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1、思考：思考：2-1 2-16习题：习题：2-4 2-7 2-8 2-10 2-12 2-14 2-17 2-19 2-24 2-25 发射区（e区）的多子电子通过发射结扩散到基区（b区），形成扩散电流IEN；同时基区（b区）的多子空穴扩散到发射区（e区），形成扩散电流IEP。二者实际方向相同。IEIBICVCCVBBRCRBI IB BI IEPEPI ICBOCBOI IENENI ICNCNceb发射极电流: IE= IEN+ IEP IEN 。（多子形成的扩散电流） IEIBICVCCVBBRCRBI IB BI IEPEPI ICBOCBOI IENENI ICNCNceb 电源负极向
2、发射区补充电子形成发射极电流IE。 发射区（e区）的电子注入基区（b区）后，小部分在基区（b区）被复合（ IB )。（基区的浓度低）IEIBICVCCVBBRCRBI IEPEPI ICBOCBOI IENENI ICNCNceb VBB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成 IB。（不是 IB ，因为还有少子的漂移电流ICBO）I IB B 发射区的电子大部分通过基区往集电区（c区）扩散。（集电结电压反向，增强了少子的漂移，基区的少子是电子） 到达集电结边界的电子被集电结电场吸引进入集电区（c区），记作 ICN= IEN IB。IEIBICVCCVBBRCRBIBI IEPEPI ICBOCB
3、OI IENENI ICNCNceb 由于集电结反偏，所以有少子形成的漂移电流ICBO。 ICBO是基区和集电区的少子（平衡少子）在集电区与基区漂移运动形成的电流。 通常认为是发射极开路时，b-c间的反向饱和电流。IEIBICVCCRCRBI IEPEPI ICBOCBOI IENENI ICNCNcebVBBI IB B从外部看IE = IEN+ IEPIC = ICN+ ICBOIB = IB+ IEP ICBO VBBIEIBICVCCRCRBI IEPEPI ICBOCBOI IENENI ICNCNcebI IB B 发射区发射的总电子数，绝大部分被集电区收集，发射区发射的总电子数，
4、绝大部分被集电区收集，极少部分在基区与空穴复合。极少部分在基区与空穴复合。 集电区收集的电子数与发射区发射电子数的比值定集电区收集的电子数与发射区发射电子数的比值定义为义为 （共基（共基直流电流放大系数）直流电流放大系数）CNCNENEIIIIECNIIIE= IEN+ IEP IEN1CNBIIECNEBIIII)1 (IB为在基区复合掉的电子数) 是到达集电区的电子数和在基区中复合的电子数之比。由生产工艺确定（称共射直流电流放大系数）。1）晶体管结构上的保证：三个浓度不同的掺）晶体管结构上的保证：三个浓度不同的掺杂区，基区薄，掺杂浓度低；发射区掺杂浓度杂区，基区薄，掺杂浓度低；发射区掺杂浓
5、度高；集电结面积大。高；集电结面积大。）外加直流电源保证：发射结正向偏置，集电）外加直流电源保证：发射结正向偏置，集电结反向偏置。结反向偏置。(射极为公共端，IB为输入回路电流，IC为输出回路电流)VCCRcceb公共端公共端VBBRBIBICIECNCCBOBBCBOIIIIII(1)CBCBOBCEOIIIIICBII(1)EBII 晶体管工作在放大状态的外部条件是： VCCRcIc UcecebUbe输出输出回路回路输入输入回路回路公共端公共端EbRbIb（以NPN型为例说明） 对于NPN型三极管应满足: UBE 0(且UBE Uon） UBC UB UE 对于PNP型三极管应满足: U
6、BE 0即UE UB UCIB = f (UBE )UC E = 常数常数IB / AUBE/V0UCE 1V0V 0.5V UCE=0，输入特性曲线与PN结的伏安特性类似。 当UCE 增大时，由于电场的作用，曲线右移，当UCE 增大到一定值后，再增加UCE ，曲线右移将不明显。IB = 常数常数IC = f (UCE ) 对于每个确定的IB均有一条对应曲线，因此输出特性是一族曲线。 对于一条固定的曲线，随着UCE的增加 ，IC逐渐增加，当UCE增大到一定的程度， IC 几乎不变， IC仅仅决定于IB。0UCE/V IC /mAIB =40AIB =60AIB增加增加IB 减小减小IB = 2
7、0AIB= 0 A IB=0以下的区域以下的区域饱和区饱和区IC / mAUCE /V0IB= 0 A20A40 A60 A80 A放放大大区区截止区截止区发射结和集电发射结和集电结都处于反偏状态。结都处于反偏状态。 严格说，严格说，IB=0，ICICEO管子基本不导电。管子基本不导电。交流交流共射共射电流放大系数电流放大系数： BCII 发射结正向偏置、发射结正向偏置、集电结反向偏置。集电结反向偏置。饱和区饱和区IC / mAUCE /V0IB= 0 A20A40 A60 A80 A放放大大区区截止区截止区C = IB 曲线几乎水平曲线几乎水平,C与与UCE无关，仅仅由无关，仅仅由IB决定。
8、决定。通常，认为通常，认为 。 C IB。 此时IB ， UCE 较小。IC不受IB的控制，IC随UCE增加而增加,。饱和区饱和区IC / mAUCE /V0IB= 0 A20A40 A60 A80 A放放大大区区截止区截止区反射结和集电结均处于正向偏置。 管子饱和时的UCE叫UCES。 当 UCB =0时，晶体管处于临界饱和状态。 (发射结正向偏置且集电结反向偏置)工作区域外部条件特点IB=0， IC0 (ICICEO)UBE Uon 且UCE UBE（发射结电压小于开启电压且集电结反偏） IC = IB(IC仅仅由IB决定)UBE Uon 且UCE UBE（发射结和集电结均正向偏置）UBE
9、 Uon 且UCE UBE IC IB(IC随uCE的增大而增大)UCE = UBE即UCB = 0ICS = IBS 温度升高时，输入特性曲线将左移，在室温附近，温度每升高1，|UBE|减小22.5mV。0I / mAUBE / V 75 20）温度对）温度对I ICEOCEO 和和I ICBOCBO的影的影响：响：UCE/ VIC/mA 752075207520 每升高每升高10 ， ICBO增大增大一倍，一倍， ICEO也是。也是。）温度对）温度对 的影响：的影响：温度升高输出特性上移（温度升高时，温度升高输出特性上移（温度升高时， 增加增加,iC的变化量增大）。的变化量增大）。 温度升
10、高，温度升高， 增大增大，每升高，每升高1 ， 增大增大0.5 1%。输出。输出特性曲线间距增大。特性曲线间距增大。BCBCEOCIIIIIECECBOCIIIII一般在一般在0.95 0.995一般在一般在19 199ICEO和 ICBO ：ICEO=（1+ ）ICBO,CCBEIIII， 使使 的数值下降为的数值下降为1时输入信号频率称为时输入信号频率称为因存在结电容，因存在结电容， 是输入信号频率的函数是输入信号频率的函数f高到一定程度，高到一定程度， 下降且产生相移下降且产生相移。）PCM= IC UCE=常数常数（ 决定于温升。T硅150、 T锗70性能明显变坏）使明显下降的IC即为
11、ICM （通常合金小功率管选uCE=1v, 由 PCM 定义ICM)UCE IC U(BR)CEOICMPCM=ICUCE安安全全工工作作区区 ：基极开路时集电极发射极的反向击穿电压。UCE IC U(BR)CEOICMPCM=ICUCE安安全全工工作作区区根据材料分为硅管和锗管； 根据三个区的掺杂方式分为NPN、PNP管； 根据使用的频率范围分为低频管和高频管； 根据允许的功率损耗分为小功率管、中功率管和大功率管。（1）同型号的管子选反向电流较小的；（2）值不宜太大，一般在几十100之间；（3）要求反向电流小、工作温度高选硅管；要求导通电压低选锗管；（4）工作信号频率高选高频管；开关电路选开
12、关管；（5）保证管子工作在安全区。包括最大集电极电流、最大功耗、反向击穿电压、散热条件等。ececbb（UE最低）最低）（UC最低）最低）（UC最高）最高）（UE最高）最高）（UBE=UON） 正值正值（UBE=UON） 负值负值测得某电路中几只NPN晶体管三个极的直流电位如表所示，各晶体管BE间的导通电压Uon均为0.7V。 试分别说明各管子的工作状态。晶体管基极直流电位UB/V发射极直流电位UE/V集电极直流电位UC/V工作状态T1T2T3T40.70.31-10050.7-1.70015放大放大饱和截止 光电三极管依据光照的强度来控制集电极电流的大小。其功能可以等效为一个光电二极管和一只
13、晶体三极管相连。e符号符号cce等效电路等效电路光电晶体管的输出特性曲线光电晶体管的输出特性曲线 光电三极管的输出特性与普通三极管的输出特性曲线相同，只是用入射光强度E取代基极电流IB。 用小的变化量去控制一个较大的量的变化。要求不失真的“线性放大”。 放大电路利用晶体管实现能量的控制与转换。 一般包含电压放大电路和功率放大电路。 电压放大电路将微弱电压加以放大从而推动功率放大电路，通常工作在小信号状态。 功率放大电路输出较大的功率，推动执行元件，工作在大信号状态。VCC（1）晶体管工作在放大区（发射结正偏、集电结 反偏）。（2）输入信号必须能够作用于放大管的输入回路。（3）当负载接入时，放大
14、管输出回路的动态电流或电压能够作用于负载，从而使负载获得比输入回路信号大得多的信号电流或信号电压。信号源信号源信号源内阻信号源内阻输入电压输入电压输出电压输出电压输入电阻输入电阻输出电阻输出电阻负载电阻负载电阻 衡量放大电路的放大能力，定义为输出变化量与输入变化量之比。电压放大电路；电流放大电路；互导放大电路；互阻放大电路。 根据输入量与输出量的不同，将放大电路分为四种类型： iouuuUUAA/：输出电压与输入电压之比。：输出电压与输入电压之比。 输出电压与信号源电压之比输出电压与信号源电压之比sousUUA/输入量与输出量都是电压。输入量与输出量都是电流。：输出电流与输入电流之比ioiii
15、IIAA/电压、电流增益都无量纲。 iorIUA/iogUIA/ 量纲为 西门子 S。 量纲为 欧姆 。输入量是电压，输出量是电流。输入量是电流，输出量是电压。从放大电路输入端看进去的等效电阻。定义为输入电压有效值Ui和输入电流有效值Ii之比。iiiIUR 表明放大电路从信号源索取电流或电压的能力。Ri越大，电流越小，Ui越接近 Us ，信号电压Us损失越小。Ri 输入信号源是内阻很小的电压源时，要求输入电阻尽量大，以保证信号源电压损失尽可能小。 输入信号源是内阻很大的电流源时，要求输入电阻尽量小，以保证信号源电流尽可能多流进放大电路。 利用Ri和Rs可以求出与的关系式。usiisiiiosi
16、iosousARRRRRRUUUUUUUUA从放大电路输出端看进去的等效电阻。负载上负载上输出电输出电压有效压有效值值)/(LooLoRRURU空载时输出空载时输出电压有效值电压有效值Ro整理后后LoooRUUR) 1( RO表明放大电路的带负载能力(指负载变化时输出电压的变化情况）。 Ro越小，放大电路带电压负载的能力越强。（ Ro小，RL变化时，UO变化小) R Ri i 、R Ro o是为描述电路在相互连接时彼此是为描述电路在相互连接时彼此之间产生影响而引入的参数。之间产生影响而引入的参数。是用于衡量放大电路对不同频率信号的放大是用于衡量放大电路对不同频率信号的放大能力的技术指标能力的技
17、术指标。|A|fLfH0.707|Am|f|Am| 指输出波形中的谐波成分总量与基波成分之比(各次谐波有效值与基波有效值之比）。213212)A()A(AAD)最大输出功率指在输出波形基本不失真的情况下，负载上能够获得的最大交流功率。Po交流输出功率Pv电源提供的平均功率VoPP文字符号和下标均用大写字母。例IB、IC、 UBE等。文字符号和下标均用小写字母。ib、ic、 ui、uo等。文字符号用小写字母，下标用大写字 母。例：iB、 iC、uBE、uCE、uI、uO。 在线性放大电路中正弦量为输入量,输入、输出常用相量或有效值表示，例: 、Ui等。 iU RB:提供合适的提供合适的IB。RC
18、：将集电极电流变化量：将集电极电流变化量转换为电压变化量。转换为电压变化量。ui ，uo ：正弦输入信号和输出信号。：正弦输入信号和输出信号。C1、C2耦合电容：隔直流、通交流。耦合电容：隔直流、通交流。Vcc: 保证发射结正偏、集保证发射结正偏、集电结反偏。电结反偏。晶体三极管CCCCCERiVu集电极电压集电极电压 若参数合适，可以实现电压放大。 （）直流量和交流量共存，直流量是电路具有放大作用的基础，交流量是放大的对象。 （）非线性。 （）小信号线性化分析法（等效电路分析法） （）图解分析法 放大电路未加交流输入信号，电路中的电压和电流只有直流成分，叫做放大电路的“直流工作状态”或“静态
19、”。 在晶体管的特性曲线上，晶体管各极直流电压和电流的数值确定一点，此点叫做“”。可以用近似计算（估算）的方法求解可以用近似计算（估算）的方法求解点点。 设置合适的静态工作点，以保证放大电路不产生失真，静态工作点还影响着放大电路几乎所有的动态参数。例-用估算法求图示电路的静态工作点解：首先画出电路的直流通路.CCQCCCEQRIVU直流通路直流通路BBEQCCBQRUVI基极电流CQBQII集电极电流UBEQ:硅管为硅管为0.7V 锗管为锗管为0.2V（UCEQ 、ICQ）通常输入回路直接用估算法求出IBQ。确定输出回路方程非线性：IC=f (UCE) 线性：UCE =VCCICRC两条曲线交
20、点即Q(UCEQ，ICQ)点。斜率 -1/RCVCC/RC 输出回路满足UCE =VCCICRC的直线叫直流负载线。直流负载线过（VCC，0)，(0，VCC/RC) 点， 斜率 -1/RC。（1 1）容量大的电容视为短路）容量大的电容视为短路；（2 2）无内阻的直流电源视为短路。无内阻的直流电源视为短路。(未接入负载电阻)BEBEQiBBQbUUuiIiuBE 各电压和电流都在原静态基础上叠加了一个交流量。CCQcCECEQceiIiuUuceouiiuuAuu(未接入负载电阻)uo=uce输出电压与输入电压输出电压与输入电压的变化的变化ICEIOuuuuuA1）输出电压与输入电压为频率相同的
21、正弦波，但幅）输出电压与输入电压为频率相同的正弦波，但幅值增大，值增大，“线性放大线性放大”。2）输出电压与输入电压）输出电压与输入电压相位相反，即相差相位相反，即相差180 , Au为负值为负值。（电路输出端接负载电阻）（电路输出端接负载电阻）LcLCcoRiRRiu)/(LCLRRR/满足此关系式且过Q点的直线，叫做“交流负载线”。根据交流通路可以得到交流负载线的斜率:直流负载线的斜率:LCRR /1CR1两者相交于Q点，交流负载线更陡，动态范围更小。 交流负载线交流负载线ICQ UCEQ（电路输出端接负载电阻）（电路输出端接负载电阻）Q点合适且输入信号幅值较小时无波形点合适且输入信号幅值
22、较小时无波形失真失真.晶体管截止而产生的失真为截止失真。现象：输出电压波形出现削顶失真。uo波形波形:晶体管饱和而产生的失真为饱和失真。现象:输出电压波形出现削底失真。 增大RB (减小IBQ)，减小RC (增大负载线斜率)。uo波形波形电路参数对工作状态的影响电路参数对工作状态的影响。右上移，,:； 点上移 ,:； 点左移 斜率小，,:点上移； ,； 点下移 ,:动态范围加大QVVQQURRQIRQIRRCCCCCEQCCBQBBQBB.最大不失真输出电压幅值、有效值 不饱和最大输出幅值:UCEQ- UCES 不截止最大输出幅值:ICQ RL。 UCEQ-UCESICQ RL()min()(
23、|)OmMCEQCESCQCLUUUIRR，()min()(|)/2OMCEQCESCQCLUUUIRR，(1)Q1Q2：RC减少； IB = 1 0 A020 A30 A40 A42612uCE/VQ23124Q1iC / mA810Q3Q4VCC/RCVCC(3)Q3Q4：VCC增大；(2)Q2Q3：Rb减少或VBB增大；VBBVCCRCRbT+_ui+_uo例：1.电路中静态工作点从Q1移到Q2、Q2移到Q3、Q3移到Q4的原因有哪些? 2. 当电路的静态工作点分别是Q1Q4时，哪种情况下最容易产生截止失真？IB = 1 0 AuCE/V020 A30 A40 A42612Q23124Q
24、1iC / mA810Q3Q4VCC/RCVCCQ2最容易截止失真；最容易截止失真；Q4的最大不失真电压最大。的最大不失真电压最大。Q3最容易饱和失真；最容易饱和失真； 哪种情况下最容易产生饱和失真？ 哪种情况下最大不失真输出电压(Uom)M最大？ 适用于分析输入信号幅值比较大而工作频率适用于分析输入信号幅值比较大而工作频率f不不太高时的情况。太高时的情况。 实际应用中，多用于分析实际应用中，多用于分析Q点位置、最大不失真点位置、最大不失真输出电压和波形失真。输出电压和波形失真。 在一定条件下,将晶体管的特性线性化, 建立线性模型,在误差允许范围内用线性电路分析晶体管电路。BEQBQBVcc
25、UIRRBRC直流等效电路CQBQIICEQCQCUVccIR 放大电路的输入信号很小时，可以在静态工作点放大电路的输入信号很小时，可以在静态工作点附近的小范围内用直线段近似地代替晶体管特性曲附近的小范围内用直线段近似地代替晶体管特性曲线，三极管就可以用线性双口网络来等效。线，三极管就可以用线性双口网络来等效。 低频是指信号频率远低于晶体管的低频是指信号频率远低于晶体管的“特征频率特征频率”。VTUbeUceIB / AUBE/V0UCE 1V0V 0.5V 将晶体管看成一个双口网络。输入和输出。IC / mAUCE /V0IB2 IB1 IB3 IB4 IB5 . .UceUberbe Ib
26、 + +- -+ +- -bIcIVTUbeUceIcEQEQTebImVIUr26 IEQ单位为单位为mA，rbe与与 Q点有关。点有关。rbe为为发射结电阻。发射结电阻。 根据晶体管的根据晶体管的电流方程存在电流方程存在:EQI26mV)(1bbberrrbb一般取一般取300。与与Q点有关。点有关。ebbbbebebbbberrIrIrIU)1 (也可以用阻抗折算原理求出rbe。（注意单位！） ）该模型只能用于求各交流量之间的关系，不能用来求静态量。 ）参数都是在Q点处定义，与Q点有关，且只能用于低频小信号。 ）PNP型和NPN型晶体管的参数模型相同。2.4.共射基本放大电路动态性能的参
27、数模型分析法、画出微变等效电路图、画出微变等效电路图微变等效电路电路图1.电压增益/cOLLubebibeLCLI RRUArUI rRRR 其中EQTbbbeIUrr)(1交流参数与直流参数有关，即交流性能指标受静态工作点影响。 分析放大电路的交流性能指标时，应先进行静分析放大电路的交流性能指标时，应先进行静态分析态分析, 。相位相反与ioUU(/ )/iiBbeiBbeiiIRURRrII3.输出电阻coooRIUR 由求输出电阻定义，信号源短路，保留内阻，去掉负载电阻，在输出端加电压，产生电流，有:oUoI(令输入信号短路后,基极及集电极电流均等于0。)例: 在图示电路中，Rs=500;
28、晶体管的=38,导通时的UBEQ=0.7V,rbb=300。求电路的 、Ri 、 Ro和 。uAusA)(403007 . 012ARUVIBBEQccBQ38 401.52CQBQEQIImAI解：先确定静态工作点。解：先确定静态工作点。12 1.5246CEQCCCQCUVIRmAKV78.4OLubeiRUArU (1)0.97()TbebbEQUrrIK7 .51uisiiosiSOusARRRUUUUUUA)(97. 0rr|KRIURbebeBiiiKRRCO4输出电阻不输出电阻不含负载电阻含负载电阻 环境温度变化、电源电压波动、元件老化会引起晶体管参数的变化，造成电路静态工作点不
29、稳定。其中温度影响最为突出。 必需从电路设计上解决静态工作点稳定问题。 Q点不稳，会产生失真,影响动态参数rbe，从而影响Au、Ri 。严重时可能会造成电路无法正常工作。RB1、RB2为基极分压电阻IBI2I1BRCIC UCERB1VCCIERB2ReUBQ直流通路直流通路+VCCRCC1C2VTRLRB2RE+RB1+ +- -+ +- -iUoUIBI2I1BRCIC UCERB1VCCIERB2ReUBQI1=I2+IBQI1IBQI2I1UB几乎只与电阻和电源有关，与晶体管参数无关几乎只与电阻和电源有关，与晶体管参数无关。ccBBBBVRRRU212CQBBEQBEQIUUUIEER
30、RI()CEQCCEQCeUVRR稳定Q点的调整过程可表示为：形成形成负反馈负反馈T()IC (IE) UE (因为UBQ基本不变) UBE IC IBIBI2I1BRCIC UCERB1VCCIERB2REUBQ +VCCRCC1C2VTRLRB2RE+RB1+ +- -+ +- -iUoUAu= RC/ RLrbe+（1+ ）R画出微变等效电路画出微变等效电路利用阻抗折算原理利用阻抗折算原理需乘需乘(1+ ) rbe UoUi Ib b RCRLR Ie+R2R1 Ib bRiRi = R1 / R2 / = R1 / R2 / rbe +（1+ ）R R2R1 Ib b rbe UoUi
31、 Ib b RCRLR Ie+RiCORR R2R1 Ib b rbe UoUi Ib b RCRLR Ie+RiRO 分压式偏置电路引入的射极电阻RE稳定了静态工作点，提高了输入电阻,但降低了电压增益。 在RE上并联旁路电容CE可以在不影响动态性能的前提下，稳定静态点。+VCCRCC1C2VTRLRB2RE+RB1+ +- -+ +- -iUoUCEUoRCRLUiRB2RB1rbe IbIb U (|)oLuLCLibeRARRRUr （2）输入电阻）输入电阻12/riiBBbeiURRRI（3）输出电阻）输出电阻CORR +VCCC1C2VTRLRE+RB+ +- -+ +- -iUoU
32、RssU负载接在发射极负载接在发射极,集电极直接集电极直接(或通过小电阻或通过小电阻)接电源接电源。直流通路RBRET+VCCIBQI IEQEQEEQBEQBBQCCRIURIV(1)CCBEQBQBEQVUIRR+VCCC1C2VTRLRE+RB+-+-iUoURssU(1)EQBQIICEQCCEQEUVIR画交流等效电路(1+ )RLAu= rbe + (1+ )RLLELRRR/其中其中 Uo、Ui同相，同相， Au 1Uo Ui。 又称又称。RBrbe Ib b Ib bUo bceRE+ +_ _I Ie e. . . . . .RLUs. ._ _Ui. .+ +VCCC1C2
33、VTRLRE+RB+-+-iUoURssULbebiiRrIUR)1 ()1 (/LbeBBiiRrRRRRLELRRR/利用阻抗折算原理,输出回路电阻折合到输入回路需乘(1+ )RiRBrbe Ib b Ib bUo bceRE+ +_ _I Ie e. . . . . .RLUs. .Ri（输入信号短路，去掉负载，在输出端加电压）(1)oREbIIIsBsRRR/输入回路电阻折合输入回路电阻折合到输出回路需除到输出回路需除(1+ )sbeobRrUI/1obesoEoUrRRRII Io o. .Uo. .Rsrbe . .IRE. .RBIb b Ib b bceREI Ie e. .
34、. .sR(1)oooEbesUUIRrR小。大；同相；与, 1oiiouRRUUA+VCCC1C2VTRLRE+RB+-+-iUoURssU+Vcc+-+-RsRERB2RLRB1RcC1CbC2Us. . .UoBRCICRB1IBVCCIERB2RE直流通路直流通路CCBBBBVRRRU212EBEQBEQCQRUUII1EQBQII()CEQCCCQceUVIRRBRCICRB1IBVCCIERB2RE直流通路直流通路+Vcc+-+-RsRERB2RLRB1RcC1CBC2Us. . .Uo+ +- -+ +- -Us. . .Uo交流通路交流通路 由交流通路清楚由交流通路清楚看出基极
35、是输入输看出基极是输入输出回路公共端出回路公共端。RsRERcRL+ +- -+ +- -Us. . .Uo交流通路交流通路RsRERcRLUiRERLrbe Ib+ +- -+-ebc. . . .RoUs+ +- -. .Ib . . . .UoRiRiRC微变等效电路微变等效电路RsUocLuibbeLbeI RAUI rRrLcLRRR/其中其中Uo与与Ui相位相同相位相同（）输入电阻（）输入电阻CORR1)1 (bebbebeiirIrIIUR1/beEiEirRRRR输入电阻很小。UiRERLrbe Ib+ +- -+-ebc. . . .RoUs+ +- -. .Ib . . .
36、 .UoRiRiRC微变等效电路微变等效电路Rs 判断三种接法要搞清根本，电路组成上的区别判断三种接法要搞清根本，电路组成上的区别主要在于输入和输出信号接在晶体管的哪个极。主要在于输入和输出信号接在晶体管的哪个极。信号从信号从，电路具有电流、，电路具有电流、电压和功率的放大作用。但输出电阻较大，带负载电压和功率的放大作用。但输出电阻较大，带负载能力较弱，不适合功率放大电路。能力较弱，不适合功率放大电路。信号从信号从，实现，实现“”无电压放大作用，只有电流放大作用，所以仍无电压放大作用，只有电流放大作用，所以仍 具功率具功率放大作用。因输出电阻小，带负载能力强，适合作功放大作用。因输出电阻小，带
37、负载能力强，适合作功率放大。率放大。信号从信号从，实现，实现“”无电流放大作用，只有电压放大作用。因输出电阻无电流放大作用，只有电压放大作用。因输出电阻较大，不适合作功率放大。较大，不适合作功率放大。出与入电压相位共射共射 共集共集 共基共基电压增益电流增益输入电阻输出电阻大大大大 大大大大适中适中较大较大最大最大最小最小小小较大较大用 途低频电压低频电压放大电路放大电路输入级输入级输出级输出级宽频带放宽频带放大电路大电路信号输入端信号输出端b bb be ee ec cc c 相反相反相同相同相同相同 为进一步改善放大电路的性能，可用多只晶体管构成复合管，取代放大电路中的一只晶体管。 可以证明复合管的等效电流放大系数为：可以证明复合管的等效电流放大系数为： =icib 1 2 1、已知晶体三极管的三个电极电位，会判断管子工作在何种状态。 2、放大电路的组成原则、直流通路与交流通路、静态工作点、饱和失真与截止失真的概念。 3、共射基本放大电路及分压式静态工作点稳定电路静态参数（IBQ、 ICQ 、UCEQ）的分析计算、动态参数（Au、 Ri 、 RO ）的分析与计算。 4、共射基本放大电路最大不失真输出电压Uom。 5、共集基本放大电路（射极跟随器）的静态与动态分析计算。