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1、1 AA (ACTIVE AREA) 主动区 ( 工作区 ) 主动晶体管 (ACTIVE FRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动区(active area)在标准之MOS制造过程中 ACTIVE AREA是由，一层氮化硅光罩及等接氮化硅蚀刻之后的局部特区氧化(LOCOS OXIDATION) 所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤所以 Active AREA会受到鸟嘴 (BIRDS BEAK) 之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来得小以长0.6UM 之场区氧化而言大概会有O.5 UM之 BIRDS BEAK 存在也就是说 ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩定义之区域小O.5U
2、MIPA (Aceton)丙酮1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH30HCH32. 性质：无色，具剌激性薄荷臭味之液体3. 用途：在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭4毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、念心、呕吐、目眩、意识不明等。5允许浓度 :1000ppm ADI 显影后检查After Developing Inspection之缩写目的： 检查黄光室制程; 光阻覆盖对准曝光弓显影。 发现缺点后， 如覆盖不良、 显影不良等即予修改 (Rework) 以维产品良率、品质。方
3、法：利用目检、显微镜为之。AEI 蚀刻后检查1. AEI 即 After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除、前反光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。2. AEI之目的有四： 2-1提高产品良率，避免不良品外流。 2-2达到品质的一致性和制程之重复性。 2-3显示制程能力之指针。 2-4防止异常扩大，节省成本3. 通常AEI 检查出来之不良品，非必要时很少做修改。因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低之缺点。Air Shower空气洗尘室进入洁净室之前，须穿无尘衣，因在外面更衣室之故无尘衣上沽着尘埃，故进洁
4、净室之前须经空气喷洗机将尘埃吹掉。Alignment对准目的：在IC 的制造过程中，必须经过6 至 10 次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。方法：利用芯片上的对准键一般用十字键和光罩上的对准键合对为之方式： 1. 人眼对准， 2.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。ALLOY/Sinter合金化ALLOY之目的在使铝与硅基（SILICON SUBSTRATE ）之接钢有OHMIC特性，即电压与电流成线性关系。ALLOY也可降低接触的阻力值。即：（1）Release 各层间的 stress （应力），形成良好的层与层之间的接触面名师资料总结 - -
5、-精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 44 页 - - - - - - - - - 2 （2）降低层与层接触面之间的电阻AL/SI 铝/ 硅 靶此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用AR游离的离子，让其撞击此靶的表面，把AL/SI的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为AL/SI(1%) ，将此当做组件与外界导线连接。AL/SI/CU 铝/ 硅/ 铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET ，其成份为0.5% 铜，1% 硅及 98.5%铝，一般制程通常是使用9
6、9% 铝 1%硅后来为了金属电荷迁移现象(ELEC TROMIGRATION) 故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移ALUMINUM 铝此为金属溅镀时，所使用的一种金属材料，利用AR离子，让其撞击此种材料做成的靶表面把AL原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此做为组件与外界导线之连接。ANGLE LAPPING 角度研磨ANGLELAPPING 的目的是为了测量JUNCTION 的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之 ANAGLE LAPPING 。公式为Xj =/NF，即 JUNCTION深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。 但渐渐的随着VLSI 组件的缩小， 准确度及
7、精密度都无法因应，如 SRP(SPREADING RESISTANCE PRQBING) 也是应用ANGLE LAPPING的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻质的对应关系求出JUNCTION 的深度，精确度远超过入射光干涉法。ANGSTROM埃是一个长度单位，其大小为1 公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度之伍拾万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层( 如 SiO2，POLY ，SIN) 厚度时用。APCVD (ATMOSPRESSURE)常压化学气相沉积APCVD 为 ATMOSPHERE(大气 ), PRESSURE （压力）, CHEMICAL ( 化学 ), VAPOR(
8、气相) 及 DEPOSITION ( 沉积 ) 的缩写，也就是说，反应气体 ( 如 SIH4(g) ，PH3（g）, B2H6和 O2（g）) 在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物 ( 如 BPSG)于芯片上。As75砷自然界元素之一。由33 个质子 42 个中子及 75 个电子所组成。半导体工业用的砷离子(As+) 可由 AsH气体分解而得到。As 是 N-type dopant常用做 N 场区空乏区及S/D 植入。Ashing, Stripping电浆光阻去除l. 电浆光阻去除，就是以电浆(Plasma) 的方式将芯片表面之光阻加以去除。2. 电浆光阻去除的原理系利用氧气在电浆中所产生
9、之自由基(Radical)与光阻 ( 高分子的有机物) 发生作用，产生挥发性的气体，再由邦浦抽走，达到光阻去除的目的。反应机构如下示: O + PR CO2 ; H2O ; Polymer fragments，- 3. 电浆光阻去除的生产速率(throughput)通常较酸液光阻去除为慢但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻无法将表面已变质之光阻加以去除故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - -
10、 - - - - - 第 2 页，共 44 页 - - - - - - - - - 3 Assembly 晶粒封装以树脂或陶瓷材料将晶粒包在其中以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程即称为晶粒封装(Assembly) 。封装的材料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都是以树脂材料作晶粒的封装制程包括：芯片切割晶粒目检晶粒上 架 ( 导线架， 即 Leadframe) 焊线模压封装稳定烘烤 ( 使树脂物性稳定 ) 切框、弯脚成型脚沾锡盖印完成。以树脂为材料之IC通常用于消费性产品如计算机、计算横。而以陶瓷作封装材料之IC属于高信赖度之组件，通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。B
11、ack Grinding晶背研磨利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装，着重的是厚度、均匀度、及背面之干净度。一般 6 吋芯片之厚度约20 mil 30 mil左右，为了便于晶粒封装打线，故须将芯片厚度磨薄至10 mil-15mil左右。Bake, Soft bake, Hard bake烘培、软烤、预烤烘烤（ Bake）: 在机集成电路芯片的制造过程中，将芯片置于稍高温(60oC250oC)的烘箱内或热板上均可谓之烘烤。随其目的不同，可区分为软烤(Soft bake)与预烤 (Hard bake)。软烤 (Soft bake) :其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，
12、并且可增加光阻与芯片之附着力。预烤 (Hard bake):又称为蚀刻前烘烤(pre-etch bake)，主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻 (wet etching)更为重要，预烤不全常会造成过蚀刻。BF2二氟化硼一种供做离子植入用之离子。BF2+是由 BF3气体经灯丝加热分解成： B10，B11，F19，B10 BF2，B11F2 经 Extraction拉出及质谱磁场分析后而得到。是一种p-type离子，通常用做VT 植入（层）及 S/D 质植入。BOAT晶舟BOAT原意是单木舟。在半导体IC 制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送，清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称
13、之为BOAT 。一般 BOAT有两种材质，一是石英，另一是铁氟龙。石英BOAT用在温度较高 ( 大于 300C)的场合。而铁氟龙 BOAT则用在传送或酸处理的场合。B. O. E.缓冲蚀刻液B. O. E.是 HF 与 NH4F 依不同比例混合而成。6:1 BOE 蚀刻即表示HF: NH4F =l:6的成份混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F 则做为缓冲剂使用。利用NH4F 固定 H 的浓度，使之保持一定的蚀刻率。 HF 会侵蚀玻璃及任何硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量冲洗。Bonding Pad焊垫焊垫 - 晶粒用以连接金线或铝线的金属层。在晶粒封装(Assembl
14、y) 的制程中，有一个步骤是作焊线 ;即是用金线( 塑料包装体) 或铝线 ( 陶瓷包装体) 将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图(Bonding Diagram) 连接在一起，如此一来，晶粒的功能才能有效地用。由于晶粒上的金属线路的宽度及间隙都非常窄小 ( 目前 TI-Acer的产品约是0.5 微米左右的线宽或间隙) ，而用来连接用的金线或铝线其线径目前由于受到材料的延展性及对金属接线强度要求的限制，祇名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 44 页 - - -
15、 - - - - - - 4 能做到 1.0-1.3mill (25.433微米) 左右。在此情况下要把二、三十微米的金属线直接连接到金属线路间距只有0.5 微米的晶上， 一定会造成多条铝路的桥接，故晶粒上的铝路， 在其末端皆设计成一个4mil见方的金属层，此即为焊垫，以作为接线用。焊垫通常分布在晶粒之四个周边上 ( 以利封装时的焊线作业)，其形状多为正方形，亦有人将第一焊线点做成圆形，以资识别。焊垫因为要作接线其上的护层必须蚀刻掉，故可在焊垫上清楚地看到 开窗线 。而晶粒上有时亦可看到大块的金属层，位于晶粒内部而非四周，其上也看不到开窗线，是为电容。Boron 硼自然界元素之一，由五个质子及
16、六个中子所组成、所以原子量是11。另外有同位素，是由5 个质子及5 个中子所组成，原子量是 10,(B10) ，自然界中这两种同位素之比例是4:1 ，可由磁场质谱分析中看出。是一种 p-type离子（ B11+） ，用来做场区、井区、VT及 S/D 植入。BPSG含硼及磷的硅化物BPSG乃介于 POLY之上，METAL 之下， 可做为上下二层绝缘之用，加硼、 磷，主要目的在使回流后的STEP较平缓，以防止METAL LINE溅镀上去后，造成断线。BREAKDOWN VOLTAGE崩溃电压反向 P-N 接面组件所加之电压为P接负而 N接正，如为此种接法则当所加电压通在某个特定位以下时反向电流很小
17、，而当所加电压大于此特定位后，反向电流会急遽的增加，此特定值也就是吾人所谓的崩溃电压 (BREAKDOWN VOLTAGE) 一般吾人定义反向P+-N 接面之反向电流为1UA时之电压为崩溃电压在P+-N或为 N +- P 之接回组件中崩溃电压，随着N(或者 P)之浓度之增加而减小。Burn in预烧试验预烧 (Burn in)为可靠性测试的一种，旨在检验出那些在使用初期即损坏的产品，而在出货前予以剔除。预坏试验的作法，乃是将组件( 产品 ) 置于高温的环境下，加上指定的正向或反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层之外来杂质离子或腐蚀性离子将容易游离而使故障模式(Failure Mode
18、)提早显现出来，达到筛选、剔除早期夭折产品之目的。预烧试验分为静态预烧(Static Burn in)与动态预烧(Dynamic Burn in)两种，前者在试验时，只在组件上加上额定的工作电压及消耗额定的功率。而后者除此外并有仿真实际工作情况的讯号输入，故较接近实际况，也较严格。基本上，每一批产品在出货前，皆须作百分之百的预烧试验，但由于成本及交货期等因素，有些产品就祇作抽样 ( 部分 ) 的预烧试验，通过后才货。另外，对于一些我们认为它品质够稳定且够水准的产品，亦可以抽样的方式进行。当然，具有高信赖度的产品，皆须通过百分之百的预烧试验。CAD计算机辅助设计CAD: Computer Aid
19、ed Design 计算机辅助设计，此名词所包含的范围很广。可泛称一切以计算机为工具所进行之设计；因此不仅在IC 设计上用得到，建筑上之设计，飞机、船体之设计，都可能用到。在以往计算机尚未广泛应用时，设计者必须以有限之记亿、经验来进行设计。可是有了所谓CAD 后我们把一些常用之规则、经验存入计算机后，后面的设计者，便可节省不少从头摸索的工作，如此不仅大幅的提高了设计的效率，也提高了设计的准确度，使设计的领域进入另一新天地。CD Measurement 微距测量CD ：Critical Dimension之简称。通常于一层次中，为了控制其最小线距，我们会制作一些代表性之量测图形于晶方中，通常置于
20、晶方之边缘。量测 CD 之层次通常是对于线距控制较重要之层次，如氮化硅、POLY 、CONT 、MET, 等，而目前较常用名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 44 页 - - - - - - - - - 5 于量测之图形有品字型，L-BAR 等。简言之，微距测量常当作一个重要之制程指针，可代表黄光制程之控制好坏。CH3COOH 醋酸ACETIC ACID醋酸澄 清 ， 无 色 液 体 ， 有 刺 激 性 气 味 ， 熔 点16.63oC ， 沸 点118oC
21、。 与 水 、 酒 精 、乙醚互溶。可燃。冰醋酸是99.8%以上之纯化物，有别于水溶液的醋酸。食入或吸入纯醋酸有中等的毒性。对皮肤及组织有刺激性，危害性不大，被溅到用水冲洗。Chamber真空室，反应室专指一密闭的空间，而有特殊的用途、诸如抽真空，气体反应或金属溅镀等。因此常需对此空间之种种外在或内在环境加以控制；例如外在粒子数(particle)、湿度等及内在温度、压力、气逞流量、粒子数等达到最佳的反应条件。Channel 信道当在 MOS 电晶注的闸极加上电压（PMOS为负， NMOS为正） 。则闸极下的电子或电洞会被其电场所吸引或排斥而使闸极下之区域形成一反转层 (Inversion l
22、ayer)。也就是其下之半导体 p-type变成 N-type Si，N-type 变成 p-type Si ，而与源极和汲极成同type ，故能导通汲极和源极。我们就称此反转层为 信道 。信道的长度Channel Length 对 MOS 组件的参数有着极重要的影响，故我们对POLY CD 的控制需要非常谨慎。Chip, Die晶粒一片芯片 (OR晶圆，即Wafer) 上有许多相同的方形小单位，这些小单位即称为晶粒。同一芯片上之每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC 数量是很可观的。同样地，如果因制造的疏忽而
23、产生的缺点，往住就会波及成百成千个产品。CLT Carrier Life Time载子生命周期一. 定义少数载子在温度平衡时电子被束缚在原子格内，当外加能量时，电子获得能量，脱离原子格束缚形成自由形态，而参与电流导通的工作，但能量消失后，这些电子/ 电洞将因再结合因素，回复至平衡状态，因此当这些再载子由被激发后回复平衡的 Life Time。二应用范围 1.评估炉管和清洗槽的干净度 2.针对芯片之清洁度及损伤程度对 CLT值有影响为 a芯片中离子污染浓度及污染之金属种类 b.芯片中结晶缺陷浓度名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - -
24、- - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 44 页 - - - - - - - - - 6 CMOS 互补式金氧半导体金属氧化膜半导体(MOS,METAL-OXIDE SEMICODUCTOR)其制造程序及先在单晶硅上形成绝缘氧化膜，再沉积一层复晶硅( 或金属 ) 做为闸极，利用加到闸极的电场来控制MOS 组件的开关 ( 导电或不导电 ) 。按照导电载子的种类，MOS又可分成两种类型:NMOS( 由电子导电 ) 和 PMOS( 由电洞导电 ) 。而互补式金氧半导体(CMOS, COMPLEMENTARY MOS ） 则是由 NMOS 及 PMOS 组合而成， 具有省
25、电， 抗噪声能力强、 一 PARTICLE免役力好等许多优点，是超大规模集成电路(VLSI) 的主流。MOS 的基本构造如图所示: Coating光阻覆盖将光阻剂以浸泡、喷雾、刷布、或滚压等方法加于芯片上，称为光阻覆盖，而效果最佳的方法还是使用旋转法。旋转法乃是将芯片以真空吸附于一个可旋转拘芯片支持器上，适量的光阻剂加在芯片中央，然后芯片开始转动，芯片上的光阻剂向外流开，很均匀的散在芯片上。要得到均匀的光阻膜。旋转速率必须适中稳定，而旋转速度和光阻剂粘滞性决定所镀光阻剂的厚度。光阻剂加上后，必须经过软烤的步骤，以除去光阻剂中过多的溶剂，进而使光阻膜较为坚硬，同时增加光阻膜与芯片的接合能力，而控
26、制软烤效果的主要方法就是在于适当调登软烤温度与时间。经过了以上的镀光阻膜及软烤过程，也就是完成了整个光阻覆盖的步骤。CROSS SECTlON 横截面IC 的制造，基本上是由一层一层的图案堆积上去，而为了了解堆积图案的结构，以改善制程，或解决制程问题，以电子显微镜(SEM)来观察，而切割横截面，观察横截面的方式，是其中较为普遍之一种。C-V PLOT电容、电压圆译意为电容、 电压图， 也就是说当组件在不同状况下，在闸极上施以某一电压时，会产生不同之电容值，( 此电压可为正或负) ，如此组件为理想的组件，也就是闸极和汲极和源极间几乎没有杂质在里面(COMTAMINATION) 则当外界环境改变时
27、，( 温度或压力 ) 并不太会影响它的电容值，利用此可MONITOR MOS组件之好坏，一般V W+6HF (2)2WF6+3Si 2W+3SiF4(3)WF6+SiH4W+SiF4+2HF+H2RCA清洗法RCA清洗法为美商RCA公司所发展之硅晶圆清洗技术，于1965 年应用于RCA组件制作上，并于1970 年发表其清洗过程。RCA清洗方法为二段步骤：湿式氧化及错合反应。RCA清洗法可以有效去除晶圆上尘粒、有机物及金属离子污染，一般亦称之为标准清洗。Reactive Ion Etching R.I.E活性离子蚀刻在电浆蚀刻时，电浆里包含了活性原子、活性离子 ( 正离子 ) 及电子，当压力较低
28、( 小于 100mT)且气体两端所加之电压(RF Power) 够高时，活性离子即被迅速加速冲向电极上之芯片，。而撞击晶面上曝露在电浆中的表层，将表层之原子击出，再与活性原子反应因而造成蚀刻，此类之蚀刻即称之为活性离子蚀刻。RECIPE程序 RECIPE 在字典的解释是医生的处方，厨师的食谱。在IC 制程中，则意指制程的程序。IC 制造中各个步骤都有不同的要求: 如温度要多少?某气体流量多少?反应室的压力多少?等等甚多的参数都是RECIPE内容的一部份。REFLOW 回流回流是IC 制程中一种特殊技术。作法是将磷或硼或两者合一，掺入二氧化硅中( 常用 CVD方式 ) 。之后，将芯片推入高温炉管
29、一段时间，该二氧化硅层(PSG BPSG或 BSG) 即会 流动 ，使芯片表面变得较平坦。此即回流平坦化技术。回流取该氧化层 重新流动 之意。Registration Error注记差名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 30 页，共 44 页 - - - - - - - - - 31 IC芯片的两个层次之间，必须要正确地叠在一起，此二层次图案离完全正确对准之差距，即称为Registration Error (注记差 ) ；如下图之光标(Vernier)即为显示注记差之程度
30、：RELIABILITY 可靠性可靠性实在有很多方法来描述，但我们只针对两个观点来讨论。一般来说，可靠性就是客户对我们的产品，在他们使用一段很长的时间之后，仍能符合他们的信赖与期待。更精确的描述就是我们的产品在我们所要求的特殊环境的测试，经过一段很长时间之后，仍能确保IC 功能，函数的正常操作称之为可靠性合格产品。测试的项目很多，但总离不开，电压、温度机械应力，湿度及压力等。Repeat Defect重复性缺点重复性缺点 (Repeat Defect)系指同一芯片内每一个Field(曝光区 ) 的相同位置均出现相同之缺点。重复性缺点仅发生于Stepper 曝光之产品。重复性缺点所产生的现象可分
31、为二种：1. 1. 光罩图案缺失 : 造成芯片图案缺失；2. 2. 光罩表面或Pellicle表面污染 : 造成重复性显影不良。重复性缺点对产品良率有很大的杀伤力，例如一个Field内有 8 个晶方，若有一个晶方图案有缺失，就会造成产品良率1/8 之损失，因此重复性缺点是VLSI 的头号杀手。Resistivity阻值物理学上定义阻值( ，即欧姆 ) 为 R V/I 在物体两截面上通以定电流V，量得电压降 V，则 V /I即为这物体的阻值。 但在半导体工业上， 这样定义阻值并无太大实用价值。我们只关心芯片表面薄薄一层动作区 (Active Area) 的阻值。于是另外定义一 薄层阻值 (She
32、et Resistance)，以四点针测的方法量取V及 I( 见四点针测一文) 。 Rs = V/I (V / 口) 定义为芯片的阻值。Registration ErrorIV名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 31 页，共 44 页 - - - - - - - - - 32 Resolution解析力解析力在IC 制程的对准及印刷(Align & Print)过程中占着相当重要的地位，尤其演进到VLSI 后，解析力的要求就更高了，它是对光学系统( 如对准演、显微镜、望远
33、镜等) 好坏的评估标准之一，现今多以法国人雷莱 (Rayleigh)所制定的标准遵循之。定义 - 物面上两光点经光学系统投于成像面上不会模糊到只被看成一点时，物面上两点间之最短距离。若此距离愈小，则解析力愈大( 通常镜面大者，即NA大者，其解析力也愈大) 解析力不佳时，例如对准机对焦不清(Defocus) 时，就会造成CD控制不良， Metal 桥接， Contact瞎窗或开窗过大等。Reticle光罩为使 IC 各个线路在芯片上成形(PATTERN) ，则必须有规范露光及遮光区域 ( 规范曝光成形 ) 的罩子，此称为光罩。Rework/Scrap/Waive修改 / 报废 / 签过修改 :
34、分 ADI 修改， AEI 修改 ADI修改：将光阻去除，重新上新光阻，以定义新的或精确的图形。 AEI修改：将己沉积或氧化的厚厚膜或薄层去除，重新沉积或氧化。报废 : 芯片受污染或流程不合规范上之规定，造成芯片有无良率之可能，则停止流程不继Optical SystemFocal PlaneMinimumDistanceReticleStepper LensSystemPatternon Wafer名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 32 页，共 44 页 - - - -
35、 - - - - - 33 续生产。谓之。签过 : 当芯片流程至某步骤时，发现图形或规格不合于规范内之规定，但其影响不致使晶片达报废之程度，可由工程师签署，继续流程。Run in/out挤进 , 挤出对准不良的一种; 挤进 (Run in):不管是在水平或垂直方向芯片中央附近对准良好，而两边图案向中央挤进。挤出 (Run out):不管是在水平或垂直方向芯片中央附近对准良好，而两边图向中央挤出。如上图所示。绿色表Run out; 红色表 Run in 。SAC OX 牺牲氧化层a.Repair plasma damage Si surface; b.SAC oxide for implant
36、layer buffer, C. 防止有机PR直接与 Si 接触，造成污染。PR中所含的有机物很难清洗。也为下一步的IMP 作阻挡层，防止离子IMP 时发生穿隧效应。使 dopant profile得到较好的控制. SC1清洗Standard clean 1 或简称 SC-1为标准清洗的第一段制程，由 5 份去离子水 +1 份 30双氧水1 份 29氨水组成之碱性过氧化物混合液，加温至摄氏70 - 80 度清洗，过后再以去离子水冲洗（ rinse ） 。SC-1溶液作用为去除晶圆表面之尘粒吸附，并可氧化及去除轻微的有机物污染及部份金属原子污染。SC2清洗Standard clean 2 或简称
37、 SC-2 为标准清洗第二步骤，由6 份去离子水 +1份 30双氧水1 份 37盐酸组成之酸性过氧化物混合液，加温至摄氏70 - 80度清洗，过后再以去离子水冲洗（ rinse ） 。SC-2溶液可溶解碱金属离子和铝、铁及镁之氢氧化物，此乃藉由盐酸中氯离子与残留金属离子形错合物而溶 解于水溶液中。Scrubber 刷洗机1. 在沉积或蚀刻制程之后常会有些微尘落在芯片表面，此种P/D 可刷洗去除，避免对良率的伤害。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 33 页，共 44 页
38、- - - - - - - - - 34 2. 依照膜的性质，及机台的特性不同，通常我们有下列5 种不同刷洗方式: - 去离子水冲洗- 毛刷刷洗- 高压水刷洗- 毛刷加高压水刷洗- 芯片双面刷洗SEM Scanning Electron Microscopy电子显微镜电子头微镜的解像能力介于光学显微镜与穿透式电子显微镜之间，可用于检验固体试片，由于视野纵深长，可显示清晰三度空间像。SEM最常用之运作方式为发射电子束方式（EMISSIVE MODE) ，电子由灯丝放出，而由约5 - 3OKV 之电压加速，再经过电磁透镜使电子束聚集，照射至试片表面。一般使通过扫描线圈之电流同时通过相对应之阴极线管
39、偏折电子束，而在萤光幕上产生相似而较大之扫描动作，达到放大之作用。Selectivity选择性两种材抖，分别以相同的酸液或电浆作蚀刻其两蚀刻率之比值，谓之: 例如，复晶电浆蚀：对复晶之蚀刻率为2OO0? /min ( 分 ) 对氧化层之蚀刻率为20O? /min ( 分 ) 则复晶对氧化层之选择性:S 20OO ?/min S= 10 2OO ?/min选择性愈高表示蚀刻特性愈好，一般干式蚀刻选择性较化学湿蚀刻为差，吾人取较高的选择性之目的即在于电浆蚀刻专心蚀刻该蚀刻之氧化层，而不会伤害到上层光阻或下层氧化层，以确保蚀刻之完整性。Silicide硅化物一般称为硅化物 (Silicide)，指耐
40、火金属 (Refratory Metal) 之硅化物，如钛(Ti) 、钨(W)、钼 (Mo)等元素硅 (Si) 结合而成之化合物 (TiSi2、WSi2、MoSi2) 。ScanGeneratorCRTGainVideoAmp.SampleDetectorCathodeAnodeWehnellElectron BeamElectronGunElectron OpticalSystemElectron FocusLensElectron FocusLensPower Supply名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师
41、精心整理 - - - - - - - 第 34 页，共 44 页 - - - - - - - - - 35 硅化物应用在组件之目的，主要为降低金属与硅界面、闸极或晶体管串连之阻抗，以增加组件之性能。以钛之硅化物为例，其制造流程如下所示：Silicide金属硅化物 Silicide通常指金属硅化物，为金属舆硅之化合物。在微电子工业硅晶集成电路中主要用为： (1) 导体接触 (Ohmic Contact) (2) 单向能阻接触 (Schottky Barrier Contact) (3) 低阻闸极 (Gate Electrode) (4) 组件间通路 (Interconnect) 在 VLSI(
42、超大型积逞电路)时代中， 接面深度及界面接触面积分别降至次微米及1-2 平方毫米。 以往广泛应用为金属接触的Al ，由于严重的穿入半导靠问题，在VLSI 中不再适用。再加上其它技术及应用上的需求，金属硅化物在集成电路工业上日益受重视。用于集成电路中之金属硅化物限于近贵重(Pt ， Pd， Co， Ni ， ,) 及高温金属(Ti ， W ， Mo， Ta)硅化物。SILICON 硅硅 -SI ( 全各 SILICON)为自然界元素之一种，亦即我们使用的硅芯片组成元素，在元素周期表中排行14，原子量28.09 ，以结晶状态存在( 重复性单位细胞组成) ，每一单位细胞为田一个硅原子在中心，与其它
43、4 个等位硅原子所组成之四面体( 称为钻石结构 ) 如图标中心原子以其4 个外围共价电子与邻近之原子其原形或其价键之结合。硅元素之电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料之间( 故称半导体材料) ，人类可经由温度之变化，能量之激发及杂质渗入后改变其传导特性，再配合了适当的制程步骤，便产生许多重要的电子组件，运用在人类的日常生活中。SILICON NITRIDE 氮化硅氮化硅是SIxNy 的学名。这种材料跟二氧化硅有甚多相似处。氮化硅通常用低压化学气相沉积法或电浆化学气相沉积法所生成。前者所得之薄膜品质较佳，通常作IC 隔离氧化技术中的阻隔屑，而后者品质稍差，但因其沉积时温度甚低，可以作IC 完成主
44、结构后的保护层。SMS Semiconductor Manufacturing Systems半导体制造系统此 SMS- 半导体制造系统为德州仪器公司 (TI)为辅助半导体的生产制造而发展出的一计算机软件系统，其主要功能包含有： 1) 制程变更控制 2) 制程数据搜集与统计图表 3) 制程与操作规格制定 4) 机台维护追踪 5) 生产计划制定 6) 线上统计报表 7) 在制品操作与追踪 8) 自动化系统接口OxideOxideTiPoly SiGateOxideOxideTiSi2名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - -
45、名师精心整理 - - - - - - - 第 35 页，共 44 页 - - - - - - - - - 36 Soft Ware, Hard Ware软件，硬件大略而言，所谓硬件可泛指像PC-BOARD ，机台外壳等一些零组件; 而软件一般指运用程序，指令一套完整之控制系统，可经由程序、指令之修改而修改，以人为例子，软件就好比脑中之记忆、思想，可控制整个身体各部分之动作，而硬件就好比人的手、足、眼、耳等器官; 由以上之比喻，可知道软件、硬件是相辅相成，缺一不可。近来尚有一种介于Soft Ware、Hard Ware 之间，称为Firm-Ware ，他的功用，就相当于把软件写入( 比如 PRO
46、M) 。以加快速度，因此软、硬间的区分也变得较不明显了。S.O.G. Spin on Glass旋制氧化硅旋制氧化硅 (Spin on Glass)是利用旋制芯片，将含有硅化物之溶液均匀地平涂于芯片上，再利用加热方式与溶剂驱离，并将固体硅化物硬化成稳定之非晶相氧化硅。其简单流程如下: 旋转平涂加热烧烤高温硬化 (450 ) 旋制氧化硅是应用在组件制造中，金属层间之平坦化(Planization)，以增加层与层之间的接合特性，避免空洞之形成及膜之剥裂。其结构如图表示: S.O.J. Small Outline J-Lead Package缩小型 J 形脚包装I. C. 因外脚弯成 J 字形，且外
47、伸长度较一般I.C 为小而得名。是记忆I.C 的普遍化包装形态，为配合表面粘着技术的高集积度要求而诞生。SOLVENT 溶剂1两种物质相互溶解混合成一种均匀的物质时，较少的物质被称为溶质，较多的物质，被称为溶剂。例如 : 糖溶解于水中变成糖水，则糖为溶质，水为溶剂，混合的结果，称为溶液。2溶剂分有机溶剂典无机溶剂两种: 2-1 有机溶剂 : 分子内含有碳 (C) 原子的，称为有机溶剂，例如: 丙砚 (CH3COCH3),IPA(CH3CHOHCH3) 2-2 无机溶剂 : 分子内不含有碳(C) 原子的称为无机溶剂例如: 硫酸 (H2SO4)，轻氟酸 (HF) 3在 FAB内所通称的溶剂，一般是
48、指有机溶剂而言SPECIFICATION(SPEC) 规范是公司标准化最重要的项目之一，它规定了与生产有关事项的一切细节，包括机台操作，洁净室，设备及保养，材料，工具及配件，品管，可靠性，测试等等。 IC制造流程复杂，唯有把所有事项钜细靡遗的规范清楚，并确实执行，才可能做好品质管制。所有相关人员尤其是现场操作人员底随时确实遵照规范执行，检讨规范是否合理可行，相关规范是否有冲突，以达自主管理及全员参与标准化之目标。Spice ParameterSPICE参数 SPICE 是一个分析非线性DC 、非线性瞬间AC和线性 AC行为的电路仿真程序。其由各种不同的半导体组件模式计算之，有DIODES ，B
49、JTS，JFETS， MOSFETS 等。利用此种模式计算仿真实际半导体电路的工作情形。而使用于这些模型上的计算参数统称SPICE参数。 Inter LayerDielectric (ILD)MetalMetalMetal Inter LayerDielectric (ILD)Spin on Glass名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 36 页，共 44 页 - - - - - - - - - 37 Spreading Resistance Analysis展布电阻分析
50、 S.R.A. 在一些情况下，可利用S.R.A. 方法来得到其Resisitivity：（1）n on n+ layer, p on p+ layer （2）n on n layer, p on p layer （3）depth profiling （4）lateral profiling （5）very small areas 在量测 Resistivity 的方法有恨多，但若要降低校正，则一定要使用到Point-Contact Probe 的展布电阻。下列是一些不同展布电阻Probe 安排：Broad Area Contact是作為 Current-return path. 两个极接近点接