2022年北工大年半导体物理期末试卷 .pdf

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1、半导体物理2012-2013学年(2012.12.31) 一、简答题( 5*6 =30 )1.Si 和 GaAs 半导体晶体的解理面分别是什么?为什么?一种半导体材料导带底Ec(k)附近和价带顶Ev(k) 附近表达式为:,判断该半导体是直接带隙还是间接带隙。2.A、 B 两种半导体, A 的禁带宽度为1eV ,B 的为 1.2eV ,其他各种参数均相同,求ni 之比3.什么是载流子的迁移率,影响因素, 假定半导体内存在三种散射机制。只存在第一种散射机制时的迁移率是2000 cm2/Vs , 只存在第二种散射机制时的迁移率是1500 cm2/Vs , 只存在第三种散射机制时的迁移率是500 cm

2、2/Vs ,求总迁移率。4.什么是 PN 结的势垒电容?与平行电容板的区别,如何降低势垒电容?区别:平行板电容器两极板间的距离d 是一个是常数,不随电压V 变化,而空间电荷宽度Xm 不是一个常数,随电压 V 变化,因此其电容是常数。势垒电容是偏压V 的函数,在一定的直流外加偏压下,当电压有微小变化时,相应的5.写出理想 PN 结电流 -电压关于( J-V)公式。 Pn 结与肖特基结电流成分的区别。肖特基二极管 内部是由阳极金属和阴极金属等构成,在N 型基片和阳极金属之间形成 肖特基势垒 。当在肖特基势垒两端加上正向偏压时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖

3、特基势垒层则变宽,其内阻变大。PN结二极管 是有半导体材料 组成的,阳极是P,阴极是 N,中间形成 PN结,当加正向电压大于死区电压二极管导通二、(15 )N 型半导体,1)画 n-T 图,并解释2)画 -T 图3)由(1) ( 2)画 -T 图,并解释三、(15 )一理想的MOS 结构的高频测量的C-V 曲线如下图(1)判断该结构中,半导体的n/p 。(2)SiO2 层, C=200pF ,S=2x10-3cm2,求 di 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页,共

4、 5 页 - - - - - - - - - (3)说明图中 1,2,3,4,5 点的半导体一侧的状态,并示意画出每点半导体一侧的能带形状,以及金属和半导体一侧的电荷分布。四、15名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页,共 5 页 - - - - - - - - - 9)要增大击穿电压,如何改变掺杂浓度?并画出能带图E-X。五、(15 )室温下,一块电阻率为0.43 cm 的 n 型硅 求多子浓度和少子浓度(可查图)。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - -

5、- - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页,共 5 页 - - - - - - - - - 计算费米能级位置Ec-Ef 。制备肖特基二极管,在WAu=4.80eV ,Wpt=5.3,WGa=4.0 ,Wcu=4.1,应选哪些金属?为什么?4) 求 qVd 最大的金属和其qVd ,画出能带图。六、(10 )肖特基实验,题中给出过程。1) n 和p 的运动方向,为什么?2) 如何测出迁移率,是多子还是少子?附录:1.物理常数:电子电荷Q 1.6x10-19C 波尔兹曼常数K 1.38x10-23J/K 电子伏特eV 1.6x

6、10-19J 真空介电常数08.854x10-12F/m 2.Si 材料的性质( 300K ) :本征载流子浓度ni 1.5x1010cm-3导带底等效状态密度Nc 3x1019cm-3价带顶等效状态密度Nv 1x1019cm-3亲和势X 4.05eV 禁带宽度Eg 1.12 eV 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页,共 5 页 - - - - - - - - - 3.Si 材料电阻率随掺杂浓度变化图名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页,共 5 页 - - - - - - - - -

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