施加，增加了耗尽层的宽度和结电场，电子和结电场，电子空穴在耗尽层复合机会少，提空穴在耗尽层复合机会少，提高了光敏二极管的灵敏度。高了光敏二极管的灵敏度。 （3）增加了耗尽层的宽度，结电容减小，提高器）增加了耗尽层的宽度，结电容减小，提高器件的频响特性。件的频响特性。 但是，为了提高灵敏度及频响特性，却不能无限地但是，为了提高灵敏度及频响特性，却不能无限地加大反向偏压，因为它还受到加大反向偏压，因为它还受到PN结反向击穿电压等因素结反向击穿电压等因素的限制。的限制。现在学习的是第36页

24、，共61页 光敏二极管体积光敏二极管体积小，灵敏度高，响应时小，灵敏度高，响应时间短，光谱响应在可见间短，光谱响应在可见到近红外区中，光电检到近红外区中，光电检测中应用多。测中应用多。 扩散型扩散型P-i-N硅光硅光敏二极管和雪崩光敏二敏二极管和雪崩光敏二极管极管扩散型扩散型P-i-N硅光敏二极管硅光敏二极管现在学习的是第37页，共61页 选择一定厚度的选择一定厚度的i层，具有高速响应特性。层，具有高速响应特性。 i层所起的作用层所起的作用: (1)为了取得较大的为了取得较大的PN结击穿电压，必须选择高电阻结击穿电压，必须选择高电阻率的基体材料，这样势必增加了串联电阻，使时间常数增率的基体材料

25、，这样势必增加了串联电阻，使时间常数增大，影响管子的频率响应。大，影响管子的频率响应。 而而i层的存在，使击穿电压不再受到基体材料的限制，从层的存在，使击穿电压不再受到基体材料的限制，从而可选择低电阻率的基体材料。这样不但提高了击穿电压，还而可选择低电阻率的基体材料。这样不但提高了击穿电压，还减少了串联电阻和时间常数。减少了串联电阻和时间常数。 (2)反偏下，耗尽层较无反偏下，耗尽层较无i层时要大得多，从而使结电容下层时要大得多，从而使结电容下降，提高了频率响应。降，提高了频率响应。四、扩散型四、扩散型PIN硅光敏二极管硅光敏二极管现在学习的是第38页，共61页PIN管的最大特点是管的最大特点

26、是 频带宽，可达频带宽，可达10GHz。 另一特点是线性输出范围宽。另一特点是线性输出范围宽。缺点缺点: 由于由于I层的存在，管子的输出电流小，层的存在，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。一般多为零点几微安至数微安。现在学习的是第39页，共61页五、雪崩光敏二极管五、雪崩光敏二极管 1. 工作原理工作原理 由于存在因碰撞电离引起的内增益机由于存在因碰撞电离引起的内增益机理，雪崩管具有高的增益带宽乘积和极快理，雪崩管具有高的增益带宽乘积和极快的时间响应特性。的时间响应特性。 通过一定的工艺可以使它在通过一定的工艺可以使它在1.06微米微米波长处的量子效率达到波长处的量子效率达到30，

27、非常适于可，非常适于可见光及近红外区域的应用。见光及近红外区域的应用。现在学习的是第40页，共61页 当光敏二极管的当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压时，结上加相当大的反向偏压时，在结区产生一个很高的电场，使进入场区的光生载流在结区产生一个很高的电场，使进入场区的光生载流子获得足够的能量，通过碰撞使晶格原子电离，而产子获得足够的能量，通过碰撞使晶格原子电离，而产生新的电子生新的电子空穴对。空穴对。 新的电子新的电子空穴对在强电场的作用下分别向相反空穴对在强电场的作用下分别向相反方向运动在运动过程中，又有可能与原子碰撞再一方向运动在运动过程中，又有可能与原子碰撞再一次产生电子次产生电子空穴

28、对。空穴对。 只要电场足够强，此过程就将继续下去，达只要电场足够强，此过程就将继续下去，达到载流子的雪崩倍增。通常，雪崩光敏二极管的到载流子的雪崩倍增。通常，雪崩光敏二极管的反向工作偏压略低于击穿电压。反向工作偏压略低于击穿电压。现在学习的是第41页，共61页雪崩光电二极管的雪崩光电二极管的倍增电流、噪声与偏压的关系曲线倍增电流、噪声与偏压的关系曲线现在学习的是第42页，共61页 在偏置电压较低时的在偏置电压较低时的A点以左，不发生雪崩过点以左，不发生雪崩过程；随着偏压的逐渐升高，倍增电流逐渐增加。程；随着偏压的逐渐升高，倍增电流逐渐增加。从从B点到点到c点增加很快，属于雪崩倍增区；偏压再继续

29、点增加很快，属于雪崩倍增区；偏压再继续增大，将发生雪崩击穿；同时噪声也显著增加，如图中增大，将发生雪崩击穿；同时噪声也显著增加，如图中c点以右的区域。因此，最佳的偏压工作区是点以右的区域。因此，最佳的偏压工作区是c点以点以左，否则进入雪崩击穿区烧坏管子。左，否则进入雪崩击穿区烧坏管子。 由于击穿电压会随温度漂移，必须根据环境温由于击穿电压会随温度漂移，必须根据环境温度变化相应调整工作电压。度变化相应调整工作电压。现在学习的是第43页，共61页 2. 雪崩光电二极管特点雪崩光电二极管特点 雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响应快，带宽可达应

30、快，带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光敏二极管。是目前响应最快的一种光敏二极管。 不需要后续庞大的放大电路等特点。因此它在微弱辐射信号的不需要后续庞大的放大电路等特点。因此它在微弱辐射信号的探测方向被广泛地应用。探测方向被广泛地应用。 在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏区的均匀在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏区的均匀倍增，这就需要选择无缺陷的材料，必须保持更高的工艺和保证结倍增，这就需要选择无缺陷的材料，必须保持更高的工艺和保证结面的平整。面的平整。 其缺点是工艺要求高，稳定性差，受温度影响大。其缺点是工艺要求高，稳定性差，受温度影响大。现在学习的是第44页

31、，共61页 3. 雪崩光电二极管与光电倍增管比较雪崩光电二极管与光电倍增管比较体积小结构紧凑工作电压低使用方便但其暗电流比光电倍增管的暗电流大，相应的噪声也较大故光电倍增管更适宜于弱光探测现在学习的是第45页，共61页六、光敏二极管阵列六、光敏二极管阵列 将光敏二极管以线列或面阵形式集合在一起，用将光敏二极管以线列或面阵形式集合在一起，用来同时探测被测物体各部位提供的不同光信息，并来同时探测被测物体各部位提供的不同光信息，并将这些信息转换为电信号的器件。将这些信息转换为电信号的器件。现在学习的是第46页，共61页七、象限探测器七、象限探测器 象限探测器有二象限和四象限探测器，又象限探测器有二象

32、限和四象限探测器，又分光电二极管象限探测器和硅光电池象限探测分光电二极管象限探测器和硅光电池象限探测器。器。 象限探测器是在同一块芯片上制成两或四个探象限探测器是在同一块芯片上制成两或四个探测器，中间有沟道将它们隔开，因而这两或四个探测器，中间有沟道将它们隔开，因而这两或四个探测器有完全相同性能参数。测器有完全相同性能参数。 当被测体位置发生变化时，来自目标的辐当被测体位置发生变化时，来自目标的辐射量使象限间产生差异，这种差异会引起象限射量使象限间产生差异，这种差异会引起象限间信号输出变化，从而确定目标方位，同时可间信号输出变化，从而确定目标方位，同时可起制导、跟踪、搜索、定位等作用。起制导、

33、跟踪、搜索、定位等作用。现在学习的是第47页，共61页八、光敏三极管（光电三极管）八、光敏三极管（光电三极管） 光电三极管是由光电二极管和一个晶体三极管构光电三极管是由光电二极管和一个晶体三极管构成成，相当于在晶体三极管的基极和集电极间并联一，相当于在晶体三极管的基极和集电极间并联一个光电二极管。个光电二极管。 同光电二极管一样，光电三极管外壳也有一个同光电二极管一样，光电三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。透明窗口，以接收光线照射。 日前用得较多的是日前用得较多的是NPNNPN和和PNPPNP两种平面硅光电两种平面硅光电三极管三极管。现在学习的是第48页，共61页1、NPN光电三极管

34、结构原理简图光电三极管结构原理简图现在学习的是第49页，共61页2、光电三极管工作原理、光电三极管工作原理 NPN光电三极管（光电三极管（3DU型），使用时光电二极管的型），使用时光电二极管的发射极接电源负极，集电极接电源正极。发射极接电源负极，集电极接电源正极。 光电三极管不受光时，相当于普通三极管基极光电三极管不受光时，相当于普通三极管基极开路的状态。集电结开路的状态。集电结(基基集结集结)处于反向偏置，基极处于反向偏置，基极电流等于电流等于0，因而集电极电流很小，为光电三极管的，因而集电极电流很小，为光电三极管的暗电流。暗电流。 当光子入射到集电结时，就会被吸收而产生电当光子入射到集电结

35、时，就会被吸收而产生电子子空穴对，处于反向偏置的集电结内建电场使电子漂移空穴对，处于反向偏置的集电结内建电场使电子漂移到集电极，空穴漂移到基极，形成光生电压，基极电位升到集电极，空穴漂移到基极，形成光生电压，基极电位升高。高。现在学习的是第50页，共61页现在学习的是第51页，共61页 如同普通三极管的发射结如同普通三极管的发射结(基基发结发结)加上了正向偏置，当基极没有引线时，加上了正向偏置，当基极没有引线时，集电极电流就等于发射极电流。集电极电流就等于发射极电流。 这样晶体三极管起到电流放大的作这样晶体三极管起到电流放大的作用。用。 由于光敏三极管基极电流是由光电由于光敏三极管基极电流是由

36、光电流供给，因此一般基极不需外接点，流供给，因此一般基极不需外接点，所所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。以通常只有集电极和发射极两个引脚线。现在学习的是第52页，共61页 光电三极管与光电二极管相比，具有较高的输出光电流，但光电三极管与光电二极管相比，具有较高的输出光电流，但线性差。线性差。 线性差线性差主要是由电流放大倍数主要是由电流放大倍数 的非线性所致的非线性所致 在大照度时，光敏三极管不能作线性转换元件，但可以作开关在大照度时，光敏三极管不能作线性转换元件，但可以作开关元件使用。元件使用。光电三极管的光照特性3、光电三极管特性、光电三极管特性现在学习的是第53页，共61页（1）光敏

37、三极管的伏安特性）光敏三极管的伏安特性 硅光电三极管的光电流在毫安量级，硅光电二极管硅光电三极管的光电流在毫安量级，硅光电二极管的光电流在微安量级。的光电流在微安量级。 在零偏压时硅光电三极管没有光电流输出，但硅光电在零偏压时硅光电三极管没有光电流输出，但硅光电二极管有光电流输出。二极管有光电流输出。 工作电压较低时输出电流有非线性，硅光电三极管工作电压较低时输出电流有非线性，硅光电三极管的非线性更严重。（因为放大倍数与工作电压有关）。的非线性更严重。（因为放大倍数与工作电压有关）。 在一定的偏压下，硅光电三极管的伏安曲线在低照在一定的偏压下，硅光电三极管的伏安曲线在低照度时间隔度时间隔 较均

38、匀，在高照度时曲线越来越密。较均匀，在高照度时曲线越来越密。现在学习的是第54页，共61页硅光电三极管硅光电三极管硅光电二极管硅光电二极管现在学习的是第55页，共61页 （2）光敏三极管的温度特性）光敏三极管的温度特性 温度特性反映了光敏三极管的暗电流及光电流与温度的关系。温度特性反映了光敏三极管的暗电流及光电流与温度的关系。 温度变化对光电流和暗电流都有影响，对暗电流的影响更大。精温度变化对光电流和暗电流都有影响，对暗电流的影响更大。精密测量时，应采取温度补偿措施，否则将会导致输出误差。密测量时，应采取温度补偿措施，否则将会导致输出误差。 光电三极管光电三极管的光电流和的光电流和暗电流受温度

39、影响比暗电流受温度影响比光电二极管光电二极管大得多。大得多。现在学习的是第56页，共61页 （3）光敏三极管的（调制）频率特性）光敏三极管的（调制）频率特性 光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应。提高频率响应。 一般来说，光敏三极管的频率响应比光敏二极管差。一般来说，光敏三极管的频率响应比光敏二极管差。 对于锗管，入射光的调制频率要求在对于锗管，入射光的调制频率要求在5000Hz以下，硅管的频率以下，硅管的频率响应要比锗管好。响应要比锗管好。现在学习的是第57页，共61页九、光电耦合器件九、光电耦合器件 1、定

40、义：、定义： 发光器件与光接受器件的组合器件。发光器件与光接受器件的组合器件。 2、类型：、类型： 光电耦合隔离器：在电路之间传递信息，又光电耦合隔离器：在电路之间传递信息，又能实现电路间的电气隔离和消除噪声。能实现电路间的电气隔离和消除噪声。 光传感器：用于检测物体的位置或物体有无的光传感器：用于检测物体的位置或物体有无的状态。状态。 3、发光器件：、发光器件： LED、LD灯等灯等4、光接受器件：、光接受器件： 光电二极管三极管，光电池，光敏电阻。光电二极管三极管，光电池，光敏电阻。现在学习的是第58页，共61页5、工作原理与特点、工作原理与特点 （1）发光器件与光接受器件封装一体，但不接

41、触，有很强的电）发光器件与光接受器件封装一体，但不接触，有很强的电气绝缘性，信号通过光传输。气绝缘性，信号通过光传输。 （2）特点：）特点： 具有电隔离（具有电隔离（欧姆）功能；欧姆）功能； 信号传输单向（脉冲或直流），适用于模拟数字信号；信号传输单向（脉冲或直流），适用于模拟数字信号； 具有抗干扰和噪声能力；具有抗干扰和噪声能力； 响应速度快（微纳秒，直流兆赫兹），体积小，寿响应速度快（微纳秒，直流兆赫兹），体积小，寿命长，使用方便；命长，使用方便； 既有耦合特性，又有隔离功能；既有耦合特性，又有隔离功能；现在学习的是第59页，共61页6、光电耦合器件的应用 代替脉冲变压器耦合从零到几兆赫兹的信号，失真小； 代替继电器使用，做光电开关用； 把不同电位的两组电路互连，完成电平匹配和电平转移； 作为计算机主机与输入输出端的接口，大大提高计算机的可靠性； 在稳压电源中作为过流保护器件，简单可靠。现在学习的是第60页，共61页2022-9-2感谢大家观看感谢大家观看现在学习的是第61页，共61页