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1、精品文档，仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除实验2 PN结二极管特性仿真1、实验内容（1）PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等仿真。（2）结构和参数：PN结穿通二极管的结构如图1所示，两端高掺杂，n-为耐压层，低掺杂，具体参数：器件宽度4m，器件长度20m，耐压层厚度16m，p+区厚度2m，n+区厚度2m。掺杂浓度：p+区浓度为11019cm-3，n+区浓度为11019cm-3，耐压层参考浓度为51015 cm-3。0Wp+n-n+ 图1 普通耐压层功率二极管结构2、实验要求（1）掌握器件工艺仿真和电气性能仿真程序的设计（2）掌握普通耐压层击穿电压与耐压层厚度、浓度
2、的关系。3、实验过程#启动Athenago athena#器件结构网格划分；line x loc=0.0 spac= 0.4 line x loc=4.0 spac= 0.4 line y loc=0.0 spac=0.5 line y loc=2.0 spac=0.1 line y loc=10 spac=0.5 line y loc=18 spac=0.1 line y loc=20 spac=0.5#初始化Si衬底；init silicon c.phos=5e15 orientation=100 two.d#沉积铝；deposit alum thick=1.1 div=10#电极设置el
3、ectrode name=anode x=1electrode name=cathode backside #输出结构图structure outf=cb0.strtonyplot cb0.str#启动Atlasgo atlas#结构描述doping p.type conc=1e20 x.min=0.0 x.max=4.0 y.min=0 y.max=2.0 uniformdoping n.type conc=1e20 x.min=0.0 x.max=4.0 y.min=18 y.max=20.0 uniform#选择模型和参数models cvt srh print method carri
4、ers=2 impact selb#选择求解数值方法method newton #求解solve initlog outf=cb02.logsolve vanode=0.03solve vanode=0.1 vstep=0.1 vfinal=5 name=anode #画出IV特性曲线tonyplot cb02.log #退出quit图2为普通耐压层功率二极管的仿真结构。正向I-V特性曲线如图3所示，导通电压接近0.8V。 图2 普通耐压层功率二极管的仿真结构图3 普通耐压层功率二极管的正向I-V特性曲线运用雪崩击穿的碰撞电离模型，加反向偏压，刚开始步长小一点，然后逐渐加大步长。solve v
5、anode=-0.1 vstep=-0.1 vfinal=-5 name=anode solve vanode=-5.5 vstep=-0.5 vfinal=-20 name=anode solve vanode=-22 vstep=-2 vfinal=-40 name=anode solve vanode=-45 vstep=-5 vfinal=-240 name=anode 求解二极管反向IV特性，图4为该二极管的反向I-V特性曲线。击穿时的纵向电场分布如图5所示，最大电场在结界面处，约为2.5105Vcm-1，在耐压层中线性减小到80000 Vcm-1。图4 普通耐压层功率二极管的反向I
6、-V特性曲线图5 普通耐压层功率二极管击穿时的电场分布导通的二极管突加反向电压, 需要经过一段时间才能恢复反向阻断能力。电路图如图6所示。设t= 0 前电路已处于稳态，Id= If0。t= 0 时，开关K 闭合，二极管从导通向截止过渡。在一段时间内，电流Id以di0/ dt = - Ur/ L 的速率下降。在一段时间内电流Id会变成负值再逐渐恢复到零。仿真时先对器件施加一个1V的正向偏压，然后迅速改变电压给它施加一个反向电压增大到2V。solve vanode=1 log outf=cj2_1.log solve vcathode=2.0 ramptime=2.0e-8 tstop=5.0e-
7、7 tstep=1.0e-10反向恢复特性仿真时，也可以采用如图7的基本电路，其基本原理为：在初始时刻，电阻R1的值很小，电阻R2的值很大，例如可设R1为110-3，R2为1106；电感L1可设为3nH；电压源及电流源也分别给定一个初始定值v1，i1；那么由于R2远大于R1，则根据KCL可知，电流i1主要经过R1支路，即i1的绝大部分电流稳定的流过二极管，二极管正向导通，而R2支路几乎断路，没有电路流过。然后，在短暂的时间内，使电阻R2的阻值骤降。此时，电阻器R2作为一个阻源，其阻值在极短的时间间隔内以指数形式从1106下降到110-3。这一过程本质上是使与其并联的连在二极管阳极的电流源i1短
8、路，这样电流i1几乎全部从R2支路流过，而二极管支路就没有i1的分流，此刻电压源v1开始起作用，二极管两端就被施加了反偏电压，由于这些过程都在很短的时间内完成，因而能够很好的实现二极管反向恢复特性的模拟。反向恢复特性仿真图如图8所示，PN结功率二极管的反向恢复时间约为50ns。图6 反向恢复特性测试原理电路图图7 二极管反向恢复特性模拟电路图图8 器件反向恢复特性曲线实验3 PN结终端技术仿真1、实验内容由于PN结在表面的曲率效应，使表面的最大电场常大于体内的最大电场，器件的表面易击穿，采用终端技术可使表面最大电场减小，提高表面击穿电压。场限环和场板是功率器件中常用的两种终端技术。场限环技术是
9、目前功率器件中被大量使用的一种终端技术。其基本原理是在主结表面和衬底之间加反偏电压后，主结的PN结在反向偏压下形成耗尽层，并随着反向偏置电压的增加而增加。当偏置电压增加到一定值是，主结的耗尽层达到环上，如图1所示，这样就会使得有一部分电压有场环分担，将主结的电场的值限制在临界击穿电压以内，这将显著的减小主结耗尽区的曲率，从而增加击穿电压。 图1 场限环场板结构在功率器件中被广泛应用。场板结构与普通PN结的区别在于场板结构中PN区引线电极横向延伸到PN区外适当的距离。而普通PN结的P区引线电极的横向宽度一般不超过P扩散区的横向尺寸。PN结反向工作时，P区相对于N型衬底加负电位。如果场板下边的二氧
10、化硅层足够厚，则这个电场将半导体表面的载流子排斥到体内，使之表面呈现出载流子的耗尽状态，如图2所示，就使得在同样电压作用下，表面耗尽层展宽，电场减小，击穿电压得到提高。2、实验要求（1）场限环特性仿真 场限环：击穿电压200V，设计3个环，环的宽度依次为6、5、5、5m，间距为4、5、6m, 外延层浓度为11015 cm-3，观察表面电场。 （2）场板特性仿真场板：氧化层厚度1m，结深1m，场板长度分别为0m、2m、4m、6m、8m、10m，外延层浓度为11015 cm-3，观察表面电场。 图2 场板3、场板的应用实例：场板对大功率GaN HEMT击穿电压的影响（1）内容（a）GaN HEMT
11、的工作机理、击穿特性刻画以及对场板结构的GaN HEMT击穿特性的进行仿真分析。（b）结构和参数：场板结构的GaN HEMT的结构尺寸及掺杂浓度如图3所示。 图3 场板结构的大功率GaN HEMT(2) 要求（a）掌握定义一个完整半导体器件结构的步骤，并能对其电性能进行仿真研究。（b）理解场板技术对器件击穿电压提高的作用原理并能结合仿真结果给出初步分析。（3）实验过程#启动internal，定义结构参数# 场板长度从1um增大到2.25um，步长为0.25um，通过改变 l 取值来改变场板长度set l= 1.0# drain-gate distanceset Ldg=5.1# field p
12、late thicknessset t=1.77355# AlGaN composition fractionset xc=0.295# set trap lifetimeset lt=1e-7set light=1e-5# mesh locations based on field plate geometryset xl=0.9 + $lset xd=0.9 + $Ldgset y1= 0.3 + $tset y2= $y1 + 0.02set y3= $y2 + 0.04set y4= $y2 + 0.18# 启动二维器件仿真器go atlasmesh width=1000# 网格结构x
13、.m l=0.0 s=0.1x.m l=0.05 s=0.05x.m l=0.5 s=0.05x.m l=0.9 s=0.025x.m l=(0.9+$xl)/2 s=0.05x.m l=$xl s=0.025x.m l=($xl+$xd)/2 s=0.25x.m l=$xd-0.05 s=0.05x.m l=$xd s=0.05y.m l=0.0 s=0.1000y.m l=0.3 s=0.1000y.m l=$y1 s=0.0020y.m l=$y2 s=0.0020y.m l=$y3 s=0.0100y.m l=$y4 s=0.0500# device structure# POLAR.
14、SCALE is chosen to match calibrated values# of 2DEG charge concentrationregion num=1 mat=SiN y.min=0 y.max=$y1region num=2 mat=AlGaN y.min=$y1 y.max=$y2 donors=1e16 p=$xc polar calc.strain polar.scale=-0.5region num=3 mat=GaN y.min=$y2 y.max=$y4 donors=1e15 polar calc.strain polar.scale=-0.5elect na
15、me=source x.max=0 y.min=$y1 y.max=$y3elect name=drain x.min=6.0 y.min=$y1 y.max=$y3elect name=gate x.min=0.5 x.max=0.9 y.min=0.3 y.max=$y1elect name=gate x.min=0.5 x.max=$xl y.min=0.3 y.max=0.3doping gaussian characteristic=0.01 conc=1e18 n.type x.left=0.0 x.right=0.05 y.top=$y1 y.bottom=$y3 ratio.l
16、ateral=0.01 direction=ydoping gaussian characteristic=0.01 conc=1e18 n.type x.left=$xd-0.05 x.right=$xd y.top=$y1 y.bottom=$y3 ratio.lateral=0.01 direction=y# KM parameter setmaterial material=GaN eg300=3.4 align=0.8 permitt=9.5 mun=900 mup=10 vsatn=2e7 nc300=1.07e18 nv300=1.16e19 real.index=2.67 im
17、ag.index=0.001 taun0=$lt taup0=$ltmaterial material=AlGaN affinity=3.82 eg300=3.96 align=0.8 permitt=9.5 mun=600 mup=10 nc300=2.07e18 nv300=1.16e19 real.index=2.5 imag.index=0.001 taun0=$lt taup0=$ltmodel print fermi fldmob srhimpact material=GaN selb an1=2.9e8 an2=2.9e8 bn1=3.4e7 bn2=3.4e7 ap1=2.9e
18、8 ap2=2.9e8 bp1=3.4e7 bp2=3.4e7contact name=gate work=5.23# 人为引进光照以利于实现阻断状态下仿真收敛，这是仿真研究击穿的常用手段beam number=1 x.o=0 y.o=$y4+0.1 angle=270 wavelength=0.3output con.band val.band band.param charge e.mob h.mob flowlines qss# IdVg特性求解solvelog outf=ganfetex02_0.logsolve vdrain=0.05solve vstep=-0.2 vfinal=-
19、2 name=gate solve vstep=-0.1 vfinal=-4 name=gatelog offsave outfile=ganfetex02_0.strextract init infile=ganfetex02_0.logextract name=Vpinchoff xintercept(maxslope(curve(v.gate,i.drain)# IdVd击穿曲线method autonr gcarr.itlimit=10 clim.dd=1e3 clim.eb=1e3 nblockit=25solve init # turn on optical source to h
20、elp initiate breakdown# # 人为引进光照以利于实现阻断状态下仿真收敛solve b1=$light index.checksolve nsteps=10 vfinal=$Vpinchoff name=gate b1=$lightlog outf=ganfetex02_$index.logsolve vstep=0.1 vfinal=1 name=drain b1=$lightsolve vstep=1 vfinal=10 name=drain b1=$lightsolve vstep=2 vfinal=20 name=drain b1=$lightsolve vstep
21、=5 vfinal=1200 name=drain b1=$light cname=drain compl=0.5# change to current contact to resolve breakdowncontact name=drain currentsolve solve imult istep=1.1 ifinal=1 name=drainsave outfile=ganfetex02_$index.str extract init infile=ganfetex02_1$index.logextract name=a slope(maxslope(curve(i.drain,v
22、.drain)extract name=b xintercept(maxslope(curve(i.drain,v.drain)extract name=Vdmax max(curve(i.drain,v.drain)extract name=Idmax x.val from curve(i.drain,v.drain) where y.val=$Vdmaxextract name=Vd1 $Vdmax - 20extract name=Id1 y.val from curve(v.drain,i.drain) where x.val=$Vd1extract name=c grad from
23、curve(v.drain,i.drain) where x.val=$Vdmaxextract name=d $Idmax - $c*$Vdmaxextract name=Vbr ($b - $d)/($c - (1/$a)extract name=Is $b + $Vbr/$atonyplot ganfetex02_1.str ganfetex02_2.str ganfetex02_3.str ganfetex02_4.str ganfetex02_5.str ganfetex02_6.str -set ganfetex02_1.settonyplot -overlay ganfetex0
24、2_1.log ganfetex02_2.log ganfetex02_3.log ganfetex02_4.log ganfetex02_5.log ganfetex02_6.log -set ganfetex02_0.setquit图4-9为不同场板长度下半导体层中碰撞离化率的分布图。正向I-V特性曲线如图5所示，导通电压接近0.8V。 图4 场板长度L=1um的沟道中电子碰撞产生率模拟分布图5 场板长度L=1.25um的沟道中电子碰撞产生率模拟分布图6 场板长度L=1.5um的沟道中电子碰撞产生率模拟分布图7 场板长度L=1.75um的沟道中电子碰撞产生率模拟分布图8场板长度L=2um的
25、沟道中电子碰撞产生率模拟分布图9 场板长度L=2.25um的沟道中电子碰撞产生率模拟分布图10-12是半导体中电场强度分布随场板长度的变化。图10 不同场板长度的沟道中总电场分布图11 不同场板长度的沟道中X电场分布图12 不同场板长度的沟道中Y电场分布图13是Id-Vd击穿曲线，可以清楚看到击穿电压从l=1um时的300V左右增大了l=2.25um时的800V以上。图13 不同长度的场板在关断情况下的输出I-V特性通过对电场分布和碰撞离化率分布的分析知道，场板变长一方面会减弱漏端电场峰值，但另一方面也使发生碰撞离化的区域增大，所以这种构型的场板不是越长越好。实验4 短沟道MOS晶体管特性仿真
26、1、实验内容（1）短沟道LDD-MOS晶体管结构定义。（2）转移特性、输出特性。（3）结构和参数：器件结构下图所示，宽度1.2m，衬底为P型、厚度0.8m、浓度11014 cm-3、晶向，栅氧化层厚度13nm，栅为n+掺杂多晶硅。0Wp+n-n+ 图1 普通耐压层功率二极管结构2、实验要求（1）掌握器件工艺仿真和电气性能仿真程序的设计（2）改变表面浓度，改变栅氧化层厚度，观察阈值电压变化。3、实验过程#启动Athenago athena#器件结构网格划分；line x loc=0.0 spac=0.1 line x loc=0.2 spac=0.006line x loc=0.4 spac=0
27、.006line x loc=0.6 spac=0.01 line y loc=0.0 spac=0.002 line y loc=0.2 spac=0.005line y loc=0.5 spac=0.05line y loc=0.8 spac=0.15(建议定义左边一半)#初始化；#栅氧化，干氧11分钟，温度950.diffus time=11 temp=950 dryo2 press=1.00 hcl.pc=3提取栅氧化层厚度，extract name=”Gateoxide” thickness material=”Sio-2” mat.occno=1 x.val=0.3#阈值电压调整；
28、implant boron dose=9.5e11 energy=10 crystal 提取表面浓度#淀积多晶硅；depo poly thick=0.2 divi=10 #定义多晶硅栅etch poly left p1.x=0.35#多晶硅氧化，湿氧，900度，3分钟；method fermi compressdiffuse time=3 temp=900 weto2 press=1.0#多晶硅掺杂implant phosphor dose=3.0e13 energy=20 crystal#侧墙的形成淀积氧化层：depo oxide thick=0.12 divisions=10干法刻蚀：et
29、ch oxide dry thick=0.12#源漏砷注入，快速退火implant arsenic dose=5.0e15 energy=50 crystalmethod fermi diffuse time=1 temp=900 nitro press=1.0#金属化etch oxide left p1.x=0.2deposit alumin thick=0.03 divi=2etch alumin right p1.x=0.18#提取器件参数：结深，源漏方块电阻，侧墙下的方块电阻，阈值电压# extract final S/D Xjextract name=nxj xj silicon m
30、at.occno=1 x.val=0.1 junc.occno=1# extract the N+ regions sheet resistanceextract name=n+ sheet rho sheet.res material=Silicon mat.occno=1 x.val=0.05 region.occno=1# extract the sheet rho under the spacer, of the LDD regionextract name=ldd sheet rho sheet.res material=Silicon mat.occno=1 x.val=0.3 r
31、egion.occno=1# extract the surface conc under the channel.extract name=chan surf conc surf.conc impurity=Net Doping material=Silicon mat.occno=1 x.val=0.45# extract a curve of conductance versus bias.extract start material=Polysilicon mat.occno=1 bias=0.0 bias.step=0.2 bias.stop=2 x.val=0.45extract
32、done name=sheet cond v bias curve(bias,1dn.conduct material=Silicon mat.occno=1 region.occno=1)outfile=extract.dat# extract the long chan Vtextract name=n1dvt 1dvt ntype vb=0.0 qss=1e10 x.val=0.49#右边结构生成structure mirror right#设置电极electrode name=gate x=0.5 y=0.1electrode name=source x=0.1electrode na
33、me=drain x=1.1electrode name=substrate backside#输出结构图structure outfile=mos1ex01_0.strtonyplot mos1ex01_0.str (每一道工艺定义后，都需要输出/画出结构图)#启动器件仿真器go atlas# 设置模型models cvt srh print #设置界面电荷contact name=gate n.polyinterface qf=3e10#设置迭代模型method newton#解初始化solve init#设置漏极电压0.1Vsolve vdrain=0.1 # Ramp the gate
34、log outf=mos1ex01_1.log master#对栅极电压扫描solve vgate=0 vstep=0.25 vfinal=3.0 name=gatesave outf=mos1ex01_1.str# 画出转移特性曲线tonyplot mos1ex01_1.log -set mos1ex01_1_log.set# 提取器件参数extract name=nvt (xintercept(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain) - abs(ave(v.drain)/2.0)extract name=nbeta slope(maxslope(cu
35、rve(abs(v.gate),abs(i.drain) * (1.0/abs(ave(v.drain)extract name=ntheta (max(abs(v.drain) * $nbeta)/max(abs(i.drain) - (1.0 / (max(abs(v.gate) - ($nvt)#对不同的Vg，求Id与Vds的关系曲线solve initsolve vgate=1.1 outf=solve_tmp1 solve vgate=2.2 outf=solve_tmp2 solve vgate=3.3 outf=solve_tmp3 solve vgate=5 outf=solv
36、e_tmp4 load infile=solve_tmp1log outf=mos_1.logsolve name=drain vdrain=0 vfinal=3.3 vstep=0.3 load infile=solve_tmp2log outf=mos_2.logsolve name=drain vdrain=0 vfinal=3.3 vstep=0.3load infile=solve_tmp3log outf=mos_3.logsolve name=drain vdrain=0 vfinal=3.3 vstep=0.3load infile=solve_tmp4log outf=mos
37、_4.logsolve name=drain vdrain=0 vfinal=3.3 vstep=0.3#画出转移特性曲线tonyplot -overlay -st mos_4.log mos_3.log mos_2.log mos_1.log #退出，quit实验5 功率VDMOS特性仿真1、实验内容功率MOSFET是多子导电性器件，具有开关速度快、输入阻抗高、易驱动、不存在二次击穿现象等优点。理想的功率MOSFET应具有较低的导通电阻、开关损耗和较高的阻断电压。目前，功率MOS的主流器件是VDMOS。（1）VDMOS器件结构定义。（2）转移特性、输出特性。（3）结构和参数：器件结构下图所示
38、。根据陈星弼教授提出的不均匀电流下的最优杂质分布，漂移区最佳厚度为：；杂质浓度为：。设计击穿电压为250V的VDMOS，确定其漂移区的最佳厚度和杂质浓度。器件总厚度=漂移区厚度+漏端厚度+P阱深度，宽度10m（一个单元宽度），阱间距约4m，栅氧化层厚度80nm，多晶硅栅。2、实验要求（1）掌握器件工艺仿真和电气性能仿真程序的设计（2）改变表面浓度，观察阈值电压变化。（3）调整耐压层浓度，使击穿特性达到最佳。（4）掌握导通电阻的求法。3、实验过程#启动工艺仿真器#网格定义和衬底初始化#沟道区由两次掺杂形成P-body的注入采用硼离子注入，剂量为，注入能量为80kev，并在1100摄氏度下热扩散1
39、00分钟，形成的结深约为2.1m。源极的注入采用砷注入，剂量为，注入能量为100kev，并在1100摄氏度下进行热扩散20分钟，形成的结深约为0.5m。#栅氧化层#多晶硅栅#金属化#电极定义#启动器件仿真器# 设置模型#设置界面电荷#设置迭代模型#解初始化#漏极电压从0v加到260V# Id-Vd Vg = 0Vlog outf=vdmos.logsolve vdrain=0.03solve vdrain=0.1solve vdrain=0.25 vstep=0.25 vfinal=2 name=drain solve vstep=1 vfinal=10 name=drain solve vstep=5.0 vfinal=260 name=drain structure outfile=vdmos.strtonyplot vdmos.str (在结构中观察器件中的电场)tonyplot vdmos.log -set vdmos_log.set#对不同的Vg，求Id与Vds的关系曲线#画出转移特性曲线#退出【精品文档】第 13 页