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1、光刻工艺流程 张少军陕西国防工业职业技术学院 电子信息学院 电子*班24号 710300摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除去的工艺，在此之后，晶圆外表会留下带有微图形构造的薄膜。被除去的局部可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状局部。 关键词：光刻胶；曝光；烘焙；显影；前景Abstract: photoetching lithography (is) through a series of steps will produce wafer surface film of certain parts of the process, remove af
2、ter this, wafer surface will stay with the film structure. The part can be eliminated within the aperture shape is thin film or residual island.Keywords: the photoresist, Exposure; Bake; Enhancement; prospects1根本光刻工艺流程从外表准备到曝光光刻十步法外表准备涂光刻胶软烘焙对准和曝光显影硬烘焙显影目测刻蚀光刻胶去除最终目检。根本的光刻胶化学物理属性 组成聚合物+溶剂+感光剂+添加剂,普通
3、应用的光刻胶被设计成与紫外线和激光反响，它们称为光学光刻胶optical resist，还有其它光刻胶可以与X射线或者电子束反响。负胶：聚合物曝光后会由非聚合态变为聚合状态，形成一种互相粘结的物质，抗刻蚀的，大多数负胶里面的聚合物是聚异戊二烯类型的，早期是基于橡胶型的聚合物。正胶：其根本聚合物是苯酚-甲醛聚合物，也称为苯酚-甲醛Novolak树脂，聚合物是相对不可溶的，在用适当的光能量曝光后，光刻胶转变成可溶状态。光刻胶的表现要素分辨率：resolution capability、纵横比-aspect ratio光刻胶厚度与图形翻开尺寸的比值、正胶一般比负胶有更高的纵横比。粘结能力：负胶的粘结
4、能力通常比正胶强一些。曝光速度、灵敏性和曝光源：反响速度越快，在光刻蚀区域晶圆的加工速度越快；灵敏性是与导致聚合或者光溶解发生所需要的能量总和相关的；波长越短的射线能量越高。工艺宽容度：工艺维度越宽，在晶圆外表到达所需要尺寸的可能性就越大。针孔：针孔是光刻胶层尺寸非常小的空穴，光刻胶层越薄，针孔越多，典型的权衡之一；微粒和污染水平、阶梯覆盖度和热流程。正胶和负胶的比拟直到20世纪70年代中期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，到20世纪80年代，正胶逐渐被承受。两者相比优缺点如下：正胶的纵横比更高、负胶的粘结力更强曝光速度更快、正胶的针孔数量更好阶梯覆盖度更好，但本钱更高、正胶使用水溶性溶剂显影
5、而负胶使用有机溶剂显影。 光刻胶的物理属性固体含量：solid content 一般在20%-40%。粘度：测试方法有落球粘度计量器、Ostwalk-Cannon-Fenske方法、转动风向标法、粘度单位是厘泊centipoise，另一种单位称为kinematic粘度，它是centistoke，由 粘度厘泊除以光刻胶密度而得到，默认温度为25度。折射系数：index of refraction。储存与控制： 光热敏感度、粘性敏感度、清洁度光刻工艺剖析 1.3.1外表准备微粒去除：高压氮气吹除、化学湿法清洗、旋转刷刷洗、高压水流。脱水烘焙：低温烘焙150200，憎水性-hydrophobic 亲
6、水性-hydrophilic晶圆涂底胶：HMDS六甲基乙硅烷 沉浸式涂底胶、旋转式涂底胶、蒸气式涂底胶。 涂光刻胶普通的光刻胶涂胶方法有三种：刷法、滚转方法和浸泡法，IC封装用光刻胶的涂布方法如下：静态涂胶工艺、动态喷洒、移动手臂喷洒、手动旋转器、自动旋转器、反面涂胶。 软烘焙热传递的三种方式：传导、对流和辐射；常用的软烘焙加热方式如下：对流烘箱、手工热板、内置式单片晶圆加热板、移动带式热板、 移动带式红外烘箱、微波烘焙、真空烘焙。对准和曝光A&E对准系统的性能表现：对准系统包含两个主要子系统、一个是要把图形在晶圆外表上准备定位，另一个是曝光子系统，包括一个曝光光源和一个将辐射光线导向晶圆外表
7、上的机械装置；对准与曝光系统：光学接触式、接近式、投影式、步进式，非光学X射线、电子束；曝光光源：高压汞灯、准分子激光器、X射线及电子束。对准法那么：第一个掩膜版的对准是把掩膜版上的Y轴与晶圆上的平边成90放置，接下来的掩膜都用对准标记又称靶与上一层带有图形的掩膜对准。对准误差称为未对准misalignment。曝光后烘焙PEB：驻波是使用光学曝光和正性光刻胶时出现的问题，一种减少驻波效应的方法是在曝光后烘焙晶圆，PEB的时间和温度的规格是烘焙方法、曝光条件以及光刻胶化学所决定的。2根本光刻工艺流程从曝光到最终检验显影通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影，显影技术被设计成使之把完全一样的掩
8、膜幅员案复制到光刻胶上。负光刻胶显影二甲苯或stoddart溶剂显影，n-丁基醋酸盐冲洗。 正光刻胶显影碱氢氧化钠或氢氧化钾+水溶液、或叠氮化四甲基铵氢氧化物的溶液TMAH。湿法显影沉浸-增加附属方法提高显影工艺，机械搅动、超声波或磁声波等；喷射-对负胶而言是标准工艺，对温度敏感的正胶却不是很有效，隔热冷却adiabatic cooling；混凝-是用以获得正胶喷射显影工艺优点的一种工艺变化；等离子去除浮渣-不完全显影造成的一个特俗困难叫做浮渣scumming，用氧等离子去除。 干法或等离子显影干法光刻胶显影要求光刻胶化学物的曝光或未曝光的局部二者之一易于被氧等离子体去除，换言之图案的局部从晶
9、圆外表上氧化掉，一种DESIRE的干法显影工艺会使用甲基硅烷和氧等离子体。硬烘焙与软烘焙一样通过溶液的蒸发来固化光刻胶，常见工艺流程如下:显影检验硬烘焙刻蚀；显影/烘焙检验刻蚀；显影/烘焙检验重新烘焙刻蚀；硬烘焙温度的上限是以光刻胶流动点而定，高温烘焙会产生边缘线等不良现象。显影检验develop inspect DI目的是区分那些有很低可能性通过最终掩膜检验的晶圆、提供工艺性能和工艺控制数据、以及分拣出需要重做的晶圆。晶圆被返回掩膜工艺称为重新工艺处理rework或redo10% 5%比拟理想。2.3.1检验方法人工检验1倍检验、显微镜检验随机抽样random sampling、关键尺寸Cr
10、itical Dimension，CD、自动检验。2.3.2显影检验拒收的原因检验遵循“首先-缺乏first-fail basis原理，碎晶圆、划伤、污染、小孔、MA、桥接、不完全显影、光刻胶翘起、曝光缺乏、无光刻胶、光刻胶流动、不正确的掩膜版、CD2.4刻蚀主要有湿法和干法刻蚀，两种方法的主要目标是将光刻掩膜版上的图案准确地转移到晶圆的外表，其他刻蚀工艺的目标包括一致性、边缘轮廓控制、选择性、干净度和所有权本钱最低化。湿法刻蚀历史上的刻蚀方法一直是使用液体刻蚀剂沉浸的技术，对于晶圆被刻蚀剂污染的担忧由增加出口过滤器point-of-use filter来解决；不安完全刻蚀、过刻蚀overet
11、ch、各向异性刻蚀anisotropic、各向同性刻蚀isotropic、底切undercutting、选择性selectivity。硅湿法刻蚀：硝酸加氢氟酸的混合水溶液，醋酸等可用来控制放热反响。二氧化硅湿法刻蚀：根本的刻蚀剂是氢氟酸(HF)，实际中用49%的氢氟酸与水或氟化胺与水混合。氟化胺NH来缓冲会加速刻蚀速率的氢离子的产生，这种刻蚀溶液称为缓冲氧化物刻蚀buffered oxide etche或BOE。铝膜湿法刻蚀：对于铝和铝合金有选择性的刻蚀溶液是基于磷酸的含有磷酸、硝酸、醋酸、水和湿化代理物16：1：1：2，可有效消除雪球snow ball等气泡现象。淀积氧化物湿法刻蚀：铝膜上的
12、二氧化硅钝化膜，一般用BOE溶液刻蚀，但容易造成Brown或stain，受青睐的刻蚀剂是氟化胺和醋酸1：2的混合水溶液。氮化硅湿法刻蚀：180热磷酸溶液，一般光刻胶承受不了此温度和刻蚀速率，改用干法。湿法喷射刻蚀：其主要优点是喷射的机械压力而增加了准确度、减小污染、可控性更强、工艺一致性更好，缺点在于本钱以及压力系统中有毒刻蚀剂的平安性和对机器老化性的考验。蒸气刻蚀：用HF蒸气在密封的系统中进展一种新的技术。小尺寸湿法刻蚀的局限：湿法刻蚀局限于3微米以上的图案尺寸；湿法刻蚀为各向同性刻蚀导致边侧形成斜坡；湿法刻蚀工艺要求冲洗和枯燥步骤；液体化学品有毒害；湿法工艺具有潜在的污染；光刻胶粘结力的失
13、效导致底切。干法刻蚀dry etching等离子体、离子束打磨刻蚀和反响离子刻蚀RIE等离子体刻蚀：桶形刻蚀机barrel etcher、平面等离子刻蚀机、电子盘旋加速器共振(ECR)、高密度反射电子、Helicon波、感应耦合等离子ICP、变压器耦合等离子体(TCP)等；等离子体系统的刻蚀率由系统设计和化学品两个主要因素决定，其它因素是离子浓度和系统压力；辐射损伤对晶圆的辐射radiation或对等离子体plasma的损伤、非导体损耗dielectric wearout、下游等离子体downstream plasma；选择性是等离子体刻蚀工艺的一个主要的考虑事项，用于控制选择性的4种方法是刻
14、蚀气体配比的选择、刻蚀率、接近工艺完毕时的气体稀释来减缓对下层的刻蚀、在系统中使用完毕点探测器，其他关注的问题还有：污染、剩余物、腐蚀以及所有权本钱。离子束刻蚀：离子束刻蚀是一个物理工艺，动力传输momentum transfer、喷溅刻蚀sputter etching或离子打磨ion milling；材料的去除是非常有方向性各向异性，导致良好的小开口区域的精细度，因为是物理工艺，离子打磨的选择性差。反响离子刻蚀RIE：结合了前二者的优点，一个主要优点是在刻蚀硅层上的二氧化硅层，RIE系统已成为用于最先进生产线中的刻蚀系统。光刻胶的去除光刻胶去除剂被分成综合去除剂和专用于正胶及负胶的去除剂，它
15、们也根据晶圆表层类型被分成有金属的和无金属的。无金属外表的湿法去除：硫酸和氧化剂溶液过氧化氢或过硫酸盐胺、硝酸做氧化剂。有金属外表的湿法化学去除：酚有机去除剂、溶液/ 胺去除剂、特殊湿法去除剂。干法去胶：等离子场把氧气激发到高能状态，因而将光刻胶成分氧化为气体由真空泵从反响室吸走Ashing。离子注入后和等离子去胶：一般地用干法工艺来去除或减少光刻胶，然后加以湿法工艺。 最终目检与显影检测是一样的规程，只是大多数的拒收是无法挽回的，在显影目检中应已被区分并从批料中拿出的晶圆叫做“显影目检漏掉develop inspect escapes。3高级光刻工艺ULSI/VLSI集成电路图形处理过程中存
16、在的问题光学曝光设备的物理局限、光刻胶分辨率的限制、许多与晶片外表有关的问题；使用光学光刻技术解析0.5微米和0.3微米的图形需要对虚像aerial images有很好的控制，控制方法主要从三个方面入手：光学系统分辨率、光刻胶分辨率和晶片外表问题，第四个方面是刻蚀图形定义问题。 光学系统分辨率控制光刻分辨率工艺路线图I线I线+ARII线+OAI/深紫外光/深紫外光+OAI或PSMI线+ OAI或PSM/深紫外光+ARI或OAII线+PSM/深紫外光+OAI或PSM深紫外光+PSM最小分辨率减小，ARI环形灯光源、OAI偏轴光源、PSM相位偏移掩膜。改良的曝光源：紫外光UV和深紫外光DUV，汞灯
17、I线365nm H线405nm G线436nm 中紫外线313nm、深紫外线245nm。受激准分子激光器：XeF 351nm XeCl 308nm RF 248nm AF 193nm。聚焦离子束：系统稳定性非常差。X射线：需要特制掩膜版金做阻挡层、本钱非常高。电子束：电子束光刻是一门成熟的技术，无需掩膜版，直接书写direct writing，光刻胶曝光顺序分为光栅式和矢量式；本钱也比拟高。其他曝光问题镜头的数值孔径NA、可变数值孔径透镜景深DOF和视野、离轴光线；比照效应、景物反差；周相移动掩膜版PSM、交互狭缝AAPSM、亚分辨率及镶边周向移动掩膜版；光学临近纠偏掩膜版OPC ；环孔照射a
18、nnular ring illumination。掩膜版薄膜pellicle是一层在框架上拉伸平铺的无色有机聚合物薄膜，用硝化纤维NC或醋酸纤维AC制成。 晶圆外表问题外表的反射率、外表地形差异、多层刻蚀等等光刻胶的光散射现象；光刻胶里面的光反射现象；防反射涂层ARC/上涂防反射层TAR；驻波问题，用PEB曝光后烘焙、染色剂、防反射涂层等方式改善；平整化解决景深问题，解决阶梯处由光反射造成的金属图形凹口等问题。先进的光刻胶工艺 复层光刻胶/外表成像双层或三层光刻胶工艺，便携式共形层portable conformal layer。硅烷化作用/DESIRE工艺扩散加强硅烷化光刻胶，硅烷化反响si
19、lyation process、顶面成像TSI, top surface image。3.7化学机械研磨CMP可以到达晶圆外表整体平整化；研磨移去所有外表物质；适用于多种物质外表；使高质量的铜制程和铜化金属层称为可能；防止使用有毒气体；费用低。主要参数如下：研磨垫的构成、研磨垫的压力、研磨垫旋转速度、机台旋转速度、磨粉浆的流速、磨粉浆的化学成分、磨粉浆的物质选择性、外表物质、几何图形。 研磨垫由铸型用聚亚氨酯泡沫材料和填料、聚亚胺酯填充垫等制成，具有多孔性、压缩性和硬度等特性。磨粉浆细小的硅石、三氧化二硅、添加剂等，关键参数是PH值、流动力学参数和磨粉浆刻蚀选择性。研磨速度主要影响因素有研磨垫的参数、磨粉浆的种类和磨粉尺寸、磨粉浆化学组成等。平整性随着多层金属设计的采用，平整性并不易到达，铜、钨连接柱、钽、IDL等挑战。化学研磨后的清洗机械刷拂去或用高压水柱冲去，化学清洁一般采用与其它FEOL清洗一样的技术，需特别注意铜污染。CMP设备晶圆搬运机械手、在线测量和干净度监测装置，目标是“干进干出。光学光刻的前景由于X射线和电子束光刻技术的费用昂贵，光学系统可持续改良以满足更小图形尺寸的要求，在无光学系统技术占领半导体以前，“亚深紫外线可能会成为下一个重要的光学光刻技术进步。参考文献 1 庄同曾. 集成电路制造工艺 . 北京:电子工业出版社,2005.