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1、精品_精品资料_显现过一种降级的电池片,是由于刮刀有缺口,造成三根主栅上都有一条突起的刮痕,简洁引起包装碎片和焊接碎片,期望各班引以为戒,发觉相像的问题,准时更换刮条.G 档分类1、扩散面放反：Uoc:0.57 0.60Isc ：1 左右Rs:100-200左右Rsh:10 以内,约为 1 FF ：50 以内（ 30-40 ）Irve1:12 （也有正常的）Ncell:2% 左右主要参数特点： Irev112,Rs100,Isc=1左右.说明：扩散时下面和背面都成N 型,但背面 N 型扩散的结浅,扩散面放反后,原下面的N 型被 Al 掺杂为 P 型,原背面的浅结很简洁被烧穿.2、部分扩散：Uo
2、c:0.58 0.60Isc:3 4Rs:10 20Rsh:10 以内FF ：50-60 左右Irev1 接近 12Ncell:10% 左右主要参数特点： Isc 减小, Rsh12Ncell124、N 型片或高度补偿Uoc 0.02-0.06Isc:5 左右Rs-20 左右Rsh:0 Ncell ： 2-3%FF:100 200主要参数特点： Rs100,Irev1=0.03说明： N 型片背面印刷铝浆后成为P+ 型,下面扩散后形成N+型,从而产生电流.5、方块电阻偏大Uoc 0.60-0.61Isc:4 左右Rs:20 左右Rsh:10-20 Ncell ： 10% 左右FF:50 60I
3、rev1 接近 1主要参数特点： Rs 偏大,Isc 偏小,Rsh 偏小说明：方块电阻不均的直接影响就是薄层电阻,此外应为方块电阻偏大,致使薄层电阻偏大,串联电阻增大.6、方块电阻偏小Uoc 0.2 左右Isc:3 左右Rs:-0.07 左右Rsh:0.2 以下Ncell ： 1% 左右FF:24 多一点Irev1127、没有扩散Uoc 0.0002左右Isc:0.03 左右（正常偏低）Rs=0 或为负Rsh10 或 为 0Ncell ：为 0FF:300-800Irev1 接近12或大于 12主要参数特点：电压和电流基本为0,串联电阻为 0.说明：没有 P-N 结.8、银浆混合不匀称Uoc
4、0.62左右Isc:4.8 左右Rs=3-6Rsh ：60-90Ncell ： 10% 左右FF:50 左右Irev11210、刻过,将 PN 结腐蚀掉了. Irev1 很大.11、不明缘由Uoc 0.4-0.5Isc:0.6-0.8Rs:-2022 左右Rsh ： 1-4Ncell ： 1 左右FF:30-40Irev112主要参数特点： Rs12说明：应为严峻烧穿.特殊： Uoc,Isc,Rs,Rsh, ,FF,Irve11212、测试反常： Rs 值达到数千,这应当是软件问题.重装软件时,DB 和 DATA 不用拷贝,其它文件直接可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_掩盖, I
5、rev1=0 ,应当是反向偏压设置错了.13、周边未刻蚀. Rsh12排查 G 档片缘由的步骤：1、看电性能参数,然后对比G 档片缘由分析表,看一下是否以前曾显现过类似情形,不过G 档片分析表只能做为参考,不应当作证据指证任何工序.2、观看外观是否有反常,如下：背场是否有滚轮印（4 条）,判定是否为 RENA 刻蚀不透.观看是否为击穿和隐裂.观看是否有边缘漏浆的现象.观看是否背电极印偏的现象.观看是否有微晶现象（1 厘米内的晶粒数多于10 个）.观看是否有手指印现象.观看是否有断栅的现象.观看背场是否有特殊的图形和印迹.观看是否有刻蚀线,如没有可以尝试打磨.3、观看烧结炉是否炉温存在反常波动,
6、如Rs 偏大的片子较多可以重烧.4、观看测试是否有反常,将G 档片放入其他线进行测试.5、如为 Rs 偏大,可以更换网版刮刀浆料, 有可能为浆料搅拌不匀称, 或被污染或干浆料瓶料瓶底料.6、片源是否为试验片,是否为板P,是否为返工片,是否前面有流程卡纷乱的情形.烧结炉进水压力和出水压力都在4-6 之间,如有反常通知设备人员放水,同时观看过滤网是否有杂质附着,如堵塞,会进水,压力6.5,出水压 12,这里的无Uoc,Isc是指Uoco.1V,Isc12.2、外观上,放反的电池片是在二次清洗完成以后至PE 镀膜之前,由于特殊缘由造成扩散面（N 型）向下,非扩散面（ P 型）向上,在非扩散面镀膜,当
7、测试时间线照在非扩散面时,根本没有电流产生,所以效率接近 0.在外观上,放反的电池片扩散工艺正常,二次刻蚀也正常,所以在扩散面的边缘会有刻蚀痕迹显现,当扩散面放反时,这些刻蚀痕迹会显现在电池片的背面,但是背面我们会印刷上背电场,在背电场的边缘会有刻蚀痕迹.而未扩散的电池片,由于没有进行扩散,所以没有形成磷硅玻璃,而磷硅与玻璃具有亲水性,能够吸 附 HF 和磷硅玻璃以及磷硅玻璃以下的硅层反应,进而把PN 结去除,假如没有磷硅玻璃,电池片的表面出现钝化成效,所以阻碍了HF 和硅层反应,所以此时,从外观上看,电池片的正面和背面都没有刻蚀痕迹.3、P-N 型.通过使用万用表测量电池片的P-N 型,也可
8、以确定为何种G 档片,未扩散的电池片,正 反面都没有 PN 结,即都不存在N 型导电区域,所以在使用万用表测量其表面电阻时,它的值应在10 4左右.而扩散面放反的电池片,其正面也是P 型区域,表面电阻为10 4左右,但背面应当存在 N 型区域,用万用表测量表面电阻时,就在10 左右.引起 Rs 偏大的缘由： 1、如发觉某个时间以后,突然整体偏大,或是间断性显现Rs 偏大,是很有可能为印刷成效不好造成栅线和硅片之间没有形成合金层,有间隙,造成Rs 偏大,而此时的印刷成效与压 力很相关, 将压力增大, 然后再等一会, 观看成效, 一般会好转. 2、一般 Uoc,Isc 偏低的 Rs 大的 G 档片
9、, 有可能为烧结缘由造成的.而Uoc,Isc偏高的 Rs 大的 G 档片有可能为方块电阻偏高的缘由造成的.高串联电阻片：烧结后的电池片,经测试,串联电阻高达10u 以上.缘由： 一是烧结温度与正电极浆料不匹配.二是正电极浆料被污染.三是由于正电极印刷不良.四是可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_方块电阻反常.学习资料 名师精选 第 3 页,共 19 页 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_处理方法： 第一停止正电极印刷后硅片的流出,检查烧结工艺是否有报警,然后用调墨刀把正电极网版底部的浆料铲出去,添加新浆料试印刷5 片流下去看成效,假如串联电阻仍是比较高,重新换掉网版试
10、印刷 5 片流下去看成效,问题仍没有解决的话重新开一瓶新浆料.测方块电阻,取3 片 Rs10m ,再取 Rs 正常的 2 片电池片去测量方块电阻进行对比,如有差异（即Rs 偏大与方块电阻的数值偏大正相关） ,就说明这是由于方块电阻反常偏大所导致的Rs 偏大,通知扩散工艺员.需要我们对前道工艺有所明白.（比如各个中心方阻掌握在多少,是双面扩仍是单面扩,大绒面和小绒面,酸制绒和碱制绒,干刻和湿刻都需要明白清晰）假如测试机有问题,先走标片,再走重复性,最终互测,观看是哪一个参数有反常,假如是串联电阻互测偏差较大（大于0.5m ）引起填充因子的偏差,就需要通知设备人员到场解决.假如烧结炉有问题,炉温波
11、动较大（温度波动超过6）上升炉温或是降低炉温观看一下成效.第三台丝印机有问题,先更换浆料观看成效,再调剂印刷参数观看成效.然后再排查一下前两台印刷机是否有问题.工艺员的处理原就：先搞清晰问题是否真的发生.问题为什么发生.善后和防止此类问题再次发生排查反常情形的缘由时最常用的,最有说服力的方法就是对比试验：测试系统的互测（10 片）烧结炉的精确对比（20 片）丝印 +烧结的精确对比（20 片）丝印整条线的精确对比（100-200 片）在遇到突发的反常情形时：先看一下从其他线拿几片电池片在显现反常的生产线测试一下,排查一下测试在看一下烧结炉温图像是否有反常再看一下正电极是否刚加入浆料.分析反常电池
12、的方法有：电性能 / 数据趋势分析外观（包括测试栅线宽度）EL 测试方块电阻PN 型测试打磨 / 重烧电性能 / 数据趋势分析：开路电压、短路电流和漏电是实测的值,即便是反常电池片这三个值也是可以反映电池片的性能.而串联值和填充因子是通过IV 曲线来模拟近似运算出来的结果,在测试反常的电池片时IV 曲线可能是较特殊的曲线,而此时模拟近似处理的结果有可能就不精确了,例如：串联成百上千,或是负数等,只能作为参考值.常见的问题可以通过数据趋势的分析大致得到结论,从而节约了排查时间,提高精确性.常见问题：理论上每一片电池的电性能都是不同的,他们的温度和光强也是不同的.假如发觉他们的测试结果有一项始终是
13、相同的,这就极有可能是测试机显现了问题.例如测试温度始终是一样的,那就有可能是测温探头失灵了.光强始终是一样的,那就有可能标片上有异物盖上了,或是氙灯坏了.可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_无开压和短流,而且漏电很大的情形极有可能为放反或是未扩散.开压短路低一些,而且串联电阻偏低的情形有可能为片源问题. 短路电流偏高而串联电阻偏高,有可能是栅线印刷过窄造成的. 短路电流偏低有可能是栅线印刷过宽造成的.开压和短流偏高,串联很高,有可能是方阻扩散较大造成.开压短流正常,只有串联很大时,有可能是浆料问题也有可能是烧结炉的问题.假如一条线和另一条线相比串联很稳固,只是稍大1m 左右,有可
14、能是测试串联偏大,有可能是烧结炉温设定的问题,也有可能是栅线宽度的问题,也有可能是浆料稍微污染.外观排查：观看电池片的边缘是否有漏浆（漏电大）观看电池片是否有印裂（漏电大）观看电池片是否有击穿（漏电大）观看电池片是否有边框拉毛（漏电大）观看电池片是否严峻的网纹（效率低,漏电大）观看电池片是否有微晶（效率低,漏电大）观看电池片是否有黑边（黑边很重,有可能漏电大.没有刻蚀痕迹,也可能漏电大,但打磨有效）观看电池片背面是否有滚轮印（有可能漏电大）观看电池片背面是否有铝刺观看电池片背面是否有鼓包（温度过高,印刷不匀称或浆料搅拌不匀称）观看电池片背面是否有脱落和掉粉观看电池片背面边缘是否发白（PE绕射）
15、 观看电池片是否有正电极脱落背电极（印刷过厚）测量电池片的细栅线宽度是否超过范畴（120 m）外观排查总的原就是：不影响电性能,不影响包装碎片,不影响焊接EL测试：EL 正偏发亮的区域表示此区域结特性正常,发暗的区域说明一种可能是这个区域的少子寿命很低,载流子无法起到传送电流的作用,另一种可能是这个区域电极和电池片之间的接触电阻很大,仍有一种可能是没有形成pn 结.EL反偏发亮的区域的区域说明该区域有漏电,发暗的区域说明该区域没有漏电.方块电阻使用四探针测试未烧结之前的电池片更有说服力.单晶方阻45 5多晶方阻546 是目前扩散的正常方阻.但是假如在烧结之后测试到方阻为70 以上的时候,这就说
16、明方阻有问题.pn 型测试使用万用表的K 档,测量其表层的电阻值. 1,假如电池片表层有氮化硅层,而氮化硅层不会导电,将会影响其测量的阻值.所以需要使用探头将电池片表层反复磨蚀,去掉氮化硅的颜色才可以进行测量.2,两个探头间相距0.5cm 左右3,当测得的结果为10100 左右时,即为N 型导电层.当测得的结果为10000 左右时,即为P 型导电层.N 型导电层导电电阻值低的缘由：1,在扩磷的过程中,扩散面相对与基底为重掺杂,所以产生的导电离子较多,所以电阻值会降低.2, N 型导电粒子比P 型导电粒子更为活泼,导电才能更强.正常情形下电池片正面为n 型,电池片的背面为p 型,假如测试到电池片
17、的正面为p 型就说明正面没有扩散进入磷,或者是扩散的磷被刻蚀掉了.打磨 / 重烧可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_针对漏电较大的电池片,而且外观上没有看到刻蚀痕迹,EL 图像显示漏电发生在电池片边缘,可以进一步进行打磨,但是要留意一下几点：使用细砂纸进行打磨,否者简洁蹦边.电池片的每一个边缘都必需要打磨到,导角处也肯定要打磨洁净.丝印的返工片不需要打磨,它确定没有成效.针对怀疑没有烧结透的电池片,可以重烧一下.重烧之前需要测试电性能,以便和重烧后的电性能对比.重烧的时候需要在电池片下面垫上假片,防止背场铝珠.假如重烧以后串联降低,就有可能是未烧透.假如重烧后串联增加,漏电增大,就
18、有可能是过烧了.漏电缘由1、印刷铝浆时网版的漏浆及承印面感光纸没有准时更换所致.2、表面杂质：主要是生产过程中环境 因素影响,在镀膜面上留下杂质,印刷时假如和电极重合,在高温烧结时进入PN 结导致漏电. 3 、浆料污染：银浆长期暴露在空气中,多次印刷过程中有杂质混入,最终表现出来漏电.4、烧结温度的掌握,假如烧结温度过高或是硅片本身某个区域有很深的制绒深洞,在烧结时就会造成烧穿,Irev1 增加.5、扩散时,某些区域扩散的 P 很薄,或是没有扩散,就会造成正极和背场导通造成Irev1 很大.6、在硅片的生产传递的任何一个环节,对硅片的污染（即便戴上乳胶手套或是吸笔的碰触）均会引起Irev1偏大
19、.单晶更为明显,板 P 更为明显. 7、微晶片（ 1 厘米内晶粒数目达到或超过10 个）,在有微晶的位置,杂质C 和 O 含量较高,更简洁造成Irev1 很大.8 、网纹存在的位置氧含量较高,更简洁被腐蚀,绒面更深,所以外观上发暗,也更简洁击穿或是Irev1 偏大.9、硅片本身的杂质含量较高的硅片猛烈依靠背场的钝化和吸杂,如存在背场或是背电极印偏的情形有背面没有被背场Al 浆所掩盖的话, 这个区域由于没有经过钝化和吸杂简洁显现 Irev1 偏大.烧结炉温度波动较大：10-30 度属于炉温反常波动,在有电池片在炉内的情形之下,一般炉温波动在5 度以内,基本是直线,高功率的加热区所使用的加热管易显
20、现这种问题,烧结炉长期关闭冷却,重新使用时和新换上高功率的加热管时易显现这问题.缘由： 当烧结区温度过高时,达到温度掌握的上限时,加热管所显示的功率逐步接近0% ,表示加热管停止工作.此时,炉温开头下降,烧结区的温度急剧下降,降到烧结温度的掌握下限以下,此时加热管全速启动来加热升温, 加热管所显示的功率由0% 上升到最大值 （一般设定为 70% ）,很快烧结区的温度又变得过高,达到和越过温度掌握的上限,如此循环往复,炉温记录曲线图象接近正弦波,周期为4.5min. 解决方案： 1、炉温波动过在大的本质是,加热管功率猛烈起伏,接近于共振,而解决共振的一个方法学习资料 名师精选第 6 页,共 19
21、 页 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_便是扰动,将烧结炉完全关闭冷却,再重新启动,相当于一次完全的庞大的干搅,但不是肯定会好转.2、在烧结区的炉温超过下界时,加热管的功率加大,正在全速加热时,通过减小加热管输出功率的方法,减缓炉温上升的速度,使炉温渐渐上升到平均值,进而达到稳固,但是简洁造成炉温猛烈波动,引起G 档和DE 档片,同增,要谨慎使用.3、通过掌握输出功率的大小的将炉温维护在比较稳固的水平,维护一段时间炉温比较稳固.炉温急停的处理方法：1、通知设备尽快将传送带启动,将全部烧结炉内的电池片取出.在取出的过程中要留意,接近出口的3-5片可以正常流入测试,背场发黄,变色或是
22、部分发黄变色,为过烧,过烧的电池片也不必截下,都可以交给质量组进步行外观判定.2、将其它全部烧结炉内的电池片尽快取出（保证正面对正面,背面对背面,防止将正面污染,造成Irve1 档）,假如烧结停立刻间过长,取出未烧透的电池片,流出时会有背电场脱落,正电场部分脱落的现象,将这两类片子取出待处理,将其它片子取出,再次流入烧结炉,取出后交给质量组进步行外观判定.3、将栅线脱落的电池片交给质量组进步行外观判定.4、将背场脱落严峻的电池片,背场刮净待以后重新印上背场,背场部分脱落,又无法刮净的电池片交给质量.5、统计由于烧结急停造成的碎片,由栅线脱落背场脱落,铝珠,弯曲等造成碎片,以及印残（栅线脱落等造
23、成的印残）.6、重新开线,确认炉温,冷却水等.取片子时,针对那些背场未烧透,发白的电池片,要用泡沫盒或用插片盒装盛,此时的背场极易脱落和划伤,当心拿取,且不益存放时间过长,应准时处理.7、烧结炉报警灯的顶端红灯如是亮起,代表烧结炉在2 分钟以内确定会停止工作,要通知丝印,停止生产.加热管的结构形式：为实现烧结段的温度尖峰,需在很短的炉膛空间内布置足够的加热功率,目前,有短波孪管和短波单 管两种结构可以挑选,其线性功率密度均达到60KW/m2 .虽然短波孪管拥有更高的单根功率（相当于两根单管并联）,但由于其制造工艺复杂, 对石英玻璃管的质量要求更高,制造成本约是单管的2.5 倍.因此,可编辑资料
24、 - - - 欢迎下载精品_精品资料_在实际使用中,大多采纳单管.学习资料 名师精选 第 7 页,共 19 页 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_加热管的固定形式：烧结段的温度峰值在850 度左右,此时灯管的表面温度将达到1100 度,接近石英管的使用极限,略微过热产愤怒孔就会马上烧毁灯管.而在灯管的引出导线部位,由于焊接导线的金属片和石英玻璃密封在一起,二者热膨胀系数不一样,假如此处温度过高就会产生应力裂纹,造成灯管漏气.因此,灯管在炉膛中的固定方式特别重要.炉管结构设计：太阳能电池片的烧结工艺打算了相邻两个温区的温度会有 300 度以上的落差.虽然辐射加热具有很好的定向性,
25、但是在灯管和基本之间由于炉膛气氛的存在, 在一部分能量会因对流和空气的冷却作用而缺失, 同时,高温区的热量有向相邻低温区扩散的趋势,这种热扩散会抬高相邻温区的实际温度,阻碍温度尖峰的形成.因此,如何削减空气的热缺失和相邻温区的热扩散是炉膛结构设计的重点.整个炉膛实行大加热腔小通道的结构,大加热腔可以供应足够的热量,削减热震荡,提高炉膛的温度匀称性.小通道可以使每个温区的空间相对独立,削减对流,降低相邻温区间热扩散干扰,由于硅基片厚度曲线测量器件从炉膛通过,一般有效高度在 30mm 左右.气氛布置：1、烘干炉的气氛布置.辐射加热快速烘干浆料中的有机溶剂和水分,为有效的将废气排出, 需领先合理的气
26、氛流向. 外界的冷空气由鼓风机送入加热器, 被加热到约 200 度,从顶部进入炉膛, 分成左右两段, 通过对流将烘干过程产生的废气携带至废气收集管,在抽气烟囱的作用下排出炉膛.通过这种强制热风对流循环,炉膛内的废气定向有序的排出,削减了对基片的污染.2、预烧段的气氛布置.辐射加热在快速提高基本温度的同时,也会因灯管布置间距,电流通断时间, 辐射角度变化而造成基本受热不匀称.而在炉膛内通入肯定量的热空气,奇妙利用对流搅拌作用,使温度分布更加匀称,排除了基片产生热应力的隐患.此外,预热时随着温度上升,浆料中的铝离子开头扩散挥发,为防止基片正反两面金属离子交叉污染,如何形成上下温区互不干扰的气氛流向
27、是设计的重点.3、烧结段的气氛布置. 烧结段灯管的表面温度极高, 此处气氛布置的主要目的是利用空气的冷却效应, 使灯管保持在安全的使用温度以内.冷压缩空气自炉膛两侧的连接嘴通入,从灯管与安装孔的间隙吹进炉膛,一方面冷空气经过耐火层时被逐步加热,不会对温区温度产生扰动.另一方面,冷空气在灯管表面形可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_成一层很薄的冷却层,防止灯管过烧,并给冷端降温精.选名师 优秀名师 第 8 页,共 19 页 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_4、降温段的气氛布置.降温段的气氛布置相对简洁,主要作用是阻隔烧结段的热量扩散,因此,在烧结段与降温段之间的过度区
28、,布置数道垂直的压缩空气气幕,并结合水冷钢套的作用使热能被完全阻隔在烧结段内.金属化工艺烧结过程下面 Ag-Si 合金-背面 Al-Si 合金-H 扩散进入 Si 体相,钝化缺陷和杂质.优化接触需三个过程有机协作： 1、正表面形成均一,低电阻和高分流电阻的欧姆接触,以提高 Uoc 和 FF .2、H 深化扩散进入材料体相并钝化杂质和缺陷,以产生高 Isc 和 Uoc .3、背面 Al-Si 合金区需形成大的 P+-P 场,降低背面复合,提高 Uoc.烧结对三个过程的影响方式不同：温顺烧结能得到较好的正面接触,但是 H 无法深度扩散入体相.强力烧结虽可得到好的背电场,但导致正面结合的分流 即并联
29、电阻减小及 H 的溢出.使电池效率最大化的一种方法是 Tailor 三个参数：氮化硅层,正面的银浆,背面的铝刺,使它们的功能在同一个温度时间过程中达到极大值. Al-Si 合金共熔温度 835 度, Ag 的熔化温度 961.9 度,而现在的温度均低于这两个值.烧结对电池片的影响：相对于铝浆烧结,银浆的烧结更重要许多,对电池片电性能影响主要表达在串联电阻和并联电阻,即FF 的变化.铝浆烧结的目的使浆料中的有机溶剂完全挥发,并形成完好的铝硅合金和铝层,局部的受热不均和散热不均可能会导致起包,严峻的会起铝珠.背场经烧结后形成的铝硅合金, 铝在硅片中是作为P 型掺杂,它可以削减金属与硅交接处的少子复
30、合,从而提高开路电压和短路电流,改善对红外线的影响.反常情形处理流程一、Rs 偏大1、 将 Rs 偏大的电池片取出重新测试,检查是否为测试偏差导致的Rs 偏大.可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_2、 测试 Rs 偏大的电池片的栅线高宽,确认是否为印刷（只指印刷状态）导致.学习资料 名师精选 第 9 页,共 19 页 可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -3、 测试 Rs 偏大的电池片和正常的电池片的方块电阻,看两者之间是否存在差异.4、 做交叉对比试验,确认为印刷工序（包括印刷状态和浆料）或烧结工
31、序的问题.5、 拉炉温检测炉温是否在正常范畴内,如超出范畴可适当调整.可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_检查电阻率是否 0.5-3Rs偏大检查是否为测试导致可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_测试偏差导致非测试导致检查栅线印刷高宽检查探针及夹手栅线高宽反常栅线高宽正常检查方块电阻检 查 印 刷 零 点和网版刮刀方块电阻反常方块电阻正常可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_通知扩散,并检查未印刷的电池片,防止方块电阻大的电池片再流入丝网印刷浆料问题更 换 网 版刮刀,并报废浆料做交叉对比试验,确认浆料或烧结问题烧结问题拉炉温,依据 炉 温 曲线调整可编辑资料
32、- - - 欢迎下载精品_精品资料_二、 Irev1 偏大1、取磨砂纸打磨电池边缘,使边缘露出亮亮的硅本色.重新测试观测漏电是否改善.2、统计两条线数据,检查Irev1 是否有差异3、检查烘干炉托盘和印刷轨道是否清理洁净可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 10 页,共 19 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -Irev1 偏大打磨电池片边缘漏电好转漏电无改善可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_
33、精品资料_通 知 扩 散检 查 等 离子刻蚀,并要 求 生 产将 漏 电 大的 电 池 片重新打磨无差异可 适 当 依据管 P 或板P 变换调整烧结, 但调整 幅 度 要小,无成效有差异印刷导致漏电大统计两条线漏电差异（同一片源）做对比试验烧 结 炉 导致 的 漏 电大可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_复原清 理 烘 干炉 托 盘 及印刷轨道, 更 换 正 面电 极 浆 料网 版 及 刮刀,确认是否 沾 污 导致.如为人为 操 作 导致的沾污, 记 录 并 通知其领班拉 炉 温 确认工艺后, 可 作 适 当调剂. 在产能 允 许 的情形下,也可 做 烧 结炉清洗可编辑资料 - -
34、 - 欢迎下载精品_精品资料_三、两条线效率差异1、检查两条线同一片源差异大小.如数据较稳固,可通过500 片以上数据来判定差异.如数据波动较大,必需通过2022片以上的数据来确认差异大小.2、取 10 片电池片（单晶取B3-1,多晶取C3-1 档）,分别在两线测试,检查测试有无差异.可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_3、统计两条线数据,检测产生效率差异的参数为哪个.依据相关参数来调剂.学习资料 名师精选 4、确认非丝印烧结情形下,可支配PECVD交换对比试验.- - - - - - - - - -第 11 页,共 19 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 -
35、- - 欢迎下载精品_精品资料_资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -两条线测试差异统计同一片源差异可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_数据量少,暂不调整,再观看数据足够, 确 认 存 在差异可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_检查测试差异测试存在差异测试无差异检查引起差异的参数通知质量校正可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_RsRshIrev1RshIrev1正UocIsc 偏低可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_常, FF偏低检 查 印 刷 烧检 查有无检 查 背 场结,炉温偏高或偏低都会导致串联偏大沾 污
36、, 适 当降炉温或低PECVD对比试验印刷, 可适当 提 高 带速和炉温四、电池片弯曲1、 检查背电场印刷重量是否正常125 单晶： 0.90.05g156 多晶： 1.50.10g2、 检查电池片厚度（重量）是否正常可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_125 单晶：重量应大于5.3g学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 12 页,共 19 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -156 多晶：重量应大于9g3、印刷重量调剂方法：适当减
37、慢印刷速度可降低过墨量,但调剂后务必记录丝网印刷参数更换表,正常后应复原印刷速度.加大印刷压力可降低过墨量使用高目数网版可降低过墨量电池片弯曲检查背电场印刷重量是否正常可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_印刷重量偏大印 刷 重量正常可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_调 节 印 刷 参数,使印刷量至正常范畴如 调 节 无成效, 是否为 设 备 零点漂移,通知 设 备 处理硅片偏薄适 当 调 节印 刷 参 数或 使 用 高目数网版, 使 印 刷 量低 于 正 常范畴. 但硅片 厚 度 正常后, 须复原 印 刷 工艺检查硅片厚
38、度重量是否正常硅片正常检 验 烧 结炉温,可做适当调剂可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_粘片： 在印刷硅片的时候,硅片脱离工作台而粘到丝网上导致印刷故障.缘由：硅片与工作台之间的力小于丝网与硅片之间的力,缘由是浆料变稠, 有可能是网版的张力变小,也有可能是印刷工艺参数的零点漂移造成的.处理方法： 第一确定浆料是否太稠,假如不是很稠,用调墨刀把网版底部的浆料铲出去,添加新浆料可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 13 页,共 19 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_
39、精品资料_试印刷,不能解决更换新网版,新网版也不能解决可以调剂工艺参数snap off和 down stop .假如网版上的浆料很稠,重新换网版和浆料.弯曲片： 烧结后出来的电池片的弯曲度大于1.5.缘由： 一是由于本身硅片太薄.二是烧结温度过高.三是由于印刷的背场过厚.处理方法： 第一检查烧结工艺是否正常,正常的情形下测量下镀膜后硅片的厚度,假如厚度小于180um ,不适合做,厚度在180-200um之间,调下背电极的Snap off和 down stop, 增大压力,调慢印刷速度.主栅线脱落的缘由： 主栅太厚, PV159 浆料易显现这种主栅线脱落的现象,将压力增加,大于80N ,保证刮刀平整,一般不会有主栅线脱落的问题,日本浆料也显现过这种情形.一般为刮条不平整有弯曲现象,而在弯曲的位置,易造成印厚或是虚印,但是把压力加大,又易造成爆版.方块电阻： 单位厚度单位面积上的电阻值称为方块电阻,单位为欧姆 /平方/密耳.单位厚度为密耳. 1 密耳=25um ,用/口（ 25um 厚度下）表示,运算方法： 1、测出被测线路的长度 L,线路的宽度 W 和线路 T（密耳）.2、用欧姆表测出线路两端的电阻读数 R（欧姆）.3、L/