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1、泓域咨询/内蒙古碳化硅项目申请报告目录第一章 项目背景及必要性9一、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积9二、 衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高10三、 加快战略性新兴产业和先进制造业发展12四、 推进能源和战略资源基地优化升级13第二章 项目绪论14一、 项目名称及建设性质14二、 项目承办单位14三、 项目定位及建设理由16四、 报告编制说明16五、 项目建设选址18六、 项目生产规模18七、 建筑物建设规模18八、 环境影响19九、 项目总投资及资金构成19十、 资金筹措方案19十一、 项目预期经济效益规划目标20十二、 项目建设进度规划
2、20主要经济指标一览表21第三章 行业、市场分析23一、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升23二、 SiC较IGBT具备耐高压、低损耗和高频三大核心优势23三、 OBC：SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低25第四章 选址方案分析27一、 项目选址原则27二、 建设区基本情况27三、 聚焦培育壮大发展新动能全面提升科技创新能力29四、 项目选址综合评价31第五章 建筑工程说明32一、 项目工程设计总体要求32二、 建设方案33三、 建筑工程建设指标34建筑工程投资一览表34第六章 运营模式分析36一、 公司经营宗旨36二、 公司的目标、主要职责36三、 各部门职责及权限37四
3、、 财务会计制度41第七章 SWOT分析44一、 优势分析（S）44二、 劣势分析（W）45三、 机会分析（O）46四、 威胁分析（T）46第八章 发展规划分析52一、 公司发展规划52二、 保障措施53第九章 人力资源分析55一、 人力资源配置55劳动定员一览表55二、 员工技能培训55第十章 劳动安全57一、 编制依据57二、 防范措施58三、 预期效果评价62第十一章 项目环保分析64一、 编制依据64二、 环境影响合理性分析65三、 建设期大气环境影响分析66四、 建设期水环境影响分析70五、 建设期固体废弃物环境影响分析70六、 建设期声环境影响分析70七、 建设期生态环境影响分析7
4、1八、 清洁生产71九、 环境管理分析73十、 环境影响结论76十一、 环境影响建议77第十二章 工艺技术及设备选型78一、 企业技术研发分析78二、 项目技术工艺分析81三、 质量管理82四、 设备选型方案83主要设备购置一览表84第十三章 进度计划85一、 项目进度安排85项目实施进度计划一览表85二、 项目实施保障措施86第十四章 节能方案87一、 项目节能概述87二、 能源消费种类和数量分析88能耗分析一览表89三、 项目节能措施89四、 节能综合评价92第十五章 投资计划93一、 投资估算的依据和说明93二、 建设投资估算94建设投资估算表98三、 建设期利息98建设期利息估算表98
5、固定资产投资估算表100四、 流动资金100流动资金估算表101五、 项目总投资102总投资及构成一览表102六、 资金筹措与投资计划103项目投资计划与资金筹措一览表103第十六章 项目经济效益评价105一、 经济评价财务测算105营业收入、税金及附加和增值税估算表105综合总成本费用估算表106固定资产折旧费估算表107无形资产和其他资产摊销估算表108利润及利润分配表110二、 项目盈利能力分析110项目投资现金流量表112三、 偿债能力分析113借款还本付息计划表114第十七章 风险评估分析116一、 项目风险分析116二、 项目风险对策118第十八章 招标及投资方案120一、 项目招
6、标依据120二、 项目招标范围120三、 招标要求120四、 招标组织方式121五、 招标信息发布121第十九章 项目综合评价122第二十章 附表附录124营业收入、税金及附加和增值税估算表124综合总成本费用估算表124固定资产折旧费估算表125无形资产和其他资产摊销估算表126利润及利润分配表127项目投资现金流量表128借款还本付息计划表129建设投资估算表130建设投资估算表130建设期利息估算表131固定资产投资估算表132流动资金估算表133总投资及构成一览表134项目投资计划与资金筹措一览表135报告说明SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构，减少器件数
7、量实现充电效率提升。根据英飞凌，在DC/DC中，使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET，在同样功率下，可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路，所用器件数量减少50%，提升电路整体效率。同样在AC/DC中，使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构，器件数量减少50%实现效率提升。同时，SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上，SiC方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高，更好的满足快充要求。根据谨慎财务估算，项目总投资38793.38万元，其中：建设投资29802.05万元，占项目总投资的76.82%；建
8、设期利息606.68万元，占项目总投资的1.56%；流动资金8384.65万元，占项目总投资的21.61%。项目正常运营每年营业收入88100.00万元，综合总成本费用64212.61万元，净利润17538.41万元，财务内部收益率36.05%，财务净现值41056.08万元，全部投资回收期4.64年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合
9、理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目背景及必要性一、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT，则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进
10、一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低，在常用的25%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%，在100%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2）高压下性能优势更加明显：在400V左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下，功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT，但对比之下，SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据，在400V电压平台下，
11、SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升；而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知，1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显，主要体现为损耗降低幅度更大。3）耐高温：SiC的结温更高，能够在超过175度的高温下正常工作，较IGBT更加适合高温环境。4）体积节约：根据ST，在10kHz工作频率和800V架构的情况下，对于一个210kW的逆变器，若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案：1）使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2；2）开关损耗和总损耗分别缩小为原来
12、的3.9/1.9倍。3）损耗的降低使得PCU（电源控制单元）的尺寸得以减少，相对应的冷却系统体积也将得以简化。二、 衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟，主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录（2021年版），碳化硅衬底可分为两类，一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，经GaN外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”，去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率（电阻率1530mcm）的导电型碳化硅衬底，经SiC外延生长可进一步制成Si
13、C二极管、SiCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标，在PVT法下，相较半绝缘型衬底其生产难度更低，但在生产过程中，电阻率易发生分布不均情况，仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头，但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数，可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可
14、能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿，各厂商都在致力于未来降低微管密度，部分龙头碳化硅企业如II-VI可将4-6寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2以下，国内厂商的产品微管密度基本在0.5-5cm-2，存在差距。同时，国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟，预计国产碳化硅产品种类不断丰富，产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产，但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段，海内外厂商均加速扩产，但应避免重复建设的问题，造成产能无序扩张。本土
15、企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐，投资金额超240亿元、规划年产能超420万片。中国企业呈现小而散的局面，综合Yole等第三方机构数据，2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动，我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐，积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计，截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元，规划产能超过420万片/年（等效6寸），对比CASA的数据，2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/年（等效6寸）。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力，且以4寸
16、衬底为主。虽然国内企业大幅扩产，但受衬底良率及质量等因素影响，实际产能或严重不足。三、 加快战略性新兴产业和先进制造业发展立足产业资源、规模、配套优势和部分领域先发优势，实施战略性新兴产业培育工程，建立梯次产业发展体系，大力发展现代装备制造、节能环保、生物医药、电子信息、新型化工、临空等产业，积极培育品牌产品和龙头企业，构建一批各具特色、优势互补、结构合理的战略性新兴产业增长引擎。推进互联网、大数据、人工智能等同各产业深度融合，实施工业互联网创新发展工程，促进制造业绿色化转型和智能化升级、数字化赋能，推动先进制造业集群发展。促进平台经济、共享经济健康发展。积极培育新技术新产品新业态新模式，前瞻
17、布局未来产业。四、 推进能源和战略资源基地优化升级根据水资源和生态环境承载力，有序有效开发能源资源，加快建设国家现代能源经济示范区，推动形成多种能源协同互补、综合利用、集约高效的供能方式，构建绿色、友好、智慧、创新现代能源生态圈。推动能源清洁低碳安全高效利用，加强能源资源一体化开发利用，提升能源全产业链水平。严格控制煤炭开发强度，推动煤炭清洁生产与智能高效开采，推进煤炭分级分质梯级利用，大幅提高就地转化率和精深加工度，打造煤基全产业链。大力发展新能源，推进风光等可再生能源高比例发展，壮大绿氢经济，推进大规模储能示范应用，打造风光氢储产业集群。稳步推动煤层气、页岩气、地热能、生物质能等开发利用，
18、推进碳捕集、封存与利用联合示范应用。保护性开发利用稀土资源，推进企业重组，强化“稀土+”协同创新，高值化应用稀土元素，高端化开发稀土产品，打造稀土等新材料产业集群。第二章 项目绪论一、 项目名称及建设性质（一）项目名称内蒙古碳化硅项目（二）项目建设性质本项目属于技术改造项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xxx投资管理公司（二）项目联系人姜xx（三）项目建设单位概况公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 公司在发展中始终坚持以创新为源动力
19、，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 当前，国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看，世界经济深度调整、复苏乏力，外部环境的不稳定不确定因素增加，中小企业外贸形势依然严峻，出口增长放缓。从国内看，发展阶段的转变使经济发展进入新常态，经济增速从高
20、速增长转向中高速增长，经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长，经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对经济发展带来新挑战，企业遇到的困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境，公司依然面临着较大的经营压力，资本、土地等要素成本持续维持高位。公司发展面临挑战的同时，也面临着重大机遇。随着改革的深化，新型工业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进，以及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施，企业发展基本面向好的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势，利用好国际国内两个市场、两种资源，抓住发展机遇，转变发展方式，
21、提高发展质量，依靠创业创新开辟发展新路径，赢得发展主动权，实现发展新突破。三、 项目定位及建设理由碳化硅用于制作功率及射频器件，产业链包括衬底制备、外延层生长、器件及下游应用。根据电化学性质不同，碳化硅晶体材料分为半绝缘型衬底（电阻率高于105cm）和导电型衬底（电阻率区间1530mcm）。不同于传统硅基器件，碳化硅器件不可直接制作于衬底上，需先使用化学气相沉积法在衬底表面生成所需薄膜材料，即形成外延片，再进一步制成器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，适用于高频、高温工作环境，主要应用于5G通信、卫星、雷达等领域。在导电型碳化
22、硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压工作环境，且损耗低，主要应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。（二）报告编制原则为实现产业高质量发展的目标，报告确定按如下原则编制：1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路：资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制
23、定的环保、职业安全卫生、消防和节能设计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术，在保证产品质量的同时，力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。（二） 报告主要内容1、项目背景及市场预测分析；2、建设规模的确定；3、建设场地及建设条件；4、工程设计方案；5、节能；6、环境保护、劳动安全、卫生与消防；7、组织机构与人力资源配置；8、项目招标方案；9、投资估算和资金筹措；10、财务分析。五、 项目建设选址本期项目选址位于xx，占地面积约84.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，形成年产xx吨碳
24、化硅的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积107641.91，其中：生产工程69328.90，仓储工程19267.58，行政办公及生活服务设施9691.19，公共工程9354.24。八、 环境影响项目建设拟定的环境保护方案、生产建设中采用的环保设施、设备等，符合项目建设内容要求和国家、省、市有关环境保护的要求，项目建成后不会造成环境污染。本项目没有采用国家明令禁止的设备、工艺，生产过程中产生的污染物通过合理的污染防治措施处理后，均能达标排放，符合清洁生产理念。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投
25、资38793.38万元，其中：建设投资29802.05万元，占项目总投资的76.82%；建设期利息606.68万元，占项目总投资的1.56%；流动资金8384.65万元，占项目总投资的21.61%。（二）建设投资构成本期项目建设投资29802.05万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用26067.88万元，工程建设其他费用3017.24万元，预备费716.93万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资38793.38万元，其中申请银行长期贷款12381.17万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：88
26、100.00万元。2、综合总成本费用（TC）：64212.61万元。3、净利润（NP）：17538.41万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：4.64年。2、财务内部收益率：36.05%。3、财务净现值：41056.08万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能
27、降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积56000.00约84.00亩1.1总建筑面积107641.911.2基底面积35840.001.3投资强度万元/亩346.782总投资万元38793.382.1建设投资万元29802.052.1.1工程费用万元26067.882.1.2其他费用万元3017.242.1.3预备费万元716.932.2建设期利息万元606.682.3流动资金万元8384.653资金筹措万元38793.383.1自筹资金万元26412.213.2银行贷款万元12381.174营业收入万元88100.00
28、正常运营年份5总成本费用万元64212.616利润总额万元23384.557净利润万元17538.418所得税万元5846.149增值税万元4190.2810税金及附加万元502.8411纳税总额万元10539.2612工业增加值万元33815.7213盈亏平衡点万元22406.43产值14回收期年4.6415内部收益率36.05%所得税后16财务净现值万元41056.08所得税后第三章 行业、市场分析一、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升5G发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长，市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数，5G通讯高频
29、、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势，在功率放大器上的应用可满足5G通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前5G新建基站仍使用LDMOS功率放大器，但随5G技术进一步发展，MIMO基站建立需使用氮化镓功率放大器，氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续提升。据Yole和Wolfspeed预测，2024年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破20亿美元，2027年进一步增长至35亿美元。根据预测，受益5G通讯快速发展，通讯频段向高频迁移，基站和通信设备需要支持高频性能的PA，碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基LDM
30、OS和GaAs的优势将逐步凸显，2020年全球碳化硅射频器件市场规模为8.92亿美元，预计到2025年将增长至21.21亿美元，对应CAGR为18.9%，和Yole和Wolfspeed预测基本一致。二、 SiC较IGBT具备耐高压、低损耗和高频三大核心优势SiCMOSFET较IGBT可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。1）碳化硅击穿电场强度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高压特性显著高于同等硅器件。2）碳化硅具有3倍于硅的禁带宽度，使得SiCMOSFET泄漏电流较硅基IGBT大幅减少，降低导电损耗。同时，SiCMOSFET属于单极器件，不存在拖尾电流，且较高的载流子迁移率减少了开关时间，开关
31、损耗因此得以降低。根据Rohm的研究，相同规格的碳化硅MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大减低73%。3）涵盖MOSFET自身特点，较IGBT具备高频优势。此外，据Wolfspeed研究显示，相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减少至原来的1/10。碳化硅助力新能源汽车实现轻量化及降低损耗，增加续航里程。1）碳化硅较硅拥有更高热导率，散热容易且极限工作温度更高，可有效降低汽车系统中散热器的体积和成本。同时，SiC材料较高的载流子迁移率使其能够提供更高电流密度，在相同功率等级中，碳化硅功率模块的体积显著小于硅基模块，进一步助力新能源汽车实现轻量化。2）SiC
32、MOSFET器件较硅基IGBT在开关损耗、导电损耗等方面具备显著优势，其在新能源汽车的应用可有效降低损耗。根据丰田官网，丰田预测SiCMOSFET的应用有助于提升电动车的续航里程约5%-10%。3）由于SiC材料具备更高的功率密度，所以同等功率下，SiC器件的体积可以缩小至1/2甚至更低；4）由于SiCMOSFET的高频特性，SiC的应用能够显著减少电容、电感等被动元件的应用，简化周边电路设计。从特斯拉的方案来看，主逆变器采用SiC能显著降低损耗和提升功率密度。特斯拉Model3在主逆变器中率先采用SiC方案（搭意法半导体的SiCMOSFET模组），替代原先ModelX主逆变器方案（搭载英飞凌
33、的IGBT单管）。对比产品参数可知，所用SiCMOSFET的反应恢复时间和开关损耗均显著降低。同时，根据SystemPlusconsulting的拆解报告，Model3主逆变器上有24个SiC模块，每个模块内含2颗SiC裸晶，共用到48颗SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的IGBT，则需要54-60颗。该方案使得Model3主逆变器的整体结构更为简洁、整体质量和体积更轻、功率密度更高。三、 OBC：SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管（IGBT、MOSFET等）是OBC中主要应用的功率器件，采用
34、SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1）影响二极管损耗的指标包括正向导通压降（VF）、反向恢复电流（IR）、输入电容（QC）和开通关断速度等。相比于硅基SBD，SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计，使得反向恢复损耗极低，在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时，QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势，在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时，由于SiC材料的优势，SiC二极管的结温更高，其可在更高
35、温度下保持正常工作状态，在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外，SiC二极管可实现更高频率及功率密度，从而提升系统整体效率。全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本，同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究，采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC，可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上，且开关频率提高一倍以上，实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率，而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时，进一步拆分成本，由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性
36、元件。因此，尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管，SiC基功率器件的成本更高，但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。第四章 选址方案分析一、 项目选址原则项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与当地的建成区有较方便的联系。二、 建设区基本情况内蒙古自治区，简称“内蒙古”，首府呼和浩特。地处中国北部，地理上位于北纬3724-5323，东经9712-12604之间，东北部与黑龙江、吉林、辽宁、河北交界，南部与山西、陕西、宁夏相邻，西南部与甘肃毗连，北部与俄罗斯、蒙古接壤，横跨东北、华北、西北地区。内蒙古自治
37、区地势由东北向西南斜伸，呈狭长形，全区基本属一个高原型的地貌区，全区涵盖高原、山地、丘陵、平原、沙漠、河流、湖泊等地貌，气候以温带大陆性气候为主，地跨黄河、额尔古纳河、嫩江、西辽河四大水系。锚定二三五年远景目标，经过五年不懈努力，以生态优先、绿色发展为导向的高质量发展取得实质性进展，自治区现代化建设各项事业实现新的更大发展。经济转型取得重大突破。发展方式粗放特别是产业发展较多依赖资源开发状况总体改变，现代化经济体系加快构建，科技创新能力全面提升，基础设施保障能力持续提高，“两个基地”向高端化、智能化、绿色化加速转型，若干产业链供应链完整链条和创新链价值链关键环节根植生成，东中西部差异化协调发展
38、水平显著提高，优势突出、结构合理、创新驱动、区域协调、城乡一体发展格局基本形成。到二三五年内蒙古将与全国一道基本实现社会主义现代化。综合经济实力和绿色发展水平大幅跃升，经济总量和城乡居民人均收入迈上新的大台阶；新型工业化、信息化、城镇化、农牧业现代化基本实现，富有优势特色的区域创新体系和符合战略定位的现代产业体系、新型城镇体系、基础设施体系全面建成；治理体系和治理能力现代化基本实现，各民族大团结局面更加巩固，法治内蒙古基本建成，平安内蒙古建设全面深化；文化软实力显著增强，各族人民素质、全社会文明程度达到新高度；绿色生产生活方式广泛形成，经济社会发展全面绿色转型，生态环境根本好转，美丽内蒙古基本
39、建成；形成国内区域合作和向北开放新格局，建成资源集聚集散、要素融汇融通全域开放平台；人均国内生产总值进入全国前列，中等收入群体显著扩大，基本公共服务实现均等化，城乡区域发展差距和居民生活水平差距显著缩小，各族人民生活更加美好，人的全面发展、人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。三、 聚焦培育壮大发展新动能全面提升科技创新能力紧紧围绕“四个面向”，深入实施“科技兴蒙”行动，统筹抓好创新基础、创新主体、创新资源、创新环境，促进科技、教育、产业、金融紧密融合，构建富有特色、具有优势的区域创新体系，推动发展由要素驱动为主向创新驱动为主转变。实施研发投入攻坚行动，强化研究与试验开发投入强度考核，建立政府
40、投入刚性增长机制和社会多渠道投入激励机制，鼓励企业加大研发投入，引导金融资本和民间资本进入创新领域，持续大幅增加研发投入，逐步缩小与全国平均水平差距。建设特色创新平台载体，高标准打造乳业、稀土新材料国家技术创新中心，在重点产业领域培育一批国家重点实验室，布局建设自治区重点实验室、工程研究中心、产业创新中心、技术创新中心，构建形成创新平台体系。高质量建设呼包鄂国家自主创新示范区、鄂尔多斯国家可持续发展议程创新示范区和巴彦淖尔国家农业高新技术产业示范区，实施国家级高新区“提质进位”和自治区级高新区“促优培育”行动，打造若干创新资源集聚高地。强化企业创新主体地位，提升企业技术创新能力，促进各类创新要
41、素向企业集聚，推进产学研深度融合，支持企业牵头组建创新联合体、建设共性技术平台、承担重大科技项目。实施高新技术企业和科技型中小企业“双倍增”行动，发挥大企业引领支撑作用，支持创新型中小企业成为创新重要发源地，发展专业化众创空间，推动产业链上中下游、大中小企业融通创新。实施重大科技创新攻关，聚焦优质能源资源、生态环境保护、特色优势产业、国防科技工业等重点领域，集中部署重大科技项目，集聚优质创新要素资源，攻克一批关键核心技术，开发一批重大创新产品，大幅提高科技成果转移转化成效，打造围绕产业链部署创新链、围绕创新链布局产业链支点。激发人才创新活力，衔接国家重大人才工程，健全人才培养、引进、评价、流动
42、和激励工作机制，做优“草原英才”工程、卓越人才教育培养计划，引进科技领军人才、急需紧缺人才、专业技术人才和高水平创新团队，构建“一心多点”人才工作新格局。大力推进应用型本科高校建设，支持发展高水平研究型大学，适应高质量发展急需调整设置学科专业，提升创新型、应用型、技能型人才自主培养能力。深化科技体制改革，完善科技创新治理体系，优化科技任务组织实施机制，实行竞争立项、定向委托、“揭榜挂帅”等制度，推动重点领域项目、基地、人才、资金一体化配置。健全创新激励和保障机制，优化知识产权保护和服务体系，构建充分体现知识、技术等创新要素价值的收益分配机制，完善科研人员职务发明成果权益分享机制。加快科研院所改
43、革，扩大科研自主权，破除“唯论文、唯职称、唯学历、唯奖项”，健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系。加强对人才的政治引领和政治吸纳，弘扬科学精神和工匠精神，营造鼓励创新、激励创新、包容创新的社会氛围。四、 项目选址综合评价项目选址所处位置交通便利、地势平坦、地理位置优越，有利于项目生产所需原料、辅助材料和成品的运输。通讯便捷，水资源丰富，能源供应充裕。项目选址周围没有自然保护区、风景名胜区、生活饮用水水源地等环境敏感目标，自然环境条件良好。拟建工程地势开阔，有利于大气污染物的扩散，区域大气环境质量良好。项目选址具备良好的原料供应、供水、供电条件，生产、生活用水全部由项目建设地
44、提供，完全可以保障供应。第五章 建筑工程说明一、 项目工程设计总体要求（一）设计依据1、根据中国地震动参数区划图（GB18306-2015），拟建项目所在地区地震烈度为7度，本设计原料仓库一、罐区、流平剂车间、光亮剂车间、化学消光剂车间、固化剂车间抗震按8度设防，其他按7度设防。2、根据拟建建构筑物用材料情况，所用材料当地都能解决。特殊建材（如：隔热、防水、耐腐蚀材料）也可根据需要就地采购。3、施工过程中需要的的运输、吊装机械等均可在当地解决，可以满足施工、设计要求。4、当地建筑标准和技术规范5、在设计中尽量优先选用当地地方标准图集和技术规定，以及省标、国标等，因地制宜、方便施工。（二）建筑设
45、计的原则1、应遵守国家现行标准、规范和规程，确保工程安全可靠、经济合理、技术先进、美观实用。2、建筑设计应充分考虑当地的自然条件，因地制宜，积极结合当地的材料、构件供应和施工条件，采用新技术、新材料、新结构。建筑风格力求统一协调。3、在平面布置、空间处理、构造措施、材料选用等方面，应根据工程特点满足防火、防爆、防腐蚀、防震、防噪音等要求。二、 建设方案（一）结构方案1、设计采用的规范（1）由有关主导专业所提供的资料及要求；（2）国家及地方现行的有关建筑结构设计规范、规程及规定；（3）当地地形、地貌等自然条件。2、主要建筑物结构设计（1）车间与仓库：采用现浇钢筋混凝土结构，砖砌外墙作围护结构，基
46、础采用浅基础及地梁拉接，并在适当位置设置伸缩缝。（2）综合楼、办公楼:采用现浇钢筋砼框架结构，（二）建筑立面设计为使建筑物整体风格具有时代特征，更加具有强烈的视觉效果，更加耐人寻味、引人入胜。建筑外形设计时尽可能简洁明了，重点把握个体与部分之间的比例美与逻辑美，并注意各线、面、形之间的相互关系，充分利用方向、形体、质感、虚实等多方位的建筑处理手法。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积107641.91，其中：生产工程69328.90，仓储工程19267.58，行政办公及生活服务设施9691.19，公共工程9354.24。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程18636.8069328.909113.081.11#生产车间5591.0420798.672733.921.22#生产车间4659.2017332.222278.271.33#生产车间4472.831