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1、1 第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1PN 结加正向电压时，空间电荷区将_ A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2设二极管的端电压为u ，则二极管的电流方程是_ A. B. C. 3稳压管的稳压是其工作在_ A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4VUGS0时，能够工作在恒流区的场效应管有_ A. 结型场效应管B. 增强型MOS 管C. 耗尽型MOS 管5对 PN 结增加反向电压时，参与导电的是_ A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量_ A. 增加B. 减少C. 不变7用万用表的R 100 档和R 1K
2、档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果_ A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8面接触型二极管适用于_ A. 高频检波电路B. 工频整流电路9下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是：_ A. 2CZ11 B. 2CP10 C. 2CW11 D.2AP6 10当温度为20时测得某二极管的在路电压为VUD7 .0。若其他参数不变，当温度上升到 40，则DU的大小将_ A. 等于 0.7V B. 大于 0.7V C. 小于0.7V 11当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有_ A. 两种B. 三种C. 四种12在图中，稳压管1
3、WV和2WV的稳压值分别为6V 和 7V，且工作在稳压状态，由此可知输出电压OU为 _ A. 6V B. 7V C. 0V D. 1V 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 6 页 - - - - - - - - - 2 13将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（）A. 两种B. 三种C. 四种14在杂质半导体中， 多数载流子的浓度主要取决于_（1）_，而少数载流子的浓度与_（2）_有很大关系。（1）A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶
4、体缺陷（2）A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷15当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 _（1）_漂移电流， 耗尽层 _（2）_，当 PN 结外加反向电压时，扩散电流_（3）_漂移电流，耗尽层_（4）_。（1）A. 大于B. 小于C. 等于D. 变宽E. 变窄F. 不变（2）A. 大于B. 小于C. 等于D. 变宽E. 变窄F. 不变（3）A. 大于B. 小于C. 等于D. 变宽E. 变窄F. 不变（4）A. 大于B. 小于C. 等于D. 变宽E. 变窄F. 不变16甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表1.6 所示，你认为哪一个二极管的性能最好？表 1.6 管号加 0.5V
5、 正向电压时的电流加反向电压时的电流哪个性能好？甲0.5mA 1uA （）乙5 Ma 0.1 uA （）丙2 mA 5 uA （）A. 甲B. 乙C. 丙17. 一个硅二极管在正向电压VUD6.0时，正向电流mAID10。若DU增大到0.66V （即增加 10%） ，则电流DI_ A. 约为 11mA（也增加 10%）B. 约为 20mA（增大 1 倍）C. 约为 100mA （增大到原先的10 倍）D. 仍为 10 mA（基本不变）18. 在如下图所示的电路中，当电源 V1=5V 时，测得 I=1mA 。若把电源电压调整V1=10V ，则电流的大小将V1=5V 是 _。A. I =2mA B
6、. I2mA C. I2mA 21. 在 P 型半导体中，多数载流子是_（1）_，在 N 型半导体中，多数载流子是_（2）（1）A. 正离子B. 自由电子C. 负离子D. 空穴（1）A. 正离子B. 自由电子C. 负离子D. 空穴23. 本征半导体温度升高以后，自由电子和空穴的变化情况是_。A. 自由电子数目增加，空穴数目不变B. 空穴数目增加，自由电子数目不变C. 自由电子和空穴数目等量增加24. N 型半导体 _（1）_， P 型半导体 _（2）_。（1）A. 带正电B. 带负电C. 呈电中性名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - -
7、- - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页，共 6 页 - - - - - - - - - 3 （2）A. 带正电B. 带负电C. 呈电中性26. PN 结外加反向电压时，其内电场_。A. 减弱B. 不变C. 增强27. PN 结在外加正向电压的作用下，扩散电流_漂移电流。A. 大于B. 小于C. 等于28. 在本征半导体中加入_（1）_ 元素可形成N 型半导体，加入_（ 2）_ 元素可形成P型半导体。（1） A. 五价B. 四价C. 三价（2） A. 五价B. 四价C. 三价29. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_ A. 增大B. 不变C. 减小30. 工作在
8、放大区的某三极管，如果当BI从 12A 增大 22 A 时，CI从 1mA 变为 2mA，那么它的 约为 _ A. 83 B. 91 C. 100 31. 硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零，只有在外加电压达到约_V 时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的死区电压。与硅二极管一样，只有在锗三极管上外加正向电压达到约_V 时，正向电流才明显增加。这个电压称为锗二极管的死区电压。（1） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V （2） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V 二、判断题 (正确的选 “Y”，错误的选 “N”)1. P 型
9、半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ Y）（N）2. 在 N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质改型为P 型半导体。（Y）（N）3. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （Y）（N）4. PN 结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（Y）（N）5. 漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（Y）（N）6. 由于 PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把 PN 结两端短路时就有电流流过。 （Y）（N）7. PN 结方程可以描述PN 结的正向、 特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。（Y）（N）8N 型半导体的多数载流子是电子，因此N 型半导体带负电。 （ Y）
10、（N）11在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（Y）（N）12当外加反向电压增加时，PN 结的结电容将会增大。 （Y）（N）13通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（Y）（N）14通常的JEFT 管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（Y）（N）15当环境温度升高时，本征半导体中自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变。（Y）（N）16当环境温度升高时，本征半导体中空穴和自由电子的数量都增加，且它们增加的数量相等。 （Y）（N）17 P 型半导体中的多数载流子都是空穴，因此，P 型半导体带正电。 （ Y）（N）18 PN 结中的空间电荷区
11、是由带电的正，负离子形成的，因而它的电阻率很高。（Y）（N）19 半导体二极管是根据PN 结单向导电的特性制成。因此，半导体二极管也具有单向导电性。 （Y）（N）名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 6 页 - - - - - - - - - 4 21 当二极管两端加正向电压时，二极管中有很大的正向电流通过。这个正向电流是由P 型和 N 型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。（Y）（N）22 用万用表判断二极管的极性，若测得二极管的电阻很小，那么，与万用表的红表
12、笔相接的电极是二极管的负极，与黑表笔相接的是二极管的正极。（ Y）（N）24用万用表欧姆挡测量二极管的正相电阻，用R 1 档测出的电阻值和用R 100 挡测出的电阻值不相同，说明这个二极管的性能不稳定。（Y）（N）25漂移电流是少数载流子形成的。（Y）（N）26当晶体二极管加反向电压时，将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P 型和N 型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。（Y）（N）27. 普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿都是不可逆的。（Y）（N）28. 正偏时二极管的动态内阻随着流过二极管的正向电流的增加而减小。（Y）（N）29. 发光二极管内部仍有一个PN 结， 因而他同普通二极
13、管一样导通后的正向压降为0.3V 或0.7V 。 （Y）（N）30. 发光二极管的发光颜色是由采用的半导体的材料决定的。（ Y）（N）31. 稳压二极管只要加上反向电压就能起到稳压作用。（Y）（N）32. 整流二极管一般都采用面接触型或平面型硅二极管。（Y）（ N）33. 硅二极管存在一个结电容，这仅是由引脚和壳体形成的。（ Y）（N）34. P 型半导体可以通过在本征半导体中掺入五价磷元素而得到。（ Y）（N）35. N 型半导体可以通过在本征半导体正掺入三价铟元素而得到。（Y）（N）36. N 型半导体中，掺入高浓度的三价元素，可以改变为P 型半导体。（Y）（N）37漂移电流是在内电场作用
14、先形成的。（ Y）（N）38导体的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（Y）（N）39导体中的空穴的移动是借助于相邻价电子于空穴复合而移动的。（Y）（ N）40施主杂质成为离子后是正离子。（Y）（N）41受主杂质成为离子后是负离子。（Y）（N）43极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的击穿特性。（Y）（N）题目系太原电力高等专科学校精品课程电子技术基础http:/211.82.16.84/wljx/jpkc/dzjs/exam/md01.asp 其中缺少题号的题目是与已有的题目重复，故没有写出。 答案是本人参考各资料整理，旨在学习交流，如有错误，敬请指正
15、。liuyj_ 答案：选择题：15. ACCAB 610. ACBDC 第 9 题中， 2 表示二极管，三极管则为3，A、B 表示材料锗，C、D 表示材料硅， A、C 表示 N 型， P 表示普通， W 表示稳压， Z 表示整流，后面阿拉伯数字表示序号。1115. CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D 11 题中两个稳压管D1 和 D2，稳定电压分别是V1 和 V2，正向导通电压都是0.7V ，当 D1和 D2 都反接即工作在稳压状态时，稳定电压为V1+V2 ，若都正接即导通状态时，稳定电压为 07V+0.7V 1.4V，若一个反接一个正接，则为V1+0.7V 或 V2+0.
16、7V ，所以共有4 个稳压值。13 题中，稳压管 D1 和普通二极管D2， D1 的稳定电压是V1， 二者的正向导通电压都是0.7V，名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 6 页 - - - - - - - - - 5 当二者都反接时，则输出电压为输入电压；若D1 反接， D2 正接，则稳压值为V1+0.7V ，当二者都正接，则稳压值为0.7+0.71.4V，若 D1 正接， D2 反接，则输出仍为输入电压。故只有两种稳压值。16.B 17.C 18.C 17
17、题中，正向电流与正向电压的关系为第2 题 C 中的公式，电流随电压按指数形式增加。18 题中，原题无图，故从别的资料中找到的一幅图，序号不相对应。21.（1）D（2）B 23.C 24.（1）C（2） C 26.C 27.A 28.（ 1）A（2）C 29.A 30.C 31.（1）C（2）B 注意：锗二极管和硅二极管的正向压降、死区电压和反向饱和电流的取值范围如下所示：二极管正向压降 /V 死区电压 /V 反向饱和电流锗0.20.3 0.10.2 大，uA 级硅0.60.7 0.40.6 小，nA 级一般典型值锗管VVon3.0，VVth1.0，硅管VVon7.0，VVth5. 0此处选项只
18、有0.2V ，故第（ 2）选 B。判断题：15. NYNYY 68. NNN 11.N 12.N 13.N 14.N 15.N 11 题与选择题第5 题类似，对PN 结加正向电压，扩散运动大于漂移运动，PN 结内的电流便由起支配地位的扩散电流所决定；对PN 结加反向电压，漂移运动大于扩散运动，PN 结内的电流便由起支配地位的漂移电流所决定。12 题中 PN 结的结电容是势垒电容和扩散电容的总效果，结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。当PN 结处于正向偏置时，正向电阻很小，结电容较大，主要取决于扩散电容；当PN 结处于反向偏置时，反向电阻很大，结电容较小，主要取决于势垒电容
19、。当反向电压增加时，PN 结厚度增大， PN 结厚度跟势垒电容的关系，类似平板电容器跟极间距离成反比的关系。故PN 结的结电容应该是减小。16.Y 17.N 18.N 19.Y 18 题半导体的电导率很高，但掺入微量杂质后，电阻率会发生很大的变化，导电能力可增加几十万乃至几百万倍。21.Y 22.N 24.N 25.Y 2630.YNYNY 29 题中二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。1. 直插超亮发光二极管压降主要有三种颜色，然而三种发光二极管的压降都不相同，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降
20、为2.0-2.2V 黄色发光二极管的压降为1.82.0V 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 6 页 - - - - - - - - - 6 绿色发光二极管的压降为3.03.2V 正常发光时的额定电流约为20mA。2. 贴片 LED 压降红色的压降为1.82-1.88V ，电流 5-8mA 绿色的压降为1.75-1.82V ，电流 3-5mA 橙色的压降为1.7-1.8V ，电流 3-5mA 兰色的压降为3.1-3.3V ，电流 8-10mA 白色的压降为3-
21、3.2V ，电流 10-15mA. LED 压降及电流1黃綠 (565-575nm)黃 (585-595nm) 紅 (600-650nm) led 的壓降在 1.8-2.4v(平均 2.0v)工作電流 20ma = (5.0- 2.0)v/150 2藍 (465-475nm) 綠(500-535nm) 白光led 的壓降在 2.8-4.0v( 平均 3.3v)工作電流 20ma = (5.0- 3.3)v/853.1 5.0 指 led 和限流電阻兩端的輸入電壓3.2 被減去的壓降是led 的壓降3.3 阻值是根據led 20ma 工作時電阻需要承擔的壓降計算得知的以上計算都是根據led 的 20ma 工作平均壓降計算的LED 的正向壓降 :不同光 (波長 ),會不同 . 最大工作電流 :30mA/25 :一般亮度的可見光; 50-300mA/ :高亮度的可見光LED ；3135.NYNNN 3640.YYYYY 41.Y 43.N. 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页，共 6 页 - - - - - - - - -