模电复习资料判断选择填空.docx

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1、推断题第一章半导体 1, 少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。对二极管1, 由PN构造成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。对 2, 一般二极管反向击穿后立刻损坏，因为击穿是不行逆的。错3, 晶体二极管击穿后立刻烧毁。错 三极管1, 双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是放射结正偏，集电结也正偏。错2, 三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. 错3, 三极管处于截止状态时，放射结正偏。错4, 晶体三极管的放射区和集电区是由同一类半导体P型或N型构成的，所以极e和c极可以互换运用。错5, 当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管确定损坏。错6, 晶体

2、三极管的电流放大系数随温度的变更而变更，温度上升，削减。错场效应管1, 场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区, 截止区和饱和区。错第二章1, 技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。 对2, 根本放大电路 在根本放大电路中，假设静态工作点选择过高，简洁出现饱和失真。对3, 放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。错三种根本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。对射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。错射极输出器不具有电压放大作用。对4, 多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大沟通信号。错直流放大器只能放大直流

3、信号。错现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。错多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。错。多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。错多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。错第四章在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。对第五章差动放大器有单端输出和双端输出两大类，它们的差模电压放大倍数是相等的。 差动放大器假如留意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移。 从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级，偏置电路这几个局部组成。错差分放大器的根本特点是放大共模信号

4、, 抑制差模信号。错一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。 一个志向的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 差动放大电路的AVD越大越好，而AVC那么越小越好。 放大器级间耦合方式有三种：阻容耦合；变压器耦合；干脆耦合；在集成电路中通常接受阻容耦合。错集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。 第六章射极输出器是电压串联负反应放大器，它具有稳定输出电压的作用。 电路中只要引入负反应就可以改善电路的性能。 假设放大电路的Au小于1，那么接入的反应确定是负反应；假设放大电路的Au大于1，那么接入的反应确定是正反应。错 第八章电压比拟器工作时，在输入电压从足够低慢慢增大到

5、足够高的过程中，滞回比拟器的输出状态发生 2 次跃变。错第九章振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性 。稳定振荡器中的晶体三极管静态工作点，有利于提高频率稳定度 。放大器具有正反应特性时，电路必定产生自激振荡 。石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。 振荡电路中只要引入了负反应，就不会产生振荡信号。 第十章1, 推断图所示的电路是否能正常稳压，说明缘由。不能稳压，电路中缺少限流电阻R。2, 图所示的稳压电路接受两只硅稳压管串联，万用表测得输出电压Vo为7V，推断稳压管Vz1的稳压值是多少？稳压管VZ1的稳压值是6.3V。填空题第一章半导体1, 自然界的各种物质，依据其导电实力的差异，可以分

6、为_, _及_三大类。导体；绝缘体；半导体2, 导电性能介于导体和绝缘体之间的一大类物质统称为_。 半导体3, 最常用的半导体材料有 和 。硅, 锗4, 纯净的, 不含其他杂质的半导体称为_。本征半导体5, 杂质半导体可以分为_和_两大类。N型半导体；P型半导体6, 在导体中导电的是 ，在半导体中导电的不仅有 ，而且还有 ，这是半导体区分于导体导电的重要特征。自由电子, 自由电子, 空穴7, 假如在本征半导体晶体中掺入五价元素的杂质，就可以形成_，其多子为_，少子为_。N型半导体电子型半导体；自由电子；空穴8, P型半导体中 是多数载流子。空穴9, N型半导体中多数载流子是 ，P型半导体中多数

7、载流子是 。自由电子, 空穴10, P型半导体中多数载流子是 ；N型半导体中少数载流子是 。空穴；空穴11, N型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子，P型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。自由电子, 空穴, 空穴, 自由电子12, 假如在本征半导体晶体中掺入三价元素的杂质，就可以形成_型半导体，其多子为_。P, 空穴13, 在杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质的_，少子的浓度主要取决于_。浓度；温度PN结1, PN结的主要特性是具有_。单向导电性2, PN结具有 性， 偏置时导通， 偏置时截止。单向导电性, 正向, 反向3, PN结的导电特性是 ，其伏安特性的数学表达式是

8、。单向导电性, 略4, PN结正向偏置时 ，反向偏置时 ，这种特性称为PN结的 。导通, 截止, 单向导电性5, 当硅材料的PN结正向偏压小于 V，锗材料的PN结正向偏压小于 V时，PN结仍不导通，我们把这一数值通常称为 。0.5, 0.1, 死区电压二极管1, 当二极管所加的正向电压大于 ，二极管处于正向导通状态，呈低阻。 导通电压2, 一锗二极管正反向电阻均接近于零，说明该二极管已 ，又有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大，说明该二极管已 。击穿, 熔断短路, 断路3, 稳压管的稳压区是其在 区 。反向击穿4, 稳压二极管工作于伏安特性曲线的 区。反向击穿区5, 稳压管通常工作在_区。反向击

9、穿6, 要使稳压二极管起到稳压作用，稳压二极管应工作在 区。反向击穿晶体三极管构造1, 晶体三极管内部有三个区分别是集电区, 基区和 区。放射区2, 晶体三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做 ，另外一个叫做 。放射结, 集电结分类1, 三极管依据分层次序分为_型和_型两大类。NPN型；PNP型2, 晶体三极管有 型和 型，前者的图形符号是 ，后者的图形符号是 。NPN, PNP, 略, 略参数1, 三极管的平安工作区由三个极限参数确定，_, _, _。集电极最大允许电流；集电极最大允许耗散功率；极间反向击穿电压2, 当温度上升时，二极管的反向饱和电流将 _。增大3, 晶体管是温度的敏感元件

10、，当温度上升时其参数ICBO ，VBE ， 。放大1, 晶体三极管工作在放大状态的外部条件是 。放射结正偏, 集电结反偏2, 三极管处于放大状态的条件是放射结 ，集电结 。正偏；反偏3, 当晶体管工作在放大区时，放射结电压应为_, 集电结电压应为_ 。正偏；反偏4, 为了使三极管工作在放大区，必需使放射结_；集电结_。正向偏置, 反向偏置5, 晶体三极管有两个PN结，即 结和 结，在放大电路中 结必需正偏， 结必需反偏。放射结, 集电结, 放射结, 集电结6, 晶体三极管有两个PN结，在放大电路中 结必需加正偏， 结必需加反偏。特性1, 三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即 , 和 。放大区

11、, 截止区, 饱和区2, 三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作于截止区时，；当三极管工作于 区时，关系式才成立；当三极管工作在 区时。3, 当三极管工作在 区时，关系式ICIB才成立；当三极管工作在 区时，IC0；当三极管工作在 区时，UCE0。放大区, 截止区, 饱和区计算1, 三极管，假设，那么该管Ic= ，Ie= 。2, 假设晶体三极管集电极电流Ic=9mA，该管的电流放大系数=50，那么基极电流IB=_。3, 经测试某电路中晶体管的基极电位为，放射极电位为0V,集电极电位为5V,那么该管是 型的晶体管,工作在 状态。4, 某放大电路三极管，测得管脚直流电压分别为, 这是 管硅,

12、锗， _型，集电极管脚是 。硅；NPN；5, 三极管各电极电流的支配关系是 。场效应管1, 场效应管是一种 元件，而晶体管是 元件。2, 场效应管从构造上可分为结型和 型两大类。第二章技术指标1, 放大电路的_是指输出信号及输入信号的变更量之比。放大倍数2, 放大器的放大倍数有三种，即为 , 和 。3, 对于一个晶体管放大器来说，一般渴望其输入电阻要_些，以减轻信号源的负担，输出电阻要_些，增大带动负载的实力。分析方法1, 画放大器的直流通路时，将 视为开路，画沟通通路时，将 和 视为短路。2, 在画直流通路时，电容可以看作 路，电感可以看成 路。开断；短3, 放大器中电压, 电流的瞬时值包括

13、 重量和 重量两局部。4, 某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位Vc=Ve，那么该放大器的三极管处于_工作状态。三种组态1, 三极管三种根本联接方式分别是 , , 。2, 共放射极根本放大电路兼有 和 的作用。3, 放大电路的三种根本组态中， 组态带负载实力强， 组态频率响应好， 组态有倒相作用， 组态向信号源索取的电流小， 组态既有电压放大作用，又有电流放大作用。共集，共基，共射，共集，共射4, 单管放大电路的三种根本组态中， 电路具有电压放大倍数恒久小于1，输入电阻高，输出电阻低的特点。共集电极5, 射极输出器的特性归纳为：电压放大倍数 ，电压跟随性好，输入阻抗 ，输出阻抗 ，而且具

14、有确定的 放大实力和功率放大实力，射极输出器的反应类型是 。多级放大电路1, 常用的耦合方式有变压器耦合, 耦合和干脆耦合。2, 多级放大电路常用的耦合方式有：_耦合, _耦合和_耦合。阻容, 干脆, 变压器3, 一个沟通放大电路 能, 不能放大直流信号，一个干脆耦合放大电路 能, 不能放大沟通信号。4, 用于放大_或_的放大器,称为直流放大器。5, 直流放大器输入为零时，输出偏离其起始值的现象称为 。6, 产出零点漂移的缘由很多，其中最主要的缘由是 的影响。7, 某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB, 第二级30dB, 第三级15dB, 第四级60dB，放大器的总增益为 ，总的放大倍

15、数为 。8, 某放大器由三级组成，每级的电压增益为15dB，那么放大器的总增益是_。第三章1, _是衡量放大电路对不同频率输入信号适应实力的一项技术指标。频率响应2, 当放大电路的电压放大倍数下降到中频电压放大倍数的0.707倍时，相对应的低频频率称为放大电路的_，相对应的高频频率称为放大电路的_，二者之间的频率范围称为_。下限频率；上限频率；通频带3, 当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数的 时，所对应的两个频率分别称为 和 ，它们之间的频率范围，称为放大电路的 ，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。4, 某放大电路的电压增益为120dB，相当于 倍。10000005, 阻容耦合的多级放

16、大电路，影响低频信号放大的是 _电容，影响高频信号放大的是 电容。耦合电容；结电容第四章1, 及电压放大电路相比拟，对功率放大电路的要求是：依据负载须要， 。具有 。供应足够的输出功率；较高的效率2, 对功率放大电路进展分析常常接受_。图解法3, 功率放大器按静态工作点不同，主要可分为甲类, 和甲乙类三类工作方式。4, 乙类推挽放大器，由于三极管的死区电压造成失真现象，这种失真称为 。交越失真5, 功率放大器按工作点在沟通负载线上的位置分类有_类功放, _类功放和_类功放电路。第五章1, 集成运放的内部通常包含四个组成局部，即：_, _, _和_。输入级, 中间级, 输出级, 偏置电路2, 志

17、向运放工作在线性区时的两个重要特点用公式可以表示为：_, _。, 3, 志向运算放大器工作在线性区域时，两输入端的电位 ，输入电流均为 。 相等；零4, 志向集成运放电路中，开环电压放大倍数 ，输出阻抗 。填或0。5, 差模信号的大小 ，极性 。 相等 ，相反6, 差分放大电路中，大小相等, 极性或相位一样的两个输入信号称为 信号；大小相等，极性或相位相反的两个输入信号称为 信号。7, 差动放大器的两种输入方式为_和_。8, 差动放大器性能的好坏，应同时考虑它的_和_。第六章0, 使放大电路净输入信号减小的反应称为 反应填正, 负。1, 串联负反应使输入电阻 。增大2, 并联负反应使输入电阻

18、。减小3, 在放大电路中，假如要实现减小输入电阻的要求，应引入 反应。并联负反应4, 在放大电路中，假如要实现增大输入电阻的要求，应引入 反应。串联负反应5, 串联负反应可以使放大器的输入电阻 ，并联负反应可以使放大器的输入电阻 ，电压负反应可以使放大器的输出 稳定，电流负反应可以使放大器的输出 稳定。6, 在负反应放大电路的四种根本组态中，能增大输入电阻，减小输出电阻的是 负反应；能减小输入电阻，增大输出电阻的是 负反应。电压串联；电流并联7, 假如想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应当在电路中引入 反应。8, 负反应可以提高 稳定性；减小 和抑制 。放大倍数；

19、非线性失真；干扰9, 放大电路产生正弦波振荡的条件是 。AF=110, 负反应放大电路产生自激振荡的幅度条件是_相位条件是_。, 第七章1, RC微分电路可以将输入矩形波变换成 波。填“正负尖峰波或“近似三角波。2, 在图示电路中，uO1= ui1，uO2= ui2。 第八章1, 依据工作信号的频率范围，滤波器可以分为_滤波器, _滤波器, _滤波器和_滤波器。低通, 高通, 带通, 带阻2, HPF指的是 滤波器；BPF指的是 滤波器。高通；带通3, 有源滤波器的功能是 ，按电路的幅频特性可分为低通滤波, 高通滤波, , 和全通滤波五种。第九章1, 正弦波振荡电路可以产生振荡的条件是 。2,

20、 正弦波振荡器从构造来看，主要由根本放大电路, , 三局部组成。3, 正弦波振荡电路除了具有放大电路和反应网络外，为了获得单一的频率还应具有_，为了到达稳定的幅度还应具有_。选频网络, 稳幅环节4, 正弦波振荡器是由 , , 三局部电路组成，只有满足 和 才能产生振荡。5, 常用的RC正弦波振荡电路有 , , _三种。文氏桥式；移相式；双T选频网络6, 依据选频网络和反应电路构造的不同，LC正弦波振荡器的三种根本形式为_, _和_。变压器反应式, 电感三点式, 电容三点式选择题第一章半导体1, 在本征半导体中参加C元素可形成N型半导体，参加A元素可形成P型半导体。A. 三价 B. 四价 C.

21、五价 D. 六价2, 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 CA温度 B掺杂工艺的类型C杂质浓度 D晶体中的缺陷3, 在P型半导体中A。A 空穴是多数载流子，电子是少数载流子B 电子是多数载流子，空穴是少数载流子C 空穴的数量略多于电子D 没有电子4, 以下说法中正确的选项是B。A, 三极管具有三个PN结； B, 共基极放大电路电流放大倍数确定小于1；C, P型半导体中仅有一种载流子； D, 志向运算放大器两输入端电位确定相等 ；二极管1, 硅二极管的正向导通电压为：D2, 把电动势是1.5伏的干电池以正向接法干脆接到一个硅二极管的两端，那么该管D。A电流为零 B电流根本正常 C击穿 D

22、被烧坏3, 在如下图电路中工作于正常导通状态的二极管是C4, 二极管两端加上正向电压时A。A, 超过门坎电压才能导通 B, 超过0.7V才导通 C, 确定导通5, 二极管两端加上正向电压时B。A 确定导通 B 超过死区电压才能导通6, 电路如下图，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，那么电压AB为D。伏伏伏伏7, 电路如图一所示，电路中可以导通的二极管是 B 。A, D1导通； B, D2导通；C, D1 , D2均导通； D, D1 , D2均不导通；图一8, 电路如图一所示。二极管正向导通电压为0.7V，此电路输出电压UAB为A。A07V B12V； C6V； D12V；图一9, 如图

23、给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，其中锗二极管的特性曲线是B。A AOD B AOC C BOC D BOD稳压二极管1, 对于稳压二极管，它正常工作时是处于 B 状态。A 正向导通 B 反向击穿 C 截止 D 随外加电压变更而变更2, 稳压管工作在D。A, 正向导通区 B, 反向截止区 C, 死区 D, 反向击穿区3, 如以下图所示，U1稳压值为8V，U2稳压值为6V，那么UAB=B。A 14V B 8.7V C 6.7V D 2V4, 电路如图二所示。 ，稳压二极管正向导通电压为0.7V。那么此电路的输出电压UAB为B；A1.4V；B6.7V；C30V；D12V；图二三极管1, 当晶

24、体管工作在放大区时，放射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏, 后者也反偏 B. 前者正偏, 后者反偏 C. 前者正偏, 后者也正偏 D. 前者反偏, 后者正偏2, 在三极管输出特性曲线中，当IB=0时，ICC。ICMICBOICEO3, 对半导体三极管，测得放射结, 集电结均正偏，此时该三极管处于(C)。A, 放大状态； B, 截止状态； C, 饱和状态； D, 无法确定；4, 三极管处于饱和状态时，三极管的放射结和集电结分别处于A。 放射结和集电结都处于正偏 放射结处于正偏，集电结处于反偏 放射结处于反偏，集电结处于正偏5, 在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是 ANPN管

25、放射极 BPNP管放射极 CPNP管集电极 DNPN管基极6, NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是 。A. UCUBUE B. UCUBUEUB7, 测得工作在放大电路中的三极管各电极电位如下图，其中硅材料的NPN管是 。8, 3DG6D型晶体三极管的PCM=100毫瓦，ICM=20毫安，UBR(CEO)30伏，假如将它接在IC15毫安，UCE20伏的电路中，那么该管 A. 被击穿 B. 工作正常 C. 功耗太大过热甚至烧坏9, 假如三极管的集电极电流IC大于它的集电极最大允许电流ICM，那么该管 A. 被击穿 B. 被烧坏 C. 电流放大实力下降10, 图中各晶体管的三个电极无沟通

26、信号时对地电位如下图。能起放大作用的是 Aa图和b图 Bb图和d图 C仅有c图 D仅有d图 第二章1, 对三极管放大作用的实质，下面说法正确的选项是 A. 三极管可以把小能量放大成大能量 B. 三极管可以把小电流放大成大电流C. 三极管可以把小电压放大成大电压 D. 三极管可用较小的电流限制较大的电流2, NPN型三极管放大器设置适宜的静态工作点，以保证放大信号时，三极管 。A, 放射极为反向偏置 B, 集电极为正向偏置 C, 始终工作在放大区3, NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，那么晶体三极管 。 A, 基极电流不变 B, 集电极对放射极电压VCE下降 C, 集电极对放射极电压

27、VCE上升4, 在电子设备的电路中，常把弱信号放大局部屏蔽起来，其目的是 。A, 使放大倍数不受外界影响 B, 防止能量过多损耗 C, 防止外来干扰引起自激现象5, 根本放大电路中，假设静态工作点选择过低，简洁使电路输出信号产 A 失真A 截止 B 饱和 C 双向 D 交越6, 共射极放大电路中信号的输入端是 B A 放射极 B 基极 C 集电极 D 栅极7, 某单级共e放大器的输出电压波形如下图，那么该放大器产生了 A, 饱和失真B, 截止失真C, 频率失真8, 如图三所示电路，假如C7容量减小，对电路性能的影响说法正确的选项是B 。A, 电压放大倍数增加； B, 电压放大倍数减小；C, 电

28、压放大倍数不变； D, C7容量减小会影响静态工作点；9, 电路如图三所示，要增加三极管集电极电流，可以接受的方法是( D )。A, 增大R11的值； B, 增大R8的值； C, 减小R8的值； D, 增大R10的值；图三10, 在单级放大电路的三种根本接法中，对它们的特性做一个相互比拟，描述正确是 B 。A 共射电路的AU最大, Ri最小, RO最小 B 共集电路的AU最小, Ri最大, RO最小C 共基电路的AU最小, Ri最小, RO最大 D 共射电路的AU最小, Ri最大, RO最大11, 电路如图四所示。以下说法正确的选项是 ；A此电路为共集电极放大电路；B此电路为共放射极放大电路；

29、C此电路的电流放大倍数小于1； D此电路具有较高的输出电阻和较小的输入电阻；12, 射极输出器是一种 电路。A, 共放射极B, 共集电极C, 共基极13, 关于射极输出器的错误表达是 A电压放大倍数略小于1，电压跟随性好B输入阻抗低，输出阻抗高C具有确定的电流放大实力和功率放大实力 D一般不接受分压式偏置是为了提高输入电阻14, 某三级放大器中，每级电压放大倍数为AV，那么总的电压放大倍数为 。A, 3AV B, AV3 C, AV3/3第四章1, 某变压器耦合的功率放大器中，晶体三极管的输出电阻为72，扬声器的电阻为8，假设要到达阻抗匹配的目的，那么输出变压器的匝数比n是 。A, 4 B,

30、3 C, 22, OCL功率放大电路接受的电源是 。A, 取极性为正的直流电源 B, 取极性为负的直流电源C, 取两个电压大小相等且极性相反的正, 负直流电源3, 图中哪种组合构成PNP型复合管 4, OTL功放电路中，中点电位应为 A, EC B, C, 05, 在OCL乙类功放电路中，假设电源电压为，负载电阻为，以下说法正确的选项是；A此电路电源供应的功率约为； B此电路的输出最大功率约为；C此电路电源供应的功率约为； D此电路的最大输出功率约为；5, 假设图五所示电路中，晶体管饱和管压降的数值为，那么最大输出功率为 C 。A, B, C, D, 图五第五章1, 差动放大器有差模放大倍数A

31、VD和共模放大倍数AVC，性能好的差动放大器应 。A, AVD等于AVC B, AVD大而AVC要小 C, AVD小而AVC要大2, 差动放大器比非差动的干脆耦合放大器以多用一个晶体三极管为代价，换取 。A, 高的电压放大倍数 B, 使电路放大信号时削减失真 C, 抑制零点漂移3, 集成运放中间级的主要作用是 C A 提高输入电阻 B 降低输出电阻 C 供应足够的电压放大倍数4, 关于志向运算放大器的错误表达是( )。A输入阻抗为零，输出阻抗也为零 B输入信号为零时，输出处于零电位C频带宽度从零到无穷大 D开环电压放大倍数无穷大5, 关于志向运算放大器的技术指标说法错误的选项是 ；A开环差模电

32、压增益Aod= B差摸输入电阻C输出电阻 D共模抑制比第六章1, 假设想提高某放大电路的输入电阻并减小其输出电阻,电路中应引入A。A 电压串联负反应 B电流并联负反应C 电流串联负反应 D电压并联负反应2, 负反应放大电路的四种组态中，能够使输入, 输出电阻均减小的是A 。A, 并联电压负反应； B, 并联电流负反应；C, 串联电压负反应； D, 串联电流负反应；3, 在放大电路中引入不同反应可以变更放大电路的不同性能。当我们渴望到达稳定输出电流时应当引入 D 。A 电压正反应 B 电压负反应 C 电流正反应 D 电流负反应4, 当我们在电路中引入电压并联负反应后，及根本放大器的输入, 输出电

33、阻相比，反应放大器的输入, 输出电阻的变更是 CA 输入电阻增大，输出电阻增大 B 输出电阻增大，输入电阻减小C 输入电阻减小，输出电阻减小 D 输入电阻减小，输出电阻增大5, 在输入量不变的状况下，假设引入反应后 D ，那么说明引入的是负反应。 A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小6, 电流并联负反应对放大器的影响，正确的选项是 。A能稳定静态工作点，增加电压放大倍数的稳定性，减小输入电阻B使放大器不稳定，可能产生自激振荡C能稳定静态工作点，提高输入电阻，稳定放大器的输出电压D能稳定放大器的输出电流，减小输入电阻，但放大器带动负载实力减小7, 能使输入电阻增大输

34、出电阻减小的负反应组态是 。A电压串联负反应；B电流串联负反应；C电流并联负反应；D电压串联负反应；第七章1, 电路如图二所示，假设为志向运放，那么输出电压应为 A 。A, ； B, ；C, 为负电源电压； D, 为正电源电压；图二2, 右图示电路中，电流i等于 A0.5毫安 B1毫安 C0.5毫安 D 1毫安3, 电路如图五所示。此电路的电压放大倍数为 A图五B CD第八章1, 输入信号的频率为10kHz12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用 C 实现滤波。低通滤波器 高通滤波器 带通滤波器 带阻滤波器2, 假如渴望从众多的无线电信号中取出中心一套电视节目的信号，应当运用 C 。A, 低通滤