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1、泓域咨询/长春MOSFET功率器件项目可行性研究报告目录第一章 市场分析7一、 全球半导体行业发展概况7二、 MOSFET器件概述7第二章 绪论13一、 项目名称及投资人13二、 编制原则13三、 编制依据14四、 编制范围及内容14五、 项目建设背景15六、 结论分析15主要经济指标一览表17第三章 背景、必要性分析19一、 功率半导体行业概述19二、 功率半导体市场规模与竞争格局20三、 功率MOSFET的行业发展趋势21四、 扩大有效投资加强新基建投资23第四章 建设方案与产品规划24一、 建设规模及主要建设内容24二、 产品规划方案及生产纲领24产品规划方案一览表24第五章 选址方案2
2、7一、 项目选址原则27二、 建设区基本情况27三、 推动产业集群集聚30四、 项目选址综合评价30第六章 建筑工程可行性分析32一、 项目工程设计总体要求32二、 建设方案33三、 建筑工程建设指标33建筑工程投资一览表34第七章 发展规划36一、 公司发展规划36二、 保障措施42第八章 运营模式分析44一、 公司经营宗旨44二、 公司的目标、主要职责44三、 各部门职责及权限45四、 财务会计制度48第九章 SWOT分析说明55一、 优势分析（S）55二、 劣势分析（W）57三、 机会分析（O）57四、 威胁分析（T）59第十章 技术方案分析64一、 企业技术研发分析64二、 项目技术工
3、艺分析66三、 质量管理67四、 设备选型方案68主要设备购置一览表69第十一章 进度计划方案71一、 项目进度安排71项目实施进度计划一览表71二、 项目实施保障措施72第十二章 原辅材料供应、成品管理73一、 项目建设期原辅材料供应情况73二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理73第十三章 项目节能方案74一、 项目节能概述74二、 能源消费种类和数量分析75能耗分析一览表75三、 项目节能措施76四、 节能综合评价76第十四章 组织机构、人力资源分析78一、 人力资源配置78劳动定员一览表78二、 员工技能培训78第十五章 投资方案分析81一、 投资估算的依据和说明81二、 建设投资估算
4、82建设投资估算表86三、 建设期利息86建设期利息估算表86固定资产投资估算表88四、 流动资金88流动资金估算表89五、 项目总投资90总投资及构成一览表90六、 资金筹措与投资计划91项目投资计划与资金筹措一览表91第十六章 经济效益分析93一、 基本假设及基础参数选取93二、 经济评价财务测算93营业收入、税金及附加和增值税估算表93综合总成本费用估算表95利润及利润分配表97三、 项目盈利能力分析98项目投资现金流量表99四、 财务生存能力分析101五、 偿债能力分析101借款还本付息计划表102六、 经济评价结论103第十七章 项目风险评估104一、 项目风险分析104二、 项目风
5、险对策106第十八章 项目总结109第十九章 附表111主要经济指标一览表111建设投资估算表112建设期利息估算表113固定资产投资估算表114流动资金估算表115总投资及构成一览表116项目投资计划与资金筹措一览表117营业收入、税金及附加和增值税估算表118综合总成本费用估算表118固定资产折旧费估算表119无形资产和其他资产摊销估算表120利润及利润分配表121项目投资现金流量表122借款还本付息计划表123建筑工程投资一览表124项目实施进度计划一览表125主要设备购置一览表126能耗分析一览表126本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风
6、险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 市场分析一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制
7、、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排
8、名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOS
9、FET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消
10、费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电
11、流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动
12、化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGB
13、T被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019
14、年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT
15、是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。第二章 绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称长春MOSFET功率器件项目（二）项目投资人xxx投资管理公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx。二、 编制原则为实现产业高质量发展的目标，报告确定按如下原则编制：1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路：资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制定的环保、职业安全卫生、消防和节能设计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术，在保证产品质量的同时，力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。三、 编制依据
16、1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。四、 编制范围及内容1、项目提出的背景及建设必要性；2、市场需求预测；3、建设规模及产品方案；4、建设地点与建设条性；5、工程技术方案；6、公用工程及辅助设施方案；7、环境保护、安全防护及节能；8、企业组织机构及劳动定员；9、建设实施与工程进度安排；10、投资估算及资金筹措；11、经济评价。五、 项目建设背景受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MO
17、SFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx，占地面积约97.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx件MOSFET功率器件的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资44514.95万元，其中：建设投资35892.60万元，占项目总投资的80.63%；建设期利息402.92万元，占项目总投资的0.91%；流动资金8219.43万元，占项目总投资的18.46%。（五）资金筹措项目总投资4
18、4514.95万元，根据资金筹措方案，xxx投资管理公司计划自筹资金（资本金）28069.12万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额16445.83万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：91600.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：71126.34万元。3、项目达产年净利润（NP）：14991.62万元。4、财务内部收益率（FIRR）：26.85%。5、全部投资回收期（Pt）：5.02年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：33100.03万元（产值）。（七）社会效益项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销
19、售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积64667.00约97.00亩1.1总建筑面积123745.721.2基底面积38153.531.3投资强度万元/亩348.352总投资万元44514.952.1建设投资万元35892.602.1.1工程费用万元30543.642.1.2其他费用万元442
20、4.582.1.3预备费万元924.382.2建设期利息万元402.922.3流动资金万元8219.433资金筹措万元44514.953.1自筹资金万元28069.123.2银行贷款万元16445.834营业收入万元91600.00正常运营年份5总成本费用万元71126.346利润总额万元19988.827净利润万元14991.628所得税万元4997.209增值税万元4040.3310税金及附加万元484.8411纳税总额万元9522.3712工业增加值万元31449.3913盈亏平衡点万元33100.03产值14回收期年5.0215内部收益率26.85%所得税后16财务净现值万元21819
21、.32所得税后第三章 背景、必要性分析一、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率
22、器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求
23、。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关
24、特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为
25、51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能
26、MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料
27、。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外
28、，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。四、 扩大有效投资加强新基建投资聚焦新基建“761”工程，重点实施“两新一重”建设项目，加
29、快新一代信息网络、5G应用、充电桩、换电站等新型基础设施建设。加强新型城镇化建设，加强交通、水利等重大工程建设。加强经济社会领域投资。围绕保居民就业、保基本民生、保市场主体、保粮食能源安全、保产业链供应链稳定、保基层运转等关键环节，加大重点社会事业领域投资。加强投资环境建设。实施开展“三抓三早”“专班抓项目”“项目中心”等系列有效政策举措，全面优化项目招商、落位、审批、达产等全要素全流程服务保障机制。鼓励引导民营资本进入电信、基础设施、公共服务等领域。到2025年，固定资产投资年均增速超过10%。第四章 建设方案与产品规划一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积64667
30、.00（折合约97.00亩），预计场区规划总建筑面积123745.72。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx投资管理公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx件MOSFET功率器件，预计年营业收入91600.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一
31、览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1MOSFET功率器件件xx2MOSFET功率器件件xx3MOSFET功率器件件xx4.件5.件6.件合计xxx91600.00随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功
32、率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。第五章 选址方案一、 项目选址原则1、符合城乡建设总体规划，应符合当地工业项目占地使用规划的要求，并与大气污染防治、水资源和自然生态保护相一致。2、项目选址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其它特别需要保护的敏感性目标。3、节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地。4
33、、项目选址选择应提供足够的场地以满足工艺及辅助生产设施的建设需要。5、项目选址应具备良好的生产基础条件，水源、电力、运输等生产要素供应充裕，能源供应有可靠的保障。6、项目选址应靠近交通主干道，具备便利的交通条件，有利于原料和产成品的运输。通讯便捷，有利于及时反馈市场信息。7、地势平缓，便于排除雨水和生产、生活废水。8、应与居民区及环境污染敏感点有足够的防护距离。二、 建设区基本情况长春，吉林省辖地级市、省会、副省级市、长春城市群核心城市，是中华人民共和国批复确定的中国东北地区中心城市之一和重要的工业基地。截至2020年，长春下辖7个区、1个县、代管3个县级市，总面积24744平方公里。截至20
34、20年11月11日，长春常住人口为906.6906万人。长春地处中国东北地区，位于东北的地理中心，东北亚经济圈中心城市，分别与松原、四平、吉林和哈尔滨接壤，是著名的中国老工业基地，是新中国最早的汽车工业基地和电影制作基地，有“东方底特律”和“东方好莱坞”之称，同时还是新中国轨道客车、光电技术、应用化学、生物制品等产业发展的摇篮，诞生了著名的中国第一汽车集团有限公司、中车长春轨道客车股份有限公司、长春电影制片厂、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院长春应用化学研究所、长春生物制品研究所。长春是国家历史文化名城，具有众多历史古迹、工业遗产和文化遗存，是近代东北亚政治军事冲突完整历程的
35、集中见证地；也是中国四大园林城市之一，享有“北国春城”的美誉，绿化率居于亚洲大城市前列；还是“中国制造2025”试点城市、“首批全国城市设计试点城市”，位列“自然指数-科研城市2021”全球第37名、中国第13名。综合实力达到新规模，经济结构实现新优化。到2020年，全市地区生产总值超过6600亿元，比2010年翻一番，占全省经济总量比重53.9%。固定资产投资5年累计超过9000亿元。地方财政收入超过440亿元。社会消费品零售总额年均增长4%。供给侧结构性改革深入推进，供给体系适应性和灵活性不断增强，服务业对经济增长贡献率超过50%。民营经济增加值占GDP比重持续提升，所有制结构进一步优化。
36、质量效益实现新提升，动能转换集聚新优势。城镇居民人均可支配收入达到4万元，农村居民人均可支配收入接近1.7万元，分别是2010年的2.2倍和2.5倍。粮食总产量达到232.8亿斤。税收收入占地方财政收入比重保持在70%以上，且逐年稳步提升。专利申请量年均增速超过10%，国家高新技术企业发展到1800户以上，市场主体总量超过100万户，大学生年留长人数突破10万人。红旗品牌汽车产销量突破20万辆，自主研发的时速400公里跨国互联互通高速动车组下线，“吉林一号”卫星在轨数量达到25颗。到2030年，实现新时代长春全面振兴全方位振兴，形成支撑全面振兴全方位振兴的市场体系、产业体系、城乡区域发展体系、
37、绿色发展体系、全面开放体系、民生保障体系。营商环境进入全国第一方阵，国资国企改革取得重大进展，民营经济发展瓶颈得到根本破解。创新驱动能力显著增强，现代农业持续走在全国前列，先进制造业具有国际竞争力，新动能产业占比大幅提高。长春现代化都市圈更加成熟，新型城镇化和乡村振兴战略取得长足进步。生态产品价值实现机制基本建立，美丽长春建设取得重大进展。对内合作和对外开放协同联动，开放合作短板基本补齐。人均地区生产总值和城乡居民收入进入国家先进城市行列，共同富裕水平显著提高。三、 推动产业集群集聚推动工业集群集聚发展。以长春高质量发展“四大板块”为主战场，依托国家和省级经济技术开发区，推动汽车、装备制造、光
38、电信息、医药等产业集群发展。发展循环经济产业开发区等专业化园区，强化要素整合和差异化发展。建设现代服务业集聚区。围绕文化创意、现代物流、科创服务等领域，引导资源配置向优势服务业集聚，建设现代服务业集聚区。加强集聚度高、特色突出、功能完善的集聚区和特色园区建设，积极完善配套政策，鼓励集聚发展，提升质量效益。促进现代农业优势特色产业集聚。依托农业农村现代化“两大基地”，推动优势产业向现代农业园区、重点“菜篮子”基地和特色产业板块集中，以皓月、国信等现代产业示范园为龙头，加快都市农业和设施农业规模化、集约化发展。四、 项目选址综合评价项目选址区域地势平坦开阔，四周无污染源、自然景观及保护文物。供电、
39、供水可靠，给、排水方便，而且，交通便利、通讯便捷、远离居民区，所以，从项目选址周围环境概况、资源和能源的利用情况以及对周围环境的影响分析，拟建工程的项目选址选择是科学合理的。第六章 建筑工程可行性分析一、 项目工程设计总体要求（一）土建工程原则根据生产需要，本项目工程建设方案主要遵循如下原则：1、布局合理的原则。在平面布置上，充分利用好每寸土地，功能设施分区设置，人流、物流布置得当、有序，做到既利于生产经营，又方便交通。2、配套齐全、方便生产的原则。立足厂区现有基础条件，充分利用好现有功能设施，保证水、电供应设施齐全，厂区内外道路畅通，方便生产。在建筑结构设计，严格执行国家技术经济政策及环保、
40、节能等有关要求。在满足工艺生产特性，设备布置安装、检修等前提下，土建设计要尽量做到技术先进、经济合理、安全适用和美观大方。建筑设计要简捷紧凑，组合恰当、功能合理、方便生产、节约用地；结构设计要统一化、标准化、并因地制宜，就地取材，方便施工。（二）土建工程采用的标准为保证建筑物的质量，保证生产安全和长寿命使用，本项目建筑物严格按照相关标准进行施工建设。1、工业企业设计卫生标准2、公共建筑节能设计标准3、绿色建筑评价标准4、外墙外保温工程技术规程5、建筑照明设计标准6、建筑采光设计标准7、民用建筑电气设计规范8、民用建筑热工设计规范二、 建设方案主要厂房在满足工艺使用要求，满足防火、通风、采光要求
41、的前提下，力求做到布置紧凑、节省用地。车间立面造型简洁明快，体现现代化企业的建筑特色。屋面防水、保温尽可能采用质量较高、性能可靠的新型建筑材料。本项目中主要生产车间及仓库均为钢结构，次建筑为砖混结构。考虑当地地震带的分布，工程设计中将加强建筑物抗震结构措施，以增强建筑物的抗震能力。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积123745.72，其中：生产工程81629.47，仓储工程18718.13，行政办公及生活服务设施11311.09，公共工程12087.03。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程20984.4481629.4710592.731.11
42、#生产车间6295.3324488.843177.821.22#生产车间5246.1120407.372648.181.33#生产车间5036.2719591.072542.261.44#生产车间4406.7317142.192224.472仓储工程8393.7818718.132024.632.11#仓库2518.135615.44607.392.22#仓库2098.454679.53506.162.33#仓库2014.514492.35485.912.44#仓库1762.693930.81425.173办公生活配套2491.4311311.091767.713.1行政办公楼1619.437
43、352.211149.013.2宿舍及食堂872.003958.88618.704公共工程6104.5612087.031050.18辅助用房等5绿化工程7831.17129.73绿化率12.11%6其他工程18682.3066.647合计64667.00123745.7215631.62第七章 发展规划一、 公司发展规划（一）发展计划1、发展战略作为高附加值产业的重要技术支撑，正在转变发展思路，由“高速增长阶段”向“高质量发展”迈进。公司顺应产业的发展趋势，以“科技、创新”为经营理念，以技术创新、智能制造、产品升级和节能环保为重点，致力于构造技术密集、资源节约、环境友好、品质优良、持续发展的
44、新型企业，推进公司高质量可持续发展。2、经营目标目前，行业正在从粗放式扩张阶段转向高质量发展阶段，公司将进一步扩大高端产品的生产能力，抓住市场机遇，提高市场占有率；进一步加大研发投入，注重技术创新，提升公司科技研发能力；进一步加强环境保护工作，积极开发应用节能减排染整技术，保持清洁生产和节能减排的竞争优势；进一步完善公司内部治理机制，按照公司治理准则的要求规范公司运行，提升运营质量和效益，努力把公司打造成为行业的标杆企业。（二）具体发展计划1、市场开拓计划公司将在巩固现有市场基础上，根据下游行业个性化、多元化的消费特点，以新技术新产品为支撑，加快市场开拓步伐。主要计划如下：（1）密切跟踪市场消
45、费需求的变化，建立市场、技术、生产多部门联动机制，提高公司对市场变化的反应能力； （2）进一步完善市场营销网络，加强销售队伍建设，优化以营销人员为中心的销售责任制，激发营销人员的工作积极性； （3）加强品牌建设，以优质的产品和服务赢得客户，充分利用互联网宣传途径，扩大公司知名度，增加客户及市场对迎丰品牌的认同感； （4）在巩固现有市场的基础上，积极开拓新市场，推进省内外市场的均衡协调发展，进一步提升公司市场占有率。2、技术开发计划公司的技术开发工作将重点围绕提升产品品质、节能环保、知识产权保护等方面展开。公司将在现有专利、商标等相关知识产权的基础上，进一步加强知识产权的保护工作，将技术研发成果整理并进行相应的专利申请，通过对公司无形资产的保护，切实做好知识产权的维护。为保证上述技术开发计划的顺利实施，公司将加大科研投入，强化研发队伍素质，创新管理机制和服务机制，积极参加行业标准的制定，不断提高企业的整体技术开发能力。3、人力资源发展计划培育、拥有一支有事业心、有创造力的人才队伍，是企业核心