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1、设计规则active符号名称含 义2.1Active Minimum Width-3有源区的最小宽度有源区的最小宽度（最小沟道宽度）（最小沟道宽度）2.2Active to Active Spacing -3有源区最小间距有源区最小间距N+P+P+N+P+11 2 2112.3aSource/Drain Active to Well Edge -5阱对其中器件有源区阱对其中器件有源区最小覆盖最小覆盖2.3bSource/Drain Active to Well Space -5阱外器件有源区距阱阱外器件有源区距阱最小间距最小间距设计规则activeN+P+P+N+P+11 2 23b113aN
2、+P+P+N+P+11 2 23b113a4a4b2.4a WellContact(Active) to Well Edge -3阱对其中阱接触阱对其中阱接触(有源有源区区)最小覆盖最小覆盖2.4bSubsContact(Active) to Well Spacing -3阱外衬底接触距阱的阱外衬底接触距阱的最小间距最小间距2.5Covered in 4.2a同同4.2a为同一规则为同一规则设计规则active设计规则poly符号符号名称名称含含 义义3.1Poly Minimum Width -2poly最小宽度最小宽度3.2Poly to Poly Spacing -2Poly最小间距最小
3、间距3.3Gate Extension out of Active -2硅栅最小出头量硅栅最小出头量N+P+33221121N+P+33221121N+P+554a4b设计规则poly符号符号名称名称含含 义义3.4aSource/Drain Width -3硅栅与硅栅与N+有源区最小内有源区最小内间距间距(N+超出超出Poly的距离的距离)3.4b Source/Drain Width -3硅栅与硅栅与P+有源区最小内有源区最小内间距间距(P+超出超出Poly的距离的距离)3.5Poly to Active Spacing -1场区硅栅与有源区最小间场区硅栅与有源区最小间距距设计规则Sele
4、ct符号符号名称名称含含 义义4.2aActive to N-Select Edge -2N+注入区对有源区最小包围注入区对有源区最小包围4.2bActive to P-Select Edge -2P+注入区对有源区最小包围注入区对有源区最小包围4.3aSelect Edge to ActCnt -1N型注入区对有源区接触孔型注入区对有源区接触孔最小包围最小包围4.3bSelect Edge to ActCnt -1P型注入区对有源区接触孔型注入区对有源区接触孔最小包围最小包围4.3c Not Exists: ActCnt not on Active非有源区不能打有源区接触非有源区不能打有源区
5、接触孔孔2a2bN+P+ 3a 3b设计规则Select符号符号名称名称含含 义义4.4aSelect Minimum Width -2N+注入区最小宽度注入区最小宽度4.4bSelect Minimum Width -2P+注入区最小宽度注入区最小宽度4.4cSelect to Select Spacing -2N型注入区最小间距型注入区最小间距4.4dSelect to Select Spacing -2P型注入区最小间距型注入区最小间距4a4c4b4dnSelectpSelect设计规则Select符号符号名称名称含含 义义4.5 Not Existing: pSel Overlap o
6、f nSelP+注入区不能和注入区不能和N+注入区重叠注入区重叠4.6Not Existing: Not Selected Active不能存在没有注入的不能存在没有注入的有源区有源区设计规则Poly contact符号符号名称名称含含 义义5.1APoly Contact Exact Size -2多晶硅接触孔确多晶硅接触孔确切宽度切宽度5.2AFieldPoly Overlap of PolyCnt -1.5多晶硅与多晶硅多晶硅与多晶硅接触孔最小围绕接触孔最小围绕5.3APolyContact to PolyContact Spacing -2接触孔间距接触孔间距定义为金属定义为金属1与多
7、晶硅与多晶硅的所有连接！的所有连接！1A3A2A设计规则Active contact定义为金属定义为金属1与有与有源区的所有连接源区的所有连接符号符号名称名称含含 义义6.1AActive Contact Exact Size -2有源区接触孔确切宽度有源区接触孔确切宽度6.2AFieldActive Overlap of ActCnt -1.5有源区与有源区接触孔有源区与有源区接触孔最小围绕最小围绕6.3AActive Contact to Active Contact Spacing -2接触孔间距接触孔间距6.4A Active Contact to Gate Spacing -2源漏区
8、接触孔与栅最小源漏区接触孔与栅最小间距间距1A3A2A4A设计规则metal1符号符号名称名称含含 义义7.1Metal1 Minimum Width -3金属金属1最小宽度最小宽度7.2Metal1 to Metal1 Spacing -3金属金属1最小间距最小间距7.3Metal1 Overlap of PolyContact -1金属金属1对多晶硅最小对多晶硅最小接触孔的最小围绕接触孔的最小围绕7.4Metal1 Overlap of ActiveContact -1金属金属1对有源区接触对有源区接触孔的最小围绕孔的最小围绕12344设计规则Via定义为两层金属之定义为两层金属之间的连接
9、孔间的连接孔符号符号名称名称含含 义义8.1Via Exact Size -2通孔确切面积通孔确切面积8.2Via to Via Spacing -3通孔间距通孔间距8.3Metal1 Overlap of Via -1金属金属1对通孔的最小对通孔的最小围绕围绕1238.4a/8.4bVia to PolyContact/ ActiveContact spacing -2通孔与多晶硅通孔与多晶硅 / 有源区有源区接触孔的最小间距接触孔的最小间距8.5a/ 8.5cVia to Poly/Active Spacing -2Poly与有源区对通孔与有源区对通孔的最小间距的最小间距8.5b/ 8.5
10、dVia(On Poly/Active) to Poly/Active Edge -2Poly与有源区对通孔与有源区对通孔的最小围绕的最小围绕 设计规则Via4b4a5a5c5b5d设计规则metal2可用于电源线、地线、总线、可用于电源线、地线、总线、时钟线及各种低阻连接时钟线及各种低阻连接符号符号名称名称含含 义义9.1Metal2 Minimum Width -3金属金属2最小宽度最小宽度9.2Metal2 to Metal2 Spacing -4金属金属2最小间距最小间距9.3Metal2 Overlap of Via1 -1金属金属2对通孔的最小围绕对通孔的最小围绕123设计规则总结
11、：大绘图层对小绘图层的最小围绕，例如：阱对有源区的最小围绕；n_select/p_select对有源区的最小围绕；n_select/p_select对有源区接触孔的最小围绕；有源区对有源区接触孔的最小围绕；多晶硅对多晶硅接触孔的最小围绕；金属1对有源区接触孔的最小围绕；金属1对多晶硅接触孔的最小围绕；金属对通孔的最小围绕。绘图层的最小宽度，例如：阱的最小宽度；有源区最小宽度；多晶硅最小宽度；n_select/p_select最小宽度；多晶硅接触孔最小宽度；有源区接触孔最小宽度；金属1最小宽度；金属2最小宽度；通孔最小宽度。绘图层与绘图层的最小间距，例如：阱跟阱的最小间距；有源区最小间距；阱跟阱
12、外有源区最小间距；多晶硅最小间距；n_select/p_select最小间距；有源区接触孔最小间距；多晶硅接触孔最小间距；有源区接触孔与栅最小间距；金属1最小间距；通孔间距。等等练习：用该设计规则，分别设计NMOS管和PMOS管的版图，并组装成CMOS反相器的版图。要求：1、版图面积最小 2、NMOS管和PMOS的沟道宽度均为222 22 21 1. .5 52 22 22 2NMOS晶体管： 多晶硅：2*26 有源区：13*22 N-select：17*26 有源区接触孔：2*2NMOS晶体管衬底： 有源区接触孔：2*2 有源区：5*5 P-select：9*92 22 21 1. .5 52 22 22 25 5PMOS晶体管： 多晶硅：2*26 有源区：13*22 P-select：17*26 N-well：23*32 有源区接触孔：2*2PMOS晶体管衬底： 有源区接触孔：2*2 有源区：5*5 P-select：9*9 N-well：11*11结束结束