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1、精选学习资料 - - - - - - - - - 名词说明：1. 光电效应：光子被原子吸取后发射轨道电子的现象；2. 康普顿效应：光子与轨道电子相互作用使得 光子只转变方向而不缺失能量；3.电子对产生效应：当r 光子能量大于 1.02Mev 时,r 光子经过与之相互作用的原子核附件时,与原子核发生电磁相互作用,个正电子；r 光子消逝而产生一个电子和一4. 电子吸附效应：电子在运动过程中与气体分子碰撞时可能被分子俘获,形成 负离子,这种现象称为电子吸附效应；5. 复合：电子和正离子相遇或者负离子和正离子相遇能复合成中性原子或中性 分子；6. 漂移：电子和正离子在电场的作用下分别向正、负电极方向运
2、动,这种定向 运动叫做漂移运动；7. 平均电离能： 带电离子在气体中产生一对离子所需的平均能量称为平均电离 能；8. 轫致辐射：快速电子通过物质时,原子核电磁场使电子动量转变并发射出电 磁辐射而缺失能量,这种电磁辐射就是轫致辐射；截面：单位面积单位时间粒子与靶核发生相互作用的概率；9.10. 活化：原子核吸取中子后,变成同一种元素的另一种核素,这种现象叫做活 化；11. 真符合计数：时间上有关的大事产生的脉冲引起的符合计数称为真符合计 数；12. 偶然符合计数： 在时间上没有必定联系的大事产生的脉冲引起的符合计数称 为偶然符合计数；13. 衰变常数：表示某种放射性核素的一个核在单位时间内进行衰
3、变的概率；14. 碘逃逸峰：当 r 射线在 NaITl 晶体外表发生光电效应时,碘的 KaX射线很 简单逃逸出晶体,形成一个碘逃逸峰； 28.61KeV15. 本征效率： 探测器记录到的射线数与入射到探测器灵敏体积内的 光子数的 比；16. 辐射缺失率：电子在物质中通过单位长度路径,由于轫致辐射而缺失的能量名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 9 页精选学习资料 - - - - - - - - - 为辐射缺失率；17. 电离缺失率：入射粒子因原子的激发和电离在单位路径上引起的能量缺失；18. 能量辨论率： 探测器微分脉冲幅度分布谱中的特点峰半高宽与峰值所对应的脉冲幅度之比：V
4、2.355Fw本征记录到的脉冲数光子数VE0探测效率：源记录到的脉冲数源发射的光子数入射到探测器灵敏区体积内的19. 仪器谱：20. 能谱：记录粒子能量和单位能量间隔内计数的谱；21. 全能峰：入射 射线能量全部缺失在探测器灵敏体积内时,探测器输出的脉 冲形成的谱峰；22. 逃逸峰：假设高能 射线与探测器物质发生电子对效应时,湮没辐射光子中 的一个或者两个逃离探测器；23. 特点峰：假设光电效应发生在外表,光电子被打出后,探测介质原子发射的特点 X 射线可能逃出探测器,形成E=能量的峰,称为特点峰；24. 总效率：全谱内的计数与源发射的 光子数之比；25. 峰总比：全能峰内的计数与全谱内的计数
5、之比；26. 峰康比：全能峰中心道最大计数与康普顿连续谱平整部分内平均计数之比；27. 源效率：记录到的脉冲数与源发射的 光子数之比；28. 源峰效率：sp全能峰的计数放射源放出的光子29. 湮灭辐射峰：对较高能量的 射线,当探测器四周的物质发生电子对产生效 应时,湮没辐射产生的两个 光子中,假设其中一个进入探测器中就会产生 一个能量为 511KeV的光电峰和康普顿连续谱, 这个光电峰就是湮没辐射峰；30. J/K 31. 电离：带电粒子进入物质时和物质原子的轨道电子发生库伦相互作用,使入 射带电粒子的能量转移给电子；假设电子获得的能量较少,不足以克服原子的束缚,只是从较低能量状态上升到较高能
6、量状态,就原子被激发；32. 激发：带电粒子进入物质时和物质原子的轨道电子发生库伦相互作用,使入 射带电粒子的能量转移给电子；假设电子获得了足够能量,将完全脱离原子名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页,共 9 页精选学习资料 - - - - - - - - - 的束缚而成为自由电子,就原子失去电子成为正离子,即原子被电离；33. 死时间：从脉冲的开头形成到计数管内电场复原到能再维护放电的电场,这 一段时间称为计数管的死时间；34. 复原时间： 从失效时间至电场复原到能产生正常脉冲幅度所需的时间称为恢 复时间；35. 辨论时间：计数管一次计数后复原到再次计数的时间间隔；36. 渡越
7、时间： 光子到达光阴级的瞬时至阳极输出脉冲到达某一指定值之间的时 间间隔；37. 时间辨论：探测器对两组相继发生的大事可以辨论开来的最小时间间隔,用 时间谱的半高宽表示；填空题：1. 粒子与物质相互作用的形式主要有以下两种：弹性散射、电离和激发；2. 射线与物质相互作用的主要形式有以下三种：康普顿散射、光电效应、电子对效应；3. 射线与物质相互作用的主要形式有以下四种：激发与电离、轫致辐射、弹性散射、正电子淹灭；4. 由 NaITl 组成的闪耀计数器,辨论时间约为：零点几、几、十几、几十、几百 s；- 计数管的辨论时间大约为：几百 s；5. 电离室、正比计数管、 G-M计数管输出的脉冲信号幅度
8、与 初始电离产生的离子对数 成正比；与真别阈有关6. 半导体探测器比气体探测器的能量辨论率高,是由于：其体积更小、其密度更大、其电离能更低、 其在低温下工作使其性能稳固、而使其输出的脉冲幅度离散性增大；气体探测器有放大作用7. 由 ZnSAg组成的闪耀计数器,一般用来探测 射线的 能量和强度；8. 由 NaITl 组成的闪耀计数器,一般用来探测 射线的能量和强度；9. 电离室一般用来探测带电粒子射线的能量和强度；10. 正比计数管一般用来探测 、 、 、 X、带电粒子、重带电粒子 射线的 能量、强度、能量和强度；11. - 计数管一般用来探测 、 、带电粒子射线的强度；12. - 计数管的输出
9、脉冲幅度与入射粒子的种类无关；名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页,共 9 页精选学习资料 - - - - - - - - - 13. 金硅面垒型半导体探测器一般用来探测 射线的能量和强度；14. SiLi 半导体探测器一般用来探测 射线的能量和强度；15. HPGe半导体探测器一般用来探测 射线的能量和强度；16. 对高能 射线的探测效率就主要取决于探测器的有效体积；17. 对低能 射线的探测效率就主要取决于探测器材料的有效原子系数；18. - 计数管的输出信号幅度与入射射线的能量无关；19. 带电粒子的能量缺失率又叫物质的 阻挡本事；20. 射线与物质的主要作用方式有 光电效
10、应、康普顿散射、电子对效应；21. 死时间 是指计数管一次计数后复原到再次计数的时间间隔；22. 电离室按工作方式可分为 脉冲电离室 和累积电离室；23. 典型的气体探测器有 电离室 、 正比计数管、 GM计数管 ；24. 测量 射线一般选用 ZnSAg 闪耀体 ；NaITl 闪耀体、 ZnSAg闪耀体、塑料闪耀体 25. 放射性活度的测量方法一般有肯定测量法和 相对测量法；26. 在 NaIT1 中 2MeV 射线相互作用的光电效应、康普顿效应和电子对效应的截面比为 1：20：2,入射到 NaIT1 中的 2MeV 射线的脉冲幅度谱给出的峰总 比是 大于 1/23 ；大于、小于、等于27.
11、6MeV的 粒子穿过其厚度为其射程1/3 的物质后,能量减小,强度不变；28. 进行放射性测量中,样品计数率的大小为100cps, 假设要求计数率的相对统计误差不大于 1%,就最短测量时间应为 100s ；29. 重带电粒子的能量缺失率与物质的 原子序数 和 材料 有关；30. 光电子的能量等于入射 射线能量减去 散射 射线的能量；31. 20MeV电子入射到 CuZ=29靶上,其辐射能量缺失率和电离能量缺失率之比为 0.725 ；ECm e c2zE. Z电子的电离缺失率和辐射缺失率之比：dEraddEiondxdx1600m ec2800当电子电离缺失率与辐射缺失率一样时Ec800 Z称为
12、猝灭气体；32. 在 G-M计数管的工作气体中添加的少量抑制放电的气体,33. 测量 射线一般选用ZnSAg闪耀体；NaITl 闪耀体、 ZnSAg闪耀体、 塑名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页,共 9 页精选学习资料 - - - - - - - - - 料闪耀体 34. 探测器对一个入射粒子的相应是一个 电流 脉冲；35. G-M计数管的输出脉冲幅度与入射粒子的 能量 无关；36. 电子脉冲电离室输出回路的时间常数为 RC,离子脉冲电离室可用于测量入射粒子的能量,由于其输出脉冲幅度 饱和值 与初电离 N成正比；离子脉冲电离室主要缺点是脉冲较宽,大大限制了技术速度； 电子脉冲电
13、离室的工作条件其输出回路的时间常数为 RC,可获得较高的计数率, 但不能精确的测量粒子的能量；5. 正比计数管的气体放大机制？答：当射线通过正比计数管电极间的气体时,电离产生的电子和正离子在电场的作用下,分别向阳极和阴极漂移； 正离子的质量大, 且沿漂移方向的电场又是由强到弱,因此电场的加速不足以使它与气体发生电离碰撞；而电子就不然, 漂移越接近阳极, 电场强度越大； 到达某一距离后, 电子在平均自由程内获得的能量足以加速再次与气体发生电离碰撞,产生新的离子对, 新的电子又被加速再次与气体发生电离碰撞, 产生更多的新离子对； 漂移电子越是接近阳极, 电离碰撞的 概率越大； 于是不断地增殖, 增
14、殖的结果将产生大量的电子和正离子,这就是气 体放大的过程；有时也称气体放大为电子雪崩；6. 试定性分析, 分别配以塑料闪耀体及 0.662MeV 射线谱的外形有何不同？NaIT1 闪耀晶体的两套闪耀谱仪所测得答：由于塑料闪耀体有效原子序数Z 、密度及发光效率均低于NaIT1 闪耀晶体,测得的 0.662MeV 射线谱的外形,其总谱面积相应的计数、峰总比、全能峰的能量辨论率均比 NaIT1 闪耀晶体差,甚至可能没有明显的全能峰；6. 试说明 G-M管阳极上感应电荷的变化过程？答： G-M管阳极上感应电荷的变化对有机管和卤素管略有不同,以有机管为例,名师归纳总结 - - - - - - -第 7
15、页,共 9 页精选学习资料 - - - - - - - - - 可分为几个阶段：1在入射带电粒子径迹产生正负离子对的瞬时阳极呈电中性,电子很快漂移向 阳极过程中,阳极上的正感应电荷增加,但数量很小；2电子雪崩过程开头,直到正离子鞘形成的过程中,电子很快向阳极运动,此 时,阳极上正感应电荷增加,同时,此电荷流经负载电阻,快前沿的负脉冲,约 占总输出脉冲幅度的 10%；到达阳极的电子与阳极上的正感应电荷中和；阳极上 留下与正离子鞘等量的负感应电荷；3正离子鞘向阴极漂移,负感应电荷流向阴极,同时；在外回路形成输出信号；7. 试说明 NaIT1 闪耀探测器的能量辨论率优于 者的探测效率要更高一些？BG
16、O闪耀探测器的缘由, 为何后答： NaIT1 闪耀探测器的能量辨论率优于 BGO闪耀探测器是由于前者的发光效率明显优于后者, BGO探测器仅为 NaIT1 闪耀探测器的 8%；而后者的密度和有效原子序数就优于前者；8. 衡量脉冲型核辐射探测器性能有两个很重要的指标,这两个指标是指什么探测效率 能量辨论率9. 简述闪耀体探测器的测量 射线的工作原理及谱形产生复杂的缘由 ；答： 射线的基本原理通过光电效应、 康普顿效应和电子对效应产生次级电子得 1 分,次级电子是使闪耀体激发得 1 分,闪耀体退激发出荧光得 1 分,荧光光子到达光电倍增管光阴极通过光电效应产生光电子得 1 分,光电 1 分,在阳极
17、输出 子通过光电倍增管各倍增极倍增最终全部被阳极收集到得 电流脉冲信号；这就是烁体探测器探测 射线的基本原理；10. 带电粒子与物质发生相互作用有哪几种方式？答：与原子核弹性碰撞； 核阻挡与原子核的非弹性碰撞； 轫致辐射与核外电子弹性碰撞；与核外电子的非弹性碰撞；电离和激发正电子湮灭；11. 通用闪耀体探头的组成部件有那些？为什么要进行避光处理？5 分答：1闪耀体 1 分、光学收集系统 1 分硅油和反射层、光电倍增管1 分2光电倍增管的光阴极 1 分具有可见光光敏性1 分,爱护光电倍增管；12. 衡量脉冲型核辐射探测器性能有两个很重要的指标,这两个指标是指什么？为什么半导体探测器其中一个指标要
18、比脉冲型气体电离室探测器好,用公式解名师归纳总结 - - - - - - -第 8 页,共 9 页精选学习资料 - - - - - - - - - 释？ 5 分第 1 问：能量辨论率 1.5 分和探测效率 1.5 分注： 1答成计数率得 1 分第 2 问：2.36Fw01 分5 分Ew 0半导体w 0气体电离室1 分13. 中子按能量可分为哪几类？常用的中子探测方法有哪些？第 1 问：快中子、热中子、超热中子、 慢中子 活化法、核裂变法第 2 问：核反冲法、 核反应法、14. 典型的气体探测器有哪几种？各自输出的最大脉冲幅度有何特点,试用公式 表示；5 分答：1电离室 2正比计数管 3G-M计
19、数管脉冲幅度：1电离室：vEe得 1 分2正比计数管：vM.Ee得wCwC0.5 分3G-M计数管 最大脉冲幅度一样 15. 常用半导体探测器分为哪几类？半导体探测器典型优点是什么？5 分答：常用半导体探测器分为1 P-N 结型半导体探测器 1 分 2 锂漂移型半导体探测器；1 分 3 高纯锗半导体探测器； 1 分半导体探测器典型优点是 1 能量辨论率最正确；1 分 2 射线探测效 率较高,可与闪耀探测器相比； 1 分16. 屏蔽 射线时为什么不宜选用重材料？5 分答： 射线与物质相互作用缺失能量除了要考虑电离缺失,仍要考虑辐射缺失 12S rad dE z E2 NZ 2分,辐射能量缺失率 dx rad m 与物质的原子 Z 2成正比 2分,选用重材料后,辐射能量缺失率必定变大,产生更加难以防护的 x 射线2分；故不宜选用重材料；注：按步骤给分；17. 中子按能量可分为哪几类？中子与物质发生相互作用有哪几种方式；5 分答案要点：第 1 问：快中子、热中子、超热中子、慢中子 答对 3 个以上得 1分；第 2 问：中子的弹性和非弹性散射、中子的辐射俘获、中子核反应、中子裂变反应 1 分名师归纳总结 - - - - - - -第 9 页,共 9 页