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1、第二章 基本放大电路2.1 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.2在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 2.3 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.4在电路中我们可以利用 实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路2.5 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是 A.共射放大电路 B.共基放大电
2、路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.6 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 A. 饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真2.7以下电路中，可用作电压跟随器的是 A差分放大电路 B共基电路C共射电路 D共集电路2.8 晶体三极管的关系式iE=f(uEB)|uCB代表三极管的 A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共基极输入特性 D.共基极输出特性 2.9 对于图2.9所示的复合管，穿透电流为 （设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A. ICEO= ICEO2 I
3、CEO B. ICEO=ICEO1+ICEO2 C. ICEO=（1+b2）ICEO1+ICEO2 D. ICEO=ICEO1 图2.9 2.10 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是 B. 饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真2.11对于基本共射放大电路， Rb减小时，输入电阻Ri将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 2.12在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 2.13 在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大
4、电路是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.14 在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.15 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3KW的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 。2.16 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 、集电结 。2.17 对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大，b.减小，c.不变)，选择正确的答案填入空格。1、Rb减小时，输入电阻Ri 。2、Rb增大时，输出电阻Ro 。3、信号源内
5、阻Rs增大时，输入电阻Ri 。4、信号源内阻Rs减小时，电压放大倍数 。5、负载电阻RL增大时，电压放大倍数 。6、负载电阻RL减小时，输出电阻Ro 。2.18 选择正确的答案填空。1、复合管的额定功耗是 。(a.各晶体管额定功耗之和；b.前面管子的额定功耗；c.后面管子的额定功耗；d.各晶体管额定功耗的平均值)2、复合管的反向击穿电压等于 。(a.各晶体管反向击穿电压之和；b.前面管子的反向击穿电压；c.后面管子的反向击穿电压；d.各晶体管反向击穿电压值中的较小者)3、复合管的集电极最大允许电流等于 。(a.各晶体管集电极最大允许电流之和；b.前面管子的集电极最大允许电流；c.后面管子的集电
6、极最大允许电流；d.各晶体管集电极最大允许电流值中的较小者)4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的 。a.输入电阻大 b.输入电阻小c.输出电阻大 d.输出电阻小2.19 在实验桌上放有下列仪器：A、WQ-2-A型直流稳压电源：输出电压在030V范围内可调；B、FG-163型函数发生器：可产生正弦波、三角波、方波等信号，频率范围为0.0001Hz20MHz，输出电阻约为50；C、DA-16型晶体管毫伏表：频率范围为20Hz1MHz，输入电阻在频率为1kHz时大于1MQ，输入电容为5070
7、pF；D、DT-830型数字万用表：交、直流挡的输入电阻均为10M，交流电压挡的频率范围45500Hz，输入电容为100pF；E、CS-1830型示波器：频率范围为030MHz，输入电阻为1M，输入电容为23pF。问测量放大电路的下列性能指标需用哪些仪器设备？（只需写出上述仪器设备的标号，如A、B等）1、静态工作点： 2、电压放大倍数： 3、输入电阻： 4、输出电阻： 5、上限截止频率（预计约1MHz）： 2.20 为了测量交流放大电路的电压放大倍数，需要在放大电路的输入端加进10mV的正弦信号。问下列几种获取信号的方法是否正确？为什么？1、调整信号发生器的电压幅度，利用信号发生器上的表头指示
8、和衰减倍数产生10mV的正弦电压，然后将它加到放大电路的输入端。2、调整信号发生器的电压幅度，利用晶体管毫伏表测量其输出端电压，从而得到10mV信号。然后将它接到放大电路的输入端。3、先将尚无输出电压的信号发生器连接到放大电路的输入端，然后由小到大地调节信号源的电压幅度，用晶体管毫伏表测量其大小，使之达到10mV。2.21 某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下对同一个电路测了四级数据。试找出其中错误的一组。a.Ic=0.5mA，Ui=10mV，Uo=0.37Vb.Ic=1.0mA，Ui=10mV，Uo=0.62Vc.Ic=1.5mA，Ui=10mV，Uo
9、=0.96Vd.Ic=2mA，Ui=10mV，Uo=0.45V2.22 判断下列说法是否正确，对的画，错的画。1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ ）2、在基本共射放大电路中，若晶体管的增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。 （ ）3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1，故不能用来实现功率放大。（ ）4、只有当两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管）时才能组成复合管。 （ ）5、复合管的类型（NPN或PNP）与组成它的最前面的管子类型相同。（ ）6、只要把两个晶体管的复合管，一定可以提高管子的输入电阻。 （ ）7、复合管的值近似等于组成它的各晶体管
10、值的乘积。 （ ）8、复合管的空透电流等于组成它的各晶体管的空透电流之和。 （ ）9、两个同类晶体管（例如都是NPN管）复合，由于两管的UBE叠加，受温度的影响增大，所以它产生的漂移电压比单管大。 （ ）10、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以两个场效应管不能组成复合管。（ ）11、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以场效应管与双极型晶体管也不能级成复合管。 （ ）2.23 用两个晶体管分别组成下面的两种复合管：1、输入电阻与单管相同的NPN型复合管；2、输入电阻明显增大的PNP型复合管。3、用一个NPN和一PNP型晶体管，分别组成一个NPN和一个PNP型的复合管；4、用两个NPN型晶体管组
11、成一个NPN型的复合管。2.24 通常功率管的电流放大系数较小，而小功率管的较大，现需要一个较大而基-射极电压UBE温漂较小的NPN型大功率管，拟采用复合管的结构来实现。试画出该复合管的接线图。2.25 设图2.25所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的b=50，rbb=200W,UBEQ=0.6V,求： 1） 静态工作点ICQ、UCEQ 各为多少？2） 输入电阻Ri ,输出电阻Ro各为多少？3） 电压放大倍数Au为多少？ 图2.252.26 在图2.26的电路中，T1、T2特性相同，且b很大，求IC2和UCE2 的值。设UBE=0.6V。 图2.262.27 判断如图2.27a、b所
12、示电路是否可能对正弦信号实现放大，不能放大的说明原因。 图2.27a 图2.27b228设图2.28所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的=50,rbb=200,UBEQ=0.6,求: .求静态工作点ICQ=? .该电路的输入电阻Ri输出电阻Ro各为多少? .该电路的电压放大倍数Au为多少? 图2.282.29在右图2.29所示电路中，设Vcc=12V，Rc=5.1K，R1=R2=150K，Rs=300，RL=，晶体管的b=49，rbb=300，UBE=0.7v，设各电容对交流信号均可视为短路。1估算静态工作点ICQ和UCEQ；2画出该电路的简化h参数微变等效电路；3计算出AU=UO/Ui、AUS=UO/US、Ri和RO的值；4若将C3开路，试问对该电路的Q点、AUS 、Ri和Ro有何影响？ 图2.292.30指出并改正图2.30电路中的错误使电路能够正常放大信号。图2.30