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1、泓域咨询/南阳CMOS芯片项目招商引资方案报告说明虽然采用堆栈式结构的CMOS图像传感器具备性能上的提升，但由于其生产过程中使用了多张晶圆且叠加工序的工艺难度较高，其生产成本远高于采用单层晶圆的生产工艺，因此主要应用于特定的领域。在CMOS图像传感器领域，堆栈式结构技术目前主要应用在高端手机主摄像头、高端数码相机、新兴机器视觉等领域。根据第三方市场调研机构TSR的统计，堆栈式结构CMOS图像传感器产品的主要供应商为索尼、三星、豪威科技和思特威。根据谨慎财务估算，项目总投资26961.38万元，其中：建设投资19601.24万元，占项目总投资的72.70%；建设期利息407.05万元，占项目总投
2、资的1.51%；流动资金6953.09万元，占项目总投资的25.79%。项目正常运营每年营业收入58500.00万元，综合总成本费用47489.04万元，净利润8048.76万元，财务内部收益率21.70%，财务净现值13339.81万元，全部投资回收期5.99年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 项目投资背
3、景分析9一、 集成电路设计行业概况9二、 我国半导体及集成电路行业9三、 坚持创新驱动发展，建设区域创新高地10四、 增强区域综合竞争优势12五、 项目实施的必要性14第二章 行业、市场分析16一、 全球半导体及集成电路行业16二、 未来面临的机遇与挑战17三、 CMOS图像传感器芯片行业概况23第三章 项目绪论28一、 项目名称及项目单位28二、 项目建设地点28三、 可行性研究范围28四、 编制依据和技术原则29五、 建设背景、规模30六、 项目建设进度30七、 环境影响31八、 建设投资估算31九、 项目主要技术经济指标32主要经济指标一览表32十、 主要结论及建议34第四章 项目承办单
4、位基本情况35一、 公司基本信息35二、 公司简介35三、 公司竞争优势36四、 公司主要财务数据38公司合并资产负债表主要数据38公司合并利润表主要数据39五、 核心人员介绍39六、 经营宗旨41七、 公司发展规划41第五章 选址可行性分析43一、 项目选址原则43二、 建设区基本情况43三、 聚焦先进制造业强市建设，着力构建现代产业体系46四、 实施扩大内需战略，积极融入新发展格局51五、 项目选址综合评价52第六章 建筑工程说明54一、 项目工程设计总体要求54二、 建设方案54三、 建筑工程建设指标56建筑工程投资一览表56第七章 法人治理结构58一、 股东权利及义务58二、 董事60
5、三、 高级管理人员64四、 监事67第八章 运营模式70一、 公司经营宗旨70二、 公司的目标、主要职责70三、 各部门职责及权限71四、 财务会计制度74第九章 工艺技术说明78一、 企业技术研发分析78二、 项目技术工艺分析81三、 质量管理82四、 设备选型方案83主要设备购置一览表84第十章 进度实施计划85一、 项目进度安排85项目实施进度计划一览表85二、 项目实施保障措施86第十一章 项目节能说明87一、 项目节能概述87二、 能源消费种类和数量分析88能耗分析一览表89三、 项目节能措施89四、 节能综合评价90第十二章 劳动安全生产分析92一、 编制依据92二、 防范措施93
6、三、 预期效果评价97第十三章 投资方案分析99一、 投资估算的编制说明99二、 建设投资估算99建设投资估算表101三、 建设期利息101建设期利息估算表102四、 流动资金103流动资金估算表103五、 项目总投资104总投资及构成一览表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表106第十四章 经济效益108一、 基本假设及基础参数选取108二、 经济评价财务测算108营业收入、税金及附加和增值税估算表108综合总成本费用估算表110利润及利润分配表112三、 项目盈利能力分析112项目投资现金流量表114四、 财务生存能力分析115五、 偿债能力分析116借款还本付
7、息计划表117六、 经济评价结论117第十五章 招投标方案119一、 项目招标依据119二、 项目招标范围119三、 招标要求120四、 招标组织方式122五、 招标信息发布122第十六章 风险防范124一、 项目风险分析124二、 项目风险对策126第十七章 项目总结分析128第十八章 附表130主要经济指标一览表130建设投资估算表131建设期利息估算表132固定资产投资估算表133流动资金估算表134总投资及构成一览表135项目投资计划与资金筹措一览表136营业收入、税金及附加和增值税估算表137综合总成本费用估算表137固定资产折旧费估算表138无形资产和其他资产摊销估算表139利润及
8、利润分配表140项目投资现金流量表141借款还本付息计划表142建筑工程投资一览表143项目实施进度计划一览表144主要设备购置一览表145能耗分析一览表145第一章 项目投资背景分析一、 集成电路设计行业概况按照产业链环节划分，集成电路产业可分为集成电路设计业、晶圆制造业、封装测试业等。在集成电路行业整体规模实现较快增长的大背景下，集成电路设计业、晶圆制造业、封装测试业三个子行业实现了共同发展。过去五年，我国集成电路产业结构也在不断进行优化。大量风险投资与海内外高端人才将被吸引到附加值较高的集成电路设计领域，同时诸多国内骨干集成电路设计企业正积极谋划对国际企业的并购以提升国际竞争力。各环节比
9、例逐步从过去的“大封测、小制造、小设计”，向现在的“大设计、中封测、中制造”方向演进。根据Frost&Sullivan统计，我国集成电路设计行业销售额也在2016年首次超过封测行业，成为集成电路产业链中比重最大的环节。其市场规模从2016年的1,644.3亿元增加到2020年的3,493.0亿元，过去五年间复合增长率高达20.7%，占比也从37.9%提升到39.6%。而预计到2025年，设计行业规模将高达7845.6亿元，届时销售额占比将达40.8%。二、 我国半导体及集成电路行业近年来，我国行业需求快速扩张、政策支持持续利好，半导体及集成电路产业经历了迅速的发展。根据Frost&Sulliv
10、an统计，中国集成电路产业市场规模从2016年的4,335.5亿元快速增长至2020年的8,821.9亿元，年复合增长率为19.4%。未来伴随着制造业智能化升级浪潮，高端芯片需求将持续增长，将进一步刺激我国集成电路行业的发展和产业迁移进程。中国集成电路产业市场规模预计在2025年将达到19,210.8亿元，2021年至2025年期间年复合增长率达到16.3%。三、 坚持创新驱动发展，建设区域创新高地坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，把科技创新作为全市发展的战略支撑，深入实施科教兴宛、人才强市、创新驱动发展战略，围绕产业链布局创新链，完善创新体系，优化创新生态，提升创新能力，激发全社会创新创
11、业活力，全面塑造发展新优势。培育产业创新主体。充分发挥企业在技术创新体系中的主体地位，建立以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系。实施创新引领型企业培育工程，落实科技贷款贴息、科技创新券、企业研发投入税收优惠等政策，完善企业创新能力评价机制，开展科技创新百强企业评选，引导企业提高研发投入、实施创新项目，培育一批创新龙头企业、高新技术企业、科技小巨人企业、知识产权优势企业。深化与国内外大院大所交流合作，完善企业、高等院校、科研院所共建共享共担的产学研协同创新机制，建立一批技术创新联盟和协同创新中心，全面提升企业技术创新能力。建设产业创新平台。集中优化配置创新资源、人才、资金等要素
12、，新建一批国家级、省级技术创新中心、工程技术研究中心、企业技术中心、产业创新中心、共性技术平台、检测试验平台等；支持企业建立重点实验室、院士专家工作站、博士后科研工作站、博士后创新实践基地、学会服务站，鼓励龙头企业设立海外离岸创新中心。加快布局一批众创空间、产业孵化园和退役军人创业孵化基地，大力支持返乡人才、大学毕业生、退役军人、离岗职工等创新创业。做大做强中关村科技产业园，以科技大市场等为载体，建立全市高新技术成果转移转化中心，推动校地合作和科技成果发布交易，加快科技成果转化。攻克产业关键技术。围绕“主新特”产业培育，以战略性新兴产业为重点，创新实施一批重大科技专项、重大科技项目，实行“揭榜
13、挂帅”等制度，攻克一批提升产业竞争力的关键共性技术。建立健全创新产品培育政策体系，落实鼓励自主创新、促进产品出口、加强知识产权保护等方面的政策法规，支持龙头企业培育新产品，开展创新产品认定，形成一批具有核心竞争力的产品和品牌，不断提高国内国际产业链地位。强化人才支撑。深入实施“诸葛英才计划”，以产业人才需求为靶向，完善“全职+柔性”招才引智机制，用好南阳籍院士专家故乡行、京宛协作北京院士专家南阳行、南阳院士小镇等载体平台，着力引进一批具有国内国际先进水平的产业领军人才和科技创新人才，集聚一批高层次创新团队，储备一批优秀青年人才。加强应用型、技能型人才培养，深入推进全民技能振兴工程，强化产业工人
14、队伍建设，积极培育“南阳名匠”“豫宛大工匠”，将人口优势转化成劳动力优势、人才优势。实施“品质宛商”提升工程，大力弘扬企业家精神，培养高素质企业家队伍。健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的人才评价体系，完善创新激励和保障机制，简化政策服务流程，全方位落实人才奖励补贴、薪酬待遇、医疗社保、子女入学、居留便利、荣誉称号等政策措施，打造近悦远来人才生态。实施人力资源服务业提升计划，建设南阳市人力资源服务产业园。用好人才工作市场化手段，形成政府与市场主体有序分工、良性互动的人才工作新局面。四、 增强区域综合竞争优势坚持适度超前、整体优化、协同融合，持续强化现代交通、能源、水利、信息网络等基础设施建
15、设，构建系统完备、高效实用、智能绿色、安全可靠的现代化基础设施体系。加快全国性综合交通枢纽建设。认真落实交通强国建设纲要精神，统筹“空铁公水”四位一体建设，建立适应全国性综合交通枢纽的规划、投资、管理体制机制，着力构建布局合理、功能完善、内捷外畅、安全高效的现代交通体系。加快现代能源支撑体系建设。推动能源结构优化升级，构建清洁低碳、安全高效的现代能源支撑系统。加快风电、光伏发电“双百万千瓦”新能源基地建设，天池抽水蓄能电站一期建成投产、二期争取开工建设。提高天然气储气能力，推进豫西南LNG应急储备中心二期建设，加快“气化南阳”县县通管道建设，努力实现天然气能源全置换。积极发展绿色煤电，提高煤电
16、能效指标，加快推进大型煤炭储备项目，启动内乡电厂二期前期工作。推进智能高效、区域平衡、输配衔接的坚强电网建设。加快水利基础设施建设。深入实施“四水同治”，持续提升水资源配置、水生态修复、水环境治理、水灾害防治能力。加快重要支流治理和大中型水库工程建设，实施大中型灌区续建配套与现代化改造、病险水库（水闸）除险加固工程，持续推进唐白河治理、内乡北湾水库建设，新建方城汉山、西峡湾潭、南召周湾等大中型水库，实施鸭河口水库清淤扩容工程，启动南水北调调蓄工程前期工作。加强农田水利基本建设，推进粮食核心主产区应急抗旱水源建设。持续实施中心城区水系连通补源工程，稳步推进县乡水生态体系及城乡供水一体化建设，扩大
17、南水北调供水范围，进一步提升城乡水安全保障能力。加快全域信息基础设施建设。实施新一代信息网络建设和新型计算基础设施建设工程，系统布局引领未来的新型基础设施。推进“全光网南阳”全面升级，构建覆盖全市的高速光纤宽带网络，提升固定宽带家庭和移动宽带用户普及率，实现偏远地区网络深度全覆盖。加快5G基础网络布局，实现乡镇以上区域5G全覆盖。加快工业互联网和大数据中心建设。推进传统基础设施数字化改造，加强智慧化管理和运营。构建全时空、立体化网络安全态势感知系统和智能化市域互联网管控系统，完善关键信息基础设施等级保护制度，全面提升网络信息安全水平。五、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需
18、求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准
19、，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第二章 行业、市场分析一、 全球半导体及集成电路行业半导体是指一种导电性可控，性能可介于导体与绝缘体之间的材料。半导体材料因广泛应用于电子产品中的核心单元，在科技层面和经济层面上具有重要性。根据Frost&Sullivan统计，全球半导体产业受益于资本及研发投入的加大、存储器市场回暖及全球晶圆技术升级和产能扩张，市场规模从2016年的3,389.3亿美元快速增长到2018年的4,687.8亿美元，两年间复合增长率达17.6%。但在2019年受到固态存储和3C产品的需求放缓以及
20、全球贸易摩擦等负面因素的影响，全球半导体市场规模出现了负增长。2020新冠疫情导致下游出现很多短单、急单，产业链上各环节普遍上调安全库存水平，部分销售增量来自于库存抬升，该年市场规模达4,331.5亿美元。整体来看，中国半导体及集成电路行业营收规模在2016年至2020年五年间的年均复合增长率达6.3%。未来，随着各下游市场的不断发展、5G网络的普及、人工智能（AI）应用的增长等驱动因素都有望不断刺激半导体产品的需求增长。全球半导体产业市场预计将继续保持增长趋势，市场规模将在2025年达到5,683.9亿美元，2021年至2025年间的年复合增长率预计达到4.9%。根据Frost&Sulliv
21、an统计，集成电路市场作为半导体产业最大的细分市场，一直占据着半导体产业近80%的市场份额。集成电路指的是一种微型电子器件或部件，其采用一定工艺在半导体晶片或介质基片上，将一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，随后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。集成电路如今已广泛应用到计算机、家用电器、数码电子等诸多重要领域。其市场规模也实现了从2016年的2,767.0亿美元至2020年的3,477.2亿美元的快速增长，期间年复合增长率为5.9%。未来安防、手机、无人驾驶汽车、云计算等为首的四大领域的产品应用将有望为集成电路行业带来新机遇，而2021至2025年的市
22、场规模预计也有望从3,751.8亿美元增长至4,364.9亿美元，五年间年均复合增长率达3.9%。从地理区域来看，集成电路产业正在迎来第三次国际转移，重心不断从美国、日本及欧洲等发达国家向中国大陆、东南亚等发展中国家和地区偏移。近几年，我国的产业政策支持、本土集成电路厂商的技术进步和相关企业的发展战略规划促使我国成为全球最具影响力的市场之一。二、 未来面临的机遇与挑战1、未来面临的机遇（1）国家政策大力支持图像传感器芯片属于集成电路行业的一部分，集成电路行业是信息化社会的基础行业之一，集成电路的设计能力是一个国家科技实力和技术独立性的重要组成部分，国家自上而下高度重视集成电路设计能力的重要价值
23、。规划层面上，2014年6月，国务院印发国家集成电路产业发展推进纲要，强调“着力发展集成电路设计业”，要求“加快云计算、物联网、大数据等新兴领域核心技术研发，开发基于新业态、新应用的信息处理、传感器、新型存储等关键芯片及云操作系统等基础软件，抢占未来产业发展制高点”。国务院颁布的中国制造2025将集成电路及专用装备作为“新一代信息技术产业”纳入大力推动突破发展的重点领域，着力提升集成电路设计水平，掌握高密度封装及三维（3D）未组装技术，提升封装产业和测试的自主发展能力，形成关键制造装备供货能力。国家发改委颁布的战略性新兴产业重点产品和服务指导目录（2016版）进一步明确集成电路等电子核心产业地
24、位，并将集成电路芯片设计及服务列为战略性新兴产业重点产品和服务；2019年10月，工信部、发改委等十三部委联合印发了制造业设计能力提升专项行动计划（2019-2022年），指出要在电子信息领域大力发展包括集成电路设计在内的重点领域；2020年8月，国务院印发了新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策，针对集成电路和软件产业推出一系列支持性财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用和国际合作政策。（2）国产化替代支撑中国CMOS图像传感器市场规模高速发展2019年随着中美经贸摩擦进一步加剧，核心技术自主可控成为共识，各下游领域也随之加速了国产化替代的进程，从半导体材料和
25、设备到芯片设计、制造及封测领域都成为政策和资本培养与扶持的对象。2020年国务院印发的新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策指出，中国芯片自给率要在2025年达到70%。CMOS图像传感器设计作为图像传感器产业链上附加值最高的环节，虽然拥有极高的技术壁垒，需要大量的人才资源投入，但目前国内部分设计厂商已经拥有了实现国产化替代、与索尼等行业龙头同台竞争的能力，并积极的布局新的产品技术，在新兴应用市场迭起的背景下，与国外行业龙头站在同一起跑线上抢占优质赛道内的市场份额，有望继续带动CMOS图像传感器整体市场规模国产化替代率的提升。（3）非手机类应用领域发展推动产品需求增长近年来，随着
26、5G、智慧城市、人工智能等新技术、新业态的高速发展，安防监控、机器视觉、汽车电子等CMOS图像传感器终端应用的下游赛道发展迅速，产品迭代升级的要求不断提高，持续推动对CMOS图像传感器的需求。据Frost&Sullivan预计，2020年至2025年，安防监控细分市场出货量及销售额年复合增长率预期将达到13.75%和18.23%；汽车电子市场预期年复合增长率将达到18.89%和21.42%；新兴机器视觉领域的全局快门预期年复合增长率更将达到45.55%。这些细分市场的预期增长率均高于CMOS图像传感器的整体增长率。可见，安防监控、汽车电子以及机器视觉市场正在成为增长性更强的CMOS图像传感器细
27、分应用市场。安防监控领域，随着我国经济与科技的发展，对生活安全的要求层次也在逐步提高，政府推动安防产业的升级，对安防监控产品的需求也由一线城市延伸至二、三线城市及农村地区。未来几年，物联网的高速发展及人工智能、大数据和云计算等技术的成熟将加速行业向智能监控阶段过渡。作为安防监控摄像机的核心，CMOS图像传感器的出货量和销售额预计都会在未来随着智能摄像机的替代更新（安防摄像头的更换周期为3年左右）实现持续高速增长。机器视觉领域，近年来人工智能的理论和技术日益成熟，深度学习能力不断提高，机器视觉的应用的领域越来越广泛。伴随着运算能力的提升和3D算法、深度学习能力的不断完善，机器视觉硬件方案的不断成
28、熟，同时各类软件应用解决方案相继提出，使其在电子制造产业应用的广度和深度都在提高，并且随着智能化消费品的技术进步和随之带来的生活习惯和消费行为的变化，包括无人机、扫地机器人、智能门禁系统、智能翻译笔在内的新兴消费电子产品在人们日常生活中的渗透率也大幅提升，消费级的应用也成为了新的高速增长方向。汽车电子领域，随着新能源智能汽车的普及、ADAS（高级自动驾驶辅助系统）技术提高及车载芯片算力提升，单车搭载摄像头数量快速上升。为了达到更优的图像识别功能，车载CMOS图像传感器的应用范围从过去通过前后置摄像头实现可视化倒车和行车记录仪等功能，扩展到如今通过单车高达13个摄像头以实现360度全景成像、路障
29、检测、盲区监测、驾驶员监测系统、自动驾驶等功能。此外，随着智能驾驶级别的提高，为提升测距精确度，车载摄像头又进一步向双目、三目等方向发展，而智能驾驶在避障技术方面的提升又推动了3D摄像机的使用。2、未来面临的挑战（1）技术壁垒的突破与新兴市场的应用在新兴智能视频应用高速发展的市场情况下，国际市场上主流的集成电路公司在历经了数十年的发展以及优质资源的沉淀下仍然拥有着市场优势。例如索尼自CCD时代就引领着图像传感器行业的发展，后续通过兼并收购，几乎汇聚了日本全国最先进的图像传感器技术实力，在规模体量、技术水平方面都领先于目前国内新兴的图像传感器设计企业。国内的芯片设计企业虽然在经营规模、产品种类、
30、工艺技术等方面的综合实力仍与海外芯片设计巨头存在一定差距，但在面对市场情况日新月异的发展态势下，其核心挑战更来源于对契合市场新发展、新需求的创新技术的研发与突破上。只有深耕高端CMOS图像传感器成像技术，突破现有的技术壁垒才能去赢得未来更广阔的市场发展空间。（2）专业人才稀缺集成电路设计行业是典型的技术密集行业，对集成电路领域的创新型人才的数量和专业水平有很高的要求。经过多年发展和培养，我国已拥有了大批集成电路设计行业从业人员，但与国际顶尖集成电路设计企业比，高端、专业人才仍然可贵难求。未来一段时间，高端人才紧缺仍然将是关乎集成电路设计行业发展速度的核心因素之一。（3）研发投入较大集成电路行业
31、同时还是资本密集型行业，技术迭代升级周期短，研发投入成本高。为保证产品保持行业领先优势，集成电路设计公司必须持续进行大量研发投入，通过不断的创新尝试并耗费一定的试错成本才能获得研发上的攻坚成果。因此所需要的大量研发资金需求形成了行业壁垒，对行业后起之秀带来了很大的挑战，需要有丰富的融资渠道配合，才能保持研发创新的持续发展和对先进企业的赶超。（4）供应端产能保障集成电路设计行业的供应商主要为晶圆代工厂和封装测试厂，均为投资体量大、技术要求高的企业，其建设和规模拓展有较长的周期。随着集成电路应用领域的不断拓宽，需求端快速增长，供应端产能可能无法迅速与市场需求相匹配，一定程度上影响到芯片的最终产出规
32、模。此外，虽然我国集成电路产业政策向好，晶圆制造、封装测试领域取得了飞速的发展，但对外资供应商还存在一定程度的依赖，仍存在一定的地缘政治风险。因此，集成电路设计企业需要建立有效的供应商产能保障体系，才能保证自身生产和经营活动的稳定性。三、 CMOS图像传感器芯片行业概况1、CMOS图像传感器的发展概要和市场规模在摄像头模组中，图像传感器是灵魂部件，决定着摄像头的成像品质以及其他组件的结构和规格，CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）图像传感器和CCD（Charge-CoupledDevice）图像传感器是当前主流的两种图像传感器。其中CCD电荷耦合
33、器件集成在单晶硅材料上，像素信号逐行逐列依次移动并在边缘出口位置依次放大，而CMOS图像传感器则被集成在金属氧化物半导体材料上，每个像素点均带有信号放大器，像素信号可以直接扫描导出，即电信号是从CMOS晶体管开关阵列中直接读取的，而不需要像CCD那样逐行读取。从上世纪90年代开始，CMOS图像传感技术在业内得到重视并获得大量研发资源，CMOS图像传感器开始逐渐取代CCD图像传感器。如今，CMOS图像传感器已占据了市场的绝对主导地位，基本实现对CCD图像传感器的取代，而CCD仅在卫星、医疗等专业领域继续使用。CMOS图像传感器芯片主要优势可归纳为以下三个层面：1）成本层面上，CMOS图像传感器芯
34、片一般采用适合大规模生产的标准流程工艺，在批量生产时单位成本远低于CCD；2）尺寸层面上，CMOS传感器能够将图像采集单元和信号处理单元集成到同一块基板上，体积得到大幅缩减，使之非常适用于移动设备和各类小型化设备；3）功耗层面上，CMOS传感器相比于CCD还保持着低功耗和低发热的优势。2、CMOS图像传感器行业的经营模式国内本土CMOS图像传感器设计厂商目前一般采取Fabless模式，包括思特威、韦尔股份（豪威科技）、格科微等。Fabless模式指的是集成电路设计企业主营芯片的设计业务，而将芯片的生产加工环节放在代工厂完成。CMOS图像传感器行业的Fabless厂商会在根据行业客户的需求完成C
35、MOS图像传感器设计工作之后，将设计方案提供给晶圆代工厂以委托其进行制造加工，加工完成的产品交由封装测试厂商进行芯片封装和性能测试。Fabless模式的优点集中在其轻资产、低运行费用和高灵活度，可以专注于芯片的设计和创研工作。在晶圆产能供应紧张的阶段，Fabless厂商能否获得上游晶圆代工厂的稳定供货至关重要。而其中，晶圆代工厂选择合作伙伴的标准也不仅仅停留在短期价格的层面。国内外的晶圆代工厂商都会更倾向于与有自主技术、有产品能力、并与下游行业客户绑定较深的优质Fabless厂商保持稳定的供应关系。索尼、三星等资金实力强大的企业则采用IDM模式。IDM模式指的是企业业务需涵盖芯片设计、制造、封
36、测整个流程，并延伸至下游市场销售。IDM模式下的公司规模一般较为庞大，在产品的技术研发及积累需要较为深厚，运营费用及管理成本都相对较高，对企业的综合实力要求较高，但此模式下企业也具有明显的资源整合优势。3、CMOS图像传感器行业的整体发展趋势得益于多摄手机的广泛普及和安防监控、智能车载摄像头和机器视觉的快速发展，CMOS图像传感器的整体出货量及销售额随之不断扩大。根据Frost&Sullivan统计，自2016年至2020年，全球CMOS图像传感器出货量从41.4亿颗快速增长至77.2亿颗，期间年复合增长率达到16.9%。预计2021年至2025年，全球CMOS图像传感器的出货量将继续保持8.
37、5%的年复合增长率，2025年预计可达116.4亿颗。根据Frost&Sullivan统计，与出货量增长趋势类似，全球CMOS图像传感器销售额从2016年的94.1亿美元快速增长至2020年的179.1亿美元，期间年复合增长率为17.5%。预计全球CMOS图像传感器销售额在2021年至2025年间将保持11.9%的年复合增长率，2025年全球销售额预计可达330.0亿美元。4、CMOS图像传感器设计结构发展趋势CMOS图像传感器根据感光元件安装位置，主要可分为前照式结构（FSI）、背照式结构（BSI）；在背照式结构的基础上，还可以进一步改良成堆栈式结构（Stacked）。堆栈式结构系在背照式结
38、构将感光层仅保留感光元件的部分逻辑电路的基础上进行进一步改良，在上层仅保留感光元件而将所有线路层移至感光元件的下层，再将两层芯片叠在一起，芯片的整体面积被极大地缩减。此外，感光元件周围的逻辑电路也相应移至底层，可有效抑制电路噪声从而获取更优质的感光效果。采用堆栈式结构的CMOS图像传感器可在同尺寸规格下将像素层在感知单元中的面积占比从传统方案中的近60%提升到近90%，图像质量大大优化。同理，为达到同样图像质量，堆栈式CMOS图像传感器相较于其他类别CMOS图像传感器所需要的芯片物理尺寸则可大幅下降。同时采用该种结构的图像传感器还能集成如自动对焦（AF）和光学防抖（OIS）等功能。除此之外，混
39、合堆栈和三重堆栈技术正在推动着如3D感知和超慢动作影像等功能的发展。虽然采用堆栈式结构的CMOS图像传感器具备性能上的提升，但由于其生产过程中使用了多张晶圆且叠加工序的工艺难度较高，其生产成本远高于采用单层晶圆的生产工艺，因此主要应用于特定的领域。在CMOS图像传感器领域，堆栈式结构技术目前主要应用在高端手机主摄像头、高端数码相机、新兴机器视觉等领域。根据第三方市场调研机构TSR的统计，堆栈式结构CMOS图像传感器产品的主要供应商为索尼、三星、豪威科技和思特威。第三章 项目绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：南阳CMOS芯片项目项目单位：xx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx（待
40、定），占地面积约53.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况，按照项目的建设要求，对项目的实施在技术、经济、社会和环境保护等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证。研究、分析和预测国内外市场供需情况与建设规模，并提出主要技术经济指标，对项目能否实施做出一个比较科学的评价，其主要内容包括如下几个方面:1、确定建设条件与项目选址。2、确定企业组织机构及劳动定员。3、项目实施进度建议。4、分析技术、经济、投资估算和资金筹措情况。5、预测
41、项目的经济效益和社会效益及国民经济评价。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要；2、中国制造2025；3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。（二）技术原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规，认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定；2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线，提高项目的竞争力和市场适应性；3、设备的布置根据现场实际情况，合理用地；4、严格执行“三同时”原则，积极推进“安全文明清洁”生产工艺，做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工
42、程建设同步规划、同步实施、同步运行，注意可持续发展要求，具有可操作弹性；5、形成以人为本、美观的生产环境，体现企业文化和企业形象；6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求；7、充分估计工程各类风险，采取规避措施，满足工程可靠性要求。五、 建设背景、规模（一）项目背景集成电路设计属于技术密集型行业，CMOS图像传感器更是横跨光学和电学设计两大领域，包括半导体特色工艺、光路设计、像素设计、模拟电路、数字电路、数模混合、图像处理算法、高速接口电路的设计集成，技术门槛相对更高。同时，由于半导体相关技术及产品的持续更新迭代，要求企业和研发人员具备较强的持续创新能力，跟进技术发展趋势，满足终端客
43、户需求。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积35333.00（折合约53.00亩），预计场区规划总建筑面积60437.79。其中：生产工程38261.62，仓储工程14492.62，行政办公及生活服务设施6076.39，公共工程1607.16。项目建成后，形成年产xx颗CMOS芯片的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目将严格按照“三同时”即三废治理与生产装置同时设计、同时施工、同时建成使用的原则，贯彻执行国
44、家和地方有关环境保护的法规和标准。积极采用先进而成熟的工艺设备，最大限度利用资源，尽可能将三废消除在工艺内部，项目单位及时对生产过程中的噪音、废水、固体废弃物等都要经过处理，避免造成环境污染，确保该项目的建设与实施过程完全符合国家环境保护规范标准。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资26961.38万元，其中：建设投资19601.24万元，占项目总投资的72.70%；建设期利息407.05万元，占项目总投资的1.51%；流动资金6953.09万元，占项目总投资的25.79%。（二）建设投资构成本期项目建设投资1
45、9601.24万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用16382.84万元，工程建设其他费用2724.08万元，预备费494.32万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入58500.00万元，综合总成本费用47489.04万元，纳税总额5289.48万元，净利润8048.76万元，财务内部收益率21.70%，财务净现值13339.81万元，全部投资回收期5.99年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积35333.00约53.00亩1.1总建筑面积60437.791.2基底面积20139.
46、811.3投资强度万元/亩350.772总投资万元26961.382.1建设投资万元19601.242.1.1工程费用万元16382.842.1.2其他费用万元2724.082.1.3预备费万元494.322.2建设期利息万元407.052.3流动资金万元6953.093资金筹措万元26961.383.1自筹资金万元18654.283.2银行贷款万元8307.104营业收入万元58500.00正常运营年份5总成本费用万元47489.046利润总额万元10731.687净利润万元8048.768所得税万元2682.929增值税万元2327.2810税金及附加万元279.2811纳税总额万元5289.4812工业增加值万元17513.3013盈亏平衡点万元23763.59产值14回收期年5.9915内部收益率21.70%所得税后16财务净现值万元13339.81所得税后十、 主要结论及建议项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。第四章 项目承办单位基本情况一、