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1、半导体二极管及基本电路半导体二极管及基本电路半导体的基本知识本征半导体、空穴及其导电作用杂质半导体 根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3109 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的特点：1）导电能力不同于导体、绝缘体；2）受外界光和热刺激时电导率发生很大变化光敏元件、热敏元件；3）掺进微量杂质，导电能力显著增加半导体。半导体的基本知识PN结的形成及特性PN结的形成及特性 PN结的单向导电性 PN结的形成PN结的形成 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。 内电场促使少子漂移内电场阻
2、止多子扩散 因浓度差多子的扩散运动由由杂质离子杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 动画+ 五价的元素+ 三价的元素产生多余电子产生多余电子产生多余空穴产生多余空穴PN结的单向导电性 (1) PN结加正向电压 外加的正向电压，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏。 动画 外加反向电压,方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂
3、移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 动画（2）PN结加反向电压结加反向电压总之：PN结正向电阻小，反向电阻大单向导电性。返回半导体二极管半导体二极管 二极管二极管 ：一个PN结就是一个二极管。单向导电：单向导电：二极管正极接电源正极，负极接电源负极时电流可以通过。反之电流不能通过。符号： 二极管按结构分有点接触型、面接触型二大类。(1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，
4、用于检波和变频等高频电路。(2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于大电流整流电路。半导体二极管的结构半导体二极管的伏安特性曲线 式中IS 为反向饱和电流，VD 为二极管两端的电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。) 1(eTSVVDII 第一象限的是正向伏安特性曲线，第三象限的是反向伏安特性曲线。(1) 正向特性 硅二极管的死区电压Vth=0.50.8V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.20.3 V左右。 当0VVth时，正向电流为零，Vth称死区电压或开启电压。正向区分为
5、两段： 当V Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。反向区也分两个区域： 当VBRV0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当VVBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。(2) 反向特性 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 若|VBR|7V时,主要是雪崩击穿；若|VBR|4V时, 则主要是齐纳击穿。(3) 反向击穿特性半导体二极管的参数(1) 最大整流电流最大整流电流IF(2) 反向击穿电压反向击穿电压VBR(3) 反向电流反向电流I I
6、R R(4) 正向压降正向压降VF在室温，规定的反向电压下，最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。硅二极管约0.60.8V；锗二极管约0.20.3V。二极管连续工作时，允许流过的最大整流电流的平均值。二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。二极管基本电路分析二极管基本电路分析正向偏置时：管压降为0，电阻也为0。反向偏置时：电流为0，电阻为。当iD1mA时， vD=0.7V。（实际模型）200
7、15.07.0mAVViVVrDthDD)()(26mAImVivrDQDDDDDthDriVV1.静态分析静态分析例例1：求VDD=10V时，二极管的 电流ID、电压VD 值。解：解：正向偏置时：管压降为0，电阻也为0。反向偏置时：电流为0，电阻为。mAKVVRVVIDDDD93. 0107 . 01020015 . 07 . 0mAVViVVrDthDDmAKKVVrRVVIDthDDD931. 02 . 0105 . 010VKmAVrIVVDDD69. 02 . 0931. 05 . 05 . 0VVD0mAKVRVIDDD11010当iD1mA时， vD=0.7V。VVD7 . 02
8、.限幅电路限幅电路VRVmvit0Vi VR时，二极管导通，vo=vi。ViV1时，D1导通、D2截止，Vo=V1。ViV2时，D2导通、D1截止，Vo=V2。V2ViV1时，D1、D2均截止，Vo=Vi。例7：画出理想二极管电路的传输特性（VoVI）。 解： VI25V ，D1导通，D2截止。32532IOVVVI137.5V，D1、D2均导通。 VO=25V25300200)25(IOVVVO=100VVI25V75V100V25V50V100V125VVO50V75V150V0137.5例8：画出理想二极管电路的传输特性（VoVI）。当VI0时D1截止D2导通IOVV210VIVO- -
9、 5V+5V+5V- - 5V+2.5V- -2.5V 已知二极管D的正向导通管压降VD=0.6V，C为隔直电容，vi(t)为小信号交流信号源。试求二极管的静态工作电流IDQ，以及二极管的直流导通电阻R直。 1. 求在室温300K时，D的小信号交流等效电阻r交 。CR1KE1.5V+VD+vi(t)mAKVIDDQ9 . 015 . 1)(89.289 .026QTIVr交)(67.09 .06 .0kR直解：解：例10：例例3： 二极管限幅电路:已知电路的输入波形为 v i ,二极管的VD 为0.6伏，试画出其输出波形。解：解：Vi 3.6V时，二极管导通，vo=3.6V。Vi 3.6V时，
10、二极管截止， vo=Vi。特殊二极管特殊二极管稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻起限流作用，保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。(2) 动态电阻动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =VZ /IZ， rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3)(3) 最大耗散功率最大耗散功率 PZM 最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ= VZ IZ，由 PZM和VZ可以决定IZmax。 (4)(4) 最大稳定工作电流最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流和最小稳定工作电流IZmin 最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax =VZIZmax 。而Izmin对应VZmin。 若IZIZmin则不能稳压。(1) 稳定电压稳定电压VZ例12： IR IZ Io稳压管的稳压过程。RLIoIRVoIZIRVo38 结束语结束语