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1、GDSN+N+P绝缘栅场效应绝缘栅场效应管的分类管的分类增强型增强型耗尽型耗尽型N沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道源极：源极：S漏极：漏极：D栅极：栅极：G1、增强型绝缘栅场效应管、增强型绝缘栅场效应管GDS15.9.1 15.9.1 绝缘栅场效晶体管绝缘栅场效晶体管场效应管的主要参数：场效应管的主要参数：开启电压：开启电压：U UGS(th)GS(th)夹断电压：夹断电压：U UGS(off)GS(off)饱和漏源电流：饱和漏源电流：I IDSSDSS跨导：跨导：g gm mgm =DSUGSDUI漏源击穿电压：漏源击穿电压：U UDS(BR)DS(BR)栅源击穿电压：栅源击穿电压：U
2、 UGS(BR)GS(BR)使用绝缘栅场效应使用绝缘栅场效应管时，要注意选择管时，要注意选择适当的参数，不要适当的参数，不要超极限使用。超极限使用。特别要注意：在保特别要注意：在保存及安装时，应使存及安装时，应使三个电极保持短路；三个电极保持短路；焊接烙铁须接地良焊接烙铁须接地良好。好。双极型晶体管双极型晶体管场效应管场效应管载流子载流子两种载流子同时参与两种载流子同时参与导电故称为双极型晶导电故称为双极型晶体管体管只有一种载流子参与导只有一种载流子参与导电故称为单极型晶体管电故称为单极型晶体管控制方式控制方式电流控制电流控制电压控制电压控制类型类型NPN型和型和PNP型型N沟道和沟道和P沟道
3、沟道放大参数放大参数20-100gm=1-5mA/V输入电阻输入电阻rce=102-104 rds=107-1014 输出电阻输出电阻很高很高很高很高热稳定性热稳定性差差好好制造工艺制造工艺较复杂较复杂简单、成本低简单、成本低对应极对应极基极基极发射极发射极集电极集电极栅极栅极源极源极漏极漏极场效应管和双极型晶体管的比较场效应管和双极型晶体管的比较15.9.2 15.9.2 场效晶体管放大电路场效晶体管放大电路 二、二、场效应管放大电路场效应管放大电路1、自给偏压、自给偏压 偏置电路偏置电路静态值：静态值：SDSSGSRIRIURS：源极电阻；：源极电阻；CS：源极旁路电容；：源极旁路电容；R
4、G：栅极电阻；：栅极电阻；RD：漏极电阻；：漏极电阻；C1、C1 ：耦合电容；：耦合电容；uiCSC1RD+RSRG+UDDC2+u0只适用于只适用于N沟道沟道耗尽型耗尽型绝缘栅场效晶体管绝缘栅场效晶体管2、分压式偏置电路、分压式偏置电路uiCSC1RDRG1+RSRG2+UccC3+RG求：静态值、电压放大倍数求：静态值、电压放大倍数SDGSDDDGGGGSRIVRIURRRU212载电阻载电阻RL=10k 。所用场效应管为。所用场效应管为N沟道耗尽型沟道耗尽型，IDSS =0.9mA，UGS(off)=4V，gm=1.5mA/V。例例已知已知UDD =20V，RG=10k ，RS=10k
5、，RG1= 200k ，RG2=51k ，RG=1M ，输出端接有负，输出端接有负由直流偏置电路，由直流偏置电路，及及2)()1 (offGSGSDSSDUUIIuiCSC1RDRG1+RSRG2+UccC3+RGDDGSIIU10410512002051接有负载电阻接有负载电阻RL=10k 。所用场效应管为。所用场效应管为N沟道沟道耗尽型耗尽型，ID S S=0.9mA，UG S ( o f f )= 4V，gm=1.5mA/V。例例已知已知UDD =20V，RG=10k ，RS=10k ，RG1=200k ，RG2=51k ，RG=1M ，输出端，输出端解之得解之得2)41 (9 .0GS
6、DUIVUGS1mAID5 .02、分压式偏置电路、分压式偏置电路输入电阻：输入电阻：uiRGu0RG2RG1RL交流通路交流通路GGGGiRRRRr21/输出电阻：输出电阻：DoRr输出电压：输出电压：LDLLgsmLdoRRRRUgRIU/场效应管等效电路：场效应管等效电路：LmgsoiouRgUUUUAGSmug电压放大倍数：电压放大倍数：动态分析动态分析当源极的上部分电阻未被旁路时当源极的上部分电阻未被旁路时uiRSRGu0RG2RG1RLGSmugGSLgsmLDoRUgRIU)1 (SmgsSgsmgsSDgsiRgURUgURIUU故电压放大倍数：故电压放大倍数：1SmLmiouRgRgUUA3.源极输出器源极输出器1)/(1)/(LSmLSmio RRgRRgUUAuogsiUUU )(LSSR/RIUo )( LSgsmR/RUg 电压放大倍数电压放大倍数)/(LSgsmgsRRUgU uiC1RG1+RSRG2+UDDC2+RGu0T作业作业 P90 15.9.1